RU2464669C1 - Powerful semiconductor structure - Google Patents

Powerful semiconductor structure Download PDF

Info

Publication number
RU2464669C1
RU2464669C1 RU2011106422/28A RU2011106422A RU2464669C1 RU 2464669 C1 RU2464669 C1 RU 2464669C1 RU 2011106422/28 A RU2011106422/28 A RU 2011106422/28A RU 2011106422 A RU2011106422 A RU 2011106422A RU 2464669 C1 RU2464669 C1 RU 2464669C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductivity
type
semiconductor structure
sides
area
Prior art date
Application number
RU2011106422/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2011106422A (en
Inventor
Олег Митрофанович Булгаков (RU)
Олег Митрофанович Булгаков
Борис Константинович Петров (RU)
Борис Константинович Петров
Михаил Владимирович Таравков (RU)
Михаил Владимирович Таравков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ГОУ ВПО ВГУ)
Priority to RU2011106422/28A priority Critical patent/RU2464669C1/en
Publication of RU2011106422A publication Critical patent/RU2011106422A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2464669C1 publication Critical patent/RU2464669C1/en

Links

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: in a powerful semiconductor structure, containing a row areas of the second type of conductivity in the form of trapezoids with parallel elevations surrounded from all sides by the area of the first type of conductivity, and such elevations form a strip separated into fragments limited by width with trapezoid bases, and along length - by sides of extreme trapezoids, at least a part of the row of the above areas of the second type of conductivity are arranged in the form of non-rectangular parallelograms, sides of which are parallel to adjacent sides of neighbouring areas of the second type of conductivity, from which at least one is not a parallelogram.
EFFECT: invention makes it possible to increase value of useful power per unit of semiconductor structure area.
1 dwg

Description

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных полупроводниковых приборов.The invention relates to semiconductor electronics and can be used in the construction of powerful semiconductor devices.

Известна мощная полупроводниковая структура, содержащая область одного типа проводимости, в пределах которой находится область второго типа проводимости (Батушев В.А. Электронные приборы. - М.: Высш. школа, 1980. - С.57, 96-97).A powerful semiconductor structure is known that contains a region of one type of conductivity, within which lies a region of the second type of conductivity (Batushev V.A. Electronic devices. - M.: Higher school, 1980. - P.57, 96-97).

Недостатком такой полупроводниковой структуры является неравномерное распределение температуры по ее площади вследствие неодинаковых условий отвода выделяемого джоулева тепла от отдельных участков его активной области (p-n-перехода), приводящее к снижению выходной мощности P1 и надежности полупроводниковой структуры.The disadvantage of such a semiconductor structure is the uneven distribution of temperature over its area due to unequal conditions for the removal of the generated Joule heat from individual sections of its active region (pn junction), which leads to a decrease in the output power P 1 and the reliability of the semiconductor structure.

В другой полупроводниковой структуре область второго типа проводимости площадью S представляет собой прямолинейный ряд одинаковых прямоугольных участков площадью S/N, расположенных на некотором расстоянии один от другого (Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В.И.Никишин, Б.К.Петров, В.Ф.Сыноров и др. - М.: Радио и связь, 1989. - С.63). Это позволяет уменьшить теплообмен между участками области второго типа проводимости, тем самым снизить максимальную температуру Тмакс i каждого участка по сравнению с Тмакс целой области и за счет этого повысить выходную мощность и надежность полупроводниковой структуры.In another semiconductor structure, the region of the second type of conductivity with area S is a straight line of identical rectangular sections with area S / N located at some distance from each other (Design and production technology of high-power microwave transistors / V.I. Nikishin, B.K. Petrov , V.F.Synorov et al. - M.: Radio and Communications, 1989. - P.63). This allows you to reduce heat transfer between sections of the region of the second type of conductivity, thereby reducing the maximum temperature T max i of each section compared to T max of the whole region and thereby increase the output power and reliability of the semiconductor structure.

