RU2464683C1 - Твердотельный источник электромагнитного излучения - Google Patents

Твердотельный источник электромагнитного излучения Download PDF

Info

Publication number
RU2464683C1
RU2464683C1 RU2011116524/28A RU2011116524A RU2464683C1 RU 2464683 C1 RU2464683 C1 RU 2464683C1 RU 2011116524/28 A RU2011116524/28 A RU 2011116524/28A RU 2011116524 A RU2011116524 A RU 2011116524A RU 2464683 C1 RU2464683 C1 RU 2464683C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
working layer
solid
rod
electrode
electromagnetic radiation
Prior art date
Application number
RU2011116524/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Юрий Васильевич Гуляев (RU)
Юрий Васильевич Гуляев
Петр Ефимович Зильберман (RU)
Петр Ефимович Зильберман
Андрей Иванович Панас (RU)
Андрей Иванович Панас
Эрнест Майорович Эпштейн (RU)
Эрнест Майорович Эпштейн
Сергей Григорьевич Чигарев (RU)
Сергей Григорьевич Чигарев
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН filed Critical Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Priority to RU2011116524/28A priority Critical patent/RU2464683C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2464683C1 publication Critical patent/RU2464683C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Заявляемое устройство относится к спинтронике и фотонике и предназначено для генерации когерентного и некогерентного электромагнитного излучения в диапазоне террагерцовых частот. Твердотельный источник электромагнитного излучения содержит рабочий слой, выполненный в виде пленки из проводящего ферромагнитного материала, первый электрод из проводящего ферромагнитного материала, контактирующий с рабочим слоем, и второй электрод из проводящего материала, контактирующий с рабочим слоем. Рабочий слой твердотельного источника расположен на подложке из диэлектрика или полупроводника, прозрачного для излучения рабочего диапазона длин волн. Второй электрод выполнен в виде массивной пластины со сквозным отверстием, расположенной на поверхности рабочего слоя. Первый электрод выполнен в виде стержня с заостренным концом, вставленного в отверстие упомянутой пластины, так что торец его заостренного конца находится в контакте с рабочим слоем. Технический результат заключается в увеличении мощности электромагнитного излучения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Заявляемое устройство предназначено для генерации когерентного и некогерентного электромагнитного излучения в диапазоне терагерцовых частот. Устройство позволяет также генерировать излучение в соседних диапазонах частот: субмиллиметровом и инфракрасном. По своему принципу действия его можно отнести к таким быстро развивающимся направлениям современной электроники, как спинтроника и фотоника.
Миниатюрные твердотельные инжекционные лазеры появились в 1960-70 г. [1, 2]. В них применяют полупроводниковые материалы. Они удобны тем, что накачка осуществляется током, который инжектирует носители зарядов в рабочий слой и создает в нем отрицательную температуру. Инжекция происходит через границу раздела двух различных полупроводниковых материалов. Например, электроны, инжектируемые в дырочный материал, рекомбенируют и излучают в оптическом или ИК-диапазоне. Частота излучения зависит от применяемых полупроводниковых материалов. Устройства могут работать при комнатных температурах.
Известен лазер [3], где введен ферромагнитный материал для инжекции спин-поляризованных электронов в слой полупроводника. Механизм излучения, как и выше, возникает за счет электрон-дырочной рекомбинации. Отличие только в том, что из-за спиновой поляризации электронов излучение поляризовано. Диапазон излучения оптический или ИК.
В настоящее время особый интерес вызывает освоение терагерцового диапазона частот (1012-1013 Гц). Освоение данного диапазона тормозится из-за отсутствия простых и надежных источников такого излучения. Между тем, этот диапазон интересен для применений в диагностике сред, биологии, медицине, для радиосвязи в космосе и в других областях.
Известно устройство [4] для генерации терагерцового излучения за счет переходов носителей заряда между спиновыми энергетическими подзонами в ферромагнитных проводящих материалах. Оно выполнено в виде многослойной структуры, содержащей три слоя из одного ферромагнитного проводящего материала. Первый слой, являющийся инжектором спин-поляризованных электронов, второй слой - рабочий, где и возникает излучение благодаря излучательным переходам носителей зарядов между спиновыми энергетическими подзонами, и третий слой для приема отработавших электронов из второго слоя. Недостаток такого устройства заключается в том, что из-за применения одинакового материала для всех слоев в его рабочем слое нельзя создать высокий уровень спиновой инжекции носителей заряда при достижимой рабочей плотности тока 107-109 А/см2.
Из числа известных технических решений наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является твердотельный источник электромагнитного излучения [5], в котором указанный недостаток преодолевается за счет использования в устройстве слоев из различных ферромагнитных материалов. Первый слой из ферромагнитного проводящего материала (первый электрод) является инжектором спин-поляризованных электронов. Он контактирует со вторым слоем из ферромагнитного проводящего материала (рабочим слоем). Третий слой выполнен из проводящего материала (второй электрод) и контактирует с рабочим слоем. Для достижения необходимой плотности тока 107-109 А/см2, требуемой для работы твердотельного источника электромагнитного излучения, многослойная структура в таком устройстве выполнена в виде столбика с габаритными размерами и, в частности, периметром границы рабочего слоя в десятки нанометров. Это не позволяет пропускать через такую структуру большие абсолютные величины тока в сотни миллиампер, что, в свою очередь, не дает возможности получить в подобном устройстве достаточно большие для практического применения уровни мощности, а также ухудшает его работоспособность и надежность.
