RU2341856C2 - Method of obtaining laser generation and laser element, controlled by electric field - Google Patents
Method of obtaining laser generation and laser element, controlled by electric field Download PDFInfo
- Publication number
- RU2341856C2 RU2341856C2 RU2006136027/28A RU2006136027A RU2341856C2 RU 2341856 C2 RU2341856 C2 RU 2341856C2 RU 2006136027/28 A RU2006136027/28 A RU 2006136027/28A RU 2006136027 A RU2006136027 A RU 2006136027A RU 2341856 C2 RU2341856 C2 RU 2341856C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- generation
- laser
- liquid crystal
- electric field
- controlled
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к лазерной технике, а именно к жидкокристаллическим лазерам на красителях. При этом киральные жидкие кристаллы используются в качестве лазерной среды с распределенной обратной связью. Изобретение может быть использовано для создания лазерных элементов, управляемых электрическим полем.The invention relates to laser technology, namely to liquid crystal dye lasers. In this case, chiral liquid crystals are used as a laser medium with distributed feedback. The invention can be used to create laser elements controlled by an electric field.
Киральные жидкие кристаллы (КЖК) обладают геликоидальной структурой, шаг которой Р0 соизмерим с длиной волны света λ [1]. Под киральными жидкими кристаллами мы подразумеваем собственно жидкие кристаллы, состоящие из производных холестерина, или немато-холестерические смеси, состоящие из смеси нематического жидкого кристалла (НЖК) и холестерического жидкого кристалла (ХЖК), а также киральные нематики, состоящие из НЖК и оптически активных соединений, не обязательно обладающих жидкокристаллической фазой. Благодаря пространственной модуляции направления локальной ориентации молекул (директора или локальной оптической оси) свет, распространяющийся вдоль оси геликоида, дифрагирует на периодической структуре. По закону Брэгга в определенном спектральном интервале P0n⊥<λ<P0n||, где n⊥ и n|| - главные показатели преломления КЖК, свет одной из круговых поляризаций полностью отражается от структуры, т.е. ее пропускание блокируется. Другими словами, КЖК является одномерным фотонным кристаллом с запрещенной зоной энергий (стоп-полосой) для распространения фотонов определенной поляризации. Это позволяет использовать КЖК в качестве рабочей среды в лазерах с распределенной обратной связью. Длина волны лазерного излучения определяется положением одного из краев стоп-полосы КЖК, которая должна перекрываться со спектром люминесценции красителя.Chiral liquid crystals (CLCs) have a helicoidal structure, the pitch of which P 0 is comparable with the wavelength of light λ [1]. By chiral liquid crystals we mean actually liquid crystals, consisting of cholesterol derivatives, or nemato-cholesteric mixtures, consisting of a mixture of a nematic liquid crystal (NLC) and cholesteric liquid crystal (CLC), as well as chiral nematics, consisting of NLC and optically active compounds not necessarily having a liquid crystal phase. Due to the spatial modulation of the direction of the local orientation of the molecules (director or local optical axis), the light propagating along the axis of the helicoid diffracts on the periodic structure. According to Bragg’s law in a certain spectral range P 0 n ⊥ <λ <P 0 n || , where n ⊥ and n || are the main refractive indices of CLC, the light of one of the circular polarizations is completely reflected from the structure, i.e. its transmission is blocked. In other words, CLC is a one-dimensional photonic crystal with a forbidden energy band (stop band) for the propagation of photons of a certain polarization. This makes it possible to use FLC as a working medium in distributed feedback lasers. The wavelength of laser radiation is determined by the position of one of the edges of the stop band of the CLC, which should overlap with the luminescence spectrum of the dye.
