RU2341007C2 - Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов - Google Patents

Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов Download PDF

Info

Publication number
RU2341007C2
RU2341007C2 RU2007103507/09A RU2007103507A RU2341007C2 RU 2341007 C2 RU2341007 C2 RU 2341007C2 RU 2007103507/09 A RU2007103507/09 A RU 2007103507/09A RU 2007103507 A RU2007103507 A RU 2007103507A RU 2341007 C2 RU2341007 C2 RU 2341007C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resistive
terminal
phase
amplitude
shaped connection
Prior art date
Application number
RU2007103507/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2007103507A (ru
Inventor
Александр Афанасьевич Головков (RU)
Александр Афанасьевич Головков
Александр Михайлович Мальцев (RU)
Александр Михайлович Мальцев
Василий Игоревич Гайдуков (RU)
Василий Игоревич Гайдуков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище (военный институт)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище (военный институт) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежское высшее военное авиационное инженерное училище (военный институт)
Priority to RU2007103507/09A priority Critical patent/RU2341007C2/ru
Publication of RU2007103507A publication Critical patent/RU2007103507A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2341007C2 publication Critical patent/RU2341007C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Transmitters (AREA)

Abstract

Изобретение относится к радиосвязи и может быть использовано для формирования требуемых амплитудно-частотных характеристик и фазочастотных характеристик фазоманипулированных, амплитудно-манипулированных, а также амплитудно-фазоманипулированных сигналов в заданной полосе частот и преобразования частоты. Достигаемый технический результат - обеспечение манипуляции амплитуды и фазы проходного сигнала в двух состояниях управляемого элемента в широкой полосе частот. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов содержит источник радиочастотных сигналов, двухполюсный управляемый элемент, четырехполюсник, выполненный из резистивных двухполюсников, источник низкочастотного управляющего сигнала, нагрузку для проходных модулированных по амплитуде и фазе радиочастотных сигналов с комплексными проводимостями, при этом значения параметров резистивных элементов, формирующих резистивный четырехполюсник, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициента передачи в двух состояниях управляемого элемента, определяемых двумя крайними значениями низкочастотного управляющего сигнала, которые определены математическими выражениями. 9 з.п. ф-лы, 9 ил.

Description

Изобретение относится к радиосвязи и может быть использовано для формирования требуемых АЧХ и ФЧХ фазоманипулированных, амплитудно-манипулированных, а также амплитудно-фазоманипулированных сигналов в заданной полосе частот и преобразования частоты (переноса спектра входного сигнала по оси частот).
Известен способ манипуляции (модуляции) параметров отраженного сигнала, состоящий в том, что входное сопротивление устройства манипуляции изменяют таким образом, что коэффициент отражения этого устройства изменяет фазу на π, π/2, π/4, причем для разделения входного и отраженного сигнала используют циркулятор [Радиопередающие устройства. / Под редакцией О.А.Челнокова - М.: Радио и связь, 1982, стр.152-156]. Известно устройство реализации этого способа [там же], состоящее из циркулятора, первый вход которого подключен к источнику сигнала, третий вход подключен к нагрузке, а второй подключен к отрезку разомкнутой линии передачи длиной λ/4, в начале которой включен p-i-n диод.
Если диод закрыт, то от сечения, в котором он включен, происходит отражение, отраженная волна попадает в нагрузку с сопротивлением 50 Ом. Если диод открыт, то отражение происходит от конца линии. Фаза отраженного сигнала в одном состоянии диода отличается от фазы отраженного сигнала в другом состоянии диода на π. При необходимости изменения разности фаз длина отрезка линии передачи изменяется соответствующим образом.
Недостатком этого способа и устройства его реализации является то, что в двух состояниях диода изменяется только фаза отраженного сигнала, причем заданные значения разности фаз отраженного сигнала в двух состояниях диода обеспечиваются только на одной фиксированной частоте. Другим недостатком является постоянство амплитуды отраженного сигнала в двух состояниях диода, то есть отсутствие манипуляции амплитуды, что сужает функциональные возможности. Например, это не позволяет обеспечить два канала радиосвязи на одной несущей частоте (один канал можно образовать с помощью манипуляции амплитуды, а другой с помощью манипуляции фазы или не позволяет обеспечить кодировку передаваемой информации). Третьим недостатком следует считать большие массы и габариты, связанные с необходимостью использования отрезков линии передачи. Четвертым недостатком является то, что устройство манипуляции, состоящее из управляемой и неуправляемой частей, включается между источником сигнала и нагрузкой, которые имеют определенные значения сопротивлений. Источник сигнала имеет чисто действительное сопротивление (второй вход). Нагрузка для отраженного сигнала (третий вход) имеет также действительное сопротивление. Манипулятор подключен к разомкнутой (бесконечное сопротивление) или к замкнутой (нулевое сопротивление) линии передачи. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы проходного сигнала. Основным недостатком является отсутствие возможности усиления сигнала с заданными коэффициентами усиления в двух состояниях.
