RU2470273C1 - Integral gauge of absolute pressure - Google Patents
Integral gauge of absolute pressure Download PDFInfo
- Publication number
- RU2470273C1 RU2470273C1 RU2011130748/28A RU2011130748A RU2470273C1 RU 2470273 C1 RU2470273 C1 RU 2470273C1 RU 2011130748/28 A RU2011130748/28 A RU 2011130748/28A RU 2011130748 A RU2011130748 A RU 2011130748A RU 2470273 C1 RU2470273 C1 RU 2470273C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon membrane
- rigid center
- side walls
- membrane
- electrode
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение относится к области измерительной техники.The present invention relates to the field of measurement technology.
Известен интегральный датчик избыточного давления [1], содержащий кремниевую подложку, в которой сформирована мембрана, над которой через воздушный зазор расположен верхний электрод (обкладка), нанесенный на пластину, мембрана которого является нижним электродом (обкладкой). Мембрана выполнена с эпитаксиальным слоем фторида кальция и последующим эпитаксиальным слоем кремния, толщина которого определяет зазор между обкладками конденсатора, над которым расположен слой металлизации, являющийся верхним электродом, нанесенным на пластину кремния, присоединенную к эпитаксиальному слою кремния.Known integrated gauge overpressure [1], containing a silicon substrate in which a membrane is formed, over which through the air gap is located the upper electrode (plate), deposited on a plate, the membrane of which is the lower electrode (plate). The membrane is made with an epitaxial layer of calcium fluoride and a subsequent epitaxial layer of silicon, the thickness of which determines the gap between the plates of the capacitor, over which there is a metallization layer, which is the upper electrode deposited on a silicon plate attached to the epitaxial layer of silicon.
Известный датчик имеет низкую точность из-за влияния внешних условий.The known sensor has low accuracy due to the influence of external conditions.
Известен также интегральный датчик избыточного давления [2], содержащий генератор напряжения и усилитель, к входу и в цепь обратной связи которого подключены измерительный и эталонный конденсаторы датчика, дополнительно введены три двухпозиционных коммутационных ключа, блоки аддитивной и мультипликативной коррекции, синхронный детектор, делитель частоты, интегрирующий сумматор и ограничитель напряжения, а генератор выполнен в виде управляемого генератора с регулируемой амплитудой, причем выводы измерительного и эталонного конденсаторов датчика подключены соответственно к второму и первому выходам первого коммутационного ключа, соединенного входом с выходом усилителя и входом синхронного детектора, выход которого соединен с входом второго коммутационного ключа, первый выход которого подключен к входам блока мультипликативной коррекции и блока аддитивной коррекции, а второй выход - к первому входу интегрирующего сумматора, второй вход которого соединен с выходом блока аддитивной коррекции, выход блока мультипликативной коррекции подключен к управляющему входу генератора с регулируемой амплитудой, выход которого соединен с входом делителя частоты, входом ограничителя напряжения, опорным входом синхронного детектора и вторым входом третьего коммутационного ключа, соединенного по выходу с опорным конденсатором датчика, подключенным к входу усилителя, при этом выход ограничителя напряжения соединен с первым входом третьего коммутационного ключа, выход делителя частоты соединен с управляющими входами первого, второго и третьего коммутационных ключей, а выход интегрирующего сумматора является выходом устройства.An integral overpressure sensor [2] is also known, which contains a voltage generator and an amplifier, the measuring and reference capacitors of the sensor are connected to the input and feedback circuit of the sensor, three on-off switching keys, additive and multiplicative correction blocks, a synchronous detector, a frequency divider are introduced, integrating adder and voltage limiter, and the generator is made in the form of a controlled generator with adjustable amplitude, and the conclusions of the measuring and reference condensation The sensors are connected respectively to the second and first outputs of the first switching key connected to the input with the output of the amplifier and the input of the synchronous detector, the output of which is connected to the input of the second switching key, the first output of which is connected to the inputs of the multiplicative correction block and the additive correction block, and the second output to the first input of the integrating adder, the second input of which is connected to the output of the additive correction block, the output of the multiplicative correction block is connected to the control input amplitude controlled oscillator, the output of which is connected to the input of the frequency divider, the input of the voltage limiter, the reference input of the synchronous detector and the second input of the third switching key connected at the output to the reference capacitor of the sensor connected to the input of the amplifier, while the output of the voltage limiter is connected to the first input third switching key, the output of the frequency divider is connected to the control inputs of the first, second and third switching keys, and the output of the integrating adder is output device.