Техническая задача, решаемая предлагаемым изобретением, состоит в повышении мощности электромагнитного излучения твердотельного источника и увеличении надежности его работы в рабочем диапазоне длин волн, в частности в терагерцовом диапазоне.
Указанная задача решается тем, что в твердотельном источнике электромагнитного излучения, содержащем рабочий слой, выполненный в виде пленки из проводящего ферромагнитного материала, первый электрод из проводящего ферромагнитного материала, контактирующий с рабочим слоем, и второй электрод из проводящего материала, контактирующий с рабочим слоем, рабочий слой из ферромагнитного проводящего материала расположен на подложке из диэлектрика или полупроводника, прозрачного для излучения рабочего диапазона длин волн, второй электрод выполнен в виде массивной пластины со сквозным отверстием, расположенной на поверхности рабочего слоя, а первый электрод выполнен в виде стержня с заостренным концом, вставленного в отверстие упомянутой пластины, так что торец его заостренного конца находится в контакте с рабочим слоем.
Оптимально периметр L торца заостренного конца первого электрода выбирается из условия
Figure 00000001
где I - ток, протекающий через твердотельный источник электромагнитного излучения, jn - минимальное значение плотности тока, необходимого для работы твердотельного источника электромагнитного излучения, Δ - толщина рабочего слоя.
Для увеличения мощности электромагнитного излучения может использоваться концентратор магнитного поля в виде шайбы из магнитного материала, прижатой к подложке с противоположной от рабочего слоя стороны.
Изобретение поясняется чертежами, где на фиг.1 изображена конструкция устройства (вид сбоку), на фиг.2 изображены энергетические спиновые подзоны для электронов, имеющих спины противоположной ориентации. Направление вниз - параллельно намагниченности стержня, направление вверх - антипараллельно намагниченности стержня.
Предложенный твердотельный источник электромагнитного излучения (см. фиг.1) содержит первый электрод 1, выполненный в виде стержня из проводящего ферромагнитного материала с заостренным концом, рабочий слой 2, выполненный из ферромагнитного проводящего материала, нанесенного на диэлектрическую или полупроводниковую подложку 3, второй электрод 4, выполненный в виде массивной проводящей пластины, например, из меди с отверстием 5 для прохода стержня 1 к рабочему слою 2, и концентратор магнитного поля 6 в рабочем слое 2, выполненный в виде шайбы из магнитного материала. Желательно для стержня 1 использовать ферромагнитный материал с высокой, ~1, степенью равновесной спиновой поляризации, например сплавы Гейслера. Для рабочего слоя 2 может быть выбран ферромагнетик с небольшой величиной равновесной спиновой поляризации (меньше ~10%), например пермаллой. Подложка 3 должна быть прозрачна для электромагнитного излучения рабочего диапазона длин волн. Контакт торца заостренного конца стержня 1 с рабочим слоем 2, контакт рабочего слоя 2 со вторым электродом 4, а также контакт магнитного концентратора 6 с подложкой 3 может обеспечиваться как механически, за счет прижима, так и иными способами, например холодной пайкой.
Торец острия первого электрода 1 в плане может иметь произвольную форму (окружность, эллипс, многоугольник и тому подобное). При этом протяженность границы торца - его периметр определяется из условия
Figure 00000002
где I - ток, протекающий через твердотельный источник электромагнитного излучения, jn - минимальное значение плотности тока, необходимого для работы твердотельного источника электромагнитного излучения, Δ - толщина рабочего слоя 2, которая выбирается соизмеряемой с толщиной скинслоя. Стержень служит для подвода электронного потока и является радиатором, охлаждающим рабочую область слоя 2.
В невозмущенном состоянии намагниченность M1 стержня 1 (см. фиг.1) направлена вдоль его оси, намагниченность рабочего слоя 2 на подложке 3 лежит в рабочем слое 2 параллельно плоскости подложки 3 и перпендикулярно оси стержня 1. Контакт стержня 1 с рабочим слоем 2 обеспечивает появление в последнем составляющей намагниченности М2, параллельной оси стержня 1 и имеющей направленность, противоположную M1. Для увеличения этой составляющей используется концентратор 6 магнитного поля, выполненный в виде шайбы из магнитного материала. Внутреннее отверстие шайбы должно соответствовать контуру сечения торца заостренного конца стержня 1. Например, для круглого торца отверстие должно быть круглым. При этом площадь контакта концентратора 6 с подложкой 3 должна быть минимальной. Это достигается тем, что шайба в разрезе имеет вид, например, треугольника, как показано на фиг.1. Возможны и другие варианты формы сечения, например круг, трапеция и т.п.