Известен способ манипуляции фазы отраженного сигнала, основанный на использовании двухимпедансных устройств СВЧ [В.Г.Соколинский, В.Г.Шейнкман. Частотные и фазовые модуляторы и манипуляторы. - М.: Радио и связь, 1983, стр.146-158]. Известно устройство реализации этого способа [там же], состоящее из определенного количества реактивных элементов типа L, С параметры которых выбраны из условия обеспечения требуемой произвольной разности фаз коэффициента отражения.
По сравнению с предыдущими способом и устройством данный способ и устройство его реализации не требуют использования полупроводниковых диодов только в открытом и только закрытом состояниях. При любых состояниях диодов, определяемых двумя уровнями низкочастотного управляющего воздействия, при определенных значениях параметров типа L, С может быть обеспечено заданное значение разности фаз отраженного сигнала на фиксированной частоте. Если амплитуда управляющего низкочастотного сигнала между указанными двумя уровнями изменяется непрерывно, то обеспечивается модуляция.
Недостатком является то, что как и первый способ и устройство манипулятор может быть включен только между определенными сопротивлениями. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы и не усиливают амплитуду проходного сигнала с заданными коэффициентами усиления в двух состояниях.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату (прототипом) является способ [Головков А.А. Устройство для модуляции отраженного сигнала. Авт. св-во №1800579 от 09.10 1992 года], состоящий в том, что неуправляемую часть (согласующе-фильтрующее устройство) формируют из определенным образом соединенных между собой двухполюсников, сопротивление каждого двухполюсника выбирают из условия обеспечения одинакового заданного двухуровневого закона изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала при изменении управляемого элемента из одного состояния в другое под действием управляющего низкочастотного напряжения или тока.
Известно устройство (прототип) реализации способа [там же], содержащее циркулятор, первое и третье плечи которого являются СВЧ-входом и выходом, а во второе плечо включены реактивный четырехполюсник и полупроводниковый диод, подключенный к источнику низкочастотного управляющего воздействия, при этом четерехполюсник выполнен в виде Т-образного соединения двухполюсников со значениями реактивных сопротивлений, которые выбраны из условия обеспечения требуемых законов двухуровневого изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала на двух заданных частотах. Так же как и в предыдущих способе и устройстве реализации возможна модуляция фазы и амплитуды, если управляющий сигнал изменяется непрерывно.
Недостатком является то, что во всех устройствах манипулятор может быть включен только между определенными сопротивлениями. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы проходного сигнала в двух состояниях. Третьим важным недостатком всех перечисленных способов и устройств является то, что все элементы согласующе-фильтрующих устройств (четырехполюсников) выполнены реактивными, что связано со стремлением разработчиков не вносить дополнительных потерь путем использования резистивных элементов. Однако резистивные элементы, обладая независимостью своих параметров от частоты в довольно широкой полосе частот (от самых низких частот (единицы кГц) до частот порядка 500...800 МГц), могут обеспечить достаточно широкую полосу частот амплитудно-фазовых манипуляторов при незначительном увеличении потерь, которые могут быть учтены при соответствующем параметрическом синтезе четырехполюсников. Согласование и фильтрация с помощью резистивных четырехполюсников возможно при условии, если сопротивления источника сигнала и нагрузки являются комплексными [Головков А.А. Синтез амплитудных и фазовых манипуляторов отраженного сигнала на резистивных элементах с сосредоточенными параметрами. Радиотехника и электроника, 1992 г, №9, с.1616-1622].
Техническим результатом изобретения является обеспечение манипуляции амплитуды и фазы проходного сигнала в двух состояниях управляемого элемента в широкой полосе частот при незначительном увеличении потерь путем использования резистивных элементов в согласующих четырехполюсниках при включении манипулятора между источником и нагрузкой с комплексными сопротивлениями.
1. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов, состоящем из источника радиочастотных сигналов, двухполюсного управляемого элемента, четырехполюсника, выполненного из двухполюсников, состоящих из количества элементов, не меньшего двух, значения параметров которых выбраны из условия обеспечения требуемых амплитудно-частотных и фазочастотных характеристик в двух состояниях управляемого элемента, подключенного к источнику низкочастотного управляющего сигнала, дополнительно четырехполюсник выполнен из резистивных двухполюсников, управляемый элемент включен между источником радиочастотных сигналов и входом резистивного четырехполюсника в продольную цепь, к выходу четырехполюсника подключена нагрузка для проходных модулированных по амплитуде и фазе радиочастотных сигналов с комплексным сопротивлением, при этом значения параметров резистивных элементов, формирующих резистивный четырехполюсник, выбраны из условий обеспечения требуемых отношений модулей (m) и разностей фаз (φ) коэффициента передачи в двух состояниях управляемого элемента, определяемых двумя крайними значениями низкочастотного управляющего сигнала, которые в математической форме выражаются в следующем виде:
Figure 00000002
z1,2=r1,2+jx1,2 - заданные значения сопротивлений управляемого двухполюсного элемента в двух состояниях (1 и 2), определяемых двумя крайними уровнями низкочастотного управляющего сигнала; zн=rн+jxн, zo=ro+jxo - заданные комплексные сопротивления нагрузки и источника сигнала; Δφ - заданная величина разностей фаз коэффициентов передачи, обеспечивающая физическую реализуемость и наибольшую полосу частот.
2. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного перекрытого Т-образного соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3, r4 двухполюсников, составляющих симметричное перекрытое Т- образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей (m) и разностей фаз (φ) коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000003
Figure 00000004
где
Figure 00000005
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют тот же смысл, что и в п.1.
3. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде Г-образного соединения двух резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих Г-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000006
Figure 00000007
где
Figure 00000008
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
4. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде
Figure 00000009
-образного соединения двух резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих
Figure 00000009
-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых, в общем случае различных, коэффициентов усиления, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000010
Figure 00000011
где
Figure 00000012
D, E, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
5. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3=r1 двухполюсников, составляющих симметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000013
Figure 00000014
где
Figure 00000015
D, Е, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
6. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3 двухполюсников, составляющих несимметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000016
Figure 00000017
где
Figure 00000018
D, Е, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1; значение сопротивления r3 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивления r1, r2.
7. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3 двухполюсников, составляющих несимметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000019
Figure 00000020
где
Figure 00000021
D, Е, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1; значение сопротивления r2 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивления r1, r3.
8. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3 двухполюсников, составляющих несимметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000022
Figure 00000023
где
Figure 00000024
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1; значение сопротивления r1 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивления r2, r3.
9. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде мостовой схемы соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3=r1, r4=r2 двухполюсников, составляющих мостовое соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000025
Figure 00000026
где
Figure 00000027
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
10. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного П-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3=r1 двухполюсников, составляющих П-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000028
Figure 00000029
где
Figure 00000030
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
На фиг.1 показана схема устройства модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов (прототип).
На фиг.2 показана структурная схема предлагаемого устройства по п.1.
На фиг.3 приведена схема четырехполюсника по п.2, входящая в предлагаемое устройство.
На фиг.4 приведена схема четырехполюсника по п.3, входящая в предлагаемое устройство.
На фиг.5 приведена схема четырехполюсника по п.4, входящая в предлагаемое устройство.
На фиг.6 приведена схема четырехполюсника по п.5, входящая в предлагаемое устройство.
На фиг.7 приведена схема четырехполюсников по п.п.6-8, входящих в предлагаемые устройства.
На фиг.8 приведена схема четырехполюсника по п.9, входящая в предлагаемое устройство.
На фиг.9 приведена схема четырехполюсника по п.10, входящая в предлагаемое устройство.
Устройство-прототип содержит циркулятор 1 с входным 2, нагрузочным 3 и выходным 4 плечами, три двухполюсника с реактивными сопротивлениями х1k - 5, х2k - 6, х3k - 7, соединенных между собой по Т-схеме, а также полупроводниковый диод 8, подключенный параллельно к источнику сигнала модуляции 9. Двухполюсник 7 подключен к диоду 8, двухполюсник 5 - к нагрузочному плечу 3 циркулятора 1.