Благодаря лабильности жидкокристаллической структуры шагом спирали и, следовательно, спектром излучения можно управлять при помощи внешнего воздействия различной природы, как, например, температурой [3], механическим напряжением [4], светом [5]. Это открывает возможность создания целой гаммы новых миниатюрных лазеров, в частности, для интегральной оптики, средств коммуникации, для оптических компьютеров.Due to the lability of the liquid crystal structure, the helix pitch and, therefore, the radiation spectrum can be controlled by external influences of various nature, such as temperature [3], mechanical stress [4], light [5]. This opens up the possibility of creating a whole gamut of new miniature lasers, in particular, for integrated optics, communications, and optical computers.
Наибольший интерес представляет управление лазерной генерацией с помощью электрического поля. Это связано с тем, что жидкокристаллические устройства управляются невысокими напряжениями и характеризуются небольшими мощностями потребления, что обеспечивает хорошую совместимость с интегральной микроэлектроникой.Of greatest interest is the control of laser generation using an electric field. This is due to the fact that liquid crystal devices are controlled by low voltages and are characterized by low power consumption, which ensures good compatibility with integrated microelectronics.
Известен способ получения лазерного излучения в беззеркальном элементе на холестерическом жидком кристалле с растворенным в нем люминесцентным красителем с использованием оптической накачки [2]. ХЖК с растворенным красителем помещается между двумя стеклянными пластинами, обработанными для реализации гомогенной ориентации ХЖК. В результате получается бездефектная, не рассеивающая, планарно-ориентированная текстура, с осью геликоида, направленной перпендикулярно поверхностям подложек. Такая текстура селективно отражает одну из циркулярно-поляризованных компонент падающего света в диапазоне волн, перекрывающем спектр люминесценции красителя. Другая компонента света с противоположным знаком циркулярной поляризации проходит через слой без искажения. Накачка производится с помощью импульсного лазера, длина волны которого находится внутри спектрального диапазона поглощения красителя. В результате возникает лазерное излучение на краю зоны селективного отражения ХЖК, направленное перпендикулярно поверхностям ограничивающих стекол в противоположных направлениях. К сожалению, плавное управление шагом холестерической структуры с помощью электрического поля в такой структуре реализовать не удается. Хотя из термодинамического рассмотрения следует, что каждой напряженности поля соответствует определенный шаг спирали [6], топологические ограничения, накладываемые ограничивающими стенками, не позволяют реализовать эту ситуацию [7, 8]. Поэтому в лазерных экспериментах обычно наблюдают лишь погашение генерации из-за нарушения спиральной структуры [9]. При этом восстановление нарушенной структуры после выключения поля происходит в течение длительного времени (нескольких часов).A known method of producing laser radiation in a mirrorless element on a cholesteric liquid crystal with a luminescent dye dissolved in it using optical pumping [2]. CLC with dissolved dye is placed between two glass plates processed to achieve a homogeneous orientation of the CLC. The result is a defect-free, non-scattering, planar-oriented texture, with the axis of the helicoid directed perpendicular to the surfaces of the substrates. Such a texture selectively reflects one of the circularly polarized components of the incident light in the wavelength range that covers the luminescence spectrum of the dye. Another component of light with the opposite sign of circular polarization passes through the layer without distortion. Pumping is performed using a pulsed laser, the wavelength of which is within the spectral range of absorption of the dye. As a result, laser radiation arises at the edge of the CLC selective reflection zone, directed perpendicularly to the surfaces of the bounding glasses in opposite directions. Unfortunately, smooth control of the step of the cholesteric structure using an electric field in such a structure cannot be realized. Although it follows from thermodynamic consideration that each field strength corresponds to a certain spiral pitch [6], the topological restrictions imposed by the bounding walls do not allow this situation to be realized [7, 8]. Therefore, in laser experiments, usually only the repayment of the generation due to the violation of the spiral structure is observed [9]. In this case, the restoration of the disturbed structure after the field is turned off takes a long time (several hours).
Целью изобретения является создание способа и устройства, позволяющего плавно управлять генерацией излучения лазера на киральных жидких кристаллах с помощью электрического напряжения.The aim of the invention is to provide a method and device that allows you to smoothly control the generation of laser radiation on chiral liquid crystals using electric voltage.
Поставленная цель достигается тем, что вместо одного слоя ХЖК используются два слоя КЖК, а между ними вставляется управляемая электрическим полем тонкая фазовая пластинка. В этом случае обратная связь в лазерном элементе управляется электрическим полем, приложенным к фазовой пластинке, за счет изменения фазового сдвига между собственными волнами лазерной генерации. Дело в том, что распределенная обратная связь присутствует в каждом слое КЖК, но генерация может возникнуть только, если фазы между собственными волнами во всей структуре будут согласованы. Наиболее благоприятными условиями для генерации является фазовая задержка, равная нулю или кратная 2π. В этом случае генерация достигает максимального значения. Если же фазовая задержка не равна нулю и не кратна 2π, то интенсивность генерации уменьшается, а при некоторых значениях фазовой задержки генерация не может возникнуть. Например, при фазовой задержке, кратной π, фотон, излученный в одном слое КЖК, при попадании в другой слой КЖК меняет свою циркулярную поляризацию на поляризацию противоположного знака. Таким образом, он попадает в запрещенную зону и распространяться не может, соответственно генерация не возникает.This goal is achieved by the fact that instead of one layer of CLC, two layers of CLC are used, and a thin phase plate controlled by an electric field is inserted between them. In this case, the feedback in the laser element is controlled by an electric field applied to the phase plate due to a change in the phase shift between the natural waves of laser generation. The fact is that distributed feedback is present in each layer of QLC, but generation can occur only if the phases between the eigenwaves in the entire structure are consistent. The most favorable conditions for generation is a phase delay equal to zero or a multiple of 2π. In this case, the generation reaches its maximum value. If the phase delay is not equal to zero and not a multiple of 2π, then the lasing intensity decreases, and for some values of the phase delay lasing cannot occur. For example, when the phase delay is a multiple of π, the photon emitted in one layer of CLC, when it enters the other layer, CLC changes its circular polarization to polarization of opposite sign. Thus, it falls into the forbidden zone and cannot propagate; accordingly, generation does not occur.
Если же фазовая задержка будет изменяться в районе нулевых значений или кратных 2π, то полное подавление генерации может не быть достигнуто. Однако поскольку условия для генерации будут различны для разных мод генерации на краю запрещенной зоны КЖК, то может происходить перекачка интенсивности от одной моды генерации к другой. Дело в том, что генерация, в данной конфигурации лазерного элемента, возникает только на краю запрещенной зоны, где разрешено движение фотонов определенной поляризации в обоих направлениях. Поэтому на краю запрещенной зоны возникают различные моды генерации, отличающиеся длиной волны и, как правило, порогом накачки. Кроме того, эти моды различаются и поляризацией, то есть имеют не обязательно круговую циркулярную поляризацию. При небольшом изменении фазовой задержки между слоями КЖК условия генерации могут быть более благоприятны сначала для одной моды, потом для другой.If the phase delay changes in the region of zero values or multiples of 2π, then the complete suppression of generation may not be achieved. However, since the conditions for generation will be different for different generation modes at the edge of the GLC band gap, the intensity can be pumped from one generation mode to another. The fact is that generation, in this configuration of the laser element, occurs only at the edge of the forbidden zone, where the movement of photons of a certain polarization in both directions is allowed. Therefore, various lasing modes arise at the edge of the band gap, which differ in wavelength and, as a rule, in the pump threshold. In addition, these modes also differ in polarization, that is, they do not have circular circular polarization. With a small change in the phase delay between the QLC layers, the lasing conditions may be more favorable first for one mode, then for another.
Сущность предлагаемого изобретения поясняется на фиг.1-6 и иллюстрируется примерами 1-2.The essence of the invention is illustrated in figures 1-6 and is illustrated by examples 1-2.
