RU2418295C1 - Sensor for joint detection of water vapour and hydrogen sulphide and method of making said sensor - Google Patents
Sensor for joint detection of water vapour and hydrogen sulphide and method of making said sensor Download PDFInfo
- Publication number
- RU2418295C1 RU2418295C1 RU2009145014/28A RU2009145014A RU2418295C1 RU 2418295 C1 RU2418295 C1 RU 2418295C1 RU 2009145014/28 A RU2009145014/28 A RU 2009145014/28A RU 2009145014 A RU2009145014 A RU 2009145014A RU 2418295 C1 RU2418295 C1 RU 2418295C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- bismuth
- sensor
- iii
- gas
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к газовому анализу, в частности к датчикам контроля содержания водяных паров и сероводорода в воздухе. Датчик может быть использован для контроля влажности и содержания сероводорода в технологических газовых средах, в воздухе помещений различного назначения (производственных, жилых, административных и общественных зданий, складов сырья и готовой продукции и т.д.). Также для автоматического мониторинга атмосферы, индивидуального портативного (карманного) средства измерения влажности воздуха, а также измерения содержания сероводорода в воздухе.The invention relates to gas analysis, in particular to sensors for monitoring the content of water vapor and hydrogen sulfide in the air. The sensor can be used to control humidity and hydrogen sulfide content in technological gas environments, in the air of various premises (industrial, residential, administrative and public buildings, raw materials and finished products warehouses, etc.). Also for automatic monitoring of the atmosphere, an individual portable (pocket) means of measuring air humidity, as well as measuring the content of hydrogen sulfide in the air.
Известен датчик газообразного сероводорода и способ его изготовления (РФ Патент №2184957 от 2001.05.25, бюл. №19 от 2002.07.10, G01N 27/12). Этот датчик используется для определения сероводорода в воздушной среде, который состоит из диэлектрической подложки, газочувствительного слоя и электродов, нанесенных поверх газочувствительного слоя. В качестве диэлектрической подложки используется боратно-висмутатное стекло состава: оксид висмута(III) - 70%, оксид бора(III) - 30%.A known sensor of gaseous hydrogen sulfide and a method for its manufacture (RF Patent No. 2184957 from 2001.05.25, bull. No. 19 from 2002.07.10, G01N 27/12). This sensor is used to detect hydrogen sulfide in the air, which consists of a dielectric substrate, a gas-sensitive layer and electrodes deposited on top of the gas-sensitive layer. As a dielectric substrate, borate-bismuth glass of the composition is used: bismuth (III) oxide - 70%, boron (III) oxide - 30%.
Недостатками этого датчика является то, что применение двухстадийной модификации делает способ изготовления датчика длительным по времени и трудоемким. Нанесение контактов поверх чувствительного слоя приводит к разрушению его структуры, что в свою очередь приводит к нарушению точностных характеристик датчика.The disadvantages of this sensor is that the use of a two-stage modification makes the method of manufacturing the sensor time-consuming and time-consuming. The application of contacts on top of the sensitive layer leads to the destruction of its structure, which in turn leads to a violation of the accuracy characteristics of the sensor.
Наиболее близким техническим решением является датчик для контроля влажности воздуха (РФ Патент №2365908 от 2008.02.28, бюл. №24, 2009.08.27 G01N 27/12).The closest technical solution is a sensor for monitoring air humidity (RF Patent No. 2365908 from 2008.02.28, bull. No. 24, 2009.08.27 G01N 27/12).
Этот датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутатно-боратного стекла, газочувствительного слоя и электрических контактов, нанесенных поверх газочувствительного слоя.This sensor contains a dielectric substrate of bismuth borate glass, a gas sensitive layer and electrical contacts deposited on top of the gas sensitive layer.
