RU2449316C2 - Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии - Google Patents

Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии Download PDF

Info

Publication number
RU2449316C2
RU2449316C2 RU2010122939/28A RU2010122939A RU2449316C2 RU 2449316 C2 RU2449316 C2 RU 2449316C2 RU 2010122939/28 A RU2010122939/28 A RU 2010122939/28A RU 2010122939 A RU2010122939 A RU 2010122939A RU 2449316 C2 RU2449316 C2 RU 2449316C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dosimetry
exoelectronic
srf
working substance
thermoexoelectronic
Prior art date
Application number
RU2010122939/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010122939A (ru
Inventor
Анатолий Иванович Слесарев (RU)
Анатолий Иванович Слесарев
Борис Владимирович Шульгин (RU)
Борис Владимирович Шульгин
Михаил Николаевич Благовещенский (RU)
Михаил Николаевич Благовещенский
Алексей Юрьевич Дерстуганов (RU)
Алексей Юрьевич Дерстуганов
Олег Николаевич Шутов (RU)
Олег Николаевич Шутов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Гамма"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Гамма" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Гамма"
Priority to RU2010122939/28A priority Critical patent/RU2449316C2/ru
Publication of RU2010122939A publication Critical patent/RU2010122939A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2449316C2 publication Critical patent/RU2449316C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области дозиметрии электронного излучения и может быть пригодно для персональной дозиметрии операторов, обслуживающих комплексы радиационного контроля при мониторинге территорий, акваторий и зон захоронения радиоактивных отходов, а также для лиц, работающих с излучением в медицинских радиологических центрах и в лабораториях ускорительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе фторида стронция с добавкой фторида тербия дополнительно содержит фторид диспрозия и имеет состав, ат.%: SrF2 99,5-99,8; TbF3 0,1-0,2; DyF3 0,1-0,3. Технический результат -увеличение выхода экзоэлектронной эмиссии в рабочем пике термостимулированной экзоэлектронной эмиссии, расширение диапазона линейной зависимости выхода термоэкзоэлектронной эмиссии от флюенса импульсных пучков электронов до значений 108-1014 см-2. 2 ил., 3 табл.

Description

Изобретение относится к области дозиметрии электронного излучения и может быть пригодно для персональной дозиметрии операторов, обслуживающих комплексы радиационного контроля при мониторинге территорий, акваторий и зон захоронения радиоактивных отходов, а также для лиц, работающих с излучением в медицинских радиологических центрах и в лабораториях ускорительной техники.
Известно рабочее вещество для термоэкзоэлектронной (ТЭЭ) дозиметрии рентгеновского излучения (А.с. 723470 СССР) на основе ванадата кальция Са3(VO4)2. Рабочее вещество на основе ванадата кальция имеет пики термостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ТСЭЭ) при 497-507°C. Оно обеспечивает измерение доз рентгеновского излучения до 105 Гр (107 рад). Однако известное рабочее вещество для ТЭЭ дозиметрии имеет рабочие пики термостимулированной экзоэлектронной эмиссии ТСЭЭ, расположенные при весьма высокой температуре ~500°C, что увеличивает время съема дозиметрической информации и предъявляет очень высокие требования к надежности ТЭЭ-дозиметрической аппаратуры и, кроме того, известное рабочее вещество для ТЭЭ дозиметрии не применялось для регистрации электронного излучения.
Известно рабочее вещество для ТЭЭ дозиметрии для регистрации электронного излучения на основе LiF (Kramer J., Angew J. // Phys. 1966. Bd.20. №5. P.411.; Слесарев А.И. [и др.] // Письма в ЖТФ. 2000. Т.26, вып.9. С.60-64). Оно имеет пик ТСЭЭ при 210°C по Крамеру, а по Слесареву при 90, 126, 148, 270, 337 и 464°C. Оно пригодно для индивидуальной дозиметрии, поскольку Zэф фторида лития близок к Zэф биологической ткани. Однако интенсивность пиков ТСЭЭ рабочего вещества на основе LiF и соответственно чувствительность ТЭЭ детектора на его основе невысока.
Известно рабочее вещество для термозкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе объемных, волоконных и наноразмерных кристаллов NaF (A.H.Черепанов, В.Ю.Иванов, Т.С.Королева, Б.В.Шульгин. Люминесценция объемных, волоконных и наноразмерных кристаллов LiF и NaF. Екатеринбург. ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2006. 304 с.). Однако известное рабочее вещество для ТЭЭ дозиметрии на основе NaF имеет множество пиков ТСЭЭ в области от 80 до 430°C, что затрудняет выбор оптимального рабочего пика ТСЭЭ, имеет недостаточно высокий выход термоэкзоэлектронной эмиссии, а также недостаточно широкий диапазон линейной зависимости выхода термоэкзоэлектронной эмиссии от флюенсов электронов, который составляет 108-1012 см-2.
Известно рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии гамма- и электронного излучений на основе нитрида алюминия с добавкой оксида иттрия при следующем соотношении компонентов (объемные %): AlN 97-98; Y2O3 2-3 (Слесарев А.И., Шульгин Б.В. Патент RU 2282212, МПК G01T 1/20, 3/06. Заявл. 04.05.2005, опубл. 20.08.2008. Бюл. №23). Позиции пиков ТСЭЭ и их интенсивность приведены в табл.1.
Таблица 1
Характеристики рабочего вещества для ТЭЭ дозиметрии, имеющего состав, об.%: AlN - 98, Y2O3 - 2
Tm, °C Iэкз, имп/сек Е, эВ
282 1070 1,725
174 500 1,724
151,4 1640 1,222
107,9 3100 1,124
78,5 1725 0,756
Недостатком известного рабочего вещества для ТЭЭ дозиметрии на основе нитрида алюминия является низкая интенсивность основного рабочего пика ТСЭЭ - 3100 имп/сек (таблица 1) и соответственно невысокий выход термоэкзоэлектронной эмиссии, и, как следствие, невысокая чувствительность ТЭЭ детектора на основе такого рабочего вещества. Кроме того, линейный диапазон флюенсов электронов, измеряемых с помощью известного рабочего вещества для ТЭЭ дозиметрии на основе нитрида алюминия, невелик, - он составляет 108-1012 см-2.
Известно рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения (Слесарев А.И., Иванов В.Ю., Ищенко А.В., Черепанов А.Н., Шульгин Б.В., Чепкасова А.В., Кобаяши М. Патент RU 2331086, МПК G01T 1/20, 3/06. Заявл. 09.04.2007, опубл. 10.08.2008. Бюл. №22), которое имеет состав (мол.%):
Gd2SiO5 - 97,0-99,9;
Ce2O3 - 0,1-0,3.
Основной рабочий пик ТЭЭ рабочего вещества для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронных пучков с флюенсом от 1010 до 1013 см-2 находится при температуре 48°C, табл.2. При флюенсах 1013-1015 см-2 основной рабочий пик ТЭЭ имеет более высокую интенсивность и смещается в область температур 75-79°C.
Таблица 2
Характеристики рабочего вещества для ТЭЭ дозиметрии на основе Gd2SiO5-Се
Флюенс электронов 1013 см-2 Флюенс электронов 1014 см-2
Tm, °C IТЭЭ, имп/сек Tm, °C IТЭЭ, имп/сек
48 8000 55 7650
75-79 4000 75-79 9500
120 2300 120 2100
- - 155 4000
Однако даже при высоком флюенсе 1014 см-2 интенсивность пиков ТСЭЭ, IТЭЭ, невысока, и, как видно из табл.2, она не превышает 9500 имп/с. То-есть известное рабочее вещество обладает недостаточно высоким выходом термоэкзоэлектронной эмиссии в пиках ТСЭЭ, поэтому ТЭЭ детектор электронного излучения, создаваемый на базе кристаллов Gd2SiO5-Се, обладает невысокой чувствительностью.
Из всех известных рабочих веществ для ТЭЭ дозиметрии наиболее близким по составу к заявляемому является рабочее вещество на основе фторида стронция SrF2:Tb (Слесарев А.И., Дерстуганов А.Ю. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов SrF2 и SrF2:Tb. // Межвузовский сборник научных трудов «Проблемы спектроскопии и спектрометрии» УГТУ-УПИ, 2010, вып.26. с.177-179). Параметры пиков ТСЭЭ для кристаллов SrF2:Tb, облученных импульсным пучком электронов (флюенс 1012 см-2), полученные при нагреве образцов со скоростью 0,3 К/с, приведены в табл.3.
Как видно из табл.3, наиболее интенсивные пики ТСЭЭ для кристаллов SrF2:Tb находятся при 115°C и 93°C. Более высокий выход экзоэлектронной эмиссии, - на уровне 4,215*104 имп/с, наблюдается для рабочего пика ТСЭЭ при 93°C.
Таблица 3
Характеристики рабочего вещества для ТЭЭ дозиметрии на основе кристаллов SrF2:Tb
Кристалл Номер пика Tmax, °C IТЭЭ, имп/сек
SrF2:Tb
I 56 2439
II 93 42146
III 216 3377
Однако известное рабочее вещество для ТЭЭ дозиметрии на основе кристаллов SrF2:Tb в сравнении с рядом других рабочих веществ имеет невысокую интенсивность рабочего пика ТСЭЭ. Она не превышает 4,2·104 мп/с, то есть известное рабочее вещество для ТЭЭ дозиметрии обладает недостаточно высоким выходом термоэкзоэлектронной эмиссии в пиках ТСЭЭ и соответственно чувствительность ТЭЭ детектора на основе известного рабочего вещества невысока.
Задачей настоящего изобретения является разработка такого рабочего вещества для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронных пучков, которое обладает более высоким выходом термоэкзоэлектронной эмиссии в рабочих пиках ТЭЭ и расширенным диапазоном линейной зависимости выхода термоэкзоэлектронной эмиссии от флюенса электронов.
Это достигается за счет того, что в известный состав, включающий SrF2-TbF3, дополнительно вводят DyF3.
Сущность изобретения заключается в том, что рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе фторида стронция с добавкой фторида тербия дополнительно содержит фторид диспрозия и имеет состав (ат.%): SrF2 - 99,5-99,8; TbF3 - 0,1-0,2; DyF3 - 0,1-0,3.
Одновременная активация фторида стронция ионами редкоземельных элементов TbF3 и DyF3 обеспечивает расширение диапазона линейной зависимости выхода термоэкзоэлектронной эмиссии от флюенса электронов, а также увеличение интенсивности термостимулированной экзоэлектронной эмиссии в 2,8-3,3 раза по сравнению с известным составом SrF2:Tb в связи с увеличением концентрации экзоэлектронов, накопленных на уровнях захвата после облучения образцов электронным пучком. Пара ионов Tb-Dy образует в кристаллах SrF2:Tb,Dy более глубокие и более емкие уровни захвата электронов, нежели ионы Тb в кристаллах SrF2:TbF3, то есть пара Tb-Dy отличается большей способностью для накопления экзоэлектронов.
Пример 1. Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе фторида стронция.
Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронов имеет состав (ат.%): SrF2 99,8; TbF3 0,1; DyF3 0,1.
Измерения кривых ТСЭЭ выполнены в УГТУ-УПИ на автоматизированном экзоэмиссионном спектрометре в вакууме ~10-5 Па. Экспериментальная установка имеет вычислительную управляющую систему, содержащую пакеты программ управления и обработки экспериментальных данных.
Измерительный тракт экзоэмиссионного спектрометра включает в себя систему возбуждения, состоящую из электронной пушки (энергия электронов - 150 кэВ; плотность тока - 150 А/см2; длительность импульса 10 нс; флюенс электронов за один импульс без диафрагмирования электронного пучка - 1012 см-2 (система специальных диафрагм обеспечивает получение электронных пучков с дробными флюенсами от 108 до 1012 см-2)), систему термостимуляции, обеспечивающую линейный нагрев образцов в диапазоне 300-800 К со скоростью 0,1-1,0°C/с и термостатирование.
Кристаллы SrF2:Tb,Dy облучали импульсными пучками электронов (флюенс в пределах 108-1014 см-2). После облучения образцы нагревали в диапазоне температур 20-250°C со скоростью 0,3°C/с и измеряли кривые ТСЭЭ. На Фиг.1 приведены кривые ТСЭЭ кристаллов SrF2:Tb,Dy. Кривая ТСЭЭ с общим максимумом при 105°C после ее предварительного сглаживания разложена на 2 элементарные полосы с максимумами при 103 и 130°C. Им соответствуют уровни захвата (ловушки) с энергиями при 1,3 и 1,7 эВ.
Как видно из Фиг.1, для кристаллов SrF2:Tb,Dy наблюдается ТСЭЭ (1,35*105, имп/c) в 2,8-3,2 раза более интенсивная, нежели у известного рабочего вещества для ТЭЭ дозиметрии на основе кристаллов SrF2-Tb, данные для которого были приведены в табл.3.
Дозовая зависимость выхода экзоэмиссии для образца, имеющего состав (ат.%): SrF2 99,8; TbF3 0,1; DyF3 0,1, приведена на Фиг.2. Как видно из Фиг.2, для рабочего вещества для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе фторида стронция, допированного одновременно тербием и диспрозием (с указанными выше концентрациями), диапазон линейной зависимости выхода термоэкзоэлектронной эмиссии от флюенса электронов находится в пределах: 108-1014 см-2 с небольшими отклонениями от линейности в диапазоне 1013,6-1014 см-2.
Пример 2. Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе кристаллов фторида стронция.
Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронов имеет состав (ат.%): SrF2 99,6; TbF3 0,2; DyF3 0,2. Вид кривой ТСЭЭ для этого состава практически такой же, как на Фиг.1, наблюдается незначительное смещение максимумов подполос ТСЭЭ. Интенсивность термоэкзоэлектронной эмиссии для указанного состава не уступает таковой для состава, описанного в первом примере. Дозовая зависимость выхода экзоэмиссии для образца, имеющего состав (ат.%): SrF2 99,6; TbF3 0,2; DyF3 0,2, такая же, как и в первом примере, Фиг.2.
Уменьшение содержания соактиватора DyF3 до уровня ниже 0,1 ат.% или его увеличение выше 0,3 ат.% ведет к уменьшению выхода термоэкзоэлектронной эмиссии и снижению чувствительности ТЭЭ детектора от 20-25% до 30-40% и более. Диапазон линейной зависимости выхода термоэкзоэлектронной эмиссии от флюенса электронов для состава, приведенного в примере 2, также находится в пределах: 108-1014 см-2 с небольшими отклонениями от линейности в диапазоне 1013,6-1014 см-2.
Дополнительным преимуществом предлагаемого рабочего вещества для термоэкзоэлектронной дозиметрии электронного излучения на основе кристаллов фторида стронция с добавками фторидов редкоземельных элементов: SrF2-TbF3-DyF3 является возможность их использования для дозиметрии гамма-излучения, а также возможность использования в качестве рабочих веществ и для термолюминесцентной дозиметрии электронного и гамма-излучения.

Claims (1)

  1. Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии импульсного электронного излучения на основе фторида стронция с добавкой фторида тербия, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит фторид диспрозия при следующем соотношении ингредиентов, ат.%:
    SrF2 99,5-99,8; TbF3 0,1-0,2; DyF3 0,1-0,3.
RU2010122939/28A 2010-06-04 2010-06-04 Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии RU2449316C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010122939/28A RU2449316C2 (ru) 2010-06-04 2010-06-04 Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010122939/28A RU2449316C2 (ru) 2010-06-04 2010-06-04 Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010122939A RU2010122939A (ru) 2011-12-10
RU2449316C2 true RU2449316C2 (ru) 2012-04-27

Family

ID=45405277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010122939/28A RU2449316C2 (ru) 2010-06-04 2010-06-04 Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2449316C2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2531044C1 (ru) * 2013-04-16 2014-10-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Рабочее вещество осл-детектора
RU2622240C1 (ru) * 2016-05-30 2017-06-13 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии высокоэнергетического электронного излучения

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016422A (en) * 1973-04-02 1977-04-05 Wisconsin Alumni Research Foundation Radiation dosimetry by measurement of polarization and depolarization currents
US5039858A (en) * 1990-01-31 1991-08-13 Anderson David F Divalent fluoride doped cerium fluoride scintillator
SU1705330A1 (ru) * 1989-10-05 1992-01-15 МГУ им.М.В.Ломоносова Термолюминофор на основе фторида кальци
RU2331086C1 (ru) * 2007-04-09 2008-08-10 ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет-УПИ" Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4016422A (en) * 1973-04-02 1977-04-05 Wisconsin Alumni Research Foundation Radiation dosimetry by measurement of polarization and depolarization currents
SU1705330A1 (ru) * 1989-10-05 1992-01-15 МГУ им.М.В.Ломоносова Термолюминофор на основе фторида кальци
US5039858A (en) * 1990-01-31 1991-08-13 Anderson David F Divalent fluoride doped cerium fluoride scintillator
RU2331086C1 (ru) * 2007-04-09 2008-08-10 ГОУ ВПО "Уральский государственный технический университет-УПИ" Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2531044C1 (ru) * 2013-04-16 2014-10-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Рабочее вещество осл-детектора
RU2622240C1 (ru) * 2016-05-30 2017-06-13 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии высокоэнергетического электронного излучения

Also Published As

Publication number Publication date
RU2010122939A (ru) 2011-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lucchini et al. Effect of Mg2+ ions co-doping on timing performance and radiation tolerance of Cerium doped Gd3Al2Ga3O12 crystals
Bhatt et al. Optically stimulated luminescence (OSL) and thermally assisted OSL in Eu2+–Doped BaSO4 phosphor
RU2012153163A (ru) Комбинация люминесцентных веществ
Brecher et al. Hole traps in Lu2O3: Eu ceramic scintillators. I. Persistent afterglow
Alajerami et al. Thermoluminescence characteristics of the Li2CO3–K2CO3–H3BO3 glass system co-doped with CuO and MgO
Junot et al. Dosimetric and optical properties of CaSO4: Tm and CaSO4: Tm, Ag crystals produced by a slow evaporation route
Kore et al. A new highly sensitive phosphor for carbon ion dosimetry
Marczewska et al. OSL and RL of LiMgPO4 crystals doped with rare earth elements
Rivera-Montalvo et al. Luminescence characteristics of perovskite type LaAlO3: Dy3+ for radiation detector
RU2449316C2 (ru) Рабочее вещество для термоэкзоэлектронной дозиметрии
d'Amorim et al. Characterization of α-spodumene to OSL dosimetry
Singh et al. Thermoluminescence studies of Tm doped nanocrystalline Calcium Aluminate (CaAl2O4: Tm3+)
Piaskowska et al. Photoluminescence measurements of LiF TL detectors
US11400315B2 (en) Radiation monitoring device, radiation therapy apparatus, and radiation monitoring method
JP5692883B1 (ja) 熱蛍光体、及び熱蛍光放射線検出デバイス
Oza et al. Luminescence study of Dy or Ce activated LiCaBO3 phosphor for γ‐ray and C5+ ion beam irradiation
Trindade et al. Correlation between thermoluminescence and optically stimulated luminescence of α-Al2O3: C, Mg
Palan et al. Luminescence properties of terbium-doped Li 3 PO 4 phosphor for radiation dosimetry
de León-Alfaro et al. Optically and thermally stimulated luminescence characteristics of LaAlO3: Pr3+ beta irradiated
Palan et al. Elementary results on the dosimetric properties of SrSO4: Eu2+ phosphor
Dhabekar et al. Identification of defect centres using TSL, PL, OSL and ESR studies in LiAlO2 based phosphors
Khanin et al. Modeling and assessment of afterglow decay curves from thermally stimulated luminescence of complex Garnets
Dotzler et al. Photoluminescence, optically stimulated luminescence, and thermoluminescence study of RbMgF3: Eu2+
Srivastava et al. Thermoluminescence processes in CaSO4: Dy. Dependence on stopping power
Mohammed et al. Impact of Zn2+ ions co-doping on the TL properties of Cu2+ ion-doped calcium lithium borate glass irradiated by various radiation sources

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120605