Недостатком такой полупроводниковой структуры является различие максимальных температур прямоугольных участков Тмакс i ввиду взаимного теплообмена между ними. Участки, которые находятся в центре ряда, более интенсивно нагреваются, чем участки, находящиеся на краях ряда. Следствием этого является снижение термической устойчивости полупроводниковой структуры (Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В.И.Никишин, Б.К.Петров, В.Ф.Сыноров и др. - М.: Радио и связь, 1989. - С.97-98), что ограничивает ее выходную мощность и уменьшает надежность.The disadvantage of such a semiconductor structure is the difference in the maximum temperatures of the rectangular sections T max i due to the mutual heat exchange between them. The sections that are in the center of the row are heated more intensively than the sections located at the edges of the row. The consequence of this is a decrease in the thermal stability of the semiconductor structure (Design and production technology of high-power microwave transistors / V.I. Nikishin, B.K. Petrov, V.F.Synorov, etc. - M .: Radio and communications, 1989. - С .97-98), which limits its output power and reduces reliability.

Наиболее близкой по совокупности признаков является мощная полупроводниковая структура, расположенные в ряд участки области второго типа проводимости которой имеют форму трапеций с монотонным убыванием ширины от большого основания к малому (А.с. 1679922 СССР, МКИ H01L 29/72). При этом относительно меньшую ширину имеют участки областей второго типа проводимости с худшими условиями отвода тепла. Это позволяет уменьшить максимальную температуру Тмакс полупроводниковой структуры или повысить равномерность ее нагрева, и таким образом соответственно повысить надежность полупроводниковой структуры или увеличить P1 без ухудшения усилительных и частотных характеристик.Closest to the totality of features is a powerful semiconductor structure located in a row of regions of the second type of conductivity region in the form of trapezoids with a monotonous decrease in width from a large base to a small one (A.S. 1679922 USSR, MKI H01L 29/72). In this case, the regions of the second type of conductivity with worse heat removal conditions have a relatively smaller width. This allows you to reduce the maximum temperature T max of the semiconductor structure or to increase the uniformity of its heating, and thus, accordingly, increase the reliability of the semiconductor structure or increase P 1 without compromising the amplification and frequency characteristics.

Уменьшение отношения площади области второго типа проводимости к полной площади структуры за счет непрямоугольной формы ее участков приводит к уменьшению отношения выходной мощности полупроводниковой структуры P1 к ее площади S.A decrease in the ratio of the area of the region of the second type of conductivity to the total area of the structure due to the non-rectangular shape of its sections leads to a decrease in the ratio of the output power of the semiconductor structure P 1 to its area S.

Конфигурация и площадь области второго типа проводимости определяют конфигурацию и площадь p-n-перехода, т.е. активной области полупроводниковой структуры.The configuration and area of the region of the second type of conductivity determines the configuration and area of the pn junction, i.e. active region of the semiconductor structure.

Непрямоугольная форма активной области полупроводниковой структуры не позволяет обеспечить максимальное использование площади структуры, и с увеличением отклонения формы активной области от прямоугольной уменьшается отношение P1/S.The non-rectangular shape of the active region of the semiconductor structure does not allow maximum use of the structure area, and with an increase in the deviation of the shape of the active region from the rectangular, the ratio P 1 / S decreases.

Заявляемое изобретение предназначено для увеличения отношения площади активной области мощной полупроводниковой структуры к общей площади структуры либо для увеличения максимальной тепловой мощности, рассеиваемой полупроводниковой структурой.The invention is intended to increase the ratio of the area of the active region of a powerful semiconductor structure to the total area of the structure or to increase the maximum thermal power dissipated by the semiconductor structure.

Технический результат заключается в увеличении отношения выходной мощности полупроводниковой структуры к ее площади.The technical result consists in increasing the ratio of the output power of the semiconductor structure to its area.