Принцип действия устройства манипуляции параметров сигнала (прототип) состоит в следующем.
Высокочастотный сигнал от источника (на фигуре 1 не показан) через входное плечо 2 циркулятора 1 поступает в нагрузочное плечо 3. В результате взаимодействия пришедшего сигнала с реактивными элементами и диодом и благодаря специальному выбору значений реактивных элементов двухполюсников, значения фаз и амплитуд отраженных сигналов на двух частотах оказывается такими, что в результате их интерференции на выходное плечо 4 циркулятора 1 поступают сигналы, амплитуда и фаза которых в одном состоянии диода 8, определяемом одним крайним значением сигнала модуляции источника 9, отличаются от амплитуды и фазы этих сигналов в другом состоянии диода 8 на заданные величины на соответствующих двух частотах. Максимальная девиация фазы может составлять 360°, минимальная - ноль, максимальное отношение амплитуд равно ∞. Отношения модулей и разности фаз коэффициента отражения реализуются на обеих частотах одинаковыми.
Высокочастотная часть структурной схемы обобщенного предлагаемого устройства по п.1 (фиг.2) состоит из каскадно-соединенных источника сигнала 10, резистивного четырехполюсника 11, двухполюсного управляемого элемента 8 и нагрузки 12.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.2 (фиг.2) содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.3), выполненный из четырех двухполюсников 5, 6, 7, 13 с резистивными сопротивлениями r1, r2, r3=r1, r4, соединенных между собой по симметричной перекрытой Т-схеме, а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9, двухполюсник 5 подключен к управляемому элементу 8. Двухполюсник 7 подключен к нагрузке 12.
Это устройство функционирует следующим образом. Благодаря специальному выбору количества резистивных элементов двухполюсников 5, 6, 7, 13 (фиг.3) схемы их соединений и значений их параметров при переключении управляющего (модулирующего) сигнала на управляемом двухполюсном элементе будет происходить манипуляция параметров проходного сигналов в заданной полосе частот в общем случае различными законами двухуровневого изменения амплитуды и фазы на различных частотах этой полосы частот. Это означает, что на этих частотах реализуются заданные значения, в общем случае различные, отношений модулей, разностей фаз коэффициентов передачи. При непрерывном изменении амплитуды управляющего сигнала будет реализована модуляция проходного сигналов по амплитуде и фазе в общем случае по произвольным законам. Сопротивления r1, r4 определяются аналитически по найденным математическим выражениям однозначно. При этом значения этих сопротивлений функциональным образом зависят от произвольно выбираемого значения сопротивления г2 или выбираемых исходя из каких-либо других физических соображений. В предлагаемом изобретении значения этих сопротивлений выбираются из условий обеспечения физически реализуемых значений r1, r4, а также из условий достижения заданной полосы частот.
Значения сопротивлений r1, r4 двухполюсников 5, 13 кроме того зависят от оптимальных значений элементов матрицы передачи 4-полюсника и заданных комплексных сопротивлений источника сигнала и нагрузки.
При выборе положения двух крайних значений амплитуды управляющего сигнала на краях квадратичного участка вольт-амперной характеристики управляемого элемента и частоты управляющего сигнала, соизмеримой с частотой источника сигнала, данное устройство функционирует как преобразователь частоты.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.3 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.4), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде Г-образного соединения двух двухполюсников. Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.4 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.5), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде
Figure 00000009
-образного соединения двух двухполюсников. Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.5 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.6), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного Т-образного соединения трех двухполюсников. Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.6 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.7), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех двухполюсников. При этом в явном виде определяются с помощью математических выражений оптимальные значения сопротивлений r1, r2. Значение сопротивления r3 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r1, r2 (из условия обеспечения их неотрицательными). Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.7. содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.7), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех двухполюсников. При этом в явном виде определяются с помощью математических выражений оптимальные значения сопротивлений r1, r3. Значение сопротивления r2 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r1, r3 (из условия обеспечения их неотрицательными). Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.8. содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.7), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех двухполюсников. При этом в явном виде определяются с помощью математических выражений оптимальные значения сопротивлений r2, r3. Значение сопротивления r1 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r2, r3 (из условия обеспечения их неотрицательными). Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.9 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.8), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде мостовой схемы соединения четырех двухполюсников. При этом в явном виде определяются с помощью математических выражений оптимальные значения сопротивлений r3=r1, r4=r2. Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигналов по п.10 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.9), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричной схемы П-образного соединения трех двухполюсников. При этом в явном виде определяются с помощью математических выражений оптимальные значения сопротивлений r1, r2 r3=r1 Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.2.