К недостаткам устройства относится нескомпенсированная погрешность нулевого уровня, т.к. имеющийся в известном устройстве блок компенсации аддитивной погрешности не связан со случайной погрешностью.The disadvantages of the device include the uncompensated error of the zero level, because the additive error compensation unit available in the known device is not associated with a random error.
Наиболее близким к заявляемому устройству является интегральный датчик избыточного давления [3], содержащий проводящую кремниевую мембрану с жестким центром, первую и вторую стеклянные обкладки, соединенные жестко с кремниевой мембраной, в первой стеклянной обкладке имеется приемное отверстие, между первой стеклянной обкладкой и кремниевой мембраной образована входная камера, соединенная приемным отверстием с измеряемым давлением, между второй стеклянной обкладкой и кремниевой мембраной образована вакуумированная камера, на внутренней поверхности второй стеклянной обкладки нанесены первый и второй неподвижные проводящие электроды, первый электрод размещен против подвижного жесткого центра на кремниевой мембране, второй электрод размещен против недеформируемой части на кремниевой мембране, первый и второй неподвижные проводящие электроды подключены к входам электронного блока.Closest to the claimed device is an integrated overpressure sensor [3] containing a conductive silicon membrane with a rigid center, the first and second glass plates connected rigidly to the silicon membrane, in the first glass plate there is a receiving hole, between the first glass plate and a silicon membrane formed an inlet chamber connected by a pressure measuring inlet, a vacuum chamber is formed between the second glass lining and the silicon membrane, on the inside her face of the second glass plate coated first and second fixed conductive electrodes, the first electrode is placed against the moving rigid center on a silicon membrane, a second electrode is placed against the deformable portion on the silicon membrane, the first and second fixed conductive electrodes are connected to the inputs of the electronic unit.
Недостатком известного устройства является чувствительность датчика давлений к линейным ускорениям, поскольку масса жесткого центра преобразователя перемещений одновременно работает в составе с упругой мембраной, как акселерометр. При этом в результаты измерений давления вносится неустранимая в известном устройстве погрешность.A disadvantage of the known device is the sensitivity of the pressure sensor to linear accelerations, since the mass of the rigid center of the displacement transducer simultaneously works in combination with an elastic membrane, like an accelerometer. In this case, an error that cannot be eliminated in the known device is introduced into the pressure measurement results.
Решаемая задача - устранение погрешностей измерений.The problem to be solved is the elimination of measurement errors.
Технический результат - исключение влияния линейных ускорений на чувствительность датчика.The technical result is the exclusion of the influence of linear accelerations on the sensitivity of the sensor.