Датчик влажности изготовлен путем формирования на диэлектрической подложке из боратно-висмутатного стекла газочувствительного слоя, последовательным травлением боратно-висмутатного стекла в ортофосфорной кислоте с получением осадка и его модификации с последующей сушкой. На подложку наносят контакты, в качестве подложки используют стекло состава:The humidity sensor is made by forming a gas-sensitive layer on a dielectric substrate from borate-bismuth glass, sequential etching of borate-bismuth glass in orthophosphoric acid to obtain a precipitate and modify it, followed by drying. Contacts are applied to the substrate, glass composition is used as the substrate:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - Х%,molybdenum (VI) oxide - X%,
оксид бора(III) - (30-Х)%, где Х=0,5-7,boron oxide (III) - (30-X)%, where X = 0.5-7,
модификацию осадка проводят с помощью раствора парамолибдата аммония и перекиси водорода. Полученную структуру сушат при 120-140°С в течение 2 ч.modification of the precipitate is carried out using a solution of ammonium paramolybdate and hydrogen peroxide. The resulting structure is dried at 120-140 ° C for 2 hours
Недостатками этого датчика являются модификация пероксидным комплексом, а также малая стабильность датчика.The disadvantages of this sensor are modification with a peroxide complex, as well as the low stability of the sensor.
Техническим результатом изобретения является разработка датчика на одновременное определение содержания сероводорода и паров воды в воздушной среде, а также увеличение стабильности результатов измерения.The technical result of the invention is the development of a sensor for the simultaneous determination of the content of hydrogen sulfide and water vapor in the air, as well as increasing the stability of the measurement results.
Технический результат достигается тем, что датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего, с добавлением оксида германия, газочувствительный слой, чувствительный как к парам воды, так и к содержанию сероводорода в воздушной среде, электрические контакты. Подложка изготавливается из висмутсодержащего стекла состава:The technical result is achieved by the fact that the sensor contains a bismuth-containing dielectric substrate with the addition of germanium oxide, a gas-sensitive layer sensitive to both water vapor and the content of hydrogen sulfide in the air, electrical contacts. The substrate is made of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 3-7%,molybdenum (VI) oxide - 3-7%,
оксид германия(IV) - 4-17%,germanium (IV) oxide - 4-17%,
оксид бора(III) - 6-21%.boron (III) oxide - 6-21%.
Датчик изготовлен путем формирования на диэлектрической подложке из висмутсодержащего стекла газочувствительного слоя, последовательного травления висмутсодержащего стекла в ортофосфорной кислоте с получением осадка и его модификации с последующей сушкой. На подложку наносят контакты.The sensor is made by forming a gas-sensitive layer on a dielectric substrate from bismuth-containing glass, sequentially etching bismuth-containing glass in phosphoric acid to obtain a precipitate and modify it, followed by drying. Contacts are applied to the substrate.
Модификацию осадка проводят с помощью раствора гептамолибдата аммония методом аэрозольного распыления. На диэлектрической подложке последовательно формируются две зоны. С целью получения области чувствительной к сероводороду полученную структуру сушат при 100-120°С в течение 2 ч, а затем отжигают при 400-500°С в течение 1 ч. С целью получения области чувствительной к парам воды полученную структуру сушат при температуре при 120-140°С в течение 2 ч.Modification of the precipitate is carried out using a solution of ammonium heptamolybdate by aerosol spraying. Two zones are successively formed on the dielectric substrate. In order to obtain a region sensitive to hydrogen sulfide, the resulting structure is dried at 100-120 ° C for 2 hours, and then annealed at 400-500 ° C for 1 hour. In order to obtain a region sensitive to water vapor, the resulting structure is dried at a temperature at 120 -140 ° C for 2 hours
Пример 1Example 1
Датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего стекла состава:The sensor contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 3%,molybdenum (VI) oxide - 3%,
оксид германия(IV) - 4%,germanium (IV) oxide - 4%,
оксид бора(III) - 23%.boron (III) oxide - 23%.
С закрепленными на подложке электрическими контактами, между которыми сформирован газочувствительный слой.With electrical contacts fixed to the substrate, between which a gas-sensitive layer is formed.
Слой газочувствительного вещества представляет собой гетероструктуру, полученную путем травления висмутсодержащего стекла в ортофосфорной кислоте при t=100°C в течение 15 мин с получением осадка и последующей его одностадийной обработкой с помощью раствора гептамолибдата аммония. Обработка осадка, полученного в результате модифицирования гептамолибдатом аммония, проводится последовательно при двух режимах. Для получения области чувствительной к парам воды сушка проводится при температуре 120-140°С в течение 2 ч, для получения области чувствительной к сероводороду сушка проводится при 100-120°С в течение 2 ч, а затем отжиг при 400-500°С в течение 1 ч.The gas-sensitive substance layer is a heterostructure obtained by etching bismuth-containing glass in phosphoric acid at t = 100 ° C for 15 min to obtain a precipitate and its subsequent one-stage treatment with a solution of ammonium heptamolybdate. The processing of the precipitate obtained as a result of modification with ammonium heptamolybdate is carried out sequentially in two modes. To obtain a region sensitive to water vapor, drying is carried out at a temperature of 120-140 ° C for 2 hours, to obtain a region sensitive to hydrogen sulfide, drying is carried out at 100-120 ° C for 2 hours, and then annealing at 400-500 ° C in within 1 hour
Измерение характеристик датчика проводили на переменном токе частотой 1 кГц с помощью иммитансометра Е7-8. Аналитическим сигналом служит изменение электрической проводимости (Δσ) газочувствительного слоя под действием различного содержания паров воды (от 3,37 до 22,51 г/м3) в газовой фазе. При этом Δσ изменялась от 1,50 до 34,00 мкСм. А также изменение электрической проводимости под действием различного содержания паров сероводорода (от 6,11 до 61,1 мг/м3) в газовой фазе. При этом Δσ изменялась от 0,072 до 0,19 мкСм.The characteristics of the sensor were measured on alternating current with a frequency of 1 kHz using an E7-8 immitansometer. An analytical signal is a change in the electrical conductivity (Δσ) of the gas-sensitive layer under the influence of different contents of water vapor (from 3.37 to 22.51 g / m 3 ) in the gas phase. In this case, Δσ varied from 1.50 to 34.00 μS. As well as a change in electrical conductivity under the influence of different vapor content of hydrogen sulfide (from 6.11 to 61.1 mg / m 3 ) in the gas phase. In this case, Δσ varied from 0.072 to 0.19 μS.
Пример 2Example 2
Датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего стекла состава:The sensor contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 3%,molybdenum (VI) oxide - 3%,
оксид германия(IV) - 7%,germanium (IV) oxide - 7%,
оксид бора(III) - 20%.boron (III) oxide - 20%.
С закрепленными на подложке электрическими контактами, на которой сформирован газочувствительный слой.With electrical contacts fixed to the substrate, on which a gas-sensitive layer is formed.
Значение Δσ под действием различного содержания паров воды (от 3,37 до 22,51 г/м3) в газовой фазе изменялось от 1,50 до 37,00 мкСм. Δσ под действием различного содержания паров сероводорода (от 6,11 до 61,1 мг/м3) в газовой фазе изменялась от 5,10 до 15,00 мкСм.The value of Δσ under the influence of different contents of water vapor (from 3.37 to 22.51 g / m 3 ) in the gas phase varied from 1.50 to 37.00 μS. Δσ under the action of different vapor content of hydrogen sulfide (from 6.11 to 61.1 mg / m 3 ) in the gas phase varied from 5.10 to 15.00 μS.
Пример 3Example 3
Датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего стекла состава:The sensor contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 3%,molybdenum (VI) oxide - 3%,
оксид германия(IV) - 17%,germanium (IV) oxide - 17%,
оксид бора(III) - 10%.boron (III) oxide - 10%.
С закрепленными на подложке электрическими контактами, на которой сформирован газочувствительный слой.With electrical contacts fixed to the substrate, on which a gas-sensitive layer is formed.