Анализ условий физической реализуемости указанных девяти вариантов выполнения резистивного четырехполюсника (фиг.3-9) предлагаемого устройства (фиг.2) показывает, что из этого количества вариантов при произвольных заданных сопротивлений источника сигнала и нагрузки всегда найдется такой вариант, что значения резистивных сопротивлений этого четырехполюсника, рассчитанные по вышеприведенным формулам, будут положительными, то есть физически реализуемыми. Наоборот, для каждого отдельно взятого варианта всегда найдутся такие значения сопротивлений источников сигнала и нагрузки, что значения резистивных сопротивлений четырехполюсников, рассчитанные по вышеприведенным формулам, окажутся физически реализуемыми.
Докажем возможность реализации указанных свойств.
Пусть комплексные сопротивления нагрузки zн=rн+jxн, источника сигнала zo=ro+jxo, a также проводимости двухполюсного управляемого элемента z1,2=r1,2+jx1,2 в двух состояниях известны, то есть известна его классическая матрица передачи:
Figure 00000031
Резистивный четырехполюсник описывается матрицей передачи:
Figure 00000032
где
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
a, b, с, d - элементы классической матрицы передачи четырехполюсника [Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1965. 40 с].
Эквивалентная схема манипулятора представляется в виде 4-х каскадно-соединенных четырехполюсников (фиг.2).
Общая нормированная классическая матрица передачи манипулятора имеет вид:
Figure 00000036
Используя известную связь элементов матрицы рассеяния [Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1965. 40 с], получим выражение для коэффициента передачи манипулятора S21I,II в двух состояниях диода:
Figure 00000037
Пусть требуется определить схему резистивного четырехполюсника и значения параметров резистивных элементов двухполюсников, входящих в него, при которых возможно обеспечить заданные отношения модулей
Figure 00000038
и разность фаз φ=argS21I-argS21II в двух состояниях диода:
Figure 00000039
Подставим (4) в (5) и после несложных, но громоздких преобразований и разделения комплексного уравнения на действительную и мнимую части получим систему двух алгебраических уравнений:
Figure 00000040
Решение системы (6) имеет вид двух взаимосвязей между элементами искомой матрицы передачи, оптимальных по критерию обеспечения заданного закона изменения (5) на фиксированной частоте:
Figure 00000041
где
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Поскольку D2-EF=-xн2, то границей области физической реализуемости является область изменения φ, которая удовлетворяет условию равенства нулю знаменателя в выражениях для F, E, D.
Решение уравнения, вытекающего из этого равенства, дает выражение для граничного значения разности фаз коэффициентов передачи в двух состояниях управляемого элемента:
Figure 00000045
Figure 00000046
Как показывают расчеты, при приближении значения разности фаз коэффициентов передачи модулятора в двух состояниях управляемого элемента к значению φгр рабочая полоса частот модулятора становится наибольшей. Поэтому значения φ следует выбирать из равенства:
Figure 00000047
где Δφ - некоторая небольшая добавочная разность фаз, которая обеспечивает физическую реализуемость. При этом чем меньше Δφ, тем больше полоса частот.
Областью физической реализуемости является область изменения разности фаз φ>φгр при условии xн>0 или φ<φгр при условии xн<0. Для обеспечения этой области физической реализуемости необходимо, чтобы подкоренное выражение в (9) было неотрицательно. Из этого условия находим ограничение на квадрат отношения модулей коэффициентов передачи в двух состояниях управляемого элемента:
Figure 00000048
где
Figure 00000049
Figure 00000050
- качество управляемого двухполюсного элемента, включенного в состав манипулятора вместе с резистивным четырехполюсником, источником сигнала и нагрузкой с комплексными сопротивлениями. Понятие "качество управляемого двухполюсного элемента", включенного в состав модулятора амплитуды и фазы с резистивным четырехполюсником, введено здесь впервые по аналогии с качеством управляемого двухполюсного элемента, включенного в состав манипулятора вместе с реактивным четырехполюсником [Kawakami S. Figure of Merit Associated with a Variable Parameter One-Port for RF Switching and Modulation // IEEE Trans: 1965. CT-12. №3. С.320-328; Головков А.А., Минаков В.Г. Взаимосвязи между элементами матрицы сопротивлений и их использование для синтеза согласующе-фильтрующих устройств амплитудно-фазовых манипуляторов. Телекоммуникации, №8, 2004, с.29-32]. Качество двухполюсного управляемого элемента характеризует меру различия сопротивления элемента в двух состояниях, определяемых двумя уровнями управляющего сигнала, с учетом проводимости или сопротивления источника сигнала.