Этот технический результат достигается тем, что в интегральном датчике абсолютного давления, содержащем проводящую кремниевую мембрану с жестким центром, первую и вторую стеклянные обкладки, соединенные жестко с кремниевой мембраной, в первой стеклянной обкладке имеется приемное отверстие, между первой стеклянной обкладкой и кремниевой мембраной образована входная камера, между второй стеклянной обкладкой и кремниевой мембраной образована вакуумированная камера, на внутренней поверхности второй стеклянной обкладки нанесены первый и второй неподвижные проводящие электроды, первый электрод размещен против подвижного жесткого центра на кремниевой мембране, второй электрод размещен против недеформируемой части на кремниевой мембране, первый и второй неподвижные проводящие электроды подключены к входам электронного блока, в жестком центре кремниевой мембраны со стороны входной камеры вытравлено углубление в виде усеченной пирамиды, боковые стенки которой параллельны боковым стенкам жесткого центра, толщина перегородки, образованной боковыми стенками усеченной пирамиды и жесткого центра, выполнена равной толщине гибкой части кремниевой мембраны; электронный блок выполнен в виде широтно-импульсного преобразователя, в котором первый и второй неподвижные проводящие электроды включены последовательно с первым и вторым резисторами и совместно образуют времязадающие цепочки симметричного мультивибратора на R-S триггере, центральный электрод емкостей, которым является жесткий центр кремниевой мембраны, заземлен, параллельно емкостям включены первый и второй ключи, управляющие входы которых перекрестно соединены с первым и вторым выходами R-S триггера.This technical result is achieved by the fact that in the integrated absolute pressure sensor containing a conductive silicon membrane with a rigid center, the first and second glass plates rigidly connected to the silicon membrane, the first glass plate has a receiving hole, an inlet is formed between the first glass plate and the silicon membrane chamber, between the second glass lining and the silicon membrane a vacuum chamber is formed, on the inner surface of the second glass lining the first and the second fixed conductive electrodes, the first electrode is placed against the movable rigid center on the silicon membrane, the second electrode is placed against the non-deformable part on the silicon membrane, the first and second fixed conductive electrodes are connected to the inputs of the electronic unit, a recess is etched in the rigid center of the silicon membrane from the input chamber in the form of a truncated pyramid, the side walls of which are parallel to the side walls of the rigid center, the thickness of the partition formed by the side walls of the truncated a pyramid and a rigid center, made equal to the thickness of the flexible part of the silicon membrane; the electronic unit is made in the form of a pulse-width converter, in which the first and second fixed conductive electrodes are connected in series with the first and second resistors and together form the timing chains of a symmetric multivibrator on the RS trigger, the central electrode of the capacitors, which is the rigid center of the silicon membrane, is grounded, parallel the containers include the first and second keys, the control inputs of which are cross-connected with the first and second outputs of the RS trigger.
Технический результат достигается за счет снижения массы жесткого центра. Широтно-импульсный преобразователь обеспечивает режим стыковки датчика с микроконтроллерами.The technical result is achieved by reducing the mass of the hard center. A pulse-width converter provides the mode of docking the sensor with microcontrollers.
На фиг.1 приведен продольный разрез заявляемого устройства, а на фиг.2 - электрическая схема устройства.Figure 1 shows a longitudinal section of the inventive device, and figure 2 is an electrical diagram of the device.
К первой стеклянной обкладке 1 приварена молекулярной сваркой кремниевая мембрана 2. К кремниевой мембране 2 приварена молекулярной сваркой вторая стеклянная обкладка 3. В кремниевой мембране 2 выполнена гибкая часть 4 и жесткий центр 5, являющийся одновременно подвижным электродом емкостного датчика перемещений. Между кремниевой мембраной 2 и первой стеклянной обкладкой 1, имеющей приемное отверстие, образована входная камера 6 для приема измеряемых давлений. На второй стеклянной обкладке 3 нанесены первый 7 и второй 8 неподвижные проводящие электроды емкостного преобразователя перемещений. Между кремниевой мембраной 2 и второй стеклянной обкладкой 3 образована герметичная вакуумированная камера 9, внутри которой размещены все электроды: подвижный 5 и неподвижные 7, 8. Недеформируемая часть 10 на кремниевой мембране 2 предназначена для выполнения компенсационной емкости между ней и электродом 8. Площади электродов 7 и 8 выполнены равными, что необходимо для балансировки емкостного датчика перемещений в нейтральном состоянии. Снижение погрешности от действия линейных ускорений абсолютного давления достигнуто снижением массы жесткого центра, для чего в нем со стороны входной камеры 6 вытравлено углубление 11 в виде усеченной пирамиды. Для снижения жесткости гибкой части 4 мембраны боковые стенки усеченной пирамиды выполнены параллельными боковым стенкам жесткого центра, а толщина образованной перегородки равна толщине гибкой части кремниевой мембраны. Перегородки являются дополнением к гибкой части мембраны, при этом снижается ее общая жесткость.A silicon membrane 2 is welded to the first glass lining 1 by molecular welding. A second glass lining is welded by molecular welding to the silicon membrane 2. Flexible part 4 and a rigid center 5 are made in the silicon membrane 2, which is simultaneously the movable electrode of the capacitive displacement sensor. Between the silicon membrane 2 and the first glass lining 1 having a receiving hole, an inlet chamber 6 is formed for receiving measured pressures. On the second glass lining 3, the first 7 and second 8 stationary conductive electrodes of the capacitive displacement transducer are applied. Between the silicon membrane 2 and the second glass lining 3, a sealed evacuated chamber 9 is formed, inside which all the electrodes are placed: movable 5 and fixed 7, 8. The non-deformable part 10 on the silicon membrane 2 is designed to perform a compensation capacitance between it and electrode 8. The area of the electrodes 7 and 8 are made equal, which is necessary for balancing the capacitive displacement sensor in the neutral state. The reduction of the error from the action of linear accelerations of the absolute pressure is achieved by reducing the mass of the hard center, for which a recess 11 in the form of a truncated pyramid is etched from it on the side of the inlet chamber 6. To reduce the stiffness of the flexible part 4 of the membrane, the side walls of the truncated pyramid are parallel to the side walls of the rigid center, and the thickness of the formed septum is equal to the thickness of the flexible part of the silicon membrane. Partitions are an addition to the flexible part of the membrane, while its overall rigidity is reduced.
На фиг.2 приведена электрическая схема датчика.Figure 2 shows the electrical circuit of the sensor.
Электронный блок выполнен в виде широтно-импульсного преобразователя, в котором первый и второй неподвижные проводящие электроды включены последовательно с первым и вторым резисторами и совместно представляют времязадающие цепочки симметричного мультивибратора на R-S триггере. Центральным электродом емкостей является жесткий центр 5 кремниевой мембраны, который заземлен.The electronic unit is made in the form of a pulse-width converter, in which the first and second stationary conductive electrodes are connected in series with the first and second resistors and together represent the timing chains of a symmetric multivibrator on an R-S trigger. The central electrode of the containers is the rigid center 5 of the silicon membrane, which is grounded.
Схема включает в свой состав первый 12 и второй 13 ключи, соединенные параллельно с первой 14 и второй 15 измерительными емкостями. Первая 14 и вторая 15 измерительные емкости соединены последовательно с первым 16 и вторым 17 резисторами, а точки их соединений одновременно соединены со входами R и S R-S триггера 18. Вторыми концами резисторы 16 и 17 соединены с первым и вторым выходами R-S триггера. Управляющие входы первого 12 и второго 13 ключей перекрестно соединены с первым и вторым выходами R-S триггера 18.The circuit includes the first 12 and second 13 keys connected in parallel with the first 14 and second 15 measuring tanks. The first 14 and second 15 measuring capacitances are connected in series with the first 16 and second 17 resistors, and the points of their connections are simultaneously connected to the inputs R and S of the
Предложенный датчик работает следующим образом. Перемещение жесткого центра мембраны прямо пропорционально действующей сумме сил от абсолютного давления и от инерции:The proposed sensor operates as follows. The movement of the rigid center of the membrane is directly proportional to the acting sum of forces from absolute pressure and from inertia:
где G - жесткость деформируемой части мембраны; Δх - перемещение жесткого центра мембраны; ра - абсолютное давление; S - площадь мембраны; m - масса жесткого центра мембраны; j - ускорение, действующее на жесткий центр.where G is the stiffness of the deformable part of the membrane; Δх is the displacement of the rigid center of the membrane; p a - absolute pressure; S is the membrane area; m is the mass of the rigid center of the membrane; j is the acceleration acting on the rigid center.