Устройство работает следующим образом. При подаче напряжения на первый 1 и второй 4 электроды источника в его цепи возникает электронный поток. Проходя по стержню 1, спины электронов ориентируются главным образом по намагниченности M1, то есть происходит его спин-поляризация. Поляризованный по спину электронный поток вытекает из стержня 1 с намагниченностью М1 и растекается по рабочему слою 2. Большая часть электронов (по оценкам ~70%) имеет спины, параллельные вектору намагниченности стержня М1, остальные электроны (~30%) поляризованы в противоположном направлении. Поляризации электронов обозначены на фиг.2 тонкими стрелками. Стрелки, направленные вниз, означают спиновую поляризацию электронов параллельно намагниченности М1 стержня 1, а стрелки вверх обозначают антипараллельную поляризацию спинов. Выходящий из стержня 1 магнитный поток M1 направлен вдоль его оси. Он пронизывает рабочий слой 2, а также подложку 3 и уходит вниз. Электроны проводимости в рабочем слое 2 испытывают обменное взаимодействие с магнитным потоком. В результате этого взаимодействия электроны со спинами, параллельными М1, опускаются по энергии до уровня, показанного на фиг.2 жирной сплошной линией с минимумом на оси z. Электроны с противоположными спинами увеличивают свою энергию до уровня, показанного штрих-пунктирной жирной линией с максимумом на оси z. Указанные линии показывают фактически энергии покоящихся электронов в подзонах, т.е. дно спиновых подзон. С учетом кинетической энергии инжектированных из стержня 1 электронов они заполняют все состояния между дном подзон и соответствующими квазиуровнями Ферми εF↓ и εF↑, показанными на фиг.2 тонкими пунктирными линиями.
Магнитный поток из стержня 1, в силу его непрерывности, возвращается к стержню 1. Иными словами, с внешней стороны стержня 1 должен формируется «замыкающий» магнитный поток, направленный к противоположному торцу стержня 1. Замыкающий поток в рабочем слое 2 вне стержня 1 создается компонентой намагниченности М2, которая параллельна оси стержня. На фиг.1 эта намагниченность показана двумя жирными вертикальными стрелками вне стержня. При этом замыкающий магнитный поток, в общем случае, пронизывает плоскость, в которой лежит рабочий слой 2 по площади, не имеющей внешней границы. Это существенно снижает намагниченность М2 в рабочем слое, а значит и мощность излучения. Ограничить площадь, пронизываемую замыкающим магнитным потоком от стержня 1, можно с помощью концентратора 6 магнитного поля. В этом случае магнитный поток, вытекающий из стержня 1, пройдя рабочий слой 2 и подложку 3, «фокусируется» в объеме концентратора 6. Наибольший эффект от концентратора 6 достигается, когда магнитный поток из концентратора 6 выходит перпендикулярно плоскости подложки 3, пронизывая ее. Для этого площадь контакта подложки 3 с концентратором 6 должна быть много меньше площади поверхности концентратора 6, противолежащей контакту. Это достигается выбором соответствующей формы поперечного сечения концентратора 6, как указано выше.
Спин-поляризованный электронный поток, выйдя из стержня 1 и проходя рабочий слой 2 за границей стержня 1, взаимодействует с компонентой М2. В результате электроны разделяются по энергиям: электроны со спинами, параллельными М2 и направленными вверх, имеют меньшую энергию, чем электроны с противоположной ориентацией спинов, т.е. направленными вниз. Таким образом, электроны селектируются по энергетическим спиновым подзонам (см. фиг.2).
Для достижения отрицательной спиновой температуры в рабочем слое 2 необходимо иметь высокую плотность спинов вниз. Для этого необходима большая плотность тока 107-109 А/см2. Такая плотность тока достигается следующим образом. Поток электронов, проходящий по стержню 1, спин-поляризуется под действием намагниченности стержня M1. Через торец заостренного конца стержня 1 электронный поток попадает в рабочий слой 2. Здесь он растекается от центра стержня 1 радиально до второго электрода 4. Плотность тока в рабочем слое 2 максимальна у торца стержня 1 по его границе и определяется соотношением (1).
В частном случае, когда торец стержня 1 имеет круглую форму, его периметр L=2Rπ, где R - радиус торца. Оценка для круглого торца стержня 1 показывает, что при электронном потоке 0,1 А, протекающем через стержень 1, плотность тока 107 А/см2 в рабочем слое 2 достигается при R=10 мкм и толщине пленки Δ=10 нм. Опыт работы с заявляемым устройством показывает допустимость протекания и больших значений тока через структуру вплоть до значения 1 А. Возможность пропускания таких токов через заявляемое устройство объясняется тем, что высокая плотность тока наблюдается только в очень малом объеме рабочей области, определяемом длиной спиновой релаксации (20-30 нм). При удалении от стержня 1 плотность тока уменьшается обратно пропорционально расстоянию от центра. В стержне 1 наибольшая плотность тока в R/Δ раз меньше плотности тока, достигаемой в рабочей области слоя 2 по границе торца стержня 1. Работоспособность устройства при таких токах обусловлена еще и тем, что массивный металлический стержень 1 играет роль радиатора, отводящего тепло из рабочей области. Второй электрод 4 дополнительно отводит тепло от рабочего слоя 2. Так как толщина Δ рабочего слоя 2 соизмерима с толщиной скин-слоя на рабочих частотах, то рабочая область слоя 2 представляет собой монолитный излучатель, от которого по всем направлениям в телесный угол 4π распространяется излучение. Электромагнитные волны из рабочей области слоя 2 распространяются в открытое пространство за подложкой 3.
Литература
1. Физическая энциклопедия. Т.1, статья «Гетеролазер», с.445-446. М.: Советская энциклопедия, 1968.
2. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров. М. 1983.
3. Osipov V.V., Brutkovski A.M. Heterolaserand light emittingsource of polarized radiation. United Stats Patent, 6993056, Januari 31, 2006.
4. Radigrobov A., Ivanov Z., Claeson Т., Shekhter R.I., Jonson M. Gigant lasing effect in magnetic nanoconductors. Europhys. Lett., v.67(6), 946-954, 2004.
5. Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Эпштейн Э.М., Панас А.И. Крикунов А.И., Твердотельный источник электромагнитного излучения. Патент РФ №2344528, январь 20, 2009 г.

Claims (3)

1. Твердотельный источник электромагнитного излучения, содержащий рабочий слой, выполненный в виде пленки из проводящего ферромагнитного материала, первый электрод из проводящего ферромагнитного материала, контактирующий с рабочим слоем, и второй электрод из проводящего материала, контактирующий с рабочим слоем, отличающийся тем, что рабочий слой расположен на подложке из диэлектрика или полупроводника, прозрачного для излучения рабочего диапазона длин волн, второй электрод выполнен в виде массивной пластины со сквозным отверстием, расположенной на поверхности рабочего слоя, а первый электрод выполнен в виде стержня с заостренным концом, вставленного в отверстие упомянутой пластины, так что торец его заостренного конца находится в контакте с рабочим слоем.
2. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что периметр L торца заостренного конца первого электрода, контактирующего с рабочим слоем, выбран из условия L=I/(jnΔ), где I - ток, протекающий через твердотельный источник электромагнитного излучения, jn - минимальное значение плотности тока, необходимого для работы твердотельного источника электромагнитного излучения, Δ - толщина рабочего слоя.
3. Твердотельный источник по п.1, отличающийся тем, что он содержит концентратор магнитного поля в виде пластины из магнитного материала с отверстием, соосным со стержнем и повторяющим его форму, при этом концентратор прижат к подложке со стороны, противоположной поверхности, на которой расположен рабочий слой.
RU2011116524/28A 2011-04-26 2011-04-26 Твердотельный источник электромагнитного излучения RU2464683C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011116524/28A RU2464683C1 (ru) 2011-04-26 2011-04-26 Твердотельный источник электромагнитного излучения

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011116524/28A RU2464683C1 (ru) 2011-04-26 2011-04-26 Твердотельный источник электромагнитного излучения

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2464683C1 true RU2464683C1 (ru) 2012-10-20