Подкоренное выражение в (10) всегда положительно.
Полученная система двух взаимосвязей (8) между элементами матрицы передачи резистивного четырехполюсника означает, что двухуровневые манипуляторы амплитуды и (или) фазы проходного сигнала должны содержать не менее чем два независимых резистивных элемента, значения параметров которых должны удовлетворять системе двух уравнений, сформированных на основе этих взаимосвязей. Для отыскания оптимальных значений параметров резистивного четырехполюсника необходимо выбрать какую-либо схему из М≥2 элементов, найти ее матрицу передачи, элементы которой выражены через параметры схемы резистивного четырехполюсника, и подставить их в (8). Сформированная таким образом система уравнений должна быть решена относительно выбранных двух параметров. Значения остальных М-2 параметров могут быть отнесены к сопротивлению zo или заданы произвольно. После использования описанного алгоритма будет реализована двухуровневая манипуляция амплитуды и фазы проходного сигнала с заданными отношениями модулей и разностями фаз коэффициентов передачи транзисторного манипулятора.
На основе использования описанного алгоритма для симметричной схемы резистивного четырехполюсника в виде симметричного перекрытого Т-образного соединения трех двухполюсников (фиг.3) для усиливающего манипулятора получены математические выражения для определения значений сопротивлений r1, r4 двухполюсников. Здесь же приведена матрица передачи соответствующего четырехполюсника:
Figure 00000051
Figure 00000052
Предлагаемые технические решения имеют изобретательский уровень, поскольку из опубликованных научных данных и известных технических решений явным образом не следует, что заявленная последовательность операций (формирование резистивного четырехполюсника соединенными между собой двухполюсниками по симметричной перекрытой Т-схеме (Г-образной схеме,
Figure 00000009
-образной схеме, симметричной Т-образной схеме, несимметричной Т-образной схеме с тремя вариантами решения задачи параметрического синтеза, симметричной П-образной схеме и мостовой схеме) с выбором значений параметров резистивных элементов двухполюсников из условия обеспечения двухуровневого изменения амплитуды и фазы проходного сигналов в наибольшей полосе частот при изменении состояния управляемого двухполюсного элемента, включенного между источником радиочастотного сигнала и входом резистивного четырехполюсника в продольную цепь (последовательно), к выходу которого подключена нагрузка, при произвольных значениях сопротивлений источника сигнала и нагрузки, при этом разность фаз коэффициентов передачи в двух состояниях управляемого элемента выбрана из условия обеспечения физической реализуемости и наибольшей полосы частот.
Предлагаемые технические решения практически применимы, так как для их реализации могут быть использованы серийно выпускаемые промышленностью полупроводниковые диоды и резисторы, сформированные в заявленную схему резистивного четырехполюсника в виде перечисленных схем соединения двухполюсников. Значения параметров резисторов однозначно могут быть определены с помощью математических выражений, приведенных в формуле изобретения.
Технико-экономическая эффективность предложенного способа и устройства его реализации заключается в одновременном обеспечении манипуляции амплитуды и фазы и усиления амплитуды проходного сигнала в двух состояниях управляемого двухполюсного элемента с наибольшей рабочей полосой частот при минимальном количестве резистивных элементов четырехполюсника.

Claims (10)

1. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов, состоящее из источника радиочастотных сигналов, двухполюсного управляемого элемента, четырехполюсника, выполненного из количества двухполюсников, не меньшего двух, значения параметров которых выбраны из условия обеспечения требуемых амплитудно-частотных и фазочастотных характеристик в двух состояниях управляемого элемента, подключенного к источнику низкочастотного управляющего сигнала, отличающееся тем, что четырехполюсник выполнен из резистивных двухполюсников, двухполюсный управляемый элемент включен между источником радиочастