RU2475937C1 - Selective amplifier - Google Patents

Selective amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2475937C1
RU2475937C1 RU2012100204/08A RU2012100204A RU2475937C1 RU 2475937 C1 RU2475937 C1 RU 2475937C1 RU 2012100204/08 A RU2012100204/08 A RU 2012100204/08A RU 2012100204 A RU2012100204 A RU 2012100204A RU 2475937 C1 RU2475937 C1 RU 2475937C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitter
bus
input transistor
current
frequency
Prior art date
Application number
RU2012100204/08A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Александр Игоревич Серебряков
Илья Викторович Пахомов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012100204/08A priority Critical patent/RU2475937C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2475937C1 publication Critical patent/RU2475937C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering, communication.SUBSTANCE: amplifier comprises a source of a signal (1), connected with an inlet of a device (2), the first (3) input transistor, the emitter of which via the first (4) current-stabilising dipole is connected with the first (5) bus of a power supply source, and the collector is connected to the second (6) bus of the power supply source, the second (7) input transistor, the base of which is connected with the inlet of the device (2), the collector is connected with the second (6) bus of the power supply source via the first (8) frequency-setting resistor and is connected with the outlet of the device (9). Between the emitter of the second (7) input transistor and the first outlet of the second (10) current-stabilising dipole there is a straight-shifted p-n transition (12) connected, the first output of the second (10) current-stabilising dipole is connected with the emitter of the first (3) input transistor via serially connected the first (11) correcting capacitor and the second (13) frequency-setting resistor, and is connected with the base of an additional transistor (14), the collector of which is connected to the second (6) bus of the power supply source, and the emitter via the third (15) current-stabilising dipole is connected with the first (5) bus of the power supply source and is connected with the emitter of the second (7) input transistor via a dividing capacitor (16), besides, the output of the device (9) is connected with the base of the first (3) input transistor and is shunted by AC with the second (17) correcting capacitor.EFFECT: higher quality of amplifier amplitude-frequency characteristic and its amplification ratio by voltage at quasi-resonance frequency f.7 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п.The present invention relates to the field of radio engineering and communications and can be used in microwave filtering devices of radio signals from cellular communication systems, satellite television, radar, etc.

В задачах выделения высокочастотных и СВЧ сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (ИУ) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа транзисторов, образующих операционный усилитель СВЧ-диапазона [1, 2]. В этой связи актуальной является задача построения СВЧ избирательных усилителей на трех-четырех транзисторах, обеспечивающих выделение узкого спектра сигналов с высокой добротностью резонансной характеристики Q=2÷10 и f0=1÷5 ГГц.Integrated operational amplifiers with special RC correction elements that form the amplitude-frequency characteristic of the resonance type are widely used today in the problems of extracting high-frequency and microwave signals [1, 2]. However, the classical construction of such selective amplifiers (DUTs) is accompanied by significant energy losses, which are mainly used to ensure the static mode of a sufficiently large number of transistors forming an operational amplifier of the microwave range [1, 2]. In this regard, the urgent task is to build microwave selective amplifiers on three or four transistors, providing a narrow spectrum of signals with a high quality factor of the resonant characteristic Q = 2 ÷ 10 and f 0 = 1 ÷ 5 GHz.

