RU2461429C2 - Method of producing films of parylen and its derivatives - Google Patents

Method of producing films of parylen and its derivatives Download PDF

Info

Publication number
RU2461429C2
RU2461429C2 RU2010136698/05A RU2010136698A RU2461429C2 RU 2461429 C2 RU2461429 C2 RU 2461429C2 RU 2010136698/05 A RU2010136698/05 A RU 2010136698/05A RU 2010136698 A RU2010136698 A RU 2010136698A RU 2461429 C2 RU2461429 C2 RU 2461429C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
derivatives
substrate
pyrolysis
monomer
inert gas
Prior art date
Application number
RU2010136698/05A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2010136698A (en
Inventor
Евгений Иванович Григорьев (RU)
Евгений Иванович Григорьев
Ирина Витальевна Быкова (RU)
Ирина Витальевна Быкова
Андрей Владимирович Пебалк (RU)
Андрей Владимирович Пебалк
Сергей Николаевич Чвалун (RU)
Сергей Николаевич Чвалун
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ), Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки РФ (Минобрнаука РФ)
Priority to RU2010136698/05A priority Critical patent/RU2461429C2/en
Publication of RU2010136698A publication Critical patent/RU2010136698A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2461429C2 publication Critical patent/RU2461429C2/en

Links

Abstract

FIELD: process engineering.
SUBSTANCE: method relates to polymer materials, particularly, to making thin polymer films. Proposed method comprises condensation of vapors of parylen and its derivatives on substrate, said vapors being produced by pyrolysis of paracyclophane [2.2] and its derivatives. Said pyrolysis is conducted in inert gas flow at pressure exceeding barometric pressure. Used inert gas relative to monomer represents helium, neon, argon, xenon, krypton carbon dioxide, nitrogen, molecular hydrogen, xylene or toluene.
EFFECT: perfected process.
1 cl, 1 tbl

Description

Изобретение относится к полимерным материалам, конкретно к способам получения тонких полимерных пленок. Такие материалы могут найти применение в качестве защитных покрытий, пленок с низкой диэлектрической проницаемостью, пьезо- и пироэлектриков, нелинейных оптических устройств и т.д.The invention relates to polymeric materials, specifically to methods for producing thin polymer films. Such materials can be used as protective coatings, films with low dielectric constant, piezoelectric and pyroelectrics, nonlinear optical devices, etc.

В последние годы значительные усилия были направлены на разработку экономически эффективных способов получения различных тонкопленочных полимерных материалов с полезными потребительскими свойствами, нанесенных на твердые подложки из газовой фазы. Как правило, эти способы при своей реализации должны решать следующие общие проблемы.In recent years, considerable efforts have been directed towards the development of cost-effective methods for producing various thin-film polymeric materials with useful consumer properties deposited on solid substrates from the gas phase. As a rule, these methods, when implemented, should solve the following general problems.

1. Синтез или формирование мономера, осаждаемого из газовой фазы.1. The synthesis or formation of monomer deposited from the gas phase.

2. Транспорт мономера от источника его генерации к подложке.2. Transport of monomer from the source of its generation to the substrate.

3.Конденсация мономера на подложке с последующей полимеризацией и рост полимерной пленки.3. Condensation of the monomer on the substrate with subsequent polymerization and the growth of the polymer film.

Известен способ получения тонких полимерных пленок (W.F. Gorham, A new, general synthetic method for the preparation of linear poly-p-xylylenes. J. of Polym. Sci. Part A-1. 1966. V.4. P.3027-3039), в котором осаждаемые из газовой фазы мономеры получают сублимацией циклического димера параксилилена или его замещенных с образованием газообразного циклического димера и его последующим пиролизом. В результате пиролиза образуется мономер параксилилен или его замещенные, которые при конденсации на подложку одновременно полимеризуются с получением полипараксилилена или его замещенных. Транспорт мономеров от источника их формирования к подложке осуществляется путем поддержания низкого давления (0,001-0,1 мм рт.ст.) в зоне конденсации.A known method for producing thin polymer films (WF Gorham, A new, general synthetic method for the preparation of linear poly-p-xylylenes. J. of Polym. Sci. Part A-1. 1966. V.4. P.3027-3039 ), in which the monomers deposited from the gas phase are obtained by sublimation of a cyclic dimer of paraxylene or substituted with the formation of a gaseous cyclic dimer and its subsequent pyrolysis. As a result of pyrolysis, paraxylene is monomer or substituted, which, upon condensation on a substrate, simultaneously polymerizes to produce poly-paraxylene or substituted. The transport of monomers from the source of their formation to the substrate is carried out by maintaining a low pressure (0.001-0.1 mm Hg) in the condensation zone.