Фиг.1 изображает блок-схему лазерного элемента и способа получения лазерной генерации с управляемой интенсивностью и длиной волны излучения при помощи фазовой пластинки с управляемой электрическим полем фазой. 1, 2 - слои кирального жидкого кристалла, допированные люминесцентным красителем; 3 - управляемая электрическим полем фазовая пластинка.Figure 1 depicts a block diagram of a laser element and a method for producing laser radiation with a controlled radiation intensity and wavelength using a phase plate with a phase controlled by an electric field. 1, 2 - layers of a chiral liquid crystal doped with a luminescent dye; 3 - phase plate controlled by an electric field.
Фиг.2 изображает блок-схему лазерного элемента на низкомолекулярных КЖК с НЖК в качестве управляемой электрическим полем фазовой пластинки. 1, 1' - слои КЖК с люминесцентным красителем; 2, 2', 3, 3' - стеклянные пластины; 4, 4', 5, 5', - ориентирующие слои; 6, 6', 8, - прокладки для обеспечения требуемой толщины слоев; 7 - слой НЖК; 9, 9' - прозрачные токопроводящие покрытия, например ITO; 10, 10' - ориентирующие слои для планарной или гомеотропной ориентации НЖК.Figure 2 depicts a block diagram of a laser element on low molecular fatty acids with NLC as an electric field-controlled phase plate. 1, 1 '- layers of KZhK with a luminescent dye; 2, 2 ', 3, 3' - glass plates; 4, 4 ', 5, 5', - orienting layers; 6, 6 ', 8, - gaskets to provide the required layer thickness; 7 - layer of NLC; 9, 9 '- transparent conductive coatings, for example ITO; 10, 10 '- orientation layers for planar or homeotropic orientation of NLC.
Фиг.3 изображает спектры поглощения и люминесценции красителей РМ-567 и Оксазин-17, кривую пропускания КЖК для Оксазин-17, а также стоп-полосу КЖК для РМ-567. Верхний рисунок: D - спектр поглощения РМ-567, L - спектр люминесценции РМ-567, NI - спектральная область стоп-полосы. Нижний рисунок: D - спектр поглощения Оксазин-17, L - спектр люминесценции Оксазин-17, Т - кривая пропускания КЖК.Figure 3 depicts the absorption and luminescence spectra of the dyes PM-567 and Oxazin-17, the transmission curve of the fatty acids for Oxazin-17, as well as the stop band of the fatty acids for PM-567. Upper picture: D - absorption spectrum of RM-567, L - luminescence spectrum of RM-567, NI - spectral region of the stop band. Bottom figure: D is the absorption spectrum of Oxazin-17, L is the luminescence spectrum of Oxazin-17, T is the transmission curve of CLC.
Фиг.4 изображает спектры генерации лазерного элемента на красителе Оксазин-17 для напряжений 0 В и 5.2 В (основной рисунок) и зависимость интенсивности генерации IE от напряжения (вставка).Figure 4 depicts the generation spectra of the laser element on the dye Oxazin-17 for voltages 0 V and 5.2 V (main figure) and the dependence of the intensity of generation I E on voltage (insert).
Фиг.5 изображает зависимости фазовой задержки от напряжения (на длине волны 633 нм) для двух планарных слоев НЖК толщиной 5 и 10.4 мкм.Figure 5 depicts the dependence of the phase delay on voltage (at a wavelength of 633 nm) for two planar NLC layers with a thickness of 5 and 10.4 μm.
Фиг.6 изображает спектры генерации лазерного элемента на красителях РМ-567 при различных напряжениях на слое НЖК (0.2 В, 1.8 В, 8 В).6 depicts the generation spectra of a laser element on dyes PM-567 at various voltages on the NLC layer (0.2 V, 1.8 V, 8 V).
