RU2499291C2 - Method for analogue-to-digital conversion of optical radiation on switched conductivity diode and photodetector for realising said method - Google Patents
Method for analogue-to-digital conversion of optical radiation on switched conductivity diode and photodetector for realising said method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2499291C2 RU2499291C2 RU2011138836/28A RU2011138836A RU2499291C2 RU 2499291 C2 RU2499291 C2 RU 2499291C2 RU 2011138836/28 A RU2011138836/28 A RU 2011138836/28A RU 2011138836 A RU2011138836 A RU 2011138836A RU 2499291 C2 RU2499291 C2 RU 2499291C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photodetector
- cell
- signal
- charge
- switching
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в видеокамерах и фотоаппаратах, предназначенных для регистрации цифровых изображений.The invention relates to techniques for machine vision and can be used in video cameras and cameras designed to register digital images.
Известны способы аналогово-цифрового преобразования и фотоприемники с аналогово-цифровым преобразованием в ячейках, см. US Patent 6,271,785, Aug.7, 2001, D.A. Martin et al., "CMOS imager with an A/D per pixel convector", US Patent 6,380,880, Apr. 30, 2002, Bidermann, "Digital pixel sensor with integrated charge transfer amplifier", US Patent 7,456,885, Nov.25, 2008, R.J. Baker, "Per column one-bit ADC for image sensors". Достоинством способов аналогово-цифрового преобразования светового излучения в ячейке и фотоприемников на их основе является высокая защищенность от нелинейных искажений и помех в цепях считывания и передачи сигналов фотодетекторов. Недостатком является повышенная сложность ячеек.Known methods of analog-to-digital conversion and photodetectors with analog-to-digital conversion in cells, see US Patent 6,271,785, Aug.7, 2001, D.A. Martin et al., "CMOS imager with an A / D per pixel convector", US Patent 6,380,880, Apr. 30, 2002, Bidermann, "Digital pixel sensor with integrated charge transfer amplifier", US Patent 7,456,885, Nov.25, 2008, R.J. Baker, "Per column one-bit ADC for image sensors." The advantage of the methods of analog-to-digital conversion of light radiation in a cell and photodetectors based on them is high protection from nonlinear distortions and interference in the read and transmit signals of photodetectors. The disadvantage is the increased complexity of the cells.
Наиболее близким аналогом к заявленному изобретению является устройство фотоприемника и метод, описанные в US Patent 6,271,785, Aug. 7, 2001, D.A. Martin et al., "CMOS imager with an A/D per pixel convector".The closest analogue to the claimed invention is a photodetector device and the method described in US Patent 6,271,785, Aug. 7, 2001, D.A. Martin et al., "CMOS imager with an A / D per pixel convector".
Приведенный в этом источнике способ аналогово-цифрового преобразования светового излучения включает преобразование излучения в фототок, интегрирование за время экспозиции фототока в электрический заряд, изменяющий предварительно введенный перед экспозицией начальный заряд, преобразование результирующего заряда в напряжение сигнала, сравнение напряжения сигнала с эталонным напряжением и переключение компаратора как результат сравнения, формирование двоичных сигналов, модулированных по времени переключения относительно начального времени, формирование по ним цифровых кодов, запоминание цифровых кодов и последовательная их выдача на выходы.The method of analog-to-digital conversion of light radiation described in this source includes converting radiation into a photocurrent, integrating during the exposure of the photocurrent to an electric charge, changing the initial charge previously introduced before exposure, converting the resulting charge into a signal voltage, comparing the signal voltage with a reference voltage, and switching the comparator as a result of comparison, the formation of binary signals modulated by the switching time relative to the initial time, the formation of digital codes on them, storing digital codes and their sequential output to the outputs.
Предложенное по этому способу устройство содержит одну или более соединенных с адресными и сигнальными шинами фоточувствительных ячеек, каждая из которых содержит последовательно соединенные друг с другом фотодетектор, схему ввода начального заряда, преобразователь заряда, созданного сигналом фотодетектора дополнительно к начальному заряду, в выходное напряжение фотодетектора, компаратор, преобразующий разность между выходным напряжением фотодетектора и эталонным напряжением в цифровой сигнал ячейки, схему считывания цифрового сигнала ячейки через адресные и сигнальные шины, схему формирования цифровых кодов сигналов ячеек, оперативное запоминающее устройство для хранения цифровых кодов, схему считывания цифровых кодов сигналов ячеек на один или более выходов фотоприемника.The device proposed by this method contains one or more photosensitive cells connected to address and signal buses, each of which contains a photodetector connected in series with each other, an initial charge input circuit, a charge converter created by the photodetector signal in addition to the initial charge, into the output voltage of the photodetector, a comparator that converts the difference between the output voltage of the photodetector and the reference voltage into a digital cell signal, a digital readout circuit with drove cell via address and signal lines, a scheme for generating digital signals of cells codes a random access memory for storing digital codes, digital readout circuit cell signaling codes for one or more of the photodetector outputs.
Их недостатком является сложность, препятствующая уменьшению размеров ячейки и соответственно увеличению пространственного разрешения фотоприемника, а также снижающая долю площади ячейки, открытой для принимаемого излучения, т.е. уменьшающая эквивалентную квантовую эффективность.Their disadvantage is the complexity that prevents a reduction in the size of the cell and, accordingly, an increase in the spatial resolution of the photodetector, as well as a decrease in the fraction of the area of the cell open to received radiation, i.e. reducing equivalent quantum efficiency.
Техническим результатом настоящего изобретения является увеличение пространственного разрешения при высокой эквивалентной квантовой эффективности.The technical result of the present invention is to increase spatial resolution with high equivalent quantum efficiency.
Указанный результат достигается за счет того, что в известном способе аналогово-цифрового преобразования светового излучения, включающим преобразование излучения в фототок, интегрирование за время экспозиции фототока в электрический заряд, изменяющий предварительно введенный перед экспозицией начальный заряд, преобразование результирующего заряда в напряжение сигнала, сравнение напряжения сигнала с эталонным напряжением и переключение компаратора как результат сравнения, формирование двоичных сигналов, модулированных по времени переключения относительно начального времени, формирование по ним цифровых кодов, запоминание цифровых кодов и последовательная их выдача на выходы, предложено:This result is achieved due to the fact that in the known method of analog-to-digital conversion of light radiation, including converting radiation into a photocurrent, integrating during the exposure of the photocurrent to an electric charge, changing the initial charge previously introduced before exposure, converting the resulting charge into a signal voltage, comparing voltage signal with a reference voltage and switching the comparator as a result of comparison, the formation of binary signals modulated in time switching relative to the initial time, the formation of digital codes on them, storing digital codes and their sequential output to the outputs, it is proposed:
- для ввода в диод с переключаемой проводимостью начального заряда подавать на него соответствующее начальному заряду напряжение в прямом направлении со скоростью изменения, вызывающей инжекцию неосновных носителей, не превышающую уровень включения переключающего диода в проводящее состояние, а в качестве эталонного напряжения подавать на него соответствующее ему напряжение опроса со скоростью изменения достаточно высокой, чтобы вызвать инжекцию неосновных носителей, необходимую для его включения при достижении напряжения, соответствующего результирующему заряду, с заданной точностью, а в реализующем данный способ устройстве, содержащим одну или более соединенных с адресными и сигнальными шинами фоточувствительных ячеек, каждая из которых содержит последовательно соединенные друг с другом фотодетектор, схему ввода начального заряда, преобразователь заряда, созданного сигналом фотодетектора дополнительно к начальному заряду, в выходное напряжение фотодетектора, компаратор, преобразующий разность между выходным напряжением фотодетектора и эталонным напряжением в цифровой сигнал ячейки, схему считывания цифрового сигнала ячейки через адресные и сигнальные шины, схему формирования цифровых кодов сигналов ячеек, оперативное запоминающее устройство для хранения цифровых кодов, схему считывания цифровых кодов сигналов ячеек на один или более выходов фотоприемника, предложено:- to enter an initial charge into a diode with a switched conductivity, apply a forward voltage corresponding to the initial charge to it with a change rate causing injection of minority carriers that does not exceed the level of switching of the switching diode into a conducting state, and apply a voltage corresponding to it as a reference voltage polling at a rate of change high enough to cause the injection of minority carriers necessary to turn it on when voltage is reached, respectively the resulting charge, with a given accuracy, and in a device that implements this method, containing one or more photosensitive cells connected to address and signal buses, each of which contains a photodetector in series, an initial charge input circuit, a charge converter created by a photodetector signal in addition to the initial charge, into the output voltage of the photodetector, a comparator converting the difference between the output voltage of the photodetector and the reference voltage a digital cell signal reading circuit, a digital cell signal reading circuit through address and signal buses, a digital signal code generation circuit of a cell, a random access memory device for storing digital codes, a digital signal reading circuit of cell signals to one or more photodetector outputs, it is proposed:
- в ячейке фотодетектор, схему ввода начального заряда, преобразователь заряда и компаратор выполнить в виде туннельного переключающего диода в МДП (металл, диэлектрик, полупроводник) структуре, один из выводов которого соединен с адресной шиной, а другой - с сигнальной.- in the cell, the photodetector, the initial charge input circuit, the charge converter and the comparator are implemented as a tunnel switching diode in the MIS (metal, dielectric, semiconductor) structure, one of the terminals of which is connected to the address bus, and the other to the signal bus.
Дополнительно предложено:Additionally proposed:
- эталонное напряжение опроса подавать линейно или ступенчато изменяющимся,- the reference voltage of the survey to submit linearly or stepwise changing,
- последовательную выдачу на выход сигналов переключающего диода производить в виде двоичных сигналов с широтно-импульсной модуляцией,- sequential output of the switching diode signals in the form of binary signals with pulse-width modulation,
- формирование цифровых кодов сигналов переключающих диодов по времени их переключения относительно начального времени выполнять путем многократного периодического опроса за время экспозиции состояния каждого переключающего диода, счета накопителями количеств опросов при определенном состоянии переключающего диода и отсутствие счета при его другом состоянии, обмена промежуточными результатами накопителей с ячейками памяти цифровых кодов сигналов переключающих диодов при циклическом переключении накопителей к другим переключающим диодам, выдачи цифровых кодов из ячеек памяти на выходы по истечении времени экспозиции соответствующих им фоточувствительных переключающих диодов,- the generation of digital codes of the signals of the switching diodes according to the time of their switching relative to the initial time is performed by repeatedly intermittently polling during the exposure time of the state of each switching diode, counting by the drives the number of polls for a certain state of the switching diode and the absence of counting when it is in a different state, exchanging intermediate results of drives with cells memory of digital codes of signals of switching diodes when cyclic switching drives to another switch they diodes issuing digital codes from the memory cells to the outputs at the end of exposure time corresponding photosensitive switching diode,
- в ячейке фотодетектор, схему ввода начального заряда, преобразователь заряда и компаратор выполнить в виде переключающего диода в n-р-n-р полупроводниковой структуре,- in the cell photodetector, the input circuit of the initial charge, the charge Converter and the comparator to perform in the form of a switching diode in n-p-n-p semiconductor structure,
- ячейку на МДП туннельном переключающем диоде выполнить на полупроводниковой подложке первого типа проводимости, которая содержит охватывающую и изолирующую ячейки область одинакового с подложкой типа проводимости с омическим контактом на поверхности, имеющую градиент концентрации примеси, создающей электрическое поле, выталкивающее неосновные носители во внутреннюю область противоположного типа проводимости, на которой сформированы электрод, отделенный от нее туннельно тонким диэлектриком, и область первого типа проводимости, способная инжектировать во внутреннюю область и к туннельному диэлектрику неосновные носители, имеющая омический контакт с электродом р-n перехода,- to carry out the cell on the MIS tunnel switching diode on a semiconductor substrate of the first type of conductivity, which contains a region of conductivity that is the same as the substrate and has an ohmic contact on the surface, which covers and insulates the cells, and has an impurity concentration gradient that creates an electric field that pushes minority carriers into the inner region of the opposite type conductivity, on which an electrode is formed, separated from it by a tunnel thin dielectric, and the region of the first type of conductivity, with individuality injected into the internal region and the tunneling dielectric minority carriers having ohmic contact with the electrode p-n junction,
- боковые части охватывающей и изолирующей ячейки области одинакового с подложкой типа проводимости выполнить в виде изолирующих канавок,- the side parts of the enclosing and insulating cells of the region of the same conductivity type as the substrate are made in the form of insulating grooves,
- схему считывания цифрового сигнала ячейки через адресные и сигнальные шины, схему формирования цифровых кодов сигналов ячеек, оперативное запоминающее устройство для хранения цифровых кодов, схему считывания цифровых кодов сигналов ячеек на один или более выходов фотоприемника выполнить с включением в каждую схему или в любую комбинацию из них компонентов схемы преобразования изображения и сжатия данных.- a circuit for reading a digital signal of a cell through address and signal buses, a circuit for generating digital codes for cell signals, a random access memory device for storing digital codes, a circuit for reading digital codes for cell signals to one or more outputs of a photodetector, to be included in each circuit or in any combination of them components of the image conversion and data compression schemes.
Увеличение пространственного разрешения при высокой эквивалентной квантовой эффективности достигается за счет функциональной интеграции фотодетектора, схемы ввода начального заряда, преобразователя заряда и компаратора в областях туннельного переключающего диода, не превышающего по размерам МОП-транзистор, с применением предложенного способа аналогово-цифрового преобразования.An increase in spatial resolution with high equivalent quantum efficiency is achieved due to the functional integration of a photodetector, an initial charge input circuit, a charge converter and a comparator in the areas of a tunnel switching diode not exceeding the size of the MOS transistor using the proposed method of analog-to-digital conversion.
При субмикронной КМОП технологии уменьшение размеров ячеек в предлагаемом фотоприемнике ограничивается лишь дифракционным пределом, которому соответствует плотность ячеек около 3·107 см-2.With submicron CMOS technology, the reduction in cell size in the proposed photodetector is limited only by the diffraction limit, which corresponds to a cell density of about 3 · 10 7 cm -2 .
Так как в отличие от глаза информация в матричном фотоприемнике выводится через ограниченное число выводов, то при обычной кадровой частоте (100 Гц) частота считывания становится чрезвычайно высокой - до 10 Гбит/сек.Since, unlike the eye, the information in the matrix photodetector is output through a limited number of pins, then at the usual frame frequency (100 Hz) the read frequency becomes extremely high - up to 10 Gbit / s.
Поэтому дополнительно предложено для снижения количества выходов и/или тактовой частоты вывода через них сигналов ячеек (в 10-100 раз) ввести в периферийные схемы фотоприемника компоненты схемы преобразования изображения и сжатия данных.Therefore, it is additionally proposed to reduce the number of outputs and / or the clock frequency of outputting cell signals (10-100 times) through them to introduce components of the image conversion and data compression circuits into the peripheral circuits of the photodetector.
Указанные выше технические результаты достигаются совокупностью перечисленных выше новых признаков изобретения.The above technical results are achieved by the combination of the above new features of the invention.
Перечень графических материалов, иллюстрирующих устройство, реализующее заявляемое изобретение:The list of graphic materials illustrating a device that implements the claimed invention:
Фиг.1 показывает пример блок-схемы предлагаемого фотоприемника с аналогово-цифровым преобразованием.Figure 1 shows an example block diagram of the proposed photodetector with analog-to-digital conversion.
Фиг.2 иллюстрирует структуру ячейки с формируемыми травлением изолирующими канавками предлагаемого фотоприемника с аналогово-цифровым преобразованием.Figure 2 illustrates the structure of the cell formed by etching insulating grooves of the proposed photodetector with analog-to-digital conversion.
Фиг.2а иллюстрирует структуру ячейки с формируемой примесью изолирующей областью предлагаемого фотоприемника с аналогово-цифровым преобразованием.Figure 2a illustrates the structure of a cell with an admixture-formed insulating region of the proposed analog-to-digital conversion photodetector.
Фиг.3 показывает эквивалентную электрическую схему ячейки предлагаемого фотоприемника с аналогово-цифровым преобразованием (IT - туннельный ток через тонкий подэлектродный диэлектрик, ID - ток фотодетектора).Figure 3 shows the equivalent circuitry of the cell of the proposed photodetector with analog-to-digital conversion (I T is the tunneling current through a thin sub-electrode dielectric, I D is the photodetector current).
Фиг.4 показывает вольт-амперную характеристику МДП туннельного переключающего диода, поясняющую режимы работы ячейки (I RES - ток ввода начального заряда, I REDON - ток считывания во включенном состоянии, I REDON >> I RES, I REDOFF << I RES в выключенном состоянии).Figure 4 shows the current-voltage characteristic of the MIS tunnel switching diode, explaining the modes of operation of the cell (I RES - input current of the initial charge, I REDON - read current in the on state, I REDON >> I RES , I REDOFF << I RES off condition).
Фотоприемник с аналогово-цифровым преобразованием содержит одну или более соединенных с адресными 1 и сигнальными 2 шинами фоточувствительных ячеек 3, каждая из которых содержит последовательно соединенные друг с другом фотодетектор 4, схему (р-n переход) ввода начального заряда 5, преобразователь (МДП конденсатор) 6 заряда, созданного сигналом фотодетектора дополнительно к начальному заряду, в выходное напряжение фотодетектора, компаратор 7, преобразующий разность между выходным напряжением фотодетектора (на зарядовой емкости) и эталонным напряжением (подаваемым во время опроса на шину 2) в цифровой сигнал ячейки, схему считывания 8 цифрового сигнала ячейки через адресные и сигнальные шины, схему формирования 9 цифровых кодов сигналов ячеек, оперативное запоминающее устройство 10 для хранения цифровых кодов, схему считывания 11 цифровых кодов сигналов ячеек на один или более выходов 12 фотоприемника, причем согласно изобретению в ячейке 3 фотодетектор 4, схема ввода начального заряда 5, преобразователь заряда 6 и компаратор 7 выполнены в виде МДП туннельного переключающего диода 13, один из выводов которого соединен с адресной 1 шиной, а другой - с сигнальной 2, а схемы 8, 9, 10, 11 могут содержать компоненты схемы преобразования изображения и сжатия данных.An analog-to-digital conversion photodetector contains one or more
Реализация схемы сжатия данных и метод приведены в US Patent 7,769,238, Aug. 3, 2010, Kiyofumi Abe et al., "Picture coding method and picture decoding method".The implementation of the data compression scheme and method are given in US Patent 7,769,238, Aug. 3, 2010, Kiyofumi Abe et al., "Picture coding method and picture decoding method".
Описание МДП туннельного переключающего диода см. С. Зи, Физика полупроводниковых приборов, кн.2, М. Мир, 1984, стр.133-137.For a description of the MIS of a tunnel switching diode, see S. Zee, Physics of Semiconductor Devices,
Предложенный фотоприемник, реализующий предложенный способ аналогово-цифрового преобразования, работает следующим образом: во время экспозиции фотодетектор 4 выполняет в ячейках 3 преобразование излучения в фототок ID, интегрирует фототок в электрический заряд (на суммарной емкости МДП конденсатора 6, фотодетектора 4 и р-n перехода 5), изменяющий предварительно введенный через вывод 1 перед экспозицией начальный заряд, подачей на р-n переход 5 соответствующего начальному заряду напряжения в прямом направлении со скоростью изменения (например, 103 В/сек), вызывающей инжекцию неосновных носителей I RES, не превышающую уровень включения ячейки в проводящее состояние, преобразует результирующий заряд в напряжение сигнала, сравнивает напряжение сигнала с эталонным напряжением, которое подается схемой 8 при опросе на вывод 1 линейно или ступенчато изменяющимся со скоростью изменения (например, 105 В/сек) достаточно высокой, чтобы вызвать инжекцию неосновных носителей I REDON, необходимую для включения при достижении напряжения, соответствующего результирующему заряду, с заданной точностью, и в то же время позволяющей формировать цифровые коды сигналов ячеек по времени их переключения относительно начального времени эталонного напряжения опроса подсчетом (например с частотой 100 МГц) тактовых импульсов в схеме 9, запоминает в оперативном запоминающем устройстве 10 сформированные цифровые коды (например, 10-разрядные) и последовательно их выдает через схему считывания 11 на выходы 12,The proposed photodetector that implements the proposed method of analog-to-digital conversion works as follows: during exposure, the
- в другом варианте формирование сигналов ячеек по времени их переключения относительно начального времени эталонного напряжения опроса производится схемой считывания 8 попиксельно или группами пикселей в виде сигналов с широтно-импульсной модуляцией при непосредственном выводе этих сигналов, минуя накопители 9 и ячейки памяти 10, на один или соответствующую группу выводов 12,- in another embodiment, the formation of cell signals by the time of their switching relative to the initial time of the reference interrogation voltage is performed by a
- в другом варианте формирование цифровых кодов сигналов ячеек по времени их переключения относительно начального времени экспозиции выполняется путем многократного периодического опроса за время экспозиции состояния каждой ячейки 3, счета накопителями 9 количеств опросов при определенном состоянии ячеек и отсутствии счета при другом состоянии, обмена промежуточными результатами накопителей 9 с ячейками памяти 10 цифровых кодов сигналов ячеек при циклическом переключении накопителей 9 к другим ячейкам, выдачи цифровых кодов из ячеек памяти 10 на выходы 12 по истечении времени экспозиции соответствующих им фоточувствительных ячеек.- in another embodiment, the formation of digital codes of cell signals by the time of their switching relative to the initial exposure time is performed by repeatedly periodically interrogating during the exposure the state of each
В последнем варианте длительность импульса эталонного напряжения при опросе строк значительно сокращается (например, со строчной до пиксельной, т.е. в 1000 раз), что вследствие увеличения скорости его изменения пропорционально улучшает точность включения ячейки как компаратора. Недостаток этого варианта - большое количество ячеек памяти 11 (превышающее количество фоточувствительных ячеек) и накопителей 10 (до количества ячеек в строке), более чем вдвое увеличит площадь кристалла, но оставит ее приемлемой.In the latter case, the pulse duration of the reference voltage during row polling is significantly reduced (for example, from lowercase to pixel, i.e., 1000 times), which, due to an increase in the rate of change, proportionally improves the accuracy of turning on the cell as a comparator. The disadvantage of this option is the large number of memory cells 11 (exceeding the number of photosensitive cells) and drives 10 (up to the number of cells per row), more than double the size of the crystal, but leave it acceptable.