Таким образом, получают химически чистые, прочные, конформные, низкопористые пленки различной площади и толщины. Следует подчеркнуть, что пленки формируются без применения растворителя, наличие которого может приводить к побочным реакциям и влиять на качество материала. Проведение процесса в условиях вакуума приводит к отсутствию в системе кислорода, который может сополимеризоваться с мономером, что приводит к значительному ухудшению качества покрытия.Thus, chemically pure, durable, conformal, low-porous films of various sizes and thicknesses are obtained. It should be emphasized that the films are formed without the use of a solvent, the presence of which can lead to side reactions and affect the quality of the material. Carrying out the process under vacuum leads to the absence of oxygen in the system, which can copolymerize with the monomer, which leads to a significant deterioration in the quality of the coating.

Существенным недостатком при проведении процесса нанесения полимерной пленки в вакууме является низкая скорость ее роста при формировании на подложке при комнатной температуре. Увеличить скорость роста пленки за счет повышения давления мономера невозможно, так как при давлении мономера более 1 Торр молекулы мономера начинают взаимодействовать в газовой фазе, что приводит к образованию низкомолекулярного полимера с плохими эксплуатационными свойствами. Данный способ также характеризуется низкой скоростью транспорта мономеров от источника их генерации к подложке и низкой степенью превращения циклического димера параксилилена или его замещенных в конечную полимерную пленку, которая защищает необходимый объект. По пути к защищаемой подложке (особенно если она значительно удалена от источника генерации мономера) происходит преждевременная конденсация мономера и его полимеризация на нецелевых поверхностях. Одним из недостатков метода является сложность и высокая стоимость вакуумной установки. Кроме того, для сохранения важных свойств ряда покрываемых объектов полимеризацию часто необходимо проводить не в условиях вакуума, а в естественных условиях существования объектов (например, в биотехнологии).A significant disadvantage in the process of applying a polymer film in a vacuum is the low growth rate when it is formed on a substrate at room temperature. It is impossible to increase the film growth rate by increasing the monomer pressure, since at a monomer pressure of more than 1 Torr, the monomer molecules begin to interact in the gas phase, which leads to the formation of a low molecular weight polymer with poor performance properties. This method is also characterized by a low rate of transport of monomers from the source of their generation to the substrate and a low degree of conversion of the cyclic dimer of paraxylene or its substituted into the final polymer film, which protects the desired object. On the way to the protected substrate (especially if it is significantly removed from the monomer generation source), the monomer prematurely condensates and polymerizes on non-target surfaces. One of the disadvantages of the method is the complexity and high cost of the vacuum installation. In addition, in order to preserve the important properties of a number of coated objects, polymerization often needs to be carried out not in a vacuum, but in the natural environment of the existence of objects (for example, in biotechnology).

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому техническому решению является способ получения тонких полимерных пленок путем конденсации паров параксилиленов, получаемых пиролизом циклического димера параксилилена ([2.2]парациклофана) его производных или их смесей, на подложку в потоке He или Ar при давлении 1 Торр [US Patent №6,165,554, Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films, 2000]. Согласно указанному способу получают однородные высокомолекулярные полимерные пленки.Closest to the technical nature of the claimed technical solution is a method for producing thin polymer films by condensation of vapors of paraxylene, obtained by pyrolysis of a cyclic dimer of paraxylene ([2.2] paracyclophan) of its derivatives or mixtures thereof, on a substrate in a stream of He or Ar at a pressure of 1 Torr [US Patent No. 6,165,554, Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films, 2000]. According to the specified method receive homogeneous high molecular weight polymer films.

Недостатком указанного способа является использование средств откачки большой мощности для обеспечения высоких скоростей потока газа носителя. Другим недостатком является то, что проведение процесса конденсации и полимеризации мономера при указанных давлениях требует контроля большого количества технологических параметров, так как процесс проходит в вязкостном режиме (промежуточный характер процесса между кинетическим режимом (высокий вакуум), когда рост пленки определяется константами скорости химических реакций на поверхности подложки, и диффузионным режимом (большое давление), когда рост пленки определяется диффузией мономера к поверхности подложки). В результате технологические параметры нанесения в значительной степени зависят от конструкции установки и ее размеров.The disadvantage of this method is the use of high power pumping means to ensure high carrier gas flow rates. Another drawback is that the process of condensation and polymerization of the monomer at these pressures requires the control of a large number of technological parameters, since the process proceeds in the viscous mode (the intermediate nature of the process between the kinetic mode (high vacuum), when the film growth is determined by the rate constants of chemical reactions surface of the substrate, and diffusion mode (high pressure), when the growth of the film is determined by the diffusion of the monomer to the surface of the substrate). As a result, the technological parameters of the application largely depend on the design of the installation and its size.

Технической задачей заявленного способа является устранение указанных недостатков, что достигается тем, что полимерные пленки получают путем конденсации паров параксилилена (его производных или их смесей) на подложку в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного.The technical task of the claimed method is to eliminate these drawbacks, which is achieved by the fact that polymer films are obtained by condensation of paraxylene vapor (its derivatives or mixtures thereof) on a substrate in an inert gas stream at a pressure above atmospheric.

Технический результат изобретения состоит в усовершенствовании технологии получения пленок.The technical result of the invention is to improve the technology for producing films.

"Инертным" газом в заявленном решении считается любой газ (или продукты его пиролиза при используемой температуре), который химически не реагирует с параксилиленом и его производными. Такими газами являются, например, гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, CO2, азот, молекулярный водород, ксилол, толуол и др.Inert gas in the declared solution is considered to be any gas (or its pyrolysis products at the used temperature) that does not chemically react with paraxylene and its derivatives. Such gases are, for example, helium, neon, argon, krypton, xenon, CO 2 , nitrogen, molecular hydrogen, xylene, toluene, etc.

Пары параксилилена и его производных получают испарением и последующим пиролизом [2.2]парациклофана (ПЦФ) и его производных общей формулы:Vapors of paraxylene and its derivatives are obtained by evaporation and subsequent pyrolysis of [2.2] paracyclophan (PCF) and its derivatives of the general formula:

Figure 00000001
Figure 00000001

где X - H, Cl, F;where X is H, Cl, F;

Y - H, Cl, F, Br, CN, NO2, NH2, N(Alk)2.Y is H, Cl, F, Br, CN, NO 2 , NH 2 , N (Al k ) 2 .

Отличие предложенного способа от прототипа состоит в том, что процесс получения полимерных пленок происходит в потоке инертного газа при давлении газа носителя выше атмосферного. Это позволяет отказаться от использования вакуумного оборудования, расширяет круг объектов, на которые можно наносить полимерные покрытия (например, биообъекты). Кроме того, увеличивается скорость роста пленок, при этом потребительские свойства полимерных пленок не ухудшаются.The difference between the proposed method and the prototype is that the process of producing polymer films occurs in an inert gas stream at a carrier gas pressure above atmospheric. This allows you to abandon the use of vacuum equipment, expands the range of objects on which polymer coatings can be applied (for example, bioobjects). In addition, the growth rate of the films increases, while the consumer properties of polymer films do not deteriorate.

Для осуществления способа применяется стандартный реактор [Сыркин В.Г. CVD-метод. Химическое парофазное осаждение. М.: Наука. 2000].To implement the method, a standard reactor is used [Syrkin V.G. CVD method. Chemical vapor deposition. M .: Science. 2000].

Реактор включает:The reactor includes:

1) подложки различной природы, например, кварц, металл, полимер, на которые конденсируются пары мономера. Температура подложки регулируется;1) substrates of various nature, for example, quartz, metal, polymer, on which monomer vapors are condensed. The temperature of the substrate is adjustable;

2) устройства подачи и регулирования потока газа-носителя;2) devices for supplying and regulating the flow of carrier gas;

3) высокотемпературные камеры испарения и пиролиза [2.2]парациклофана и его производных.3) high-temperature chambers of evaporation and pyrolysis [2.2] of paracyclophan and its derivatives.