Суть способа управления интенсивностью и длиной волны лазерного излучения изображена на фиг.1 и состоит в том, что вместо одного слоя берутся два слоя КЖК (1, 2), а между ними устанавливается управляемая электрическим полем фазовая пластинка 3. Таким образом, изменение фазовой задержки приводит к изменению интенсивности и, или длины волны лазерного излучения.The essence of the method for controlling the intensity and wavelength of laser radiation is shown in Fig. 1 and consists in the fact that instead of one layer, two layers of CLC are taken (1, 2), and a
На фиг.2 изображена блок-схема лазерного элемента с двумя низкомолекулярными слоями КЖК и слоем НЖК в качестве управляемой фазовой пластинки. Лазерный элемент состоит из двух слоев КЖК, допированных люминесцентным красителем (1, 1'), ограниченных стеклами 2, 3 и 2' 3', на внутренние поверхности которых нанесены ориентирующие покрытия из полиимида 4, 5 и 4',5', которые натерты в одном направлении для создания однородной планарной текстуры КЖК. Зазор между стеклами 2 и 3, а также 2' и 3' задается прокладками 6 и 6'. Между стеклами 2 и 2' помещается слой НЖК (7). Зазор между стеклами 2 и 2' задается прокладками 8. На внешние поверхности стекол 2 и 2', ограничивающие слой НЖК, нанесены прозрачные, токопроводящие покрытия из InxSn1-xO2 (9, 9'). Поверх токопроводящих слоев 9 и 9' нанесены ориентирующие слои из полиимида, которые натерты для создания гомогенной ориентации НЖК, либо из стеарилхлорид хрома для создания гомеотропной ориентации НЖК (10, 10'). Электрическое напряжение прикладывается к прозрачным электродам 9, 9'.Figure 2 shows a block diagram of a laser element with two low molecular weight layers of fatty acids and a layer of fatty acids as a controlled phase plate. The laser element consists of two layers of fatty acids, doped with a luminescent dye (1, 1 '), bounded by
Пример 1.Example 1
В качестве КЖК, обозначенных на фиг.2 (1,1'), использовалась нематическая смесь, состоящая из соединений фенил- и дифенил-циклогексанов, допированная оптически активной добавкой (ОАД) - левовращающим 4, 4'-ди-лейцинкарбоксибифенилом с концентрацией 20% (шаг спирали Р0=384 нм). Соответственно, брэгговская стоп-полоса занимает область 615 нм>λ>580 нм, фиг.3 (нижняя часть, кривая T). В качестве красителя, добавленного в КЖК смесь, был взят Оксазин-17 (производства «НИОПИК») с концентрацией 0,15%. Спектры оптической плотности и люминесценции этого красителя для слоя КЖК толщиной 28 мкм показаны на той же фигуре (кривые D и L соответственно). В качестве НЖК выбрана смесь соединений циклогексилкарбоновых кислот и фенилциклогексанов с положительной диэлектрической анизотропией (ε//=4.25, ε⊥=2.75) и малой оптической анизотропией (na=n||-n⊥; n||=1,507 и n⊥=1,451 на λ=633 нм). Толщина НЖК слоя с точностью ±0,5 мкм составляла 10 мкм.As FFA indicated in FIG. 2 (1,1 '), a nematic mixture was used consisting of phenyl- and diphenyl-cyclohexanes compounds doped with an optically active additive (OAD) - levorotatory 4, 4'-di-leucine carboxybiphenyl with a concentration of 20 % (helix pitch P 0 = 384 nm). Accordingly, the Bragg stop band occupies the region of 615 nm>λ> 580 nm, Fig. 3 (lower part, curve T). Oxazin-17 (manufactured by “NIOPIK”) with a concentration of 0.15% was taken as a dye added to the fatty acid mixture. The optical density and luminescence spectra of this dye for a 28-μm-thick QLC layer are shown in the same figure (curves D and L, respectively). A mixture of cyclohexylcarboxylic acids and phenylcyclohexanes with positive dielectric anisotropy (ε // = 4.25, ε ⊥ = 2.75) and low optical anisotropy (n a = n || -n ⊥ ; n || = 1,507 and n ⊥ = 1.451 at λ = 633 nm). The thickness of the NLC layer with an accuracy of ± 0.5 μm was 10 μm.