Известны схемы усилителей, интегрированных в архитектуру RC-фильтров на основе биполярных транзисторов, которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению в заданном диапазоне частот Δf=fв-fн [3-28]. Причем их верхняя граничная частота fв иногда формируется инерционностью транзисторов схемы (емкостью на подложку), а нижняя fн определяется входным корректирующим конденсатором.Known amplifier circuits integrated into the architecture of RC filters based on bipolar transistors, which provide the formation of the amplitude-frequency characteristics of the voltage gain in a given frequency range Δf = f in -f n [3-28]. Moreover, their upper cutoff frequency f in is sometimes formed by the inertia of the transistors of the circuit (capacitance per substrate), and the lower f n is determined by the input correction capacitor.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель (ИУ), представленный в патенте US 4267518, fig.6. Он содержит источник сигнала 1, связанный со входом устройства 2, первый 3 входной транзистор, эмиттер которого через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания, а коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, второй 7 входной транзистор, база которого соединена со входом устройства 2, коллектор связан со второй 6 шиной источника питания через первый 8 частотозадающий резистор и соединен с выходом устройства 9, а эмиттер связан с первым выводом второго 10 токостабилизирующего двухполюсника, второй вывод которого подключен к первой 5 шине источника питания, первый корректирующий конденсатор 11.The closest prototype of the claimed device is a selective amplifier (IU), presented in patent US 4267518, fig.6. It contains a signal source 1, connected to the input of device 2, the first 3 input transistor, the emitter of which through the first 4 current-stabilizing two-terminal is connected to the first 5 bus of the power source, and the collector is connected to the second 6 bus of the power source, the second 7 input transistor, the base of which is connected with the input of device 2, the collector is connected to the second 6 bus of the power source through the first 8 frequency-setting resistor and is connected to the output of the device 9, and the emitter is connected to the first output of the second 10 current-stabilizing two-terminal, W swarm end connected to the first power supply bus 5, the first correction capacitor 11.

Существенный недостаток известного устройства состоит в том, что оно не обеспечивает высокую добротностьA significant disadvantage of the known device is that it does not provide high quality factor

Figure 00000001
Figure 00000001

амплитудно-частотной характеристики и коэффициент усиления по напряжению K0>1 на частоте квазирезонанса (f0).amplitude-frequency characteristics and voltage gain K 0 > 1 at the frequency of quasi-resonance (f 0 ).

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f0. Это позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство СВЧ диапазона f0=1÷5 ГГц.The main objective of the invention is to increase the quality factor of the frequency response of the amplifier and its voltage gain at the frequency of quasi-resonance f 0 . This allows in some cases to reduce the total energy consumption and to implement a high-quality selective device of the microwave range f 0 = 1 ÷ 5 GHz.

Поставленная задача решается тем, что в избирательном усилителе фиг.1, содержащем источник сигнала 1, связанный со входом устройства 2, первый 3 входной транзистор, эмиттер которого через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания, а коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, второй 7 входной транзистор, база которого соединена со входом устройства 2, коллектор связан со второй 6 шиной источника питания через первый 8 частотозадающий резистор и соединен с выходом устройства 9, а эмиттер связан с первым выводом второго 10 токостабилизирующего двухполюсника, второй вывод которого подключен к первой 5 шине источника питания, первый корректирующий конденсатор 11, предусмотрены новые элементы и связи - между эмиттером второго 7 входного транзистора и первым выводом второго 10 токостабилизирующего двухполюсника включен прямосмещенный p-n переход 12, первый вывод второго 10 токостабилизирующего двухполюсника связан с эмиттером первого 3 входного транзистора через последовательно соединенные первый 11 корректирующий конденсатор и второй 13 частотозадающий резистор и соединен с базой дополнительного транзистора 14, коллектор которого подключен ко второй 6 шине источника питания, а эмиттер через третий 15 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания и связан с эмиттером второго 7 входного транзистора через разделительный конденсатор 16, причем выход устройства 9 соединен с базой первого 3 входного транзистора и зашунтирован по переменному току вторым 17 корректирующим конденсатором.The problem is solved in that in the selective amplifier of figure 1, containing a signal source 1, connected to the input of the device 2, the first 3 input transistor, the emitter of which is connected through the first 4 current-stabilizing two-terminal to the first 5 bus of the power source, and the collector is connected to the second 6 the power supply bus, the second 7 input transistor, the base of which is connected to the input of the device 2, the collector is connected to the second 6 power supply bus through the first 8 frequency-setting resistor and connected to the output of the device 9, and the emitter is connected But with the first output of the second 10 current-stabilizing two-terminal, the second output of which is connected to the first 5 bus of the power supply, the first correction capacitor 11, new elements and connections are provided - between the emitter of the second 7 input transistor and the first output of the second 10 current-stabilizing two-terminal, a forward biased pn junction 12 is connected, the first output of the second 10 current-stabilizing two-pole connected to the emitter of the first 3 input transistor through a series-connected first 11 correction capacitor and second swarm 13 is a frequency-setting resistor and is connected to the base of an additional transistor 14, the collector of which is connected to the second 6 bus of the power source, and the emitter through the third 15 current-stabilizing two-terminal is connected to the first 5 bus of the power source and connected to the emitter of the second 7 input transistor through an isolation capacitor 16, and the output of the device 9 is connected to the base of the first 3 input transistor and is shunted by alternating current by the second 17 correction capacitor.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in figure 1. Figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with the claims.

На фиг.3 приведена схема заявляемого ИУ фиг.2 в среде Cadence на моделях SiGe интегральных транзисторов.Figure 3 shows a diagram of the inventive DUT of figure 2 in a Cadence environment on SiGe models of integrated transistors.

На фиг.4 показаны логарифмические амплитудно- и фазочастотные характеристики коэффициента усиления по напряжению в укрупненном масштабе, а на фиг.5 - логарифмическая амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению в более мелком масштабе.Figure 4 shows the logarithmic amplitude and phase frequency characteristics of the voltage gain in an enlarged scale, and figure 5 shows the logarithmic amplitude and frequency characteristics of the voltage gain in a smaller scale.

На фиг.6 показана схема ИУ в среде Pspice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар» для f0≈1 МГц.Figure 6 shows the scheme of the DUT in the Pspice environment on the models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar for f 0 ≈ 1 MHz.

На фиг.7 показана логарифмическая амплитудно-частотная характеристика коэффициента усиления по напряжению ИУ фиг.6.Figure 7 shows the logarithmic amplitude-frequency characteristic of the voltage gain in the DUT of Fig.6.

Избирательный усилитель фиг.2 содержит источник сигнала 1, связанный со входом устройства 2, первый 3 входной транзистор, эмиттер которого через первый 4 токостабилизирующий двухполюсник связан с первой 5 шиной источника питания, а коллектор подключен ко второй 6 шине источника питания, второй 7 входной транзистор, база которого соединена со входом устройства 2, коллектор связан со второй 6 шиной источника питания через первый 8 частотозадающий резистор и соединен с выходом устройства 9, а эмиттер связан с первым выводом второго 10 токостабилизирующего двухполюсника, второй вывод которого подключен к первой 5 шине источника питания, первый корректирующий конденсатор 11. Между эмиттером второго 7 входного транзистора и первым выводом второго 10 токостабилизирующего двухполюсника включен прямосмещенный p-n переход 12, первый вывод второго 10 токостабилизирующего двухполюсника связан с эмиттером первого 3 входного транзистора через последовательно соединенные первый 11 корректирующий конденсатор и второй 13 частотозадающий резистор и соединен с базой дополнительного транзистора 14, коллектор которого подключен ко второй 6 шине источника питания, а эмиттер через третий 15 токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой 5 шиной источника питания и связан с эмиттером второго 7 входного транзистора через разделительный конденсатор 16, причем выход устройства 9 соединен с базой первого 3 входного транзистора и зашунтирован по переменному току вторым 17 корректирующим конденсатором.The selective amplifier of FIG. 2 contains a signal source 1, connected to the input of the device 2, the first 3 input transistor, the emitter of which is connected through the first 4 current-stabilizing bipolar to the first 5 bus of the power source, and the collector is connected to the second 6 bus of the power source, the second 7 input transistor , the base of which is connected to the input of device 2, the collector is connected to the second 6 bus of the power source through the first 8 frequency-setting resistor and is connected to the output of the device 9, and the emitter is connected to the first output of the second 10 a directing bi-terminal, the second terminal of which is connected to the first 5 bus of the power source, the first correction capacitor 11. A direct biased pn junction 12 is connected between the emitter of the second 7 input transistor and the first terminal of the second 10 current-stabilizing two-terminal, the first terminal of the second 10 current-stabilizing two-terminal is connected to the emitter of the first 3 input a transistor through a series-connected first 11 correction capacitor and a second 13 frequency-setting resistor and connected to the base of the additional transistor 14, the collector of which is connected to the second 6 bus of the power source, and the emitter through the third 15 current-stabilizing bipolar is connected to the first 5 bus of the power source and is connected to the emitter of the second 7 input transistor through an isolation capacitor 16, and the output of the device 9 is connected to the base of the first 3 input transistor and shunted for alternating current, the second 17 correcting capacitor.