В качестве газа-носителя использовали инертный газ (определение см. выше), который проходил дополнительную каталитическую очистку от следов кислорода. В зону сублимации помещали навеску ПЦФ или его производных или их смесей. Пары ПЦФ или его производных или их смесей из зоны сублимации в потоке инертного газа попадали в зону пиролиза, где они превращались в пары нефункционального реакционного интермедиата - п-ксилилена или его производного или их смесей. В реакторе полимеризации пары параксилилена адсорбировались на твердой подложке и полимеризовались с образованием полимерного покрытия. Температуру сублимации ПЦФ или его производных или их смесей поддерживали от 120 до 140°C. Температура зоны пиролиза составляла 600°C. Полимерные покрытия формировали на стеклянной подложке, температуру которой изменяли в диапазоне от -10 до 100°C. Расход газа-носителя поддерживали от 60 до 200 л/ч, который определяли с помощью ротаметра. Давление газа-носителя составляло выше одной атмосферы и до 1,5 атмосферы. Минимальное давление 1,05 атм позволяет отказаться от использования средств откачки. Максимальное рабочее значение давления газа-носителя (1,5 атм) определяется оптимизацией скорости потока газа-носителя для поддержания скорости потока мономера. Она, как известно, прямо пропорциональна скорости потока газа-носителя и обратно пропорциональна давлению газа-носителя. Кроме того, значительное увеличение скорости потока газа-носителя может привести к нарушению ламинарности потока и времени контакта в камере пиролиза [2.2]парациклофана и его производных. Расстояние от источника мономера до подложки составляло 50-150 см. При конденсации паров параксилилена (его производных или их смесей) на подложке происходит полимеризация параксилилена (его производных или их смесей) и образуется полимерный материал.An inert gas (see definition above), which underwent additional catalytic purification from traces of oxygen, was used as a carrier gas. A portion of PCF or its derivatives or mixtures thereof was placed in a sublimation zone. Vapors of PCF or its derivatives or their mixtures from the sublimation zone in an inert gas stream fell into the pyrolysis zone, where they turned into pairs of a non-functional reaction intermediate - p-xylylene or its derivative or mixtures thereof. In the polymerization reactor, paraxylene vapor was adsorbed on a solid support and polymerized to form a polymer coating. The sublimation temperature of PCF or its derivatives or their mixtures was maintained from 120 to 140 ° C. The temperature of the pyrolysis zone was 600 ° C. Polymer coatings were formed on a glass substrate, the temperature of which was varied in the range from -10 to 100 ° C. The flow rate of the carrier gas was maintained from 60 to 200 l / h, which was determined using a rotameter. The pressure of the carrier gas was above one atmosphere and up to 1.5 atmospheres. The minimum pressure of 1.05 atm allows you to abandon the use of pumping facilities. The maximum working pressure of the carrier gas (1.5 atm) is determined by optimizing the flow rate of the carrier gas to maintain the flow rate of the monomer. It is known that it is directly proportional to the flow rate of the carrier gas and inversely proportional to the pressure of the carrier gas. In addition, a significant increase in the flow rate of the carrier gas can lead to a violation of the laminarity of the flow and the contact time of the paracyclophan and its derivatives in the pyrolysis chamber [2.2]. The distance from the monomer source to the substrate was 50-150 cm. During the condensation of paraxyleneylene vapor (its derivatives or mixtures thereof), paraxylene (its derivatives or mixtures thereof) polymerizes on the substrate and a polymer material is formed.

Изобретение иллюстрируется следующими примерами:The invention is illustrated by the following examples:

Пример 1.Example 1

[2.2]парациклофан загружают в камеру испарения. Температура подложки в реакторе полимеризации комнатная. Расстояние от источника мономера до подложки - 50 см. Включается поток инертного газа-носителя (азот), давление - 1,05 атм, скорость потока - 100 л/ч. Доводят температуру камеры пиролиза [2.2]парациклофана до температуры 600°C, затем повышают температуру камеры испарения [2.2]парациклофана до 140°C и проводят конденсацию паров параксилилена на подложке. Время конденсации 40 мин. В результате получается полимерная пленка полипараксилилена (ППК) толщиной 10 мкм. Химическая структура полученных пленок соответствует ППК, что подтверждается данными ИК- и КР-спектроскопии. ИК и КР спектры образцов соответствуют спектрам ППК, полученным методом Горхема (вакуумные условия). Изучение надмолекулярной структуры ППК методом рентгенографического анализа показало, что структура образцов ППК совпадает со структурой ППК, полученного методом Горхема. Температура плавления образцов ППК составляет 420°C, что также соответствует температуре плавления ППК, полученному классическим методом (в условиях вакуума).[2.2] paracyclophan is charged into the evaporation chamber. The temperature of the substrate in the polymerization reactor is room temperature. The distance from the monomer source to the substrate is 50 cm. The inert carrier gas stream (nitrogen) is turned on, the pressure is 1.05 atm, and the flow rate is 100 l / h. The temperature of the pyrolysis chamber [2.2] of paracyclophan is brought to a temperature of 600 ° C, then the temperature of the evaporation chamber [2.2] of paracyclophan is increased to 140 ° C and the vapor of paraxylene is condensed on the substrate. Condensation time 40 min. The result is a polymer film of polyparaxylene (PPC) with a thickness of 10 μm. The chemical structure of the obtained films corresponds to PPC, which is confirmed by the data of IR and Raman spectroscopy. The IR and Raman spectra of the samples correspond to the SPC spectra obtained by the Gorham method (vacuum conditions). The study of the supramolecular structure of PPC by X-ray analysis showed that the structure of the PPC samples coincides with the structure of the PPC obtained by the Gorkham method. The melting point of PPK samples is 420 ° C, which also corresponds to the melting temperature of PPK obtained by the classical method (under vacuum).

Примеры 2-11.Examples 2-11

Примеры 2-11 приведены в таблице, отличаются получаемым полимером при различных газах-носителях и условиях проведения синтеза пленки из газовой фазы.Examples 2-11 are shown in the table, they differ in the polymer obtained under various carrier gases and the conditions for the synthesis of the film from the gas phase.

Обозначения, приведенные в таблице:Designations shown in the table:

ППК - полипараксилиленPPK - polyparaxylylene

CNППК - полицианпараксилиленCNPPK - Polycyanparaxylylene

2ClППК - полидихлорпараксилилен2ClPPK - polydichloroparaxylylene

NH2ППК - полиаминопараксилиленNH 2 PPK - polyaminoparaxylated

NO2ППК - полинитропараксилиленNO 2 PPK - polynitroparaxylylene

N(CH3)2ППК - полидиметиламинопараксилиленN (CH 3 ) 2 PPK - polydimethylaminoparaxylylene

4FППК - поли-α,α,α`,α`-тетрафторпараксилилен4FPPK - poly-α, α, α`, α`-tetrafluoroparaxylylene

ClППК - хлорполипараксилиленClPPK - chlorpolyparaxylylene

Figure 00000002
Figure 00000002

Claims (2)

1. Способ получения пленок полипараксилилена и его производных путем конденсации на подложке паров параксилилена и его производных, получаемых пиролизом [2.2] парациклофана и его производных, отличающийся тем, что процесс проводится в потоке инертного газа при давлении выше атмосферного.1. A method of producing films of polyparaxylylene and its derivatives by condensation on a substrate of vapors of paraxylene and its derivatives obtained by pyrolysis [2.2] of paracyclophan and its derivatives, characterized in that the process is carried out in an inert gas stream at a pressure above atmospheric. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве инертного по отношению к мономеру газа используют гелий, неон, аргон, криптон, ксенон, углекислый газ, азот, молекулярный водород, ксилол или толуол. 2. The method according to claim 1, characterized in that helium, neon, argon, krypton, xenon, carbon dioxide, nitrogen, molecular hydrogen, xylene or toluene are used as an inert gas with respect to the monomer.
RU2010136698/05A 2010-09-03 2010-09-03 Method of producing films of parylen and its derivatives RU2461429C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010136698/05A RU2461429C2 (en) 2010-09-03 2010-09-03 Method of producing films of parylen and its derivatives

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010136698/05A RU2461429C2 (en) 2010-09-03 2010-09-03 Method of producing films of parylen and its derivatives

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010136698A RU2010136698A (en) 2012-03-10
RU2461429C2 true RU2461429C2 (en) 2012-09-20

Family

ID=46028836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010136698/05A RU2461429C2 (en) 2010-09-03 2010-09-03 Method of producing films of parylen and its derivatives

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2461429C2 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011431C1 (en) * 1991-11-19 1994-04-30 Институт механики металлополимерных систем АН Беларуси Device for forming poly-p-xylylene coatings
US5512330A (en) * 1994-10-04 1996-04-30 Dearnaley; Geoffrey Parylene precursors for diamond-like carbon coatings
US5536321A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter
EP0862664A2 (en) * 1995-10-27 1998-09-09 Specialty Coating Systems, Inc. Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers
US6165554A (en) * 1997-11-12 2000-12-26 Jet Process Corporation Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films
EP1255874A2 (en) * 2000-02-16 2002-11-13 Specialty Coating Systems, Inc. Tumble coater
EP1414588A2 (en) * 2001-04-05 2004-05-06 Honeywell International Inc. Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition for manufacturing said barrier coating
EP1998338A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-03 Agfa HealthCare NV Needle image plate or panel suitable for use in CR or DR imaging.
RU2010154436A (en) * 2008-06-03 2012-07-20 Айкстрон Аг (De) METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITION OF THIN LAYERS OF POLYPARAXYLENE OR SUBSTITUTED POLYPARAXYLENE

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011431C1 (en) * 1991-11-19 1994-04-30 Институт механики металлополимерных систем АН Беларуси Device for forming poly-p-xylylene coatings
US5512330A (en) * 1994-10-04 1996-04-30 Dearnaley; Geoffrey Parylene precursors for diamond-like carbon coatings
US5536321A (en) * 1995-10-27 1996-07-16 Specialty Coating Systems, Inc. Parylene deposition apparatus including a post-pyrolysis filtering chamber and a deposition chamber inlet filter
EP0862664A2 (en) * 1995-10-27 1998-09-09 Specialty Coating Systems, Inc. Method and apparatus for the deposition of parylene af4 onto semiconductor wafers
US6165554A (en) * 1997-11-12 2000-12-26 Jet Process Corporation Method for hydrogen atom assisted jet vapor deposition for parylene N and other polymeric thin films
EP1255874A2 (en) * 2000-02-16 2002-11-13 Specialty Coating Systems, Inc. Tumble coater
EP1414588A2 (en) * 2001-04-05 2004-05-06 Honeywell International Inc. Method for depositing a barrier coating on a polymeric substrate and composition for manufacturing said barrier coating
EP1998338A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-03 Agfa HealthCare NV Needle image plate or panel suitable for use in CR or DR imaging.
RU2010154436A (en) * 2008-06-03 2012-07-20 Айкстрон Аг (De) METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITION OF THIN LAYERS OF POLYPARAXYLENE OR SUBSTITUTED POLYPARAXYLENE

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010136698A (en) 2012-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Baxamusa et al. Thin polymer films with high step coverage in microtrenches by initiated CVD
US5013338A (en) Plasma-assisted polymerization of monomers onto polymers and gas separation membranes produced thereby
Wrobel et al. Polymerization of organosilicones in microwave discharges. II. Heated substrates
Nagasawa et al. Characterization and gas permeation properties of amorphous silica membranes prepared via plasma enhanced chemical vapor deposition
Kafrouni et al. Synthesis and characterization of silicon carbonitride films by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using bis (dimethylamino) dimethylsilane (BDMADMS), as membrane for a small molecule gas separation
Contreras-García et al. Low-pressure plasma polymerization of acetylene–ammonia mixtures for biomedical applications
Kumar et al. Fluorocarbon Coatings Via Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of 1H, 1H, 2H, 2H‐perfluorodecyl Acrylate‐1, Spectroscopic Characterization by FT‐IR and XPS
JP2014531508A5 (en)
Li et al. Fourier transform infrared spectroscopy study of molecular structure formation in thin films during hexamethyldisiloxane decomposition in low pressure rf discharge
Alentiev et al. Synthesis and Properties of Metathesis Polymer Based on 3-Silatranyltricyclo [4.2. 1.0 2.5] non-7-ene
EP0711817A2 (en) Water-repellent thin films and methods for the preparation thereof
WO2015132445A1 (en) Atomic layer deposition of germanium or germanium oxide
RU2461429C2 (en) Method of producing films of parylen and its derivatives
Song et al. Plasma deposition of parylene-C film
Vangeneugden et al. Aerosol‐assisted plasma deposition of barrier coatings using organic‐inorganic sol‐gel precursor systems
JP2020123750A (en) Chlorodisilazane
US8552131B1 (en) Hard, impermeable, flexible and conformal organic coatings
Fracassi et al. Plasma deposition of silicon nitride-like thin films from organosilicon precursors
Sarıipek et al. Initiated CVD of tertiary amine‐containing glycidyl methacrylate copolymer thin films for low temperature aqueous chemical functionalization
US9339770B2 (en) Organosiloxane films for gas separations
US20130158189A1 (en) Method for Polymer Plasma Deposition
WO2013152068A1 (en) Adhesion promotion of vapor deposited films
EP3115098A1 (en) Organosiloxane films for gas separations
Wang et al. Effects of surface treatments and annealing on carbon-based molecular sieve membranes for gas separation
Wrobel et al. Effect of glow discharge conditions on structure and thermal properties of polysilazane thin films

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150904

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20170117

PD4A Correction of name of patent owner
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190904