При возбуждении данного элемента лазерным импульсом на длине волны 532 нм возникает лазерное излучение, направленное перпендикулярно поверхности стекол в обоих направлениях. Характерные спектры интенсивности лазерной эмиссии (IE) при двух значениях напряжения, приложенного к НЖК, приведены на основном графике фиг.4, а зависимость максимальных значений IE от напряжения показана на вставке к фиг.4. Все кривые приведены при одной и той же энергии импульса накачки, Е=52 мкДж/имп. Спектр генерации состоит из одной уширенной линии (Δλ=3 нм на полувысоте) с максимумом на длине волны λmax=617 нм, не зависящей ни от накачки, ни от приложенного напряжения. В то же время интенсивность эмиссии зависит от напряжения очень сильно. При напряжениях U<3 В и U>8 В интенсивность генерации максимальна, а внутри интервала 3 В<U<8 В подавлена почти полностью. Эта зависимость строго коррелирует с поведением фазовой задержки НЖК слоя ΔФ(U), см. кривую для dN=10,4 мкм на фиг.5. Максимумы генерации соответствуют либо ΔФ≈360°, либо ΔФ≈0°, когда НЖК приобретает практически гомеотропную ориентацию и двулучепреломление исчезает в сильном поле. Напротив, подавление генерации при U≈5 V соответствует фазовой задержке ΔФ≈180°, когда НЖК превращается в полуволновую фазовую пластинку (dNna=λ/2).When this element is excited by a laser pulse at a wavelength of 532 nm, laser radiation arises directed perpendicular to the glass surface in both directions. The characteristic spectra of laser emission intensity (I E ) at two voltage values applied to the NLC are shown in the main graph of Fig. 4, and the dependence of the maximum values of I E on voltage is shown in the inset to Fig. 4. All curves are given at the same pump pulse energy, E = 52 μJ / pulse. The generation spectrum consists of one broadened line (Δλ = 3 nm at half maximum) with a maximum at a wavelength of λ max = 617 nm, which does not depend on either the pump or the applied voltage. At the same time, the intensity of the emission depends on the voltage very much. At voltages U <3 V and U> 8 V, the generation intensity is maximum, and within the interval 3 V <U <8 V, it is almost completely suppressed. This dependence strictly correlates with the behavior of the phase delay of the NLC layer ΔФ (U), see the curve for d N = 10.4 μm in Fig. 5. The generation maxima correspond to either ΔФ≈360 ° or ΔФ≈0 °, when the NLC acquires an almost homeotropic orientation and the birefringence disappears in a strong field. On the contrary, the suppression of generation at U≈5 V corresponds to a phase delay ΔФ≈180 °, when the NLC turns into a half-wave phase plate (d N n a = λ / 2).
Пример 2.Example 2
В качестве КЖК использовалась та же нематическая смесь с той же ОАД, что и в примере 1, но концентрация последней была 20,6% (шаг спирали Р0=377 нм). В качестве красителя использовался РМ567 (производства фирмы «Экситон») с концентрацией 0,47%. Спектры оптической плотности (D) и люминесценции (L) этого красителя для толщины слоя КЖК 30 мкм показаны в верхней части фиг.3. Полоса селективного отражения (стоп-полоса) этой смеси находится между вертикальными точечными линиями, как показано на фиг.3. Расположение максимума спектра люминесценции красителя слева от стоп-полосы обеспечивало относительно редкую возможность управления генерацией на коротковолновом крае стоп-полосы. В качестве НЖК для управления фазовой задержкой здесь взята та же смесь, что и в примере 1. Толщина НЖК слоя с точностью до 0.5 мкм составляла 5 мкм. Фазовая задержка его в зависимости от напряжения приведена на фиг.5 (кривая 5).The same nematic mixture with the same OAD as in Example 1 was used as FFA, but the concentration of the latter was 20.6% (helix pitch P 0 = 377 nm). PM567 (manufactured by Exciton) with a concentration of 0.47% was used as a dye. The spectra of optical density (D) and luminescence (L) of this dye for a layer thickness of 30 μm QLC are shown in the upper part of Fig. 3. The selective reflection band (stop band) of this mixture is between the vertical dotted lines, as shown in FIG. The location of the maximum of the dye luminescence spectrum to the left of the stop band provided a relatively rare possibility of controlling generation at the short-wave edge of the stop band. Here, we used the same mixture as the NLC for controlling the phase delay as in Example 1. The thickness of the NLC layer with an accuracy of 0.5 μm was 5 μm. Its phase delay depending on the voltage is shown in figure 5 (curve 5).
