RU2430342C1 - Semiconductor pressure gage with frequency output signal - Google Patents

Semiconductor pressure gage with frequency output signal Download PDF

Info

Publication number
RU2430342C1
RU2430342C1 RU2010133556/28A RU2010133556A RU2430342C1 RU 2430342 C1 RU2430342 C1 RU 2430342C1 RU 2010133556/28 A RU2010133556/28 A RU 2010133556/28A RU 2010133556 A RU2010133556 A RU 2010133556A RU 2430342 C1 RU2430342 C1 RU 2430342C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
integrator
strain
diagonal
comparator
strain gage
Prior art date
Application number
RU2010133556/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Валерий Анатольевич Васильев (RU)
Валерий Анатольевич Васильев
Николай Валентинович Громков (RU)
Николай Валентинович Громков
Сергей Александрович Москалёв (RU)
Сергей Александрович Москалёв
Original Assignee
Валерий Анатольевич Васильев
Николай Валентинович Громков
Сергей Александрович Москалёв
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валерий Анатольевич Васильев, Николай Валентинович Громков, Сергей Александрович Москалёв filed Critical Валерий Анатольевич Васильев
Priority to RU2010133556/28A priority Critical patent/RU2430342C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2430342C1 publication Critical patent/RU2430342C1/en

Links

Images

Abstract

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: pressure gage comprises transducer consisting of housing, membrane with meander-shaped strain gages that make branches of strain bridge, frequency converter comprising comparator and integrator arranged on operating amplifier with first capacitor in negative feedback circuit. Inverting input of operating amplifier is connected via second capacitor with first apex of strain bridge feed diagonal and, via first resistor of integrator, with one of apices of strain bridge measuring diagonal. Another apex is connected to non-inverting input of operating amplifier of integrator and to comparator second input. Besides, proposed pressure gage comprises additionally second resistor of integrator and second strain bridge with its feed diagonal apex connected to comparator output and second apex connected with bus "earth". Branches of second strain bridge also represent meander and are fitted in identical branches of first strain bridge. ^ EFFECT: higher accuracy and reliability. ^ 6 dwg

Description

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления в системах измерения, контроля и управления.The invention relates to measuring equipment and can be used to measure pressure in measurement systems, control and management.

Известна конструкция полупроводникового [1, 2] тензорезисторного датчика абсолютного давления. Чувствительный элемент состоит из кристалла, соединенного электростатическим способом со стеклянной шайбой в вакууме, внутри чувствительного элемента между кристаллом и стеклянной шайбой находится вакуумированная полость, обеспечивающая измерение абсолютных давлений. Кристалл выполнен в виде квадрата 4×4 мм (фиг.1), с центральной тонкой частью, обеспечивающей измерение давлений, и представляет собой монокристалл кремния плоскости (100). На рабочей части кристалла методом диффузии сформированы тензорезисторы 1-4, объединенные в мостовую измерительную цепь.A known construction of a semiconductor [1, 2] strain gauge absolute pressure sensor. The sensing element consists of a crystal, which is electrostatically connected to a glass washer in a vacuum, and a vacuum cavity is located inside the sensitive element between the crystal and the glass washer, which provides absolute pressure measurements. The crystal is made in the form of a square 4 × 4 mm (Fig. 1), with a central thin part providing pressure measurement, and is a silicon single crystal of the (100) plane. On the working part of the crystal, the strain gages 1-4 are formed by diffusion, combined into a bridge measuring circuit.

Недостатками известной конструкции датчика являются относительно низкая чувствительность из-за ограниченного напряжения питания тензомоста, связанного с допустимой мощностью рассеивания тензорезисторов при постоянном напряжении питания, и погрешность преобразования, зависящая от нестабильности источника питания мостовой измерительной цепи датчика. Погрешность преобразования от нестабильности источника питания связана с тем, что напряжение с выхода измерительной диагонали тензомоста (единицы милливольт) прямо пропорционально напряжению питания тензомоста.The disadvantages of the known sensor design are the relatively low sensitivity due to the limited supply voltage of the strain gage associated with the permissible dissipation power of the strain gages at a constant supply voltage, and the conversion error, depending on the instability of the power source of the bridge measuring circuit of the sensor. The conversion error from the instability of the power source is due to the fact that the voltage from the output of the measuring diagonal of the strain gage (units of millivolts) is directly proportional to the supply voltage of the strain gage.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является преобразователь [3] сигнала разбаланса тензомоста в частоту, функциональная схема которого представлена на фиг.2, содержащий тензометрический мост 5, интегратор 6 на базе операционного усилителя 7 с емкостной отрицательной обратной связью 8, сравнивающее устройство на базе операционного усилителя 9 и дозирующий конденсатор 10. Выходная частота данного преобразователя определяется по формулеThe closest in technical essence to the proposed solution is a converter [3] of the strain gage unbalance signal to a frequency, the functional diagram of which is shown in FIG. 2, containing a strain gage bridge 5, an integrator 6 based on an operational amplifier 7 with capacitive negative feedback 8, a comparison device on the base of the operational amplifier 9 and the metering capacitor 10. The output frequency of this converter is determined by the formula

Figure 00000001
Figure 00000001

где εR - относительное изменение сопротивлений тензомоста от воздействия измеряемого давления; R11 - сопротивление интегратора, которое включает в себя выходное сопротивление тензометрического моста и сопротивление кабельной линии; C10 - дозирующая емкость.where ε R is the relative change in the resistance of the strain bridge from the effects of the measured pressure; R 11 is the resistance of the integrator, which includes the output resistance of the strain gauge bridge and the resistance of the cable line; C 10 - dosing capacity.

Как видно из формулы (1), частота выходного сигнала преобразователя определяется сопротивлением 11 интегратора 6 (R11), включающим в себя выходное сопротивление тензомоста и сопротивление кабельной линии, емкостью конденсатора С10 и относительным изменением сопротивлений тензомоста εR от воздействия измеряемого давления, но не зависит от напряжения питания.As can be seen from formula (1), the frequency of the output signal of the converter is determined by the resistance 11 of the integrator 6 (R 11 ), which includes the output resistance of the strain gage and the resistance of the cable line, the capacitance of capacitor C 10 and the relative change in the resistance of the strain gage ε R from the influence of the measured pressure, but independent of supply voltage.

Недостатком известной конструкции является низкая точность из-за недостаточно высокой чувствительности. Кроме того, данная конструкция обладает невысокой надежностью, так, при выходе из строя одного тензорезистора датчик становится неработоспособным.A disadvantage of the known design is the low accuracy due to insufficient sensitivity. In addition, this design has low reliability, so, if one strain gauge fails, the sensor becomes inoperative.

Техническим результатом изобретения является повышение точности за счет повышения чувствительности при сохранении независимости параметров выходного сигнала от напряжения питания тензомоста. Кроме того, техническим результатом является повышение надежности за счет наличия двух тензометрических мостов, находящихся в зонах одинаковых деформаций и рабочих температур. При выходе из строя тензорезисторов одного из тензомостов датчик полностью не теряет работоспособности и после дополнительной калибровки может выполнять свои функции.The technical result of the invention is to increase accuracy by increasing sensitivity while maintaining the independence of the output signal parameters from the voltage supply of the strain gage. In addition, the technical result is to increase reliability due to the presence of two strain gauge bridges located in zones of identical deformations and operating temperatures. In case of failure of the strain gages of one of the strain gages, the sensor does not completely lose its operability and, after additional calibration, can perform its functions.

Это достигается тем, что в полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом, содержащий датчик, состоящий из корпуса, установленного в нем упругого элемента в виде мембраны, сформированных на ней тензорезисторов в форме меандра, образующих плечи тензомостов, частотный преобразователь сигнала с выхода тензомоста, содержащий компаратор и интегратор, выполненный на операционном усилителе с первым конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, выход которого подключен к первому входу компаратора, инвертирующий вход операционного усилителя интегратора через второй конденсатор соединен с первой вершиной диагонали питания тензомоста и через первый резистор интегратора с одной из вершин измерительной диагонали тензомоста, а ее другая вершина подключена к неинвертирующему входу операционного усилителя интегратора и ко второму входу компаратора, при этом вторая вершина диагонали питания тензомоста подключена к шине «земля», введены второй резистор интегратора и второй тензомост, первая вершина диагонали питания которого соединена с выходом компаратора, а вторая - с шиной «земля». Второй резистор интегратора включен между одной из вершин измерительной диагонали второго тензомоста и 'инвертирующим входом операционного усилителя интегратора, а другая вершина измерительной диагонали этого тензомоста соединена с неинвертирующим входом операционного усилителя интегратора, при этом плечи второго тензомоста выполнены также в форме меандра и размещены так, что являются «вставленными» в идентичные им плечи первого тензомоста.This is achieved by the fact that in a semiconductor pressure sensor with a frequency output signal, comprising a sensor consisting of a housing, an elastic element installed therein in the form of a membrane, square-shaped strain gauges formed on it, forming tensor bridge arms, a frequency converter of the signal from the strain gauge output, comprising a comparator and integrator made on the operational amplifier with the first capacitor in the negative feedback circuit, the output of which is connected to the first input of the comparator, the inverting input op the integrator’s amplifier through a second capacitor is connected to the first vertex of the strain gage power supply diagonal and through the first integrator resistor from one of the vertices of the strain gage measuring diagonal, and its other vertex is connected to the non-inverting input of the integrator’s operational amplifier and to the second input of the comparator, while the second vertex of the strain gage supply diagonal connected to the ground bus, a second integrator resistor and a second strain gage are introduced, the first vertex of the power diagonal of which is connected to the comparator output RA, and the second - with the tire "earth". The second integrator resistor is connected between one of the vertices of the measuring diagonal of the second tensor bridge and the inverting input of the integrator operational amplifier, and the other vertex of the measuring diagonal of this tensi bridge is connected to the non-inverting input of the integrator operational amplifier, while the shoulders of the second tensor bridge are also made in the form of a meander and placed so that are “inserted” into the shoulders of the first tensor bridge identical to them.

На фиг.3 представлен упругий элемент полупроводникового датчика давления с частотным выходным сигналом в виде мембраны, сформированных на ней тензорезисторов в форме меандра, образующих плечи тензомостов. На данной мембране сформированы два тензомоста. В первый входят тензорезисторы R12-R15, во второй - тензорезисторы R16-R19.Figure 3 presents the elastic element of a semiconductor pressure sensor with a frequency output signal in the form of a membrane formed on it strain gauges in the form of a meander, forming the shoulders of the strain gages. Two tensor bridges are formed on this membrane. The first includes strain gauges R 12 -R 15 , the second - strain gauges R 16 -R 19 .

На фиг.4 представлена функциональная схема заявляемого датчика давления. Схема состоит из тензорезисторов R12-R19, объединенных в два тензомоста и частотного преобразователя сигнала с выходов тензомостов.Figure 4 presents a functional diagram of the inventive pressure sensor. The circuit consists of strain gauges R 12 -R 19 combined in two strain gages and a frequency signal converter from the outputs of the strain gages.

На фиг.5 представлена функциональная схема заявляемого датчика давления, собранная в программе MicroCap, а также временные диаграммы сигналов частотного преобразователя.Figure 5 presents the functional diagram of the inventive pressure sensor, assembled in the MicroCap program, as well as timing diagrams of the frequency converter signals.

Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом работает следующим образом.A semiconductor pressure sensor with a frequency output signal operates as follows.

В установившемся режиме работы устройства с выхода сравнивающего устройства 20 следуют разнополярные импульсы амплитудой ±U0. Пусть в момент времени t1 произошла смена полярности выходного напряжения с -U0 на +U0. При этом напряжение на выходе интегратора обусловлено положительным "скачком" напряжения с одной из вершин измерительных диагоналей тензомоста, равным

Figure 00000002
, где ε=ΔR/R - относительное изменение сопротивления тензомоста, и отрицательным "скачком" через дозирующий конденсатор C21, равнымIn the steady state of the device, the output of the comparator 20 is followed by bipolar pulses of amplitude ± U 0 . Let at the time t 1 there was a change in the polarity of the output voltage from -U 0 to + U 0 . In this case, the voltage at the output of the integrator is due to a positive "jump" in voltage from one of the vertices of the measuring diagonals of the tensile bridge
Figure 00000002
, where ε = ΔR / R is the relative change in the resistance of the strain gage, and a negative "jump" through the metering capacitor C 21 equal to

Figure 00000003
.
Figure 00000003
.

С учетом начальных условий имеемGiven the initial conditions, we have

Figure 00000004
Figure 00000004

где С22 - значение емкости интегратора.where C 22 is the value of the capacity of the integrator.

Под действием напряжения разбаланса тензомоста, равного - εU0, напряжение на выходе интегратора будет увеличиваться до положительного порогового уровня блока сравнения 20, равного

Figure 00000005
.Under the influence of the strain gage unbalance equal to εU 0 , the voltage at the output of the integrator will increase to a positive threshold level of the comparison unit 20, equal to
Figure 00000005
.

В момент равенства порога срабатывания и напряжения на выходе интегратора на базе операционного усилителя 23 вновь произойдет смена полярности выходного напряжения.At the moment of equal response threshold and voltage at the output of the integrator based on the operational amplifier 23, the polarity of the output voltage will again change.

При этом напряжение на выходе интегратора будет равноIn this case, the voltage at the output of the integrator will be equal to

Figure 00000006
Figure 00000006

где τи1=R24C22 и τи2=R25C22 - постоянные времени интегратора.where τ and 1 = R 24 C 22 and τ and 2 = R 25 C 22 are the time constants of the integrator.

Для момента равенства напряжений на выходе интегратора и порогового уровня СУ справедливо выражение при условии, что ε12=ε и R24=R25:For the moment of equal voltage at the output of the integrator and the threshold level of the control system, the expression is valid provided that ε 1 = ε 2 = ε and R 24 = R 25 :

Figure 00000007
Figure 00000007

где Т - период следования выходного напряжения, ε12=ε - относительное изменение сопротивления плеч первого и второго тензомостов.where T is the period of the output voltage, ε 1 = ε 2 = ε is the relative change in the resistance of the shoulders of the first and second tensor bridges.

Из выражения (4) определяем частоту выходного сигналаFrom expression (4) we determine the frequency of the output signal

Figure 00000008
Figure 00000008

Из сравнения выражений (5) и (1) видно, что чувствительность преобразования сигнала с датчика давления за счет введения второго тензомоста и второго резистора интегратора повышается в два раза. При этом происходит усреднение выходных характеристик мостовых измерительных цепей датчика (уменьшается влияние технологического разброса параметров тензорезисторов, усредняется нелинейность, температурная погрешность и т.п.). За счет повышения чувствительности и усреднения характеристик мостовых измерительных цепей повышается точность датчика при сохранении независимости параметров выходного сигнала от напряжения питания тензомоста. Кроме того, повышается надежность за счет наличия двух тензометрических мостов, находящихся в зонах одинаковых деформаций и рабочих температур. Одинаковые деформации и рабочие температуры обоих тензомостов обеспечиваются за счет того, что плечи второго тензомоста выполнены также в форме меандра и размещены так, что являются «вставленными» в идентичные им плечи первого тензомоста.A comparison of expressions (5) and (1) shows that the sensitivity of the conversion of the signal from the pressure sensor due to the introduction of the second tensor bridge and the second integrator resistor is doubled. In this case, the output characteristics of the bridge measuring circuits of the sensor are averaged (the influence of the technological spread of the strain gauge parameters decreases, the non-linearity, temperature error, and so on are averaged). By increasing the sensitivity and averaging the characteristics of the bridge measuring circuits, the accuracy of the sensor increases while maintaining the independence of the output signal parameters from the voltage supply of the strain gage. In addition, reliability is improved due to the presence of two strain gauge bridges located in zones of identical deformations and operating temperatures. The same deformations and operating temperatures of both strain gages are ensured due to the fact that the shoulders of the second tensor bridge are also made in the form of a meander and placed so that they are "inserted" into the shoulders of the first tensor bridge identical to them.

При выходе из строя тензорезисторов одного из тензомостов датчик полностью не теряет работоспособности и после дополнительной калибровки может выполнять свою основную функцию - измерять давление.In the event of failure of the strain gages of one of the strain gages, the sensor does not completely lose its working capacity and, after additional calibration, can perform its main function - to measure pressure.

В предлагаемой конструкции сохраняется независимость параметров выходного сигнала от напряжения питания тензомоста, поскольку в функцию преобразования (5), как для прототипа, не входит напряжение питания. Это осуществляется благодаря наличию отрицательной обратной связи частотного преобразователя, в результате которой при изменении амплитуды выходного сигнала преобразователя одновременно изменяются напряжения на выходе интегратора в виде скачка напряжения, пропорционального отношению емкостей С2122, и выходного напряжения с измерительных диагоналей тензомостов, при этом соотношения величин в функции преобразования остаются без изменения и не влияют на выходную частоту преобразователя.The proposed design retains the independence of the output signal parameters from the voltage supply of the tensor bridge, since the conversion function (5), as for the prototype, does not include the supply voltage. This is due to the presence of negative feedback from the frequency converter, as a result of which, when the amplitude of the output signal of the converter changes, the voltage at the output of the integrator simultaneously changes in the form of a voltage jump proportional to the ratio of capacitances C 21 / C 22 and the output voltage from the measuring diagonals of the strain gages, with The values in the conversion function remain unchanged and do not affect the output frequency of the converter.

Проведенные экспериментальные исследования подтвердили преимущества предлагаемого полупроводникового датчика давления с частотным выходным сигналом по сравнению с прототипом.Experimental studies have confirmed the advantages of the proposed semiconductor pressure sensor with a frequency output signal compared to the prototype.

На фиг.6 представлен график зависимостей выходной частоты от относительного разбаланса тензомоста (ТМ) для схем с одним и с двумя тензомостами, построенный по теоретическим и экспериментальным данным.Figure 6 presents a graph of the dependence of the output frequency on the relative imbalance of the strain gage (TM) for circuits with one and two strain gages, built on theoretical and experimental data.

Таким образом, благодаря отличительным признакам изобретения повышается точность и надежность датчика.Thus, due to the distinguishing features of the invention, the accuracy and reliability of the sensor is increased.

Источники информацииInformation sources

1. Мокров Е.А., Баринов И.Н., Цибизов П.Н. Полупроводниковые пьезочувствительные элементы микроэлектронных датчиков давлений. // Издательство Пензенского государственного университета - Пенза, 2009 - 104 с.1. Mokrov EA, Barinov I.N., Tsibizov P.N. Semiconductor piezosensitive elements of microelectronic pressure sensors. // Publishing house of Penza State University - Penza, 2009 - 104 p.

2. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи // Энергоатомиздат - Москва, 1983 - 136 с.2. Vaganov V.I. Integral strain transducers // Energoatomizdat - Moscow, 1983 - 136 p.

3. А.с. СССР №828406. Преобразователь сигнала разбаланса тензомоста в частоту / Громков Н.В., Михотин В.Д., Шахов Э.К., Шляндин В.М. // БИ №17 от 7.05.1981 г.3. A.S. USSR No. 828406. The converter of the unbalance signal of the strain gage to frequency / Gromkov N.V., Mikhotin V.D., Shakhov E.K., Shlyandin V.M. // BI No. 17 dated 05/05/1981

Claims (1)

Датчик давления с частотным выходным сигналом, содержащий датчик, состоящий из корпуса, установленного в нем упругого элемента в виде мембраны, сформированных на ней тензорезисторов в форме меандра, образующих плечи тензомоста, частотный преобразователь сигнала с выхода тензомоста, содержащий компаратор и интегратор, выполненный на операционном усилителе с первым конденсатором в цепи отрицательной обратной связи, выход которого подключен к первому входу компаратора, инвертирующий вход операционного усилителя интегратора через второй конденсатор соединен с первой вершиной диагонали питания тензомоста и через первый резистор интегратора - с одной из вершин измерительной диагонали тензомоста, а ее другая вершина подключена к неинвертирующему входу операционного усилителя интегратора и ко второму входу компаратора, при этом вторая вершина диагонали питания тензомоста подключена к шине «земля», отличающийся тем, что введены второй резистор интегратора и второй тензомост, первая вершина диагонали питания которого соединена с выходом компаратора, а вторая - с шиной «земля», второй резистор интегратора включен между одной из вершин измерительной диагонали второго тензомоста и инвертирующим входом операционного усилителя интегратора, а другая вершина измерительной диагонали этого тензомоста соединена с неинвертирующим входом операционного усилителя интегратора, при этом плечи второго тензомоста выполнены также в форме меандра и размещены так, что являются «вставленными» в идентичные им плечи первого тензомоста. A pressure sensor with a frequency output signal comprising a sensor, an elastic element installed therein in the form of a membrane, square-shaped strain gauges formed on it, forming the shoulders of the strain gage, a frequency converter of the output signal from the strain gage, containing a comparator and integrator made on the operating room an amplifier with a first capacitor in the negative feedback circuit, the output of which is connected to the first input of the comparator, inverting the input of the operational amplifier of the integrator through the second The first capacitor is connected to the first vertex of the strain gage power supply diagonal and, through the first integrator resistor, to one of the vertices of the measuring diagonal of the strain gage, and its other vertex is connected to the non-inverting input of the integrator’s operational amplifier and to the second input of the comparator, while the second vertex of the strain gage supply diagonal is connected to the bus "Ground", characterized in that a second integrator resistor and a second strain gage are introduced, the first vertex of the power diagonal of which is connected to the output of the comparator, and the second to the bus ", the second integrator resistor is connected between one of the vertices of the measuring diagonal of the second tensor bridge and the inverting input of the integrator’s operational amplifier, and the other vertex of the measuring diagonal of this tensor bridge is connected to the non-inverting input of the integrator’s operational amplifier, while the shoulders of the second tensor bridge are also in the form of a meander and placed , which are “inserted” into the shoulders of the first tensor bridge identical to them.
RU2010133556/28A 2010-08-10 2010-08-10 Semiconductor pressure gage with frequency output signal RU2430342C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010133556/28A RU2430342C1 (en) 2010-08-10 2010-08-10 Semiconductor pressure gage with frequency output signal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010133556/28A RU2430342C1 (en) 2010-08-10 2010-08-10 Semiconductor pressure gage with frequency output signal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2430342C1 true RU2430342C1 (en) 2011-09-27

Family

ID=44804217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010133556/28A RU2430342C1 (en) 2010-08-10 2010-08-10 Semiconductor pressure gage with frequency output signal

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2430342C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2558675C1 (en) * 2014-06-17 2015-08-10 Валерий Анатольевич Васильев Sensor of absolute pressure of increased sensitivity based on semiconductor sensitive element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2558675C1 (en) * 2014-06-17 2015-08-10 Валерий Анатольевич Васильев Sensor of absolute pressure of increased sensitivity based on semiconductor sensitive element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103308223B (en) Device and method for testing wall shear stress based on flexible heat-sensitive sensors
KR20200033190A (en) Amplifier with common mode detection
US10088497B2 (en) Acceleration sensor
RU2430342C1 (en) Semiconductor pressure gage with frequency output signal
RU2408857C1 (en) Pressure sensor based on nano- and micro-electromechanical system with frequency-domain output signal
CN106441403B (en) Bridge type magnetic sensor initial zero position voltage adjusting zero method
Reverter Cubarsí et al. Novel and low-cost temperature compensation technique for piezoresistive pressure sensors
Santoso et al. Application of single MEMS-accelerometer to measure 3-axis vibrations and 2-axis tilt-angle simultaneously
US8823364B2 (en) DC responsive transducer with on-board user actuated auto-zero
Yurish A simple and universal resistive-bridge sensors interface
RU2398196C1 (en) Device for measuring pressure based on nano- and micro-electromechanical system with frequency-domain output signal
Ghosh et al. A novel sensitivity enhancement technique employing wheatstone's bridge for strain and temperature measurement
Kleckers Force sensors for strain gauge and piezoelectric crystal-based mechatronic systems-a comparison
RU2395060C1 (en) Frequency converter for disbalance signal of strain gauge bridge with low temperature error
Suryana et al. Strain gage for mass sensor using cantilever beam
GB2144857A (en) Piezo resistive transducer
Yurish Universal interfacing circuit for resistive-bridge sensors
JPS6248280B2 (en)
Walendziuk et al. Development of a Wireless Weighing Transducer and its Calibration
Frantlović et al. Intelligent industrial measurement instruments with silicon piezoresistive MEMS pressure sensors
Roozeboom et al. Integrated sensor cross-sensitivity analysis
CN216116245U (en) Liquid level sensor with diffused silicon type pressure detection circuit
RU132539U1 (en) BRIDGE PRESSURE TENSOR CONVERTER TYPE
Vasilèv et al. Portable hardware-software complex for calibration and verification of pressure sensors
RU2418275C1 (en) Method of measuring pressure