RU2373608C2 - Thermal nuetron detector - Google Patents
Thermal nuetron detector Download PDFInfo
- Publication number
- RU2373608C2 RU2373608C2 RU2007142575/28A RU2007142575A RU2373608C2 RU 2373608 C2 RU2373608 C2 RU 2373608C2 RU 2007142575/28 A RU2007142575/28 A RU 2007142575/28A RU 2007142575 A RU2007142575 A RU 2007142575A RU 2373608 C2 RU2373608 C2 RU 2373608C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- detector
- neutron
- radiation
- crystal
- tlinse
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области измерения ионизирующих излучений, а точнее - к детекторам тепловых нейтронов.The invention relates to the field of measurement of ionizing radiation, and more specifically to thermal neutron detectors.
Известно, что из-за слабой ионизирующей способности нейтронов последние регистрируются не непосредственно, а с помощью ядерных реакций, в результате которых возникает гамма-излучение или электрически заряженные частицы [1].It is known that due to the weak ionizing ability of neutrons, the latter are not detected directly, but with the help of nuclear reactions, resulting in gamma radiation or electrically charged particles [1].
Известны детекторы тепловых нейтронов типа камер деления [2, 3], представляющие собой ионизационную камеру, внутренняя поверхность которой покрыта тонким слоем делящегося вещества (235U, 238U, 239Pu, 232Th). В камерах деления используется реакция деления (n, f). Под действием нейтронного излучения происходит деление атомов вещества на электрически заряженные частицы - осколки деления, которые производят ионизацию воздуха в камере; генерируемый при этом ионизационный ток и является мерой измерения интенсивности нейтронного излучения. Детекторы данного типа имеют низкую чувствительность, что вынуждает разработчиков увеличивать рабочие объемы камер. Это, в свою очередь, приводит к существенному возмущению контролируемого нейтронного потока.Known thermal neutron detectors such as fission chambers [2, 3], which are an ionization chamber, the inner surface of which is covered with a thin layer of fissile material ( 235 U, 238 U, 239 Pu, 232 Th). In the division chambers, the division reaction (n, f) is used. Under the influence of neutron radiation, atoms of a substance are divided into electrically charged particles - fission fragments that ionize the air in the chamber; the ionization current generated in this case is a measure of the intensity of neutron radiation. Detectors of this type have low sensitivity, which forces developers to increase the working volume of cameras. This, in turn, leads to a significant perturbation of the controlled neutron flux.
Известны также нейтронные детекторы типа сцинтилляционных счетчиков тепловых нейтронов на основе кристалла 6Li [4]. В данном детекторе нейтрон захватывается ядром изотопа лития (6Li) и происходит ядерная реакция (n, α) с образованием двух зараженных частиц: альфа-частицы и тритона. Сильно ионизирующая альфа-частица возбуждает вспышку сцинтиллятора 6LiI, по которой и регистрируется нейтрон. Данный тип детекторов работает в так называемом счетном режиме, что не позволяет контролировать динамические и мощностные характеристики нейтронных источников.Neutron detectors such as scintillation counters of thermal neutrons based on a 6 Li crystal are also known [4]. In this detector, the neutron is captured by the nucleus of the lithium isotope ( 6 Li) and a nuclear reaction (n, α) occurs with the formation of two infected particles: alpha particles and triton. A highly ionizing alpha particle excites a 6 LiI scintillator flash, through which a neutron is detected. This type of detectors operates in the so-called counting mode, which does not allow controlling the dynamic and power characteristics of neutron sources.