Лазерная генерация в этой ячейке имеет свои особенности. Во-первых, линии генерации наблюдаются на коротковолновом крае стоп-полосы, где интенсивность люминесценции, которая коррелирует с коэффициентом усиления света, максимальна. Во-вторых, здесь мы наблюдаем перекачку интенсивности эмиссии с изменением напряжения на слое НЖК, фиг.6. До начала переориентации директора НЖК (кривая для Urms=0,2 V) основная линия генерации находится на λ=564 нм с сателлитом на 567,5 нм. С повышением напряжения и уменьшением фазовой задержки (см. кривую для dN=5 мкм на фиг.5) вся интенсивность генерации переходит в полосу с центром на λ=567,5 нм.Laser generation in this cell has its own characteristics. First, the generation lines are observed at the short-wavelength edge of the stop band, where the luminescence intensity, which correlates with the light gain, is maximum. Secondly, here we observe the pumping of the emission intensity with a change in the voltage on the NLC layer, Fig.6. Before the reorientation of the NLC director (curve for U rms = 0.2 V), the main generation line is located at λ = 564 nm with a satellite at 567.5 nm. With increasing voltage and decreasing phase delay (see the curve for d N = 5 μm in FIG. 5), the entire lasing intensity goes into a band centered at λ = 567.5 nm.
Источники информацииInformation sources
1. В.А.Беляков, А.С.Сонин, Оптика холестерических жидких кристаллов, Москва, Наука (1982).1. V.A. Belyakov, A.S. Sonin, Optics of cholesteric liquid crystals, Moscow, Science (1982).
2. L.S.Goldberg, J.M.Schnur, US Patent 3771065, кл. 331/95.5 L, 06.11.1973.2. L. S. Goldberg, J. M. Schnur, US Patent 3,771,065, class. 331 / 95.5 L, 11/06/1973.
3. К.Funamoto, M.Ozaki, and K.Yoshino Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1523 (2003).3. K. Funamoto, M. Ozaki, and K. Yoshino Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1523 (2003).
4. H.Finkelmann, S.T.Kim, A.Mucoz, P.Palffy-Muhoray, and B.Taheri, Adv. Mater. 13, 1069 (2001).4. H. Finkelmann, S. T. Kim, A. Mucoz, P. Palffy-Muhoray, and B. Taheri, Adv. Mater. 13, 1069 (2001).
5. A.Chanishvili, G.Chilaya, G.Petriashvili, R.Barberi, R.Bartolino, G.Cipparrone, A.Mazzulla, R.Gimenes, L.Oriol, and M.Pinol, Appl. Phys. Lett. 86, 051107 (2005).5. A. Chanishvili, G. Chilaya, G. Petriashvili, R. Barberi, R. Bartolino, G. Cipparrone, A. Mazzulla, R. Gimenes, L. Oriol, and M. Pinol, Appl. Phys. Lett. 86, 051107 (2005).
6. De Gennes, Sol. State Commun. 6, 163 (1968).6. De Gennes, Sol. State Commun. 6, 163 (1968).
7. С.П.Палто, ЖЭТФ, 121, вып.2, 309-319 (2002).7. S.P. Palto, ZhETF, 121,
8. S.P.Palto and L.M.Blinov, J.Soc. Elect. Mat. Eng. 14, 115 (2005).8. S.P. Palto and L. M. Blinov, J. Soc. Elect. Mat. Eng. 14, 115 (2005).