Family

ID=47145545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011116524/28A RU2464683C1 (ru) 2011-04-26 2011-04-26 Твердотельный источник электромагнитного излучения

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2464683C1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2617732C1 (ru) * 2015-12-18 2017-04-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2688096C2 (ru) * 2015-04-07 2019-05-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2715892C1 (ru) * 2019-07-09 2020-03-04 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук" Твердотельный источник электромагнитного излучения и способ его изготовления
RU2742569C1 (ru) * 2020-05-29 2021-02-08 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Осциллятор для генератора терагерцового излучения

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU849426A1 (ru) * 1978-10-09 1981-07-23 Ленинградский Ордена Ленина Электро-Технический Институт Им. B.И.Улья-Hoba (Ленина) Устройство дл возбуждени и передачиСпиНОВыХ ВОлН
US20040179567A1 (en) * 2003-03-14 2004-09-16 Osipov Viatcheslav V. Hetero laser and light-emitting source of polarized radiation
RU2007113927A (ru) * 2007-04-16 2008-10-27 Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (ИРЭ РАН) (RU) Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2351045C1 (ru) * 2007-07-10 2009-03-27 Институт физики металлов УрО РАН Твердотельный мазер на электронах проводимости

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU849426A1 (ru) * 1978-10-09 1981-07-23 Ленинградский Ордена Ленина Электро-Технический Институт Им. B.И.Улья-Hoba (Ленина) Устройство дл возбуждени и передачиСпиНОВыХ ВОлН
US20040179567A1 (en) * 2003-03-14 2004-09-16 Osipov Viatcheslav V. Hetero laser and light-emitting source of polarized radiation
RU2007113927A (ru) * 2007-04-16 2008-10-27 Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (ИРЭ РАН) (RU) Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2344528C1 (ru) * 2007-04-16 2009-01-20 Институт Радиотехники И Электроники Российской Академии Наук (Ирэ Ран) Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2351045C1 (ru) * 2007-07-10 2009-03-27 Институт физики металлов УрО РАН Твердотельный мазер на электронах проводимости

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2688096C2 (ru) * 2015-04-07 2019-05-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2617732C1 (ru) * 2015-12-18 2017-04-26 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2715892C1 (ru) * 2019-07-09 2020-03-04 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российская академия наук" Твердотельный источник электромагнитного излучения и способ его изготовления
RU2742569C1 (ru) * 2020-05-29 2021-02-08 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Осциллятор для генератора терагерцового излучения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9136665B1 (en) Using tunnel junction and bias for effective current injection into terahertz magnon
Melngailis LONGITUDINAL INJECTION‐PLASMA LASER OF InSb
RU2464683C1 (ru) Твердотельный источник электромагнитного излучения
Chen et al. Efficient generation and arbitrary manipulation of chiral terahertz waves emitted from Bi2Te3–Fe heterostructures
CN109830874B (zh) 一种基于电压控制磁化的自旋电子太赫兹波发射器
WO2023047956A1 (ja) 電子トラップ装置、量子コンピュータ、フリップチップ構造の製造方法、電子トラップ方法
Chongbiao et al. Research on a novel high-power semi-insulating GaAs photoconductive semiconductor switch
US2786880A (en) Signal translating device
Lenstra et al. Ultra-short optical pulse generation in micro OLEDs and the perspective of lasing
Mori et al. Operation principle of the InGaAsP/InP laser transistor
Gulyaev et al. Spin-injection generators of terahertz waves based on metal magnetic structures
RU2344528C1 (ru) Твердотельный источник электромагнитного излучения
RU2356128C2 (ru) Способ генерации сверхвысокочастотных электромагнитных колебаний
RU2617732C1 (ru) Твердотельный источник электромагнитного излучения
Mukherjee et al. Prospects of 4H‐SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo‐Sensitive High‐Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime
JP2008173745A (ja) 原子捕捉素子及び原子捕捉方法
RU2688096C2 (ru) Твердотельный источник электромагнитного излучения
US3763407A (en) Solid state oscillator-detector device of electromagnetic waves
RU2351045C1 (ru) Твердотельный мазер на электронах проводимости
Luan et al. Study on the high-power semi-insulating GaAs PCSS with quantum well structure
Van der Heijden et al. A new mechanism for high‐frequency rectification at low temperatures in point contacts between identical metals
Tsujimoto et al. Engineering and characterization of a packaged high-Tc superconducting terahertz source module
Zutavern et al. Electron-hole plasmas in semiconductors
Grigorev Terahertz Electronics
Chandrasekar et al. Effect of barrier width on spin-dependent tunneling in asymmetrical double barrier semiconductor heterostructures

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150427