Значение Δσ под действием различного содержания паров воды (от 3,37 до 22,51 г/м3) в газовой фазе изменялось от 1,40 до 30,00 мкСм. Δσ под действием различного содержания паров сероводорода (от 6,11 до 61,1 мг/м3) в газовой фазе изменялась от 53,00 до 152 мкСм.The value of Δσ under the influence of different contents of water vapor (from 3.37 to 22.51 g / m 3 ) in the gas phase varied from 1.40 to 30.00 μS. Δσ under the influence of different vapor content of hydrogen sulfide (from 6.11 to 61.1 mg / m 3 ) in the gas phase varied from 53.00 to 152 μS.
Пример 4Example 4
Датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего стекла состава:The sensor contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 7%,molybdenum (VI) oxide - 7%,
оксид германия(IV) - 4%,germanium (IV) oxide - 4%,
оксид бора(III) - 19%.boron (III) oxide - 19%.
С закрепленными на подложке электрическими контактами, на которой сформирован газочувствительный слой.With electrical contacts fixed to the substrate, on which a gas-sensitive layer is formed.
Значение Δσ под действием различного содержания паров воды (от 3,37 до 22,51 г/м3) в газовой фазе изменялась от 6,10 до 136. Δσ под действием различного содержания паров сероводорода (от 6,11 до 61,1 мг/м3) в газовой фазе изменялась от 0,3 до 0,8 мкСм.The Δσ value under the influence of different water vapor content (from 3.37 to 22.51 g / m 3 ) in the gas phase varied from 6.10 to 136. Δσ under the action of different vapor content of hydrogen sulfide (from 6.11 to 61.1 mg / m 3 ) in the gas phase varied from 0.3 to 0.8 μS.
Пример 5Example 5
Датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего стекла состава:The sensor contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 7%,molybdenum (VI) oxide - 7%,
оксид германия(IV) - 7%,germanium (IV) oxide - 7%,
оксид бора(III) - 16%.boron (III) oxide - 16%.
С закрепленными на подложке электрическими контактами, на которой сформирован газочувствительный слой.With electrical contacts fixed to the substrate, on which a gas-sensitive layer is formed.
Значение Δσ под действием различного содержания паров воды (от 3,37 до 22,51 г/м3) в газовой фазе изменялось от 6,00 до 146,00 мкСм. До под действием различного содержания паров сероводорода (от 6,11 до 61,1 мг/м3) в газовой фазе изменялась от 20,00 до 59,00 мкСм.The value of Δσ under the influence of different contents of water vapor (from 3.37 to 22.51 g / m 3 ) in the gas phase varied from 6.00 to 146.00 μS. Until under the action of different vapor content of hydrogen sulfide (from 6.11 to 61.1 mg / m 3 ) in the gas phase, it varied from 20.00 to 59.00 μS.
Пример 6Example 6
Датчик содержит диэлектрическую подложку из висмутсодержащего стекла состава:The sensor contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass composition:
оксид висмута(III) - 70%,bismuth (III) oxide - 70%,
оксид молибдена(VI) - 7%,molybdenum (VI) oxide - 7%,
оксид германия(IV) - 17%,germanium (IV) oxide - 17%,
оксид бора(III) - 6%.boron (III) oxide - 6%.
С закрепленными на подложке электрическими контактами, на которой сформирован газочувствительный слой.With electrical contacts fixed to the substrate, on which a gas-sensitive layer is formed.
Значение Δσ под действием различного содержания паров воды (от 3,37 до 22,51 г/м3) в газовой фазе изменялось от 6,00 до 130,00 мкСм. Δσ под действием различного содержания паров сероводорода (от 6,11 до 61,1 мг/м3) в газовой фазе изменялась от 53,00 до 300 мкСм.The value of Δσ under the influence of different contents of water vapor (from 3.37 to 22.51 g / m 3 ) in the gas phase varied from 6.00 to 130.00 μS. Δσ under the action of different vapor content of hydrogen sulfide (from 6.11 to 61.1 mg / m 3 ) in the gas phase varied from 53.00 to 300 μS.