Рассмотрим работу ИУ фиг.2.Consider the operation of the DUT figure 2.

Комплексный коэффициент передачи по напряжению Ky(jf) избирательного усилителя фиг.2 определяется соотношением, которое можно получить с помощью известных методов анализа электронных схем:The complex voltage transfer coefficient K y (jf) of the selective amplifier of FIG. 2 is determined by the ratio that can be obtained using known methods of analysis of electronic circuits:

Figure 00000002
Figure 00000002

где f - частота сигнала;where f is the signal frequency;

Q - добротность АЧХ избирательного усилителя;Q is the quality factor of the frequency response of the selective amplifier;

K0 - коэффициент усиления ИУ на частоте квазирезонанса f0;K 0 is the gain of the DUT at the frequency of quasi-resonance f 0 ;

f0 - частота квазирезонанса.f 0 is the frequency of quasi-resonance.

ПричемMoreover

Figure 00000003
Figure 00000003

Figure 00000004
Figure 00000004

Figure 00000005
Figure 00000005

Figure 00000006
Figure 00000006

Figure 00000007
Figure 00000007

где C11, C17 - емкости конденсаторов 11 и 17;where C 11 , C 17 are capacitances of capacitors 11 and 17;

Figure 00000008
- входное сопротивление i-го транзистора в схеме с общей базой;
Figure 00000008
- input resistance of the i-th transistor in a circuit with a common base;

φт≈25 мВ - температурный потенциал;φ t ≈25 mV - temperature potential;

Iэi - статический ток эмиттера i-го транзистора;I ei is the static current of the emitter of the i-th transistor;

αi<1 - коэффициент усиления по току эмиттера i-го транзистора.α i <1 - current gain of the emitter of the i-th transistor.

KiΣ≈2α7 - коэффициент усиления схемы по току iR. (7)K iΣ ≈2α 7 is the current gain of the circuit i R. (7)

Если выбрать τ1=τ2, R8=R13+h11.3+2h11.7, то уравнения для Q (6) и K0 (5) существенно упрощаются:If we choose τ 1 = τ 2 , R 8 = R 13 + h 11.3 + 2h 11.7 , then the equations for Q (6) and K 0 (5) are significantly simplified:

Figure 00000009
Figure 00000009

Figure 00000010
Figure 00000010

Это позволяет за счет целенаправленного выбора параметров элементов получить заданные значения Q (8) и K0 (9).This makes it possible to obtain the set values Q (8) and K 0 (9) due to the purposeful choice of the parameters of the elements.

Данные теоретические выводы подтверждают графики фиг.4, фиг.5, фиг.7.These theoretical conclusions confirm the graphs of figure 4, figure 5, figure 7.

Таким образом, заявляемое схемотехническое решение характеризуется более высокими значениями коэффициента усиления K0 на частоте квазирезонанса f0 и повышенными величинами добротности Q, характеризующей его избирательные свойства.Thus, the claimed circuit solution is characterized by higher values of the gain K 0 at the frequency of quasi-resonance f 0 and increased values of the quality factor Q, characterizing its selective properties.

ЛитератураLiterature

1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz \ N.Prokopenko, A.Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P.Ostrovskyy \\ Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz \ N.Prokopenko, A. Budyakov, K.Schmalz, C.Scheytt, P. Ostrovskyy \\ Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 / - Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp. 50-53.

