RU2461911C2 - Multichip module - Google Patents
Multichip module Download PDFInfo
- Publication number
- RU2461911C2 RU2461911C2 RU2010148835/28A RU2010148835A RU2461911C2 RU 2461911 C2 RU2461911 C2 RU 2461911C2 RU 2010148835/28 A RU2010148835/28 A RU 2010148835/28A RU 2010148835 A RU2010148835 A RU 2010148835A RU 2461911 C2 RU2461911 C2 RU 2461911C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- boards
- micro
- channels
- module
- microboards
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении многокристальных модулей.The invention relates to electronic equipment and can be used in the manufacture of multi-chip modules.
Известен многокристальный модуль (1), включающий набор металлизированных плат с интегральными схемами и проводящими рисунками, электрически связанными проволочными соединениями, при этом проводящие микропроводники плат соединены между собой вертикальными сквозными каналами, расположенными по периферии модуля.Known multi-chip module (1), including a set of metallized boards with integrated circuits and conductive patterns, electrically connected wire connections, while the conductive microconductors of the boards are interconnected by vertical through channels located on the periphery of the module.
Наиболее близким к заявленному изобретению по технической сущности является многокристальный модуль (2), выполненный в виде пакета кристаллодержателей, в каждом из которых на металлизированных микроплатах закреплены интегральные схемы, электрически связанные с внешними выводами проволочными соединениями и микропроводниками металлизации микроплат.The closest to the claimed invention in technical essence is a multi-chip module (2), made in the form of a package of crystal holders, in each of which integrated circuits are fixed on metallized microcircuits, electrically connected to external terminals by wire connections and microplating metallization of microplates.
В качестве внешних выводов использованы каналы, образованные соосными сквозными отверстиями, выполненными по периферии нижней, средней и верхней микроплат и заполненными припоем.The channels formed by coaxial through holes made around the periphery of the lower, middle, and upper microplates and filled with solder were used as external conclusions.
Недостатком вышеуказанных модулей является неравномерное распределение тепла в отдельных зонах многокристальных модулей, связанное с электрическими и тепловыми характеристиками микропроводников металлизированных плат разной длины, связывающих вертикальные проводящие каналы с контактными площадками микроплат.The disadvantage of the above modules is the uneven distribution of heat in individual zones of multichip modules, associated with the electrical and thermal characteristics of the microconductors of metallized boards of different lengths that connect the vertical conductive channels to the contact pads of the microcards.
Задача, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является устранение данных недостатков путем выравнивания электрических и тепловых характеристик микропроводников, что в конечном счете ведет к повышению качества многокристальных модулей.The problem to which the invention is directed is to eliminate these shortcomings by aligning the electrical and thermal characteristics of microconductors, which ultimately leads to an increase in the quality of multi-chip modules.
Для решения поставленной задачи многокристальный модуль выполнен в виде пакета кристаллодержателей, каждый из которых содержит установленные друг на друга металлизированные микроплаты, нижняя в виде сплошной подложки, средняя и верхняя в виде рамок, на которых размещены интегральная схема и контактные площадки, электрически связанные проволочными соединениями между собой и микропроводниками металлизации микроплат с внешними выводами, в качестве которых использованы каналы, образованные соосными сквозными отверстиями и расположенные по периферии микроплат, отличается тем, что подложка и рамки микроплат в кристаллодержателе выполнены соответственно прямоугольной и овальной формы, а каналы размещены с каждой стороны модуля с равным шагом по дуге таким образом, что центры каналов и контактных площадок микроплат, имеющие одинаковые порядковые номера, соединены проводниками равной длины.To solve this problem, the multi-chip module is made in the form of a package of crystal holders, each of which contains metallized microplates installed on top of each other, the lower one in the form of a continuous substrate, the middle and upper ones in the form of frames on which an integrated circuit and contact pads are placed, electrically connected by wire connections between themselves and microplating metallization of microboards with external terminals, which are used as channels formed by coaxial through holes and located located on the periphery of the microboards, characterized in that the substrate and the framework of the microboards in the crystal holder are respectively rectangular and oval, and the channels are placed on each side of the module with an equal arc pitch in such a way that the centers of the channels and contact pads of the microboards having the same serial numbers, connected by conductors of equal length.
Изобретение поясняется чертежами, где:The invention is illustrated by drawings, where:
на фиг.1 - многокристальный модуль, общий вид;figure 1 - multi-chip module, General view;
на фиг.2 - многокристальный модуль, вид сверху;figure 2 - multi-chip module, top view;
на фиг.3 - многокристальный модуль, сечение А-А;figure 3 is a multi-chip module, section AA;
на фиг.4 - многокристальный модуль, сечение Б-Б;figure 4 is a multi-chip module, section BB;
на фиг.5 - многокристальный модуль, сечение В-В.figure 5 - multichip module, section bb.
Многокристальный модуль представляет собой пакет кристаллодержателей 1, соединенных между собой диффузионной сваркой. Каждый кристаллодержатель состоит из трех микроплат: подлложки 2, средней 3 и верхней 4.The multi-chip module is a package of
Каждая микроплата в кристаллодержателе выполнена с металлизацией поверхностей в соответствии с требованиями принципиальной электрической схемы многокристального модуля.Each microplate in the crystal holder is made with metallization of surfaces in accordance with the requirements of the circuit diagram of a multi-chip module.
Подложка 2 выполнена сплошной прямоугольной формы. Средняя и верхняя микроплаты выполнены в виде металлизированных рамок овальной формы, имеющих центральные отверстия, соответственно, большего и меньшего размеров. В сборе подложка, средняя и верхняя микроплаты образуют глухую ступенчатую полость 5, в которой размещена интегральная схема 6 и проволочные соединения 7, соединяющие контактные площадки интегральной схемы 8 и контактные площадки 9 микроплат 3.The
По периферии подложки, средней и верхней микроплат выполнены сквозные соосные отверстия 10, расположенные по дуге с равным шагом (Т). Центры отверстий 10 находятся в точках пересечения вертикальных осей координатной сетки (порядковые номера 1”, 2”, 3” и т.д.), с дугами окружностей с радиусом R, проведенных из центров контактных площадок 9 микроплат соответствующего порядкового номера (1', 2', 3' и т.д.). При этом радиус R имеет одинаковую величину, соответствующую длинам микропроводников, соединяющих каналы 11 с контактными площадкам 9 (фиг.4).Along the periphery of the substrate, the middle and upper microboards, through
Сквозные отверстия 10, образующие каналы 11, заполнены припоем. Эти каналы обеспечивают коммутационные связи между основными элементами модуля, при этом длина микропроводников 12, соединяющих контактные площадки микроплат 8 и проводящие каналы 11 является одинаковой. На верхнем кристаллодержателе установлена крышка 13. Она прикреплена к кристаллодержателю диффузионной сваркой, что обеспечивает герметизацию зоны монтажа интегральной схемы верхнего кристаллодержателя.The through
Кроме того, подложки 2, выполненные прямоугольной формы, и собранные в пакет с рамками, выступают своими углами 14 за габариты металлизированных рамок, увеличивая тем самым поверхность теплообмена корпуса модуля, что позволяет увеличить эффективность теплопередачи от зоны расположения микросхем в окружающую среду. Предложенный многокристальный модуль исключает нежелательные концентрации тепла в отдельных зонах конструкции модуля, обеспечивая тем самым надежность работы интегральных схем и изделия в целом.In addition, the
Источники информацииInformation sources
1. Патент США №7652362, MПК H01L 23/02, 2010 г.1. US patent No. 7652362, IPC H01L 23/02, 2010
2. Патент РФ №2335822, MПК H01L 23/02, 2008 г.2. RF patent №2335822, IPC H01L 23/02, 2008
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010148835/28A RU2461911C2 (en) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | Multichip module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010148835/28A RU2461911C2 (en) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | Multichip module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010148835A RU2010148835A (en) | 2012-06-10 |
RU2461911C2 true RU2461911C2 (en) | 2012-09-20 |
Family
ID=46679474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010148835/28A RU2461911C2 (en) | 2010-11-30 | 2010-11-30 | Multichip module |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2461911C2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9627358B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-04-18 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
RU2664894C1 (en) * | 2017-08-14 | 2018-08-23 | Интел Корпорейшн | Method of connecting multilevel semiconductor devices |
RU2702705C1 (en) * | 2019-03-01 | 2019-10-09 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Multichip module |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112490237A (en) * | 2020-12-16 | 2021-03-12 | 咸阳振峰电子有限公司 | Multi-chip crystal group packaging structure and application thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2133523C1 (en) * | 1997-11-03 | 1999-07-20 | Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" | Three-dimensional electron module |
RU2335822C1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-10-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" | Multi-chip module |
US7652362B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-01-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor package stack with through-via connection |
-
2010
- 2010-11-30 RU RU2010148835/28A patent/RU2461911C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2133523C1 (en) * | 1997-11-03 | 1999-07-20 | Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" | Three-dimensional electron module |
US7652362B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-01-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor package stack with through-via connection |
RU2335822C1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-10-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" | Multi-chip module |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9627358B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-04-18 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
RU2629904C2 (en) * | 2013-09-27 | 2017-09-04 | Интел Корпорейшн | Method of connecting multilevel semiconductor devices |
US9899354B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-02-20 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
US10643975B2 (en) | 2013-09-27 | 2020-05-05 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
US11024607B2 (en) | 2013-09-27 | 2021-06-01 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
US11676944B2 (en) | 2013-09-27 | 2023-06-13 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
US12033983B2 (en) | 2013-09-27 | 2024-07-09 | Intel Corporation | Method for interconnecting stacked semiconductor devices |
RU2664894C1 (en) * | 2017-08-14 | 2018-08-23 | Интел Корпорейшн | Method of connecting multilevel semiconductor devices |
RU2702705C1 (en) * | 2019-03-01 | 2019-10-09 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Multichip module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2010148835A (en) | 2012-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8525313B2 (en) | Chip assembly with frequency extending device | |
KR100209250B1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
US7038917B2 (en) | Low loss, high density array interconnection | |
KR100833589B1 (en) | Stack package | |
TW201543971A (en) | A three-dimensional package structure and the method to fabricate thereof | |
JPS63211660A (en) | Package with large number of terminals for integrated circuit | |
KR20150009826A (en) | Device embedded package substrate and Semiconductor package including the same | |
US9324633B2 (en) | Multi-level package assembly having conductive vias coupled to chip carrier for each level and method for manufacturing the same | |
KR20140123577A (en) | Three dimensional passive multi-component structures | |
RU2461911C2 (en) | Multichip module | |
US8791501B1 (en) | Integrated passive device structure and method | |
US10128221B2 (en) | Package assembly having interconnect for stacked electronic devices and method for manufacturing the same | |
KR20120040619A (en) | Semiconductor chip package, semiconductor module and fabrication method thereof | |
US8582314B2 (en) | Interconnection structure, interposer, semiconductor package, and method of manufacturing interconnection structure | |
CN114823644A (en) | Embedded power module packaging structure with low parasitic inductance and high heat dissipation efficiency | |
TWI797695B (en) | Packaging module, method thereof and electronic device | |
TWI495078B (en) | Connecting substrate and package on package structure | |
CN117832205A (en) | Chip packaging structure and electronic equipment | |
TW201448072A (en) | Porous alumina templates for electronic packages | |
JP2007059486A (en) | Semiconductor device and substrate for manufacturing semiconductor device | |
RU2335822C1 (en) | Multi-chip module | |
RU2386190C1 (en) | Body of integrated circuit | |
JP2005158360A (en) | Connecting parts between 3-dimensional board, and connecting structure between 3-dimensional board | |
US10679965B2 (en) | Semiconductor package structure with preferred heat dissipating efficacy without formation of short circuit | |
CN217606810U (en) | Chip packaging body and electronic device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121201 |