Использование подложки, содержащей в своем составе менее 3% оксида молибдена, нецелесообразно ввиду уменьшения чувствительности датчика.The use of a substrate containing less than 3% molybdenum oxide in its composition is impractical due to a decrease in the sensitivity of the sensor.
Использование подложки, содержащей в своем составе более 7% оксида молибдена, осложнено механической непрочностью подложки и высокой вероятности ее разрушения при изготовлении сенсора.The use of a substrate containing more than 7% molybdenum oxide in its composition is complicated by the mechanical weakness of the substrate and the high probability of its destruction during the manufacture of the sensor.
При использовании подложки, содержащей в своем составе менее 4% оксида германия, его влияние незначительно на характеристики датчика.When using a substrate containing less than 4% germanium oxide in its composition, its effect is negligible on the characteristics of the sensor.
Использование подложки, содержащей в своем составе более 17% оксида германия, осложнено процессом стеклования, что приводит к образованию неоднородного стекла.The use of a substrate containing more than 17% germanium oxide in its composition is complicated by the glass transition process, which leads to the formation of an inhomogeneous glass.
Таким образом, предлагаемый датчик позволяет проводить измерения на определение содержания как паров воды, так и сероводорода одновременно.Thus, the proposed sensor allows measurements to determine the content of both water vapor and hydrogen sulfide at the same time.
Заявляемый способ изготовления датчика позволил увеличить стабильность результатов измерения (таблица 1).The inventive method of manufacturing a sensor has increased the stability of the measurement results (table 1).
Зависимость стабильности результатов измерения от состава подложки.Table 1.
The dependence of the stability of the measurement results on the composition of the substrate.
оксид бора(III) - 23%germanium (IV) oxide - 4%
boron (III) oxide - 23%
Обработка слоя нерастворимого фосфата висмута с помощью гептамолибдата аммония позволила исключить фазу, образуемую при модификации раствором парамолибдата аммония и перекиси водорода, которая разрушается вследствие необратимой абсорбции.Treatment of the layer of insoluble bismuth phosphate with ammonium heptamolybdate made it possible to exclude the phase formed upon modification with a solution of ammonium paramolybdate and hydrogen peroxide, which is destroyed due to irreversible absorption.
Claims (2)
а газочувствительный слой состоит из двух зон: зоны, чувствительной к парам воды, и зоны, чувствительной к сероводороду.1. The sensor for joint determination of the content of water vapor and hydrogen sulfide in the air contains a dielectric substrate of bismuth-containing glass, a gas-sensitive layer, electrical contacts located in a recess on the surface of the substrate, characterized in that the substrate is made of bismuth-containing glass composition,%:
and the gas-sensitive layer consists of two zones: the zone sensitive to water vapor, and the zone sensitive to hydrogen sulfide.