Прототипом данного предлагаемого изобретения является полупроводниковый детектор жесткой радиации [5]. Данный детектор содержит кристалл TlInSe2 с электрическими контактами, заключенный в металлический корпус. Чувствительность к тепловым нейтронам данного детектора обусловлена присутствием в составе данного соединения элемента индий (115In), имеющего значительное сечение захвата тепловых нейтронов. При захвате теплового нейтрона ядром атома индия из последнего испускается так называемое захватное гамма-излучение, которое, поглощаясь в объеме кристалла, создает дополнительный электрический ток детектора. Величина этого тока и служит мерой потока тепловых нейтронов. Данный детектор отличается высокой чувствительностью при малых размерах. Недостатком данного детектора является то, что его селективная чувствительность по тепловым нейтронам близка по величине к чувствительности по гамма-излучению. Вследствие этого в смешанных гамма-нейтронных полях выделение нейтронной компоненты сигнала детектора затруднено. Это приводит к снижению точности измерения потока тепловых нейтронов.The prototype of this proposed invention is a semiconductor detector of hard radiation [5]. This detector contains a TlInSe 2 crystal with electrical contacts, enclosed in a metal case. The sensitivity to thermal neutrons of this detector is due to the presence of the indium element ( 115 In) in the composition of this compound, which has a significant thermal neutron capture cross section. When a thermal neutron is captured by the nucleus of an indium atom, the so-called capture gamma radiation is emitted from the latter, which, being absorbed in the bulk of the crystal, creates an additional electric current to the detector. The magnitude of this current is a measure of the flux of thermal neutrons. This detector is highly sensitive at small sizes. The disadvantage of this detector is that its selective sensitivity for thermal neutrons is close in magnitude to the sensitivity for gamma radiation. As a result, in mixed gamma-neutron fields, it is difficult to isolate the neutron component of the detector signal. This leads to a decrease in the accuracy of measuring the thermal neutron flux.
С целью устранения данного недостатка предлагаем значительное увеличение чувствительности детектора к тепловым нейтронам без изменения его чувствительности к гамма-излучению. Данное увеличение достигается введением в соединение TlInSe2 изотопа лития 6Li. Ядро данного изотопа имеет большую вероятность захвата тепловых нейтронов (сечение захвата σ=945 барн), вследствие чего происходит интенсивная ядерная реакция 6Li (n, α) 3H. В результате реакции возникает две заряженные частицы - альфа-частица и тритон. Данные заряженные частицы, разлетаясь внутри кристаллического образца, генерируют электрон-дырочные пары гораздо интенсивнее, чем захватное гамма-излучение в детекторе по [5] (т.к. ионизирующая способность гамма-излучения много слабее, чем заряженных частиц). Это обуславливает резкое увеличение отклика детектора на нейтронную компоненту гамма-нейтронного поля. При этом отклик на гамма-компоненту поля не изменяется. Таким образом достигаем значительное повышение селективной чувствительности детектора именно к нейтронному излучению.In order to eliminate this drawback, we offer a significant increase in the sensitivity of the detector to thermal neutrons without changing its sensitivity to gamma radiation. This increase is achieved by introducing lithium 6 Li isotope into the TlInSe 2 compound. The nucleus of this isotope has a high probability of thermal neutron capture (capture cross section σ = 945 barn), as a result of which the intense nuclear reaction 6 Li (n, α) 3 H occurs. As a result of the reaction, two charged particles arise - an alpha particle and a triton. These charged particles, expanding inside the crystalline sample, generate electron-hole pairs much more intensively than the capture gamma radiation in the detector according to [5] (since the ionizing ability of gamma radiation is much weaker than that of charged particles). This leads to a sharp increase in the response of the detector to the neutron component of the gamma-neutron field. In this case, the response to the gamma component of the field does not change. Thus, we achieve a significant increase in the selective sensitivity of the detector specifically to neutron radiation.
Для оценки. Оценка увеличения чувствительности детектора по тепловым нейтронам в результате введения в полупроводник изотопа лития вытекает из расчета такого параметра, как темп генерации G электрон-дырочных пар в расчете на единичный нейтронный поток. Для случая без лития расчет проводится на основании выражения:For rate. An estimate of the increase in thermal neutron sensitivity of the detector as a result of the introduction of a lithium isotope into a semiconductor follows from the calculation of a parameter such as the rate of generation of electron-hole pairs G per unit neutron flux. For the case without lithium, the calculation is based on the expression:
где σ и n - сечение захвата теплового нейтрона ядром изотопа 115In и концентрация последнего в кристалле, соответственно, ε - энергия образования электрон-дырочной пары в кристалле, d - толщина кристалла, Ii и hνi - интенсивность и энергия i-й линии в спектре захватного излучения 115In, и µi - линейный коэффициент поглощения в кристалле для i-линии. Суммирование производится по всем линиям линейчатого спектра захватного излучения изотопа 115In.where σ and n are the thermal neutron capture cross section for the 115 In isotope nucleus and the concentration of the latter in the crystal, respectively, ε is the electron-hole pair formation energy in the crystal, d is the crystal thickness, I i and hν i are the intensity and energy of the ith line the spectrum of the capture radiation is 115 In, and μ i is the linear absorption coefficient in the crystal for the i-line. Summation is performed over all lines of the line spectrum of the capture radiation of the 115 In isotope.
Для случая с литием расчет проводится на основании выражения:For the case of lithium, the calculation is based on the expression:
где σ - сечение реакции (n, α) на ядре изотопа 6Li, n - концентрация лития в кристалле, d - толщина кристалла, ε - энергия образования электрон-дырочной пары в кристалле, Q - суммарная кинетическая энергия заряженных частиц в реакции 6Li (n, α) 3H.where σ is the cross section of the reaction (n, α) on the core of the 6 Li isotope, n is the concentration of lithium in the crystal, d is the thickness of the crystal, ε is the energy of formation of an electron-hole pair in the crystal, Q is the total kinetic energy of charged particles in the reaction of 6 Li (n, α) 3 H.
Расчеты данного параметра показали, что при количестве введенного лития в 25 атомных %, т.е. 0.9·1022 см-3, темп генерации G увеличится с 0.817·105 см-3c-1 до 7.65·106 см-3 с-1, т.е. чувствительность детектора по тепловым нейтронам возрастет в ~ 94 раза.The calculations of this parameter showed that when the amount of lithium introduced is 25 atomic%, i.e. 0.9 · 10 22 cm -3 , the generation rate G will increase from 0.817 · 10 5 cm -3 s -1 to 7.65 · 10 6 cm -3 s -1 , i.e. thermal neutron detector sensitivity will increase by ~ 94 times.
Как показали данные оценки, для достижения указанной цели необходимо введение упомянутого изотопа лития в TlInSe2 в значительном количестве (единицы и десятки атомных процентов). Это невозможно при обычном металлургическом легировании, которое ограничено сотыми долями процента. Кроме того, примесь, как известно, даже в сотые доли процента значительно изменяет свойства легируемого полупроводника, и такие изменения могут быть нежелательны, например уменьшение времени жизни носителей тока и, как следствие, уменьшение чувствительности.As the estimates showed, to achieve this goal, it is necessary to introduce the aforementioned lithium isotope in TlInSe 2 in a significant amount (units and tens of atomic percent). This is not possible with conventional metallurgical alloying, which is limited to hundredths of a percent. In addition, an impurity, as is known, even in hundredths of a percent significantly changes the properties of a doped semiconductor, and such changes may be undesirable, for example, a decrease in the lifetime of current carriers and, as a consequence, a decrease in sensitivity.
Однако для соединений с анизотропным строением кристаллической решетки, к которым относится соединение TlInSe2 [6], возможно введение большого количества примеси методом так называемой интеркаляции [7-9]. Последняя заключается в введении в межслоевое, или межцепочечное так называемое вандерваальсово пространство анизотропной кристаллической решетки посторонних атомов. Это возможно ввиду слабой связи между слоями или цепочками таких анизотропных кристаллических решеток. При этом примесь образует как бы прослойки в решетке и не изменяет основные полупроводниковые свойства интеркалируемого кристалла.However, for compounds with the anisotropic structure of the crystal lattice, which include the TlInSe 2 compound [6], it is possible to introduce a large amount of impurity by the so-called intercalation method [7–9]. The latter consists in introducing extraneous atoms into the interlayer or interchain so-called van der Waals space of the anisotropic crystal lattice. This is possible due to weak coupling between layers or chains of such anisotropic crystal lattices. In this case, the impurity forms, as it were, interlayers in the lattice and does not change the basic semiconductor properties of the intercalated crystal.
В предложенном детекторе интеркаляция проводилась путем выдержки кристаллов TlInSe2 в откачанной ампуле с парами лития при температуре, находящейся в диапазоне (500÷700)°С в течение (150÷250) часов. При этом количество введенного лития оказалось n≈6,2·1020 см-3 (т.е. 1.7 атомных %), а чувствительность детектора по тепловым нейтронам увеличилась примерно на порядок.In the proposed detector, intercalation was carried out by holding TlInSe 2 crystals in an evacuated ampoule with lithium vapors at a temperature in the range (500 ÷ 700) ° С for (150 ÷ 250) hours. The amount of lithium introduced turned out to be n≈6.2 · 10 20 cm -3 (i.e. 1.7 atomic%), and the sensitivity of the detector by thermal neutrons increased by about an order of magnitude.
На фиг.1 представлена электрическая схема предложенного детектора ядерного излучения вместе с измерительными средствами. Они включают в себя: (1) - чувствительный элемент (ЧЭ) на основе кристалла TlInSe2 с двумя электрическими контактами, заключенный в светонепроницаемый металлический корпус (2), (3) - источник питания с напряжением 10 В и (4) - нагрузочное сопротивление, включенное последовательно с ЧЭ. Сигнал с нагрузочного сопротивления подается без предварительного усиления на вход осциллографа (5).Figure 1 presents the electrical circuit of the proposed nuclear radiation detector together with measuring means. They include: (1) - a sensitive element (CE) based on a TlInSe 2 crystal with two electrical contacts, enclosed in a light-tight metal case (2), (3) - a power supply with a voltage of 10 V and (4) - load resistance connected in series with SE. The signal from the load resistance is supplied without preliminary amplification to the input of the oscilloscope (5).
Чувствительный элемент (1) детектора изготавливается следующим образом. Монокристаллический слиток полупроводника TlInSe2, полученный модифицированным методом горизонтальной зонной перекристаллизации [6], раскалывается по плоскостям спайности с образованием образцов в виде параллепипеда с примерными размерами 1·1·7 мм3 (фиг.2). На две противоположные большие грани образца наносятся два контакта из металлического сплава. Одним контактом образец припаивается к металлической стойке корпуса детектора, а ко второму припаивается центральный провод экранированного токовывода. Общий вид детектора в сборе приведен на фиг.3.The sensitive element (1) of the detector is made as follows. The single crystal ingot of the TlInSe 2 semiconductor obtained by the modified method of horizontal zone recrystallization [6] splits along the cleavage planes to form samples in the form of a parallelepiped with approximate sizes of 1 · 1 · 7 mm 3 (Fig. 2). Two contacts made of a metal alloy are applied to two opposite large faces of the sample. With one contact, the sample is soldered to the metal rack of the detector housing, and the central wire of the shielded current lead is soldered to the second. A General view of the detector assembly is shown in Fig.3.
Предложенный детектор работает следующим образом. При облучении детектора импульсами гамма-нейтронного излучения ток ЧЭ увеличивается за счет: а) ионизации полупроводника падающим гамма-излучением; б) ионизации полупроводника электрически заряженными α-частицей и тритоном из реакции (n, α), протекающей на изотопе 6Li под действием нейтронной составляющей гамма-нейтронного излучения. Дополнительный ток создает на нагрузочном сопротивлении (4) приращение напряжения, которое регистрируется осциллографом (5). При этом приращение напряжения, обусловленное ионизацией "б", т.е. нейтронная компонента сигнала, будет значительнее, чем гамма-компонента сигнала.The proposed detector operates as follows. When the detector is irradiated with gamma-neutron radiation pulses, the current of the SE increases due to: a) ionization of the semiconductor by incident gamma radiation; b) ionization of the semiconductor by an electrically charged α-particle and triton from the reaction (n, α) proceeding on the 6 Li isotope under the influence of the neutron component of gamma-neutron radiation. The additional current creates a voltage increment on the load resistance (4), which is recorded by the oscilloscope (5). In this case, the voltage increment due to ionization "b", i.e. the neutron component of the signal will be more significant than the gamma component of the signal.
Описанный детектор, благодаря высокой чувствительности и малым размерам, а также большому ресурсу работоспособности, может с успехом применяться, наряду с камерами деления, для контроля мощностных, временных, а также пространственных распределений гамма-нейтронного излучения импульсных исследовательских реакторов.The described detector, due to its high sensitivity and small size, as well as its long service life, can be successfully used, along with fission cameras, to control the power, time, and spatial distributions of gamma-neutron radiation from pulsed research reactors.
Испытания детектора показали целесообразность использования его в качестве монитора на импульсных реакторах. В отличие от детекторов, работающих в счетном режиме, рассмотренный детектор является интегрирующим. Это позволяет наблюдать каждый из следующих друг за другом импульсов нейтронного источника. Следовательно, появляется возможность контролировать, например, стабильность импульсов по амплитуде гамма- и нейтронной компонент. Высокая чувствительность детектора работы и малые размеры позволяют проводить практически точечные измерения потока нейтронов с целью, например, исследования равномерности распределения поля по поперечному сечению коллимированных пучков, или для выбора оптимального месторасположения мишени в пучке. К тому же прибор, благодаря малым размерам, практически не возмущает нейтронное поле в экспериментальном пучке, что позволяет не выводить его из пучка во время эксперимента. Рассчитанный [10] допустимый флюенс по тепловым и быстрым нейтронам составляет ~1016 нейтронов/см-2 и является достаточным, чтобы гарантировать по меньшей мере 1.5-годовую непрерывную эксплуатацию приборов без их замены.Tests of the detector showed the feasibility of using it as a monitor on a pulsed reactor. Unlike detectors operating in counting mode, the considered detector is integrating. This allows you to observe each of the successive pulses of a neutron source. Therefore, it becomes possible to control, for example, the stability of the pulses by the amplitude of the gamma and neutron components. The high sensitivity of the operation detector and its small size make it possible to carry out practically point measurements of the neutron flux with the aim, for example, of studying the uniform distribution of the field over the cross section of collimated beams, or to select the optimal location of the target in the beam. Moreover, due to its small size, the device practically does not perturb the neutron field in the experimental beam, which makes it possible not to remove it from the beam during the experiment. The allowable fluence for thermal and fast neutrons calculated [10] is ~ 10 16 neutrons / cm -2 and is sufficient to guarantee at least 1.5-year continuous operation of the devices without replacing them.
Источники информацииInformation sources
1. Н.А.Власов Нейтроны. Изд. "НАУКА", М., 1971.1. N.A. Vlasov Neutrons. Ed. "SCIENCE", M., 1971.
2. С.В.Чукляев, Ю.Н.Пепелышев. Временное разрешение вакуумной камеры деления. Приборы и техника эксперимента. №6. С.23-28. (2003).2. S.V. Chuklyaev, Yu.N. Pepelyshev. The time resolution of the vacuum fission chamber. Instruments and experimental technique. No. 6. S.23-28. (2003).
3. Muphy J.F., University of California. Lawrence Radiation Laboratory Report UCRL-6505 (1961).3. Muphy J.F., University of California. Lawrence Radiation Laboratory Report UCRL-6505 (1961).
4. Б.В.Шульгин, В.Л.Петров и др. Сцинтилляционные детекторы нейтронов на базе 6Li-силиконового стекла, активируемого церием. ФТТ. Т.47, вып.8 (2005).4. BV Shulgin, VL Petrov et al. Scintillation neutron detectors based on 6 cerium activated Li-silicon glass. FTT. T.47, issue 8 (2005).
5. Алексеев И.В. Применение кристаллов TlInSe2 для детектирования жесткой радиации. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т.28, №12, с.2404 (1992).5. Alekseev I.V. The use of TlInSe 2 crystals for the detection of hard radiation. Izv. USSR Academy of Sciences. Inorganic materials, vol. 28, No. 12, p. 2404 (1992).
6. И.А Алексеев. Ориентированное выращивание кристаллов TlInSe2. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т.26, №7, с.1401 (1990).6. I.A. Alekseev. Oriented crystal growth of TlInSe 2 . Izv. USSR Academy of Sciences. Inorganic materials, vol. 26, No. 7, p. 1401 (1990).
7. К.Д.Товстюк. Полупроводниковое материаловедение. К.: "Наукова думка", 1984 г., с.213.7.K.D.Tovstyuk. Semiconductor materials science. K .: "Naukova Dumka", 1984, p.213.
8. S.N.Mustafaeva, V.A.Ramazanzade, M.M. Asadov. Influence of Interalation on electrical and fotoelektrical properties of ternary chain and layer Semiconductors. Materials Chemistry and Physics, 40, p.142-145, (1995).8. S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Influence of Interalation on electrical and fotoelektrical properties of ternary chain and layer Semiconductors. Materials Chemistry and Physics, 40, p. 142-145, (1995).
9. З.Д. Ковалюк, В.Б.Савитский, К.Д.Товстюк. Электрические свойства монокристаллов при интеркалации теллуром. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. Т.18, №2, с.209 (1982).9. W.D. Kovalyuk, V.B.Savitsky, K.D. Tovstyuk. Electrical properties of single crystals upon tellurium intercalation. Izv. USSR Academy of Sciences. Inorganic materials. T.18, No. 2, p.209 (1982).
10. И.А Алексеев. Изв. АН АзССР. сер. физ.-техн. и мат. наук. №1. C.61, 1985.10. I.A. Alekseev. Izv. AS AzSSR. ser. physical and technical and mat. sciences. No. 1. C.61, 1985.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007142575/28A RU2373608C2 (en) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | Thermal nuetron detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007142575/28A RU2373608C2 (en) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | Thermal nuetron detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007142575A RU2007142575A (en) | 2009-05-27 |
| RU2373608C2 true RU2373608C2 (en) | 2009-11-20 |
Family
ID=41022760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007142575/28A RU2373608C2 (en) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | Thermal nuetron detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2373608C2 (en) |
-
2007
- 2007-11-20 RU RU2007142575/28A patent/RU2373608C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Алексеев И.В. Применение кристаллов TlInSe 2 для детектирования жесткой радиации. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т.28, №12, с.2404 (1992). * |
| Товстюк К.Д. Полупроводниковое материаловедение. - Киев.: Наукова думка, 1984, с.213. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2007142575A (en) | 2009-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kim et al. | Continued development of thallium bromide and related compounds for gamma-ray spectrometers | |
| EP2842167B1 (en) | A solid state radiation detector with enhanced gamma radiation sensitivity | |
| Brodyn et al. | Monocrystalline ZnSe as an ionising radiation detector operated over a wide temperature range | |
| US12044815B2 (en) | Fixed in-core detector design using sic Schottky diodes configured with a high axial and radial sensor density and enhanced fission gamma measurement sensitivity | |
| Lund et al. | Indium phosphide particle detectors for low energy solar neutrino spectroscopy | |
| RU2565829C1 (en) | Slow neutron diamond detector | |
| JP6615713B2 (en) | Radiation measurement equipment | |
| RU2373608C2 (en) | Thermal nuetron detector | |
| Koehler et al. | Quantification of the conditioning phase in cooled pixelated TlBr detectors | |
| Kargar et al. | Lithium and boron based semiconductors for thermal neutron counting | |
| Spooner et al. | Investigation of voltage amplification of thermal spectra (“Luke effect”) in a low temperature calorimetric detector | |
| Nesenevich et al. | A comparative analysis of the sensitivity of CsI (Tl), ZnO (Ga), and YAG (Ce) scintillators to the plasma background radiation under operating conditions of the ITER tokamak reactor | |
| RU80070U1 (en) | NUCLEAR DETECTOR | |
| Hassard et al. | CVD diamond film for neutron counting | |
| McGinnis | Film implementation of a neutron detector (find): proof of concept device | |
| Rizwan | Development of Gamma-Ray Spectroscopy Techniques for Fundamental and Applied Research | |
| Bishnoi et al. | Online monitoring of fast neutron (DT/DD) at Purnima neutron generator | |
| JP6884228B2 (en) | Neutrino detector devices, neutrino detection systems, and methods for detecting neutrinos | |
| Semenov et al. | PANDA electromagnetic calorimeters | |
| Xiang et al. | Research on the Performance of CZT Detector in Alpha Particle Detection | |
| Kondrik | Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe: Cl and CdZnTe | |
| Kargar et al. | Boron selenide semiconductor detectors for thermal neutron counting | |
| Almaviva et al. | Fission reactor flux monitors based on single‐crystal CVD diamond films | |
| Convert et al. | Thermal neutron detection | |
| JP2000147128A (en) | Strip electrode radiation detector and reactor-core monitoring apparatus provided therewith |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20091121 |