9. G.Strangi, V.Barna, R.Caputo, A. de Luca, C.Versace, N.Scaramuzza, C.Umeton, R.Bartolino, G.Price, Phys. Rev. Lett. 94. 063903 (2005).9. G. Strangi, V. Barna, R. Caputo, A. de Luca, C. Versace, N. Scaramuzza, C. Umeton, R. Bartolino, G. Price, Phys. Rev. Lett. 94. 063903 (2005).
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006136027/28A RU2341856C2 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Method of obtaining laser generation and laser element, controlled by electric field |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2006136027/28A RU2341856C2 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Method of obtaining laser generation and laser element, controlled by electric field |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2006136027A RU2006136027A (en) | 2008-04-20 |
RU2341856C2 true RU2341856C2 (en) | 2008-12-20 |
Family
ID=39453687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006136027/28A RU2341856C2 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Method of obtaining laser generation and laser element, controlled by electric field |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2341856C2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2541735C1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-02-20 | Владимир Валентинович Павлов | Solid-state active element |
-
2006
- 2006-10-12 RU RU2006136027/28A patent/RU2341856C2/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2541735C1 (en) * | 2013-10-17 | 2015-02-20 | Владимир Валентинович Павлов | Solid-state active element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2006136027A (en) | 2008-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Furumi et al. | Electrical control of the structure and lasing in chiral photonic band-gap liquid crystals | |
Inoue et al. | Tunable lasing from a cholesteric liquid crystal film embedded with a liquid crystal nanopore network | |
Furumi et al. | Phototunable photonic bandgap in a chiral liquid crystal laser device | |
Gevorgyan et al. | The photonic density of states and the light energy density in cholesteric liquid crystal cells | |
Palffy-Muhoray et al. | Photonics and lasing in liquid crystal materials | |
Chilaya et al. | Different approaches of employing cholesteric liquid crystals in dye lasers | |
Wang et al. | Electrically assisted bandedge mode selection of photonic crystal lasing in chiral nematic liquid crystals | |
Yu et al. | Stabilized electrically induced Helfrich deformation and enhanced color tuning in cholesteric liquid crystals | |
Matsuhisa et al. | Single-mode lasing in one-dimensional periodic structure containing helical structure as a defect | |
Zhan et al. | Low threshold polymerised cholesteric liquid crystal film lasers with red, green and blue colour | |
Song et al. | Electrotunable non‐reciprocal laser emission from a liquid‐crystal photonic device | |
US9303209B2 (en) | Continuous wave directional emission liquid crystal structures and devices | |
Ozaki et al. | Photonic crystals based on chiral liquid crystal | |
Bobrovsky et al. | Fast photo-and electro-optical switching of the polymer-stabilised cholesteric liquid crystal composite prepared by the template method | |
Shirvani-Mahdavi et al. | Circularly polarized high-efficiency cholesteric liquid crystal lasers with a tunablenematic phase retarder | |
Huang et al. | Incident angle and polarization effects on the dye-doped cholesteric liquid crystal laser | |
RU2341856C2 (en) | Method of obtaining laser generation and laser element, controlled by electric field | |
US11444427B2 (en) | Electrically tunable laser with cholesteric liquid crystal heliconical structure | |
Song et al. | Polarization characteristics of phase retardation defect mode lasing in polymeric cholesteric liquid crystals | |
Takezoe | Liquid crystal lasers | |
Song et al. | Lasing from thick anisotropic layer sandwiched between polymeric cholesteric liquid crystal films | |
Furumi et al. | Control of photonic bandgaps in chiral liquid crystals for distributed feedback effect | |
Ortega et al. | Liquid-crystal-based resonant cavities as a strategy to design low-threshold electrically-tunable lasers | |
Takanishi et al. | Defect-mode lasing from a three-layered helical cholesteric liquid crystal structure | |
Yeh et al. | Lasing from isotropic solid layer sandwiched between cholesteric liquid crystals |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20111013 |