Пусть датчик абсолютного давления применяется на подвижном объекте. Из (1) видно, что измерение перемещения Δх, соответственно абсолютного давления ра, всегда осуществляется с ошибкой, привносимой ускорением. Причем чем больше масса жесткого центра мембраны, тем больше ошибка. С целью снижения ошибки в заявляемом изобретении снижена масса жесткого центра мембраны посредством выполнения в нем со стороны входной камеры углубления 11 в виде усеченной пирамиды:Let the absolute pressure sensor be used on a moving object. From (1) it can be seen that the measurement of the displacement Δx, respectively, of the absolute pressure p a , is always carried out with an error introduced by acceleration. Moreover, the greater the mass of the rigid center of the membrane, the greater the error. In order to reduce errors in the claimed invention, the mass of the rigid center of the membrane is reduced by performing in it from the side of the input chamber a recess 11 in the form of a truncated pyramid:
где mугл - масса, удаленная из углубления жесткого центра мембраны.where m angle is the mass removed from the recess of the rigid center of the membrane.
Величина этой массы может достигать до 70% от массы жесткого центра. Формула (2) показывает, что цель изобретения по первому пункту достигнута.The magnitude of this mass can reach up to 70% of the mass of the rigid center. Formula (2) shows that the objective of the invention according to the first paragraph is achieved.
Работа датчика абсолютного давления в режиме широтно-импульсной модуляции осуществляется следующим образом. Первая 14 и вторая 15 измерительные емкости включены последовательно с первым 16 и вторым 17 резисторами и представляют времязадающие цепочки симметричного мультивибратора на R-S триггере 18. Посредством первого 12 и второго 13 ключей, управляемых перекрестно сигналами с выходов R-S триггера 18, осуществляется заряд-разряд измерительных емкостей 14 и 15. Первая емкость 14 является переменной и зависит от действующего абсолютного давления, вторая емкость 15 является постоянной и выполняет функции температурной компенсации. Длительность импульса τ на прямом выходе R-S триггера является функционально зависимой от величины первой емкости 14, соответственно зависит от действующего абсолютного давления. Выход R-S триггера, например на КМОП-структурах, непосредственно стыкуется со входами микроконтроллеров. Масштабирование сигнала и преобразование его к стандартному виду осуществляется программно.The operation of the absolute pressure sensor in pulse width modulation mode is as follows. The first 14 and second 15 measuring capacitances are connected in series with the first 16 and second 17 resistors and represent the timing chains of a symmetric multivibrator on the RS flip-
Отмечая приведенные обоснования, можно заключить, что технический результат изобретения полностью достигнут.Noting the above rationale, we can conclude that the technical result of the invention is fully achieved.
Источники информацииInformation sources
1. Величко А.А., Илюшин В.А., Филимонова Н.И. Патент РФ №2251087 Емкостной датчик давления МПК G01L 9/12 27.04.2005.1. Velichko A.A., Ilyushin V.A., Filimonova N.I. RF patent №2251087 IPC capacitive pressure sensor G01L 9/12 04/27/2005.
2. Белозубов Е.М., Маланин В.П. Устройство формирования выходного сигнала емкостного датчика давления. Патент РФ №2053490, G01L 9/12, 27.01.1996.2. Belozubov EM, Malanin V.P. Device for generating the output signal of a capacitive pressure sensor. RF patent No. 2053490, G01L 9/12, 01/27/1996.