2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей \ Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., K.Schmalz, С.Scheytt \\ Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586.2. Microwave SF blocks of communication systems based on fully differential operational amplifiers \ Prokopenko NN, Budyakov AS, K.Schmalz, S.Scheytt \\ Problems of developing promising micro- and nanoelectronic systems - 2010. Proceedings / under the general. ed. Academician of the Russian Academy of Sciences A.L. Stempkovsky. - M .: IPPM RAS, 2010. - P.583-586.

3. Патент WO/2006/077525.3. Patent WO / 2006/077525.

4. Патент US 4267518, fig.6.4. Patent US 4267518, fig. 6.

5. Патент RU 2101850, fig.1.5. Patent RU 2101850, fig. 1.

6. Патент WO/2007/022705.6. Patent WO / 2007/022705.

7. Патентная заявка US 2006/0186951, fig.3.7. Patent application US 2006/0186951, fig. 3.

8. Патентная заявка US 2007/0040604, fig.3.8. Patent application US 2007/0040604, fig. 3.

9. Патент WO/03052925A1, fig.3.9. Patent WO / 03052925A1, fig. 3.

10. Патент US 6011431, fig.4.10. Patent US 6011431, fig. 4.

11. Патент US 5331478, fig.3.11. Patent US 5331478, fig. 3.

12. Патент US 4885548, fig.9.12. US patent 4885548, fig. 9.

13. Патент US 4974916, fig.1.13. Patent US 4944916, fig. 1.

14. Патентная заявка US 2008/0122530, fig.4.14. Patent application US 2008/0122530, fig. 4.

15. Патент US 5298802.15. Patent US 5298802.

16. Патент US 2009/0261899, fig.3.16. Patent US 2009/0261899, fig. 3.

17. Патент CN 101204009.17. Patent CN 101204009.

18. Патент ЕР 1844547.18. Patent EP 1844547.

19. Патент UA 17276.19. Patent UA 17276.

20. Патент US 2009/0289714, fig.4.20. Patent US 2009/0289714, fig. 4.

21. Патент US 7202762.21. Patent US 7202762.

22. Патент US 6188272.22. Patent US 6188272.

23. Патент US 5847605.23. Patent US 5847605.

24. Патент US 7116961.24. Patent US 7116961.

25. Патентная заявка US 2011/0109388, fig.2.25. Patent application US 2011/0109388, fig.2.

26. Патентная заявка US 2006/0186951, fig.2.26. Patent application US 2006/0186951, fig.2.

27. Патент US 5012201, fig.2.27. Patent US 5012201, fig.2.

28. Патентная заявка US 2010/0201437, fig.2.28. Patent application US 2010/0201437, fig.2.

Claims (1)