а в качестве модификатора осадка используется раствор гептамолибдата аммония. 2. A method of manufacturing a sensor for jointly determining the content of water vapor and hydrogen sulfide in air, comprising forming a gas-sensitive layer on a dielectric substrate from bismuth-containing glass, characterized in that the gas-sensitive layer is formed from two zones: a zone sensitive to water vapor and a zone sensitive to hydrogen sulfide, by etching bismuth-containing glass in phosphoric acid to obtain a precipitate and modifying the precipitate in both zones, followed by drying, using bismuth-containing glass composition,%:
and as a precipitate modifier, a solution of ammonium heptamolybdate is used.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009145014/28A RU2418295C1 (en) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | Sensor for joint detection of water vapour and hydrogen sulphide and method of making said sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009145014/28A RU2418295C1 (en) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | Sensor for joint detection of water vapour and hydrogen sulphide and method of making said sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2418295C1 true RU2418295C1 (en) | 2011-05-10 |
Family
ID=44732788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009145014/28A RU2418295C1 (en) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | Sensor for joint detection of water vapour and hydrogen sulphide and method of making said sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2418295C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2541715C1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В. Ломоносова) | Method of forming films, containing poly-n,n-dimethyl-3, 4-dimethylenepyrrolidonium cyanide, on oxide glass surface |
| CN110763801A (en) * | 2019-11-12 | 2020-02-07 | 北京联合大学 | Low-temperature catalytic luminous sensitive material of hydrogen sulfide in air |
-
2009
- 2009-12-04 RU RU2009145014/28A patent/RU2418295C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2541715C1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова" (МИТХТ им. М.В. Ломоносова) | Method of forming films, containing poly-n,n-dimethyl-3, 4-dimethylenepyrrolidonium cyanide, on oxide glass surface |
| CN110763801A (en) * | 2019-11-12 | 2020-02-07 | 北京联合大学 | Low-temperature catalytic luminous sensitive material of hydrogen sulfide in air |
| CN110763801B (en) * | 2019-11-12 | 2022-04-12 | 北京联合大学 | Low-temperature catalytic luminous sensitive material of hydrogen sulfide in air |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bondarenka et al. | Thin films of poly-vanadium-molybdenum acid as starting materials for humidity sensors | |
| US7946153B2 (en) | Method for measuring gases and/or minimizing cross sensitivity in FET-based gas sensors | |
| CN108181266B (en) | TD L AS gas concentration detection method | |
| Gutiérrez et al. | Hybrid electronic tongue based on optical and electrochemical microsensors for quality control of wine | |
| RU2418295C1 (en) | Sensor for joint detection of water vapour and hydrogen sulphide and method of making said sensor | |
| KR20010111514A (en) | Microchip-based carbon dioxide gas sensor | |
| Hierold et al. | Quantitative analysis of gas mixtures with non-selective gas sensors | |
| RU2323979C2 (en) | Method of definition biological activity of defibrotide | |
| ATE277346T1 (en) | METHOD FOR IMPROVING THE MEASUREMENT ACCURACY OF SENSORS, IN PARTICULAR BIO-SENSORS, WHICH USE FLUORESCENCE RADIATION TO DETERMINE THE SIGNALS | |
| US20170122992A1 (en) | Film structure and its measuring method, display substrate and its measuring method and manufacturing method | |
| US7553458B2 (en) | Alcohol sensor using the work function measurement principle | |
| CN111094959B (en) | Method and apparatus for analyzing gas | |
| CN114002378B (en) | Concentration detection method of gas concentration sensor | |
| RU2184957C1 (en) | Sensor gaseous hydrogen sulfite and process of its manufacture | |
| RU2541715C1 (en) | Method of forming films, containing poly-n,n-dimethyl-3, 4-dimethylenepyrrolidonium cyanide, on oxide glass surface | |
| RU2365908C1 (en) | Humidity sensor and way of its manufacturing | |
| Goschnick et al. | Non-uniform SiO2 membranes produced by ion beam-assisted chemical vapor deposition to tune WO3 gas sensor microarrays | |
| US20210231604A1 (en) | Reagents for potentiometric magnesium ion selective electrode sensors and methods of production and use thereof | |
| RU2625827C1 (en) | Method of forming electric conducting films selective with regard to moisture content in air framework, by interaction on surface of oxid water-soluble polymer oxides and potassium (ii) potassium hydrogen (ii) | |
| CN112098502A (en) | Detection method for calibrating ion mobility spectrometer by utilizing multiple ion peaks | |
| Liu et al. | Interference-aided spectrum-fitting method for accurate film thickness determination | |
| RU2634137C1 (en) | Method of producing electroconducting films on surface of oxide glasses for determination of moisture content in air | |
| Lyu et al. | Revealing protein binding affinity on metal surfaces: an electrochemical approach | |
| Idriss et al. | Determination of strontium and simultaneous determination of strontium oxide, magnesium oxide and calcium oxide content of Portland cement by derivative ratio spectrophotometry | |
| CN111122675A (en) | Strip-block-strip electrode and VEGF based on strip-block-strip electrode165Sensor, preparation method and detection method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151205 |