Настоящее описание изобретения, в т.ч. состава и работы устройства, включая предлагаемый вариант его исполнения, предполагает его дальнейшее возможное совершенствование специалистами и не содержит каких-либо ограничений в части реализации. Все притязания сформулированы исключительно в формуле изобретения.The present description of the invention, including the composition and operation of the device, including the proposed version of its execution, involves its further possible improvement by specialists and does not contain any restrictions in terms of implementation. All claims are formulated solely in the claims.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011138836/28A RU2499291C2 (en) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | Method for analogue-to-digital conversion of optical radiation on switched conductivity diode and photodetector for realising said method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011138836/28A RU2499291C2 (en) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | Method for analogue-to-digital conversion of optical radiation on switched conductivity diode and photodetector for realising said method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011138836A RU2011138836A (en) | 2013-03-27 |
| RU2499291C2 true RU2499291C2 (en) | 2013-11-20 |
Family
ID=49124079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011138836/28A RU2499291C2 (en) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | Method for analogue-to-digital conversion of optical radiation on switched conductivity diode and photodetector for realising said method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2499291C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2787954C1 (en) * | 2022-08-05 | 2023-01-13 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Device for analog-to-digital conversion of photocurrent into digital code |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271785B1 (en) * | 1998-04-29 | 2001-08-07 | Texas Instruments Incorporated | CMOS imager with an A/D per pixel convertor |
| US7230649B2 (en) * | 2001-12-11 | 2007-06-12 | Renesas Technology Corp. | Image sensor system using CMOS image sensor and image sensor apparatus using CMOS image sensor |
| RU2380829C2 (en) * | 2007-12-06 | 2010-01-27 | Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" | Analogue-to-digital converter |
| USRE41767E1 (en) * | 2004-12-15 | 2010-09-28 | Aptina Imaging Corporation | Ramp generators for imager analog-to-digital converters |
-
2011
- 2011-09-22 RU RU2011138836/28A patent/RU2499291C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271785B1 (en) * | 1998-04-29 | 2001-08-07 | Texas Instruments Incorporated | CMOS imager with an A/D per pixel convertor |
| US7230649B2 (en) * | 2001-12-11 | 2007-06-12 | Renesas Technology Corp. | Image sensor system using CMOS image sensor and image sensor apparatus using CMOS image sensor |
| USRE41767E1 (en) * | 2004-12-15 | 2010-09-28 | Aptina Imaging Corporation | Ramp generators for imager analog-to-digital converters |
| RU2380829C2 (en) * | 2007-12-06 | 2010-01-27 | Общество с ограниченной ответственностью ООО "Юник Ай Сиз" | Analogue-to-digital converter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2787954C1 (en) * | 2022-08-05 | 2023-01-13 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Device for analog-to-digital conversion of photocurrent into digital code |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2011138836A (en) | 2013-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5926772B2 (en) | Photodetection device and method using light emission conversion of switching diode | |
| US10547802B2 (en) | Solid-state image pickup device and control method therefor, and electronic apparatus | |
| CN101867687B (en) | A/d converter, solid-state image sensing device, and camera system | |
| US9723236B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and method for driving photoelectric conversion apparatus | |
| US10497737B2 (en) | Enhanced dynamic range imaging | |
| US10805561B2 (en) | Solid-state image pickup device and control method therefor, and electronic apparatus | |
| US20050224903A1 (en) | Circuitry for image sensors with avalanche photodiodes | |
| TW200838288A (en) | Image sensors with output noise reduction mechanisms | |
| WO2003085699A2 (en) | Image sensor circuit and method | |
| CN105723700A (en) | Pixel circuit with constant voltage biased photodiode and related imaging method | |
| US9781374B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, and driving method for the photoelectric conversion apparatus | |
| CN103365326B (en) | For pel array provides average voltage generation circuit and the method for reference voltage | |
| JP2771221B2 (en) | Photosensitive dot matrix | |
| KR100303597B1 (en) | Photoelectric conversion apparatus and method of driving the same | |
| RU2499291C2 (en) | Method for analogue-to-digital conversion of optical radiation on switched conductivity diode and photodetector for realising said method | |
| CN105323509A (en) | Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system | |
| US4340909A (en) | Solid state area imaging apparatus | |
| US20240056702A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| Crooks et al. | A CMOS image sensor with in-pixel ADC, timestamp, and sparse readout | |
| US9706143B2 (en) | Readout circuit and method of using the same | |
| US11457164B2 (en) | Image sensing device | |
| CN115278100B (en) | Pixel unit circuit, signal acquisition device and signal acquisition method | |
| CN220732925U (en) | Image sensor pixel unit, signal processing circuit and electronic device | |
| JP2005101675A (en) | Photodetector and photodetecting method | |
| Beynon | Optical self-scanned arrays. Part 1: Principles of self-scanned arrays |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150923 |