Технический результат достигается тем, что в известной мощной полупроводниковой структуре, содержащей ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме трапеций с параллельными высотами, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций, согласно изобретению, по крайней мере, часть областей второго типа проводимости выполнена в форме непрямоугольных параллелограммов, стороны которых параллельны смежным сторонам соседних областей второго типа проводимости, из которых как минимум одна не является параллелограммом.The technical result is achieved by the fact that in the known powerful semiconductor structure containing a series of regions of the second type of conductivity surrounded on all sides by a region of the first type of conductivity, the regions of the second type of conductivity are in the form of trapezoids with parallel heights, forming a strip divided into fragments, limited by the width of the trapezium bases, and by the side lengths sides of the extreme trapezoid, according to the invention, at least part of the regions of the second type of conductivity is made in the form of non-rectangular parallelograms, the sides of which are parallel Yelnia adjacent sides of adjacent regions of the second conductivity type, of which at least one is not a parallelogram.

Получаемый при осуществлении изобретения технический результат, а именно увеличение отношения выходной мощности полупроводниковой структуры к ее площади, достигается за счет того, что при равенстве площадей равнобедренных трапеций и параллелограммов длина основания последних меньше длины большого основания равнобедренных трапеций, что при параллельности смежных сторон соседних параллелограммов и трапеций и неизменности расстояния между их краями позволяет в пределах заданной длины ряда областей второго типа проводимости разместить их большее количество N*>N, т.е. увеличить суммарную площадь активной области полупроводниковой структуры, либо уменьшить длину ряда, тем самым - площадь полупроводниковой структуры S, при неизменном количестве N областей второго типа проводимости и их суммарной площади Sa.The technical result obtained by carrying out the invention, namely, increasing the ratio of the output power of the semiconductor structure to its area, is achieved due to the fact that when the areas of the isosceles trapezoid and parallelograms are equal, the length of the base of the latter is less than the length of the large base of the isosceles trapezoid, which, when the adjacent sides of adjacent parallelograms are parallel and trapezoid and the invariance of the distance between their edges allows within a given length of a number of areas of the second type of conductivity be of greater number N *> N, i.e. increase the total area of the active region of the semiconductor structure, or reduce the length of the series, thereby the area of the semiconductor structure S, with an unchanged number N of regions of the second type of conductivity and their total area S a .

Уплотнение размещения областей второго типа проводимости в пределах площади S области первого типа проводимости, т.е. увеличение отношения Sa/S не приводит к повышению максимальной рабочей температуры полупроводниковой структуры Тмакс, которое лимитирует значение Р1, пропорциональное квадрату выходного тока, в свою очередь пропорционального Sa (Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В.И.Никишин, Б.К.Петров, В.Ф.Сыноров и др. - М.: Радио и связь, 1989. - С.80, 86).The seal of the arrangement of regions of the second conductivity type within the area S of the region of the first conductivity type, i.e. increasing the ratio S a / S does not increase the maximum operating temperature of the semiconductor structure T max , which limits the value of P 1 proportional to the square of the output current, in turn proportional to S a (Design and production technology of high-power microwave transistors / V.I. Nikishin , B.K. Petrov, V.F.Synorov et al. - M.: Radio and Communications, 1989. - S.80, 86).

Значение Тмакс определяется наивысшей температурой среди температур Тмакс i, областей второго типа проводимости:The value of T max is determined by the highest temperature among the temperatures T max i , areas of the second type of conductivity:

Tмакс=Max{Tмакс i}; i=1, …, N.T max = Max {T max i }; i = 1, ..., N.

