RU2430383C1 - Device to measure electrophysical parameters of semiconductors by contactless uhf method - Google Patents
Device to measure electrophysical parameters of semiconductors by contactless uhf method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2430383C1 RU2430383C1 RU2010104582/07A RU2010104582A RU2430383C1 RU 2430383 C1 RU2430383 C1 RU 2430383C1 RU 2010104582/07 A RU2010104582/07 A RU 2010104582/07A RU 2010104582 A RU2010104582 A RU 2010104582A RU 2430383 C1 RU2430383 C1 RU 2430383C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microwave
- resonator
- uhf
- laser diode
- semiconductor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом.The invention relates to a measuring technique used to measure the electrophysical parameters of semiconductor materials using probing electromagnetic radiation of superhigh frequency (microwave), and can be used to determine the lifetime of nonequilibrium charge carriers in semiconductor wafers and ingots by the non-contact microwave method.
Известно устройство [А.С.347691 СССР, М. Кл. G01R 27/28. - Опубл. 10.08.1972. Бюл. №24] для измерения времени жизни свободных носителей тока, состоящее из СВЧ генератора, вентиля, аттенюатора, резонатора, источника света, волномера, детекторной секции, индикаторного устройства и осциллографа.A device is known [A.S. 3447691 USSR, M. Kl. G01R 27/28. - Publ. 08/10/1972. Bull. No. 24] for measuring the lifetime of free current carriers, consisting of a microwave generator, a valve, an attenuator, a resonator, a light source, a wave meter, a detection section, an indicator device, and an oscilloscope.
Измеряемый образец в таком устройстве помещается в запредельный волновод с резонансным штырем и освещается модулированным пучком света через отверстие в противоположной от штыря стенке волновода. СВЧ сигнал подается на образец с одной стороны, а возбуждение неравновесных носителей заряда осуществляется с другой стороны образца. Такое устройство имеет несколько недостатков. Во-первых, при небольшом удельном сопротивлении полупроводника (например, менее 1 Ом×см) проникновение СВЧ поля в образец мало, и явления рекомбинации, вызванные освещением образца с противоположной стороны, надежно фиксируются только в тонких пластинах, что и подтверждают сами авторы, ограничивая применение данного устройства для измерения высокоомных полупроводниковых материалов. Во-вторых, «двусторонняя» конфигурация установки препятствует помещению образца в электролитическую ванну во время измерений. Такая ванна служит для пассивации поверхностей образца и необходима для уменьшения поверхностной рекомбинации.The measured sample in such a device is placed in a transverse waveguide with a resonant pin and illuminated by a modulated light beam through an opening in the waveguide wall opposite from the pin. A microwave signal is supplied to the sample on one side, and nonequilibrium charge carriers are excited on the other side of the sample. Such a device has several disadvantages. First, with a small specific resistance of the semiconductor (for example, less than 1 Ohm × cm), the microwave field penetrates into the sample is small, and the recombination phenomena caused by illumination of the sample from the opposite side are reliably fixed only in thin plates, which is confirmed by the authors themselves, limiting the use of this device for measuring high-resistance semiconductor materials. Secondly, the “two-sided” installation configuration prevents the sample from being placed in the electrolytic bath during measurements. Such a bath serves to passivate the surfaces of the sample and is necessary to reduce surface recombination.
Другим известным устройством является устройство [Патент 2318218 RU, МПК G01R 31/26. - Опубл. 27.02.2008] для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках, содержащее осциллятор высокочастотных электромагнитных колебаний, СВЧ резонатор со встроенным в него световодом для подвода светового пучка к поверхности полупроводника, циркулятор, детекторный блок, полупроводниковый лазерный диод, сопряженный со световодом, блок формирования и блок регистрации выходного сигнала с применением компьютера.Another known device is a device [Patent 2318218 RU, IPC G01R 31/26. - Publ. 02/27/2008] for measuring the lifetime of minority charge carriers in semiconductors, containing a high-frequency electromagnetic oscillation oscillator, a microwave resonator with an optical waveguide integrated therein for supplying the light beam to the surface of the semiconductor, a circulator, a detection unit, a semiconductor laser diode coupled to the optical waveguide, a forming unit and an output signal recording unit using a computer.
