RU2447552C1 - Планарный излучатель - Google Patents

Планарный излучатель Download PDF

Info

Publication number
RU2447552C1
RU2447552C1 RU2010142590/07A RU2010142590A RU2447552C1 RU 2447552 C1 RU2447552 C1 RU 2447552C1 RU 2010142590/07 A RU2010142590/07 A RU 2010142590/07A RU 2010142590 A RU2010142590 A RU 2010142590A RU 2447552 C1 RU2447552 C1 RU 2447552C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
wedge
format
section
emitter
plate
Prior art date
Application number
RU2010142590/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Федосьевич Взятышев (RU)
Виктор Федосьевич Взятышев
Екатерина Юрьевна Гайнулина (RU)
Екатерина Юрьевна Гайнулина
Юрий Иванович Орехов (RU)
Юрий Иванович Орехов
Николай Александрович Макарычев (RU)
Николай Александрович Макарычев
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом", Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority to RU2010142590/07A priority Critical patent/RU2447552C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2447552C1 publication Critical patent/RU2447552C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к антенной технике микроволнового диапазона и может быть использовано в зондирующих устройствах диагностического оборудования, в возбудителях квазиоптических линий передач миллиметрового диапазона и предназначено для формирования локализованного излучения в виде волновых пучков гауссова типа, сохраняющего пучковые свойства на расстояниях до десятков длин волн. Технический результат изобретения - возможность получения излучения одномерного гауссова пучка с требуемыми шириной пучка и фазовым распределением поля в пучке, сохраняющего пучковые свойства на расстояниях до десятков длин волн от апертуры излучателя. В планарном излучателе, состоящем из возбуждающего диэлектрического волновода и диэлектрического плоского клина, торец которого является апертурой излучателя, клин соединен со стороны его вершины с возбуждающим его одномодовым диэлектрическим волноводом с поляризацией электрического поля вдоль широкой стороны его прямоугольного сечения, причем угол при вершине клина должен быть не более пятнадцати градусов, толщина клина b равна узкой стороне сечения возбуждающего волновода, а формат поперечного сечения клина Ф на торце клина и минимальный формат сечения клина на торце излучателя выбирается из математических выражений. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к антенной технике микроволнового диапазона и может быть использовано в зондирующих устройствах диагностического оборудования, в возбудителях квазиоптических линий передач миллиметрового диапазона и предназначено для формирования локализованного излучения в виде волновых пучков гауссова типа, сохраняющего пучковые свойства на расстояниях до десятков длин волн.
Известны стержневые излучатели в виде торца регулярного или слабонерегулярного одномодового диэлектрического волновода (ДВ) [1].
Недостатком таких излучателей является формирование излучения в виде сильнорасходящегося пучка (пучковые свойства излучения сохраняются на расстояниях не более (2-3) длин волн от торца излучателя).
Наиболее близким к предлагаемому изобретению является планарный излучатель, выбранный за прототип, состоящий из возбуждающего диэлектрического планарного волновода и присоединенного к нему своим основанием плоского клина, вершина (торец) которого является апертурой излучателя [2].
Недостатками излучателя являются сохранение пучковых свойств одномерного расходящегося пучка на расстояниях в единицы длин волн от торца (вершины) клина и ограниченные возможности формирования пучка требуемой ширины, так же как и для случая торца регулярного ДВ, в связи с одномодовым режимом волн на торце клина.
Техническим результатом предложенного изобретения является возможность получения излучения одномерного гауссова пучка с требуемыми шириной пучка и фазовым распределением поля в пучке, сохраняющего пучковые свойства на расстояниях до десятков длин волн от апертуры излучателя.