Локальные максимумы температуры приходятся на геометрические центры областей второго типа проводимости (Захаров А.Л., Асвадурова Е.И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: Метод эквивалентов. - М.: Радио и связь, 1983. - С.10-12, 31-42). Значения Tмакс i определяются геометрией области второго типа проводимости, а также степенью близости внешних источников тепла, т.е. соседних областей второго типа проводимости, характеризующимся, например, расстоянием между геометрическими центрами трапеций.Local maximums of temperature fall on the geometric centers of regions of the second type of conductivity (Zakharov A.L., Asvadurova E.I. Calculation of thermal parameters of semiconductor devices: Method of equivalents. - M.: Radio and communications, 1983. - S.10-12, 31 -42). The values of T max i are determined by the geometry of the region of the second type of conductivity, as well as the degree of proximity of external heat sources, i.e. neighboring regions of the second type of conductivity, characterized, for example, by the distance between the geometric centers of the trapezoid.

Геометрический центр равнобедренной трапеции располагается на расстоянии (Жуковский Н.Е. Теоретическая механика: учебное пособие для вузов / Н.Е.Жуковский. - 2-е изд. - М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1952. - С.210):The geometric center of an isosceles trapezoid is located at a distance (N.E. Zhukovsky. Theoretical mechanics: textbook for universities / N.E. Zhukovsky. - 2nd ed. - M.: State Publishing House of technical and theoretical literature, 1952. - P. 210 ):

Figure 00000001
Figure 00000001

от большого основания трапеции. Здесь а и b - длины большого и малого оснований трапеции, h - ее высота. Если с трапецией соседствует параллелограмм, то между геометрическими центрами данных областей второго типа проводимости возникает дополнительное смещение по вертикали на величину λ=h/2-H, что позволяет компенсировать уменьшение расстояния между рассматриваемыми геометрическими центрами по горизонтали на величину (a-b)/2, т.е. достичь увеличения плотности размещения областей второго типа проводимости в пределах области первого типа проводимости без увеличения Тмакс i и Тмакс. При неизменной величине S это будет приводить к увеличению P1 за счет увеличения Sa, а при неизменном значении P1 и Sa - к уменьшению S.from the large base of the trapezoid. Here a and b are the lengths of the large and small bases of the trapezoid, h is its height. If a parallelogram is adjacent to the trapezoid, then between the geometric centers of these regions of the second type of conductivity there is an additional vertical shift by λ = h / 2-H, which allows us to compensate for the decrease in the horizontal distance between the considered geometric centers by (ab) / 2, t .e. to achieve an increase in the density of the regions of the second type of conductivity within the region of the first type of conductivity without increasing T max i and T max . At a constant value of S, this will lead to an increase in P 1 due to an increase in S a , and at a constant value of P 1 and S a , to a decrease in S.

В обоих случаях обеспечивается увеличение съема полезной мощности с единицы площади полупроводниковой структуры.In both cases, an increase in the removal of useful power from a unit area of the semiconductor structure is provided.

На фиг.1 изображена заявляемая мощная полупроводниковая структуpa, вид сверху.Figure 1 shows the claimed powerful semiconductor structure, top view.

Мощная полупроводниковая структура включает в себя область первого типа проводимости 1 длиной W и шириной D, внутри которой располагаются области второго типа проводимости 2 в форме равнобедренных трапеций с длинами больших и малых оснований соответственно а и b и высотами h или непрямоугольных параллелограммов той же площади с длинами оснований (a+b)/2 и боковыми сторонами, параллельными боковым сторонам трапеций.A powerful semiconductor structure includes a region of the first type of conductivity 1 of length W and width D, inside which there are regions of the second type of conductivity 2 in the form of isosceles trapezoids with lengths of large and small bases a and b, respectively, and heights h or non-rectangular parallelograms of the same area with lengths bases (a + b) / 2 and sides parallel to the sides of the trapezoid.

Расстояние между смежными боковыми сторонами соседних трапеций обозначено как Δ, а длина полосы, образованной областями второго типа проводимости, - d. Жирными пунктирными линиями показаны отрезки G1G2 и G3G4, соединяющие геометрические центры первой и второй областей 2 в их ряду.The distance between the adjacent lateral sides of the adjacent trapezoid is designated as Δ, and the length of the strip formed by the regions of the second type of conductivity is d. Bold dashed lines show the segments G 1 G 2 and G 3 G 4 connecting the geometric centers of the first and second regions 2 in their row.

Очевидно (фиг.1):Obviously (FIG. 1):

D=h+2ε,D = h + 2ε,

W=d+2ε,W = d + 2ε,

где ε - технологический параметр.where ε is the technological parameter.

С учетом выражения (1):Given the expression (1):

Figure 00000002
Figure 00000002

Прирост расстояния между геометрическими центрами трапеции и параллелограмма по сравнению с прототипом:The increase in the distance between the geometric centers of the trapezoid and parallelogram in comparison with the prototype:

Figure 00000003
Figure 00000003

илиor

Figure 00000004
Figure 00000004

где Δ* - расстояние от края большого основания трапеции до проекции на данный край полосы смежного края противоположного основания соседнего параллелограмма, обеспечивает уменьшение теплового взаимодействия между областями 2 и тем самым снижение величин Тмакс i (i=1, …, N) и Тмакс.where Δ * is the distance from the edge of the large base of the trapezoid to the projection onto the given edge of the strip of the adjacent edge of the opposite base of the adjacent parallelogram, reduces the thermal interaction between regions 2 and thereby reduces the values of T max i (i = 1, ..., N) and T max .

Если i-я область второго типа проводимости представляет собой простую геометрическую фигуру с равномерным распределением по ее площади идентичных источников тепла, то при некоторой заданной выделяемой тепловой мощности P1i и без учета влияния других областей второго типа проводимости, величина Тмакс i определяется отношением периметра данной области к ее площади. Таким образом, замена трапеции на параллелограмм той же площади с сохранением угла наклона боковых сторон к основанию не приводит к увеличению Тмакс i, так как периметр фигуры при этом не меняется.If the ith region of the second type of conductivity is a simple geometric figure with a uniform distribution of identical heat sources over its area, then for some given heat output P 1i and without taking into account the influence of other regions of the second type of conductivity, the value of T max i is determined by the ratio of the perimeter of this area to its area. Thus, replacing the trapezoid with a parallelogram of the same area while maintaining the angle of inclination of the sides to the base does not increase T max i , since the perimeter of the figure does not change.

Достижение исходной величины Тмакс может быть осуществлено за счет уменьшения расстояния Δ на величину

Figure 00000005
приводящего к уменьшению d и W (максимум - на
Figure 00000006
тем самым - площади S, или за счет размещения в пределах ширины d дополнительных областей 2, что приведет к увеличению Sa и соответственно P1. В обоих случаях увеличивается отношение P1/S. Условие на то, чтобы каждый параллелограмм соседствовал, как минимум, с одной трапецией исключает возможность уменьшения расстояния между геометрическими центрами тепловыделяющих областей на величину (a-b)/2 одновременно с обеих сторон от любой из таких областей и увеличение таким образом Тмакс i, что привело бы к снижению P1 и показателей надежности мощной полупроводниковой структуры.The achievement of the initial value T max can be carried out by reducing the distance Δ by
Figure 00000005
leading to a decrease in d and W (maximum - by
Figure 00000006
thereby, the area S, or due to the placement within the width d of the additional areas 2, which will lead to an increase in S a and, accordingly, P 1 . In both cases, the ratio P 1 / S increases. The condition that each parallelogram is adjacent to at least one trapezoid excludes the possibility of decreasing the distance between the geometric centers of the heat-generating regions by (ab) / 2 at the same time on both sides of any of these regions and thus increasing T max i , which would decrease P 1 and reliability indicators of a powerful semiconductor structure.