Резонатор представляет собой открытый с одного торца отрезок прямоугольного волновода, в который установлена прямоугольная вставка переменной высоты, монотонно переходящая в плоскость верхней поверхности волновода при приближении к задней стенке резонатора, которая формирует в полости открытого торца резонатора выходную излучающую прямоугольную щель. Такая конструкция резонатора обеспечивает широкополосное согласование волновода со всей электромагнитной системой - при изменении внешних условий всегда имеется возможность поддержки высокочастотных колебаний путем перехода на новую моду генерации электромагнитных волн того или иного типа внутри резонаторного объема с максимальной концентрацией поля в области излучающей щели.The resonator is a segment of a rectangular waveguide, open at one end, into which a rectangular insert of variable height is installed, which monotonously passes into the plane of the upper surface of the waveguide when approaching the rear wall of the resonator, which forms an output radiating rectangular slot in the cavity of the open end of the resonator. This design of the resonator provides broadband matching of the waveguide with the entire electromagnetic system - when changing external conditions, it is always possible to support high-frequency oscillations by switching to a new mode of generating electromagnetic waves of one type or another inside the resonator volume with a maximum field concentration in the region of the radiating gap.
Недостатком такого устройства является то, что при измерении времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне удельных сопротивлений возникает необходимость проводить измерения на высших модах электромагнитных волн разного типа такого СВЧ резонатора, что приводит к потере его чувствительности и снижает точность измерения устройства.The disadvantage of this device is that when measuring the lifetime of minority charge carriers in semiconductors in a wide range of resistivities, it becomes necessary to measure at higher modes of electromagnetic waves of various types of such a microwave resonator, which leads to a loss of its sensitivity and reduces the measurement accuracy of the device.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков является устройство [Patent 5,406,214 US, Int. C1. G01R 31/26, G01R 27/06. - Date of Patent 11.04.1995], состоящее из перестраиваемого СВЧ генератора, аттенюатора, циркулятора, СВЧ детектора, усилителя (далее в материалах заявки «управляемый СВЧ блок»), СВЧ резонатора, управляемого механизма перемещения СВЧ резонатора, источника импульсного лазерного излучения, измерительного столика для образцов полупроводника (далее в материалах заявки «управляемый измерительный блок с СВЧ резонатором». Управление устройством и позиционированием образца осуществляется от компьютера (далее в материалах заявки «блок управления с применением компьютера»).The closest in combination of essential features is the device [Patent 5,406,214 US, Int. C1. G01R 31/26, G01R 27/06. - Date of Patent 04/11/1995], consisting of a tunable microwave generator, attenuator, circulator, microwave detector, amplifier (hereinafter referred to as “controlled microwave unit”), a microwave resonator, a controlled mechanism for moving a microwave resonator, a pulsed laser radiation source, measuring a table for semiconductor samples (hereinafter in the materials of the application “a controlled measuring unit with a microwave resonator.” Device and positioning of the sample are controlled from a computer (hereinafter in materials of the application as a “control unit with Computer HAND ").
Воздействие СВЧ зондирующего излучения и излучения лазерною диода осуществляются на одну сторону полупроводника, что позволяет помещать измеряемый полупроводник в электролитическую ванну. СВЧ резонатор, осуществляющий связь между СВЧ блоком и измеряемым образцом полупроводника, представляет собой диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и является экраном, а на другой стороне выполнен полосковый проводник в виде круглого кольца, соединенного с коаксиальным кабелем. С противоположной стороны от точки подключения кольца в диэлектрической подложке выполнено отверстие, сквозь которое проходит излучение лазерного диода.The influence of microwave probe radiation and laser diode radiation is carried out on one side of the semiconductor, which allows you to place the measured semiconductor in an electrolytic bath. The microwave resonator, which communicates between the microwave unit and the measured sample of the semiconductor, is a dielectric substrate, one side of which is completely metallized and is a screen, and on the other side there is a strip conductor in the form of a round ring connected to a coaxial cable. On the opposite side of the connection point of the ring in the dielectric substrate, a hole is made through which the radiation of the laser diode passes.