Технический результат достигается тем, что в планарном излучателе, состоящем из возбуждающего диэлектрического волновода и диэлектрического плоского клина, торец которого является апертурой излучателя, клин соединен со стороны его вершины с возбуждающим его одномодовым диэлектрическим волноводом с поляризацией электрического поля вдоль широкой стороны его прямоугольного сечения, причем угол при вершине клина должен быть не более пятнадцати градусов, толщина клина b равна узкой стороне сечения возбуждающего волновода, а формат поперечного сечения клина Ф на торце клина выбирается в зависимости от требуемой ширины d0 излучаемого волнового пучка на торце клина из соотношения
где λ - длина волны излучения и ε - относительная диэлектрическая проницаемость клина, которая должна быть в пределах от 2,0 до 2,5, при этом минимальный формат сечения клина на торце излучателя выбирается из условия
Figure 00000002
а профиль формата клина от вершины до торца выполнен линейным.
Клин от его торца продолжен пластиной с постоянным форматом сечения, равным формату сечения клина на его торце, выполненной из того же материала, что и клин, а длина пластины выбирается из условия обеспечения сдвига фаз возбужденных в клине и распространяющихся в пластине волн высшего типа Н30 относительно волны основного типа Н10, кратного четверти длины волны биений между указанными типами волн.
На торце пластины находится планарная линза с форматом основания линзы, равным формату пластины, и выполненная из того же материала, что и пластина.
На фиг.1 представлен планарный излучатель.
На фиг.2 представлен планарный излучатель, клин которого продолжает пластина.
На фиг.3 представлен планарный излучатель, на торце пластины которого находится планарная линза.
На фиг.1 показан планарный излучатель, состоящий из возбуждающего одномодового диэлектрического волновода 1 прямоугольного сечения (а×b), плавно переходящий в сечении I в клин 2 с углом при вершине α≤15°, торец которого является апертурой излучателя. Поляризация электрического поля Е основного типа волн волновода 1 направлена вдоль широкой стороны а сечения волновода 1 и сохраняется в клине 2 вдоль широкой стороны a(z) сечения клина. Толщина клина 2 постоянна и равна узкой стороне b поперечного сечения волновода 1. Широкая сторона a(z) поперечного сечения клина 2 увеличивается по линейному закону.
Формат поперечного сечения клина на его торце Ф=a1/b (сечение II), а следовательно, и длина клина L1 выбирается в зависимости от требуемой ширины волнового пучка d0 на торце клина по соотношению:
Figure 00000003
Клин 2 выполнен из того же материала, что и волновод 1 с относительной диэлектрической проницаемостью ε в пределах от 2,0 до 2,5.
На фиг.2 изображен планарный излучатель, содержащий, наряду с возбуждающим волноводом 1 и клином 2, присоединенную к торцу клина в сечении II пластину 3 с форматом поперечного сечения, равным формату сечения клина на торце Ф=а1/b, и длиной L2, выбираемой из приведенного выше условия обеспечения необходимого сдвига фаз возбужденных в клине 2 типов волн. Пластина 3 выполнена из того же материала, что и клин 2.
На фиг.3 изображен планарный излучатель, содержащий возбуждающий волновод 1, клин 2, пластину 3 и присоединенную к торцу пластины в сечении III планарную линзу 4 с форматом поперечного сечения основания линзы (сечение III), равным формату поперечного сечения пластины Ф-a1/b. Линза 4 выполнена из того же материала, что и пластина 3.
Планарный излучатель работает следующим образом:
Основная волна НЕ11 диэлектрического волновода 1 (фиг.1) возбуждает в клине 2 основную волну Н10 планарного волновода с компонентами поля: Ey, Hx, Hz. Эффективность возбуждения волн Н10 определяется близостью распределения поля Ey основной волны НЕ11 возбуждающего волновода 1 полю волны Н10 в клиновидном участке излучателя.
Потери энергии, связанные с излучением на нерегулярности волноведущей структуры (сечение I), экспериментально минимизированы за счет выбора угла α, который не должен превышать 15°.
По мере распространения волны Н10 вдоль клина при превышении формата поперечного сечения клина критических значений, соответствующих условию возбуждения высших типов волн Hn0 (n=3, 5, 7, …), волна Н10 частично трансформируется в указанные волны.
В соответствии с теорией нерегулярных открытых волноводов с медленно меняющимися параметрами и методом поперечных сечений [3], поле в произвольном сечении неоднородного участка волноведущей структуры можно представлять в виде поля волновода сравнения - однородного волновода с постоянными параметрами, равными параметрам неоднородного участка в данном сечении. Вычисление дисперсионных зависимостей замедления волн типа Hn0 от формата сечения волновода позволяет определять критические форматы Фкр для высших типов волн Hn0.