Claims (1)

Мощная полупроводниковая структура, содержащая ряд окруженных со всех сторон областью первого типа проводимости областей второго типа проводимости в форме трапеций с параллельными высотами, образующих разделенную на фрагменты полосу, ограниченную по ширине основаниями трапеций, а по длине - боковыми сторонами крайних трапеций, отличающаяся тем, что, по крайней мере, часть ряда вышеуказанных областей второго типа проводимости выполнена в форме непрямоугольных параллелограммов, стороны которых параллельны смежным сторонам соседних областей второго типа проводимости, из которых как минимум одна не является параллелограммом. A powerful semiconductor structure containing a series of regions of the second type of conductivity surrounded on all sides by a region of the first type of conductivity in the form of trapezoid with parallel heights, forming a fragmented strip, limited in width by the trapezium bases, and in length by the lateral sides of the extreme trapezoid, characterized in that at least part of the series of the above regions of the second type of conductivity is made in the form of non-rectangular parallelograms, the sides of which are parallel to the adjacent sides of adjacent astey second conductivity type, of which at least one is not a parallelogram.
RU2011106422/28A 2011-02-21 2011-02-21 Powerful semiconductor structure RU2464669C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011106422/28A RU2464669C1 (en) 2011-02-21 2011-02-21 Powerful semiconductor structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011106422/28A RU2464669C1 (en) 2011-02-21 2011-02-21 Powerful semiconductor structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011106422A RU2011106422A (en) 2012-08-27
RU2464669C1 true RU2464669C1 (en) 2012-10-20

Family

ID=46937345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011106422/28A RU2464669C1 (en) 2011-02-21 2011-02-21 Powerful semiconductor structure

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2464669C1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1679922A1 (en) * 1990-06-09 1996-07-27 В.В. Асессоров Powerful high-frequency and microwave transistor
US5763914A (en) * 1997-07-16 1998-06-09 Megamos Corporation Cell topology for power transistors with increased packing density
RU2216071C1 (en) * 2002-11-10 2003-11-10 Воронежский государственный университет Heavy-power microwave transistor structure
JP2004063860A (en) * 2002-07-30 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1679922A1 (en) * 1990-06-09 1996-07-27 В.В. Асессоров Powerful high-frequency and microwave transistor
US5763914A (en) * 1997-07-16 1998-06-09 Megamos Corporation Cell topology for power transistors with increased packing density
JP2004063860A (en) * 2002-07-30 2004-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
RU2216071C1 (en) * 2002-11-10 2003-11-10 Воронежский государственный университет Heavy-power microwave transistor structure

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011106422A (en) 2012-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120058138A (en) Micro heater and micro heater array
KR101836613B1 (en) Radiator for adjusting emission angle of light wave emitted to free space
CN113485033A (en) Optoelectronic device
TWI557943B (en) Electrode structure of light emitting device
JP2012069966A5 (en)
US10361271B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20170057802A (en) Nanophotonic radiators with tuneable grating structures for photonic phased array antenna
US10374049B2 (en) Heat management in a multi-finger FET
JP2019514152A5 (en)
CN108292053B (en) Nano-optical radiator with modulatable grating structure suitable for optical phase alignment antenna
CN104835851A (en) Thin film transistor, array substrate and display apparatus
RU2464669C1 (en) Powerful semiconductor structure
RU2457576C1 (en) High-power semiconductor structure
US20170307304A1 (en) Heat sink
CN105244761B (en) Quantum cascade laser coherent array structure, laser and its manufacturing method
US9666598B2 (en) Semiconductor device with an integrated heat sink array
ITTO20070392A1 (en) POWER BALANCING DEVICE INCLUDING COLUMN STRUCTURES AND REDUCED RESISTANCE
CN104104010B (en) Non- collar plate shape cavity semiconductor laser with wavelength selection grating
Lee et al. Fabrication and optimization of transparent conductive films using laser annealing and picosecond laser patterning
US20150075582A1 (en) Solar cell with a contact structure and method of its manufacture
KR102571149B1 (en) Thermoelectric module
RU2238604C1 (en) High-power semiconductor structure
US20150123200A1 (en) Semiconductor device
KR20110056008A (en) A micro heating apparatus
US20200212097A1 (en) Solid state imaging device

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140222