Недостатком такого устройства является то, что полосковый проводник СВЧ резонатора выполнен в виде замкнутого кольца, что снижает чувствительность СВЧ резонатоpa и приводит к потере точности измерений устройства. Это обусловлено тем, что силовые линии высокочастотного электрического поля в таком СВЧ резонаторе сосредоточены, в основном, между проводящим полосковым проводником, выполненным в виде кольца, и заземленным основанием. Кроме того, отверстие для лазерного излучения выполнено не в самой пучности высокочастотного электрического поля, а вблизи него, что также приводит к потере чувствительности СВЧ резонатора и снижению точности измерений устройства.The disadvantage of this device is that the strip conductor of the microwave cavity is made in the form of a closed ring, which reduces the sensitivity of the microwave cavity and leads to a loss of measurement accuracy of the device. This is due to the fact that the lines of force of a high-frequency electric field in such a microwave cavity are concentrated mainly between a conducting strip conductor made in the form of a ring and a grounded base. In addition, the hole for laser radiation is not made in the antinode of the high-frequency electric field, but near it, which also leads to a loss of sensitivity of the microwave cavity and a decrease in the measurement accuracy of the device.
Техническим результатом изобретения является повышение точности измерений времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках бесконтактным СВЧ методом.The technical result of the invention is to improve the accuracy of measurements of the lifetime of nonequilibrium charge carriers in semiconductors by the contactless microwave method.
Указанный технический результат достигается тем, что в заявляемом устройстве, содержащем управляемый СВЧ блок, управляемый измерительный блок с СВЧ резонатором, а также блок управления с применением компьютера, новым является то, что СВЧ резонатор выполнен в виде диэлектрической подложки, с одной стороны которой, полностью металлизированной и являющейся экраном, закреплен полупроводниковый лазерный диод, а на другой стороне расположен полосковый проводник, свернутый таким образом, что его противоположные концы сведены вместе через зазор, между концами полоскового проводника выполнено сквозное отверстие, через которое проходит излучение лазерного диода.The specified technical result is achieved by the fact that in the inventive device containing a controlled microwave unit, a controlled measuring unit with a microwave resonator, and also a control unit using a computer, it is new that the microwave resonator is made in the form of a dielectric substrate, on one side of which, completely metallized and being a screen, a semiconductor laser diode is fixed, and on the other side there is a strip conductor, rolled up so that its opposite ends are brought together through op, between the ends of the strip conductor through hole, through which the radiation of the laser diode.
Отличие заявляемого устройства от наиболее близкого аналога заключается в том, что СВЧ резонатор выполнен в виде диэлектрической подложки, с одной стороны которой, полностью металлизированной и являющейся экраном, закреплен полупроводниковый лазерный диод, а на другой стороне расположен полосковый проводник, свернутый таким образом, что его противоположные концы сведены вместе через зазор, между концами полоскового проводника выполнено сквозное отверстие, через которое проходит излучение лазерного диода.The difference of the claimed device from the closest analogue is that the microwave resonator is made in the form of a dielectric substrate, on one side of which, completely metallized and which is a screen, a semiconductor laser diode is fixed, and on the other side there is a strip conductor folded so that it the opposite ends are brought together through the gap, a through hole is made between the ends of the strip conductor through which the laser diode radiation passes.