Так, при λ=3 мм, ε=2,25, b=1 мм критические форматы волн Н30 и Н50 ФкрН30=4,3 и ФкрН50=7,9.
Таким образом, при форматах сечения Ф от 4,3 до 7,9 в клине распространяются волны Н10 и Н30, при Ф>7,9 - волны Н10, Н30, Н50 и т.д. Расчеты показывают, что амплитудное распределение даже двух волн Н10 и Н30 практически совпадает с гауссовым.
А высшие типы волн Н50, Н70 и т.д. можно не учитывать в силу малости их амплитуд.
Экспериментально определена зависимость ширины излучаемого волнового пучка d0 (по уровню 1/е, где е=2,71828..) на торце клина от его формата, что позволило получить расчетное соотношение для выбора формата торца клина Ф=а1/b в зависимости от требуемой ширины пучка d0
Figure 00000004
для ε в пределах от 2,0 до 2,5.
При этом определено условие минимально возможного формата, при котором формируется практически гауссов пучок за счет интерференции волн Н10 и Н30 в клине.
Распределение поля по другой координате (координате х) при всех форматах соответствует полю одноволнового режима Н10 в связи с выбором толщины клина, равной толщине одномодового возбуждающего волновода, поэтому излучаемый пучок имеет амплитудное гауссово распределение по координате у и амплитудное распределение по координате х, близкое к распределению волн Н10.
При введении на торец клина пластины 3 постоянного формата (фиг.2), равного формату торца клина, суммарные амплитуда и фаза сформированных на торце клина волн Н10 и Н30 по мере движения вдоль пластины будут изменяться за счет их связи и интерференции. Фазовый набег Δφ интерферирующих мод на участке пластины длиной L2 определяется по соотношению
Figure 00000005
где ΔU - разность коэффициентов замедления возбужденных в клине волн.
Выбор длины L2 производится по соотношению (1) при условии обеспечения
Figure 00000006
, где n=0, 1, 2, …
При n=0, 2, 4,.. обеспечивается излучение синфазного гауссова пучка, при n=1, 5,.. - расходящегося пучка, при n=3, 7,.. - сходящегося пучка.
Введение пластины, кроме того, привносит дополнительное качество - рассеянное дифракционное излучение на кромках торца клина сечения II и на кромках торца пластины сечения III (фиг.2) меньше, чем дифракционное рассеяние на кромках торца клина сечения II (фиг.1).
Введение на торец пластины планарной линзы 4 (фиг.3) обеспечивает дополнительную коррекцию ширины и фазового распределения излучаемого пучка.
Были изготовлены и экспериментально проверены образцы планарного излучателя нескольких типоразмеров в виде клина с углом при вершине α=12° с форматом сечения на торце клина Ф1=5, Ф2=7 и Ф3=20 и образец излучателя с пластиной форматом Ф=20 и длиной L2=18,7 мм. Образцы излучателя изготовлены из полиэтилена (ε=2,25), длина волны равна 3 мм, сечение возбуждающего волновода а=2,0 мм, b=1,0 мм.
Для всех рассмотренных образцов амплитудное распределение излучения практически совпадает с гауссовым в пределах ширины пучка.
Экспериментальные значения ширины пучка отличаются от расчетных не более чем на 5%.
Излучатель в виде клина с форматом меньше допустимого (Ф1=5) формирует на апертуре расходящийся пучок, сохраняющий пучковые свойства на расстояниях от апертуры менее 10λ, излучатель с форматом Ф2=7 формирует синфазный пучок и сохраняет свойства на расстояниях больше 10λ, излучатель с Ф3=20 формирует слаборасходящийся пучок, введение пластины выбранной длины обеспечивает сходящийся пучок, сохраняющий свои свойства на расстояниях от апертуры до 30λ.
Литература
1. Орехов Ю.И. Открытые волноводные и резонансные КВЧ устройства бесконтактной диагностики быстропротекающих процессов в многокомпонентных средах: автореферат дисс. докт. техн. наук: 05.12.04 - М.; МЭИ, 2007, 40 с.
2. Whitman Gerald M., Pinthong Chairat, Triolo Anthony A., Schwering Felix K. An approximate but accurate analysis of the dielectric wedge antenna fed by a slab waveguide using the local mode theory and schelkunoff equivalence principle. IEEE Trans. Antennas and Propag. 2006. 54, №4, p.1111-1121.
3. Каценеленбаум Б.З. Теория нерегулярных волноводов с медленно меняющимися параметрами. - М.: Изд. АИ СССР, 1961.