Избирательный усилитель, содержащий источник сигнала (1), связанный со входом устройства (2), первый (3) входной транзистор, эмиттер которого через первый (4) токостабилизирующий двухполюсник связан с первой (5) шиной источника питания, а коллектор подключен ко второй (6) шине источника питания, второй (7) входной транзистор, база которого соединена со входом устройства (2), коллектор связан со второй (6) шиной источника питания через первый (8) частотозадающий резистор и соединен с выходом устройства (9), а эмиттер связан с первым выводом второго (10) токостабилизирующего двухполюсника, второй вывод которого подключен к первой (5) шине источника питания, первый корректирующий конденсатор (11), отличающийся тем, что между эмиттером второго (7) входного транзистора и первым выводом второго (10) токостабилизирующего двухполюсника включен прямосмещенный p-n переход (12), первый вывод второго (10) токостабилизирующего двухполюсника связан с эмиттером первого (3) входного транзистора через последовательно соединенные первый (11) корректирующий конденсатор и второй (13) частотозадающий резистор и соединен с базой дополнительного транзистора (14), коллектор которого подключен ко второй (6) шине источника питания, а эмиттер через третий (15) токостабилизирующий двухполюсник соединен с первой (5) шиной источника питания и связан с эмиттером второго (7) входного транзистора через разделительный конденсатор (16), причем выход устройства (9) соединен с базой первого (3) входного транзистора и зашунтирован по переменному току вторым (17) корректирующим конденсатором. A selective amplifier containing a signal source (1) connected to the input of the device (2), the first (3) input transistor, the emitter of which is connected through the first (4) current-stabilizing two-terminal device to the first (5) bus of the power source, and the collector is connected to the second ( 6) the power supply bus, the second (7) input transistor, the base of which is connected to the input of the device (2), the collector is connected to the second (6) power supply bus through the first (8) frequency-setting resistor and connected to the output of the device (9), and the emitter is connected with the first output of the second (10) then a co-stabilizing two-terminal, the second output of which is connected to the first (5) bus of the power source, the first correction capacitor (11), characterized in that a forward-biased pn junction is connected between the emitter of the second (7) input transistor and the first output of the second (10) current-stabilizing two-terminal ), the first output of the second (10) current-stabilizing two-terminal device is connected to the emitter of the first (3) input transistor through a series-connected first (11) correction capacitor and second (13) frequency-setting resistor and is connected to the base of the additional transistor (14), the collector of which is connected to the second (6) bus of the power source, and the emitter is connected to the first (5) bus of the power source and connected to the emitter of the second (7) input transistor through the third (15) current-stabilizing two-terminal a separation capacitor (16), the output of the device (9) being connected to the base of the first (3) input transistor and alternating current shunted by the second (17) correction capacitor.
RU2012100204/08A 2012-01-10 2012-01-10 Selective amplifier RU2475937C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012100204/08A RU2475937C1 (en) 2012-01-10 2012-01-10 Selective amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012100204/08A RU2475937C1 (en) 2012-01-10 2012-01-10 Selective amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2475937C1 true RU2475937C1 (en) 2013-02-20

Family

ID=49121176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012100204/08A RU2475937C1 (en) 2012-01-10 2012-01-10 Selective amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2475937C1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4A (en) * 1836-08-10 Stock
SU543133A1 (en) * 1975-01-17 1977-01-15 Предприятие П/Я В-8542 Amplifier
US4267518A (en) * 1979-09-13 1981-05-12 Sperry Corporation Gain controllable amplifier stage
SU1343543A1 (en) * 1985-12-20 1987-10-07 Минский радиотехнический институт Amplifier
US20070170956A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Industrial Technology Research Institute Sense amplifier

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4A (en) * 1836-08-10 Stock
SU543133A1 (en) * 1975-01-17 1977-01-15 Предприятие П/Я В-8542 Amplifier
US4267518A (en) * 1979-09-13 1981-05-12 Sperry Corporation Gain controllable amplifier stage
SU1343543A1 (en) * 1985-12-20 1987-10-07 Минский радиотехнический институт Amplifier
US20070170956A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Industrial Technology Research Institute Sense amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2467470C1 (en) Selective amplifier
RU2479112C1 (en) Selective amplifier
RU2475937C1 (en) Selective amplifier
RU2467469C1 (en) Selective amplifier
RU2475944C1 (en) Selective amplifier
RU2469466C1 (en) Selective amplifier
RU2474039C1 (en) Selective amplifier
RU2488955C1 (en) Non-inverting current amplifier-based selective amplifier
RU2467471C1 (en) Selective amplifier
RU2463702C1 (en) Selective amplifier
RU2480895C1 (en) Selective amplifier
RU2488952C1 (en) Selective amplifier
RU2475943C1 (en) Selective amplifier
RU2475945C1 (en) Selective amplifier
RU2469462C1 (en) Selective amplifier
RU2485675C1 (en) Selective amplifier
RU2468505C1 (en) Selective amplifier
RU2468506C1 (en) Selective amplifier
RU2480896C1 (en) Selective amplifier
RU2479106C1 (en) Selective amplifier
RU2479108C1 (en) Selective amplifier
RU2479116C1 (en) Selective amplifier
RU2479114C1 (en) Selective amplifier
RU2475947C1 (en) Selective amplifier
RU2504073C1 (en) Selective amplifier with paraphase output

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140111