3. Вавилов В.Д. Исследования интегральных датчиков давлений. Нижегородский государственный технический университет. Нижний Новгород, 2006. 32 с.3. Vavilov V.D. Research of integrated pressure sensors. Nizhny Novgorod State Technical University. Nizhny Novgorod, 2006.32 s.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011130748/28A RU2470273C1 (en) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | Integral gauge of absolute pressure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011130748/28A RU2470273C1 (en) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | Integral gauge of absolute pressure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2470273C1 true RU2470273C1 (en) | 2012-12-20 |
Family
ID=49256602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011130748/28A RU2470273C1 (en) | 2011-07-21 | 2011-07-21 | Integral gauge of absolute pressure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2470273C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1983000385A1 (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Rosemount Inc | Improved capacitance pressure sensor |
| SU1500887A1 (en) * | 1987-04-22 | 1989-08-15 | Ереванский политехнический институт им.К.Маркса | Variable-capacitance transducer |
| RU2258913C2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-08-20 | Открытое акционерное общество "Энгельское опытно-конструкторское бюро "Сигнал" им.А.И.Глухарева (ОАО ЭОКБ "Сигнал" им.А.И.Глухарева) | Capacity indicator of excessive pressure |
| RU2384825C1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-03-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Pressure measurement sensor |
| RU2392593C1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-20 | Открытое акционерное общество Энгельское опытно-конструкторское бюро "Сигнал" им. А.И. Глухарева | Overpressure sensor |
-
2011
- 2011-07-21 RU RU2011130748/28A patent/RU2470273C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1983000385A1 (en) * | 1981-07-27 | 1983-02-03 | Rosemount Inc | Improved capacitance pressure sensor |
| SU1500887A1 (en) * | 1987-04-22 | 1989-08-15 | Ереванский политехнический институт им.К.Маркса | Variable-capacitance transducer |
| RU2258913C2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-08-20 | Открытое акционерное общество "Энгельское опытно-конструкторское бюро "Сигнал" им.А.И.Глухарева (ОАО ЭОКБ "Сигнал" им.А.И.Глухарева) | Capacity indicator of excessive pressure |
| RU2384825C1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-03-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Pressure measurement sensor |
| RU2392593C1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-20 | Открытое акционерное общество Энгельское опытно-конструкторское бюро "Сигнал" им. А.И. Глухарева | Overpressure sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105917204B (en) | Capacitive pressure measuring unit at least one temperature sensor | |
| US10267700B2 (en) | Capacitive pressure sensor and method for its production | |
| CN108535511B (en) | FM accelerometer force balance detection method based on static negative stiffness frequency calculation | |
| JPS5838738B2 (en) | pressure gauge | |
| EP0291507A1 (en) | Electronic inclinometer. | |
| CN106482747B (en) | A kind of zero bias temperature compensation method of high accuracy gyroscope instrument | |
| EP3799311A1 (en) | Waterproof mems button device, input device comprising the mems button device and electronic apparatus | |
| US20200174035A1 (en) | Mems accelerometric sensor having high accuracy and low sensitivity to temperature and aging | |
| JP2011215000A (en) | Tactile sensor | |
| RU2470273C1 (en) | Integral gauge of absolute pressure | |
| Edalatfar et al. | Design, fabrication and characterization of a high performance MEMS accelerometer | |
| CN201297957Y (en) | Three-degree-of-freedom vibration spectrum measurement system for momentum wheel | |
| CN110531443B (en) | Calibration device of earthquake intensity meter | |
| RU2566655C1 (en) | Measurement of apparent acceleration and piezoelectric accelerometer to this end | |
| CN112697239B (en) | Micro substance and driving force synchronous sensor and method based on internal resonance | |
| CN106486594B (en) | The filtering method of Piezoelectric Self-Sensing Actuator and its electric jamming | |
| RU2692122C1 (en) | Solid-state linear acceleration sensor | |
| JP6266313B2 (en) | QCM sensor | |
| KR101182531B1 (en) | Capacitor sensor comprising layered electrode and method of obtaining magnitude and direction of force using thereof | |
| RU114172U1 (en) | DEVICE FOR MEASURING INFRASONIC OSCILLATIONS OF THE MEDIA | |
| RU170862U1 (en) | SENSITIVE SENSOR OF A SHOCK SENSOR | |
| CN102997837A (en) | Capacitor type superhigh strain sensor | |
| RU2006126723A (en) | METHOD FOR MEASURING THE GAP BETWEEN ELECTRODES AND MOBILE WEIGHT OF A MICROMECHANICAL DEVICE AND A DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION | |
| JP6200172B2 (en) | External force detection device | |
| RU2693030C1 (en) | Two-axis micromechanical accelerometer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150722 |