Благодаря сведенным вместе через зазор противоположным концам полоскового проводника СВЧ резонатора, на которых находится пучность высокочастотного электрического поля, чувствительность СВЧ резонатора повышается, что приводит к повышению точности измерений заявляемого устройства. Это происходит потому, что в таком СВЧ резонаторе силовые линии высокочастотного электрического поля замкнуты не только между проводящим полосковым проводником и экраном, но и между противоположными концами полоскового проводника, на которые воздействует измеряемый полупроводник. Кроме того, в такой конструкции становится возможным выполнение отверстия для излучения лазерного диода непосредственно в самой пучности высокочастотного электрического поля, что также приводит к улучшению чувствительности СВЧ резонатора и к повышению точности измерений устройства.Thanks brought together through the gap, the opposite ends of the strip conductor of the microwave resonator, which is the antinode of the high-frequency electric field, the sensitivity of the microwave resonator increases, which leads to increased measurement accuracy of the claimed device. This is because in such a microwave resonator, the lines of force of the high-frequency electric field are closed not only between the conductive strip conductor and the screen, but also between the opposite ends of the strip conductor, which are affected by the measured semiconductor. In addition, in this design it becomes possible to make holes for the radiation of the laser diode directly in the antinode of the high-frequency electric field, which also leads to an improvement in the sensitivity of the microwave resonator and to an increase in the accuracy of measurements of the device.
Изобретение поясняется фиг.1 и фиг.2. На фиг.1 показана структурная схема заявляемого устройства, где 1 - управляемый СВЧ генератор, 2 - управляемый аттенюатор, 3 - циркулятор, 4 - детектор, 5 - усилитель, 6 - аналого-цифровой преобразователь (АЦП), 7 - компьютер, 8 - полупроводниковый лазерный диод, 9 - СВЧ резонатор, 10 - управляемый механизм перемещения СВЧ резонатора, 11 - измерительный столик, 12 - электролитическая ванна, 13 - блок управления перемещением измерительного столика, 14 - измеряемый полупроводник.The invention is illustrated in figure 1 and figure 2. Figure 1 shows the structural diagram of the inventive device, where 1 is a controlled microwave generator, 2 is a controlled attenuator, 3 is a circulator, 4 is a detector, 5 is an amplifier, 6 is an analog-to-digital converter (ADC), 7 is a computer, 8 is semiconductor laser diode, 9 - microwave cavity, 10 - controlled mechanism for moving the microwave cavity, 11 - measuring table, 12 - electrolytic bath, 13 - control unit for moving the measuring table, 14 - measured semiconductor.
Некоторые варианты топологии полоскового проводника СВЧ резонатора с отверстием для лазерного излучения показаны на фиг.2 (А, В, С). Ширина полоскового проводника W1 может выполняться как одинаковой по всей длине СВЧ резонатора, так и отличной от ширины W2 на участке проводника длиной L2. Данное скачкообразное изменение ширины полоскового проводника позволяет регулировать резонансную частоту основной моды колебаний, которая используется для измерения характеристик полупроводника, а также регулирует величину емкости между концевым участком полоскового проводника и заземленным основанием. Величина этой емкости и расстояние между противофазными концами полоскового проводника определяют чувствительность СВЧ резонатора, т.е. изменение его частоты и ширины резонансной линии от проводимости полупроводника. Конструктивно эта часть устройства может выполняться таким образом, что измеряемый полупроводник воздействует не на весь СВЧ резонатор целиком, а только на область резонатора «А», обозначенную на фиг.2А и фиг.2В штриховой линией. Остальная часть СВЧ резонатора может располагаться на боковой поверхности зонда и соединяться с частью «А» перемычками. Один из вариантов конструкции показан на фиг.2С. Такая конструкция заявляемого устройства улучшает соотношение сигнал/шум.Some variants of the topology of the strip conductor of the microwave resonator with a hole for laser radiation are shown in figure 2 (A, B, C). The width of the strip conductor W1 can be either the same along the entire length of the microwave resonator, or different from the width W2 in a section of the conductor of length L2. This abrupt change in the width of the strip conductor allows you to adjust the resonant frequency of the main vibration mode, which is used to measure the characteristics of the semiconductor, and also adjusts the capacitance between the end portion of the strip conductor and the grounded base. The value of this capacitance and the distance between the antiphase ends of the strip conductor determine the sensitivity of the microwave cavity, i.e. a change in its frequency and the width of the resonance line from the conductivity of the semiconductor. Structurally, this part of the device can be performed in such a way that the measured semiconductor does not act on the entire microwave resonator, but only on the region of the resonator "A", indicated by a dashed line in Fig. 2A and Fig. 2B. The rest of the microwave cavity can be located on the side surface of the probe and connected to part "A" by jumpers. One embodiment is shown in FIG. 2C. This design of the claimed device improves the signal-to-noise ratio.
Устройство работает следующим образом. С помощью управляющей программы с компьютера (7) на управляемом СВЧ генераторе (1) задается нижняя (F1) и верхняя (Fh) границы развертки частоты СВЧ генератора, а также шаг развертки. СВЧ резонатор в заявляемом устройстве работает в режиме отражения. Его частота в отсутствие измеряемого полупроводника настроена на середину частотного диапазона генератора. Мощность СВЧ генератора во всем диапазоне частот от F1 до Fh автоматически регулируется управляемым аттенюатором (2) и поступает через циркулятор (3) на СВЧ резонатор (9). Отраженный сигнал детектируется (4) и поступает на усилитель с автоматически управляемым коэффициентом усиления (5). С усилителя сигнал поступает на АЦП (6) и затем на компьютер (7).The device operates as follows. Using the control program from the computer (7) on the controlled microwave generator (1), the lower (F1) and upper (Fh) boundaries of the frequency sweep of the microwave generator are set, as well as the sweep step. The microwave resonator in the inventive device operates in reflection mode. Its frequency in the absence of the measured semiconductor is tuned to the middle of the frequency range of the generator. The power of the microwave generator in the entire frequency range from F1 to Fh is automatically regulated by a controlled attenuator (2) and enters through the circulator (3) to the microwave resonator (9). The reflected signal is detected (4) and fed to the amplifier with an automatically controlled gain (5). From the amplifier, the signal goes to the ADC (6) and then to the computer (7).
Измеряемый образец полупроводника помещается в электролитическую ванну (12). По команде управляющей программы механизм (10) приближает зонд с СВЧ резонатором и лазерным диодом к полупроводниковому образцу. На экране монитора в режиме реального времени отображается изменение частоты и амплитуды резонансной линии. В программе предусмотрено также задание частот F1 и Fh в ручном режиме.The measured semiconductor sample is placed in an electrolytic bath (12). At the command of the control program, mechanism (10) brings the probe with the microwave cavity and laser diode closer to the semiconductor sample. On the monitor screen in real time displays the change in the frequency and amplitude of the resonance line. The program also provides for setting the frequencies F1 and Fh in manual mode.
Связь СВЧ резонатора с измеряемым полупроводником регулируется как в ручном режиме, так и в автоматическом с помощью программы, которая отслеживает допустимое искажение резонансной линии при приближении зонда с СВЧ резонатором и лазерным диодом к полупроводниковому образцу.The connection of the microwave cavity with the measured semiconductor is regulated both in manual mode and in automatic mode using a program that monitors the allowable distortion of the resonance line when the probe approaches the microwave cavity and the laser diode to the semiconductor sample.
После установления оптимальной связи между измеряемым полупроводником и СВЧ резонатором по команде управляющей программы лазерный импульс заданной длительности и мощности проходит через сквозное отверстие в диэлектрической подложке СВЧ резонатора между концами полоскового проводника и возбуждает неравновесные носители заряда в полупроводнике. Спад фотопроводимости фиксируется через зависимость изменения ширины или амплитуды резонансной линии СВЧ резонатора от времени. Далее по спаду фотопроводимости определяется эффективное время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике по стандартным методикам.After the optimal connection between the measured semiconductor and the microwave cavity is established, according to the command of the control program, a laser pulse of a given duration and power passes through the through hole in the dielectric substrate of the microwave cavity between the ends of the strip conductor and excites nonequilibrium charge carriers in the semiconductor. The decrease in photoconductivity is recorded through the time dependence of the change in the width or amplitude of the resonant line of the microwave resonator. Further, the decay of photoconductivity determines the effective lifetime of nonequilibrium charge carriers in a semiconductor by standard methods.
Управляемый измерительный столик позволяет в автоматическом режиме измерять распределение времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности пластин полупроводника диаметром до 300 мм.A controlled measuring table allows automatic measurement of the distribution of the nonequilibrium charge carrier lifetime over the surface of semiconductor wafers with a diameter of up to 300 mm
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010104582/07A RU2430383C1 (en) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | Device to measure electrophysical parameters of semiconductors by contactless uhf method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010104582/07A RU2430383C1 (en) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | Device to measure electrophysical parameters of semiconductors by contactless uhf method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010104582A RU2010104582A (en) | 2011-08-20 |
| RU2430383C1 true RU2430383C1 (en) | 2011-09-27 |
Family
ID=44755416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010104582/07A RU2430383C1 (en) | 2010-02-09 | 2010-02-09 | Device to measure electrophysical parameters of semiconductors by contactless uhf method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2430383C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2529417C1 (en) * | 2013-10-25 | 2014-09-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Resonant device for near-field microwave inspection of parameters of materials |
| RU2670701C1 (en) * | 2017-11-08 | 2018-10-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Device for measuring the angle of the throttle valve |
| RU207940U1 (en) * | 2021-08-13 | 2021-11-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Indicator of the intensity of submillimeter electromagnetic waves |
-
2010
- 2010-02-09 RU RU2010104582/07A patent/RU2430383C1/en active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2529417C1 (en) * | 2013-10-25 | 2014-09-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Resonant device for near-field microwave inspection of parameters of materials |
| RU2670701C1 (en) * | 2017-11-08 | 2018-10-24 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Device for measuring the angle of the throttle valve |
| RU2670701C9 (en) * | 2017-11-08 | 2018-11-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук | Device for measuring the angle of the throttle valve |
| RU207940U1 (en) * | 2021-08-13 | 2021-11-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) | Indicator of the intensity of submillimeter electromagnetic waves |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2010104582A (en) | 2011-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5781018A (en) | Near-field resistivity microscope | |
| US6369603B1 (en) | Radio frequency coupling apparatus and method for measuring minority carrier lifetimes in semiconductor materials | |
| RU2430383C1 (en) | Device to measure electrophysical parameters of semiconductors by contactless uhf method | |
| US9075081B2 (en) | Method and means for coupling high-frequency energy to and/or from the nanoscale junction of an electrically-conductive tip with a semiconductor | |
| Sprik et al. | Far infrared spectroscopy with subpicosecond electrical pulses on transmission lines | |
| KR101225011B1 (en) | Microwave probe by using resonator | |
| RU2318218C1 (en) | Device for measuring lifetime of minority charge carriers in semiconductors | |
| CN110658155B (en) | Terahertz spectrograph based on electron spin emission and spectral analysis system | |
| JP5150639B2 (en) | Apparatus and method for detecting electrical properties of excitable material samples | |
| Dvorsky et al. | Microwave surface conductivity measurement using an open-ended circular waveguide probe | |
| Arjavalingam et al. | Optoelectronically-pulsed antennas: characterization and applications | |
| JPH11166952A (en) | High-frequency characteristic measurement method of dielectric material | |
| RU2451298C1 (en) | Device to measure life time of minority charge carriers in semiconductors | |
| Kancleris et al. | High power millimetre wave pulse sensor for W-band | |
| KR200340338Y1 (en) | Device to measure humidity and salinity of soil | |
| WO2000004375A1 (en) | Microwave measuring instrument and methods of measuring with microwaves | |
| Toney et al. | Noncontact electro-optic near field probe for surface electric field profiling | |
| US6825645B2 (en) | Non-resonant microwave imaging probe | |
| RU2679463C1 (en) | Charge carriers in the semiconductor structure mobility non-destructive measuring method | |
| Shchelkunov et al. | Nondestructive diagnostic for electron bunch length in accelerators<? format?> using the wakefield radiation spectrum | |
| JP2002076081A (en) | Semiconductor evaluation equipment | |
| Bieler et al. | Realization of an ultra-broadband voltage pulse standard utilizing time-domain optoelectronic techniques | |
| Togo et al. | Frequency response and applications of optical electric-field sensor at frequencies from 20 kHz to 180 GHz | |
| Togo et al. | Universal optical electric-field sensor covering frequencies from 10 to 100 GHz | |
| RU2707421C1 (en) | Sensitive element of a ferromagnetic resonance scanning spectrometer with frequency tuning |