Claims (3)

1. Планарный излучатель, состоящий из возбуждающего диэлектрического волновода и диэлектрического плоского клина, торец которого является апертурой излучателя, отличающийся тем, что клин соединен со стороны его вершины с возбуждающим его одномодовым диэлектрическим волноводом с поляризацией электрического поля вдоль широкой стороны его прямоугольного сечения, причем угол при вершине клина должен быть не более пятнадцати градусов, толщина клина b равна узкой стороне сечения возбуждающего волновода, а формат поперечного сечения клина Ф=а1/b на торце излучателя выбирается в зависимости от требуемой ширины излучаемого волнового пучка d0 на торце клина из соотношения
Figure 00000007

где λ - длина волны излучения и ε - относительная диэлектрическая проницаемость клина, которая должна быть в пределах от 2,0 до 2,5, при этом минимальный формат сечения клина на торце излучателя выбирается из условия
Figure 00000008
, а профиль формата клина от вершины до торца может быть любым плавным, например, линейным.
2. Планарный излучатель по п.1, отличающийся тем, что клин от его торца продолжен пластиной, выполненной из того же материала, что и клин, с форматом, равным формату клина на его торце, а длина пластины выбирается из условия обеспечения сдвига фаз возбуждаемых в клине высших типов волн относительно фазы основной волны, кратного четверти длины волны биений между интерферирующими возбужденными типами волн.
3. Планарный излучатель по пп.1 и 2, отличающийся тем, что на торце пластины находится планарная линза с форматом основания линзы, равным формату пластины, и выполненная из того же материала, что и пластина.
RU2010142590/07A 2010-10-18 2010-10-18 Планарный излучатель RU2447552C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010142590/07A RU2447552C1 (ru) 2010-10-18 2010-10-18 Планарный излучатель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010142590/07A RU2447552C1 (ru) 2010-10-18 2010-10-18 Планарный излучатель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2447552C1 true RU2447552C1 (ru) 2012-04-10

Family

ID=46031836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010142590/07A RU2447552C1 (ru) 2010-10-18 2010-10-18 Планарный излучатель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2447552C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2515700C2 (ru) * 2012-08-31 2014-05-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Диэлектрический планарный излучатель
RU2578660C1 (ru) * 2014-12-29 2016-03-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Планарный диэлектрический излучатель

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4477814A (en) * 1982-08-02 1984-10-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Dual mode radio frequency-infrared frequency system
EP0345454A1 (en) * 1988-05-13 1989-12-13 Yagi Antenna Co., Ltd. Microstrip array antenna
EP0348054A2 (en) * 1988-06-03 1989-12-27 Alliance Research Corporation Mobile communications antenna
US5182569A (en) * 1988-09-23 1993-01-26 Alcatel N.V. Antenna having a circularly symmetrical reflector
US5327149A (en) * 1992-05-18 1994-07-05 Hughes Missile Systems Company R.F. transparent RF/UV-IR detector apparatus
US5412394A (en) * 1991-08-29 1995-05-02 Hughes Aircraft Company Continuous transverse stub element device antenna array configurations
RU2062536C1 (ru) * 1993-12-14 1996-06-20 Евгений Александрович Соколов Двухдиапазонная совмещенная антенная решетка
RU2211509C2 (ru) * 1997-04-23 2003-08-27 Квэлкомм Инкорпорейтед Излучатель, многочастотная антенна
RU2258285C1 (ru) * 2003-11-21 2005-08-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Планарная антенна

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4477814A (en) * 1982-08-02 1984-10-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Dual mode radio frequency-infrared frequency system
EP0345454A1 (en) * 1988-05-13 1989-12-13 Yagi Antenna Co., Ltd. Microstrip array antenna
EP0348054A2 (en) * 1988-06-03 1989-12-27 Alliance Research Corporation Mobile communications antenna
US5182569A (en) * 1988-09-23 1993-01-26 Alcatel N.V. Antenna having a circularly symmetrical reflector
US5412394A (en) * 1991-08-29 1995-05-02 Hughes Aircraft Company Continuous transverse stub element device antenna array configurations
US5327149A (en) * 1992-05-18 1994-07-05 Hughes Missile Systems Company R.F. transparent RF/UV-IR detector apparatus
RU2062536C1 (ru) * 1993-12-14 1996-06-20 Евгений Александрович Соколов Двухдиапазонная совмещенная антенная решетка
RU2211509C2 (ru) * 1997-04-23 2003-08-27 Квэлкомм Инкорпорейтед Излучатель, многочастотная антенна
RU2258285C1 (ru) * 2003-11-21 2005-08-10 Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Планарная антенна

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Whitman Gerald M., Pinthong Chairat, Triolo Anthony A., Schwering Felix K. An approximate but accurate analysis of the dielectric wedge antenna fed by a slab waveguide using the local mode theory and schelkunoff equivalence principle. IEEE Trans. Antennas and Propag. 2006. 54, №4, p.1111-1121. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2515700C2 (ru) * 2012-08-31 2014-05-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Диэлектрический планарный излучатель
RU2578660C1 (ru) * 2014-12-29 2016-03-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Планарный диэлектрический излучатель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Polemi et al. Closed form expressions for the modal dispersion equations and for the characteristic impedance of a metamaterial-based gap waveguide
Ge et al. Single-side-scanning surface waveguide leaky-wave antenna using spoof surface plasmon excitation
US20150205079A1 (en) Terahertz band wavelength plate and terahertz wave measurement device
RU2447552C1 (ru) Планарный излучатель
Quevedo-Teruel Controlled radiation from dielectric slabs over spoof surface plasmon waveguides
Memarian et al. Resonant blazed metasurface gratings
Lubkowski et al. Broadband transmission below the cutoff frequency of a waveguide loaded with resonant scatterer arrays
RU2578660C1 (ru) Планарный диэлектрический излучатель
Jatav et al. A Variable-Width Strip Dipole-Based Leaky-Wave Antenna Using Spoof Surface Plasmon Polaritons
Kong et al. Low sidelobe leaky-wave antenna based on spoof plasmonic waveguide
Hwang et al. Radiation from a ferrite-filled rectangular waveguide with multiple slits
Montaseri et al. One‐dimensional leaky‐wave antenna with scanning through the broadside based on sinusoidally modulated reactance surface
Valero-Nogueira et al. Practical derivation of slot equivalent admittance in periodic waveguides
Xu et al. Leaky-wave radiation from periodically modulated spoof surface plasmon polaritons
RU2515700C2 (ru) Диэлектрический планарный излучатель
RU2528091C1 (ru) Биконическая антенна
Morozov et al. Phased antenna array analysis with Schwarz alternating method
Ivanchenko et al. X-band aperture antenna with hybrid dielectric inserts
Alfonso et al. Study of local quasi-TEM waves in oversized waveguides with one hard wall for killing higher order global modes
Salman The millimeter wave radiation of a dielectric leaky-wave antenna coupled with a diffraction grating for the broadside radiation: Narrow-face interaction
Gnatyuk et al. On the Schwarz alternating method for solving electromagnetic problems
Koshkid'ko et al. Analysis of the infinite array of slot impedance loads based on the cavity with an equilateral triangular cross section
RU2694124C1 (ru) Печатная антенна миллиметровых волн
Rybalko et al. Modeling of diffraction radiation processes on periodic metal-dielectric structures in millimeter wavelength range
Salman The millimeter wave radiation of a dielectric leaky-wave antenna coupled with a diffraction grating: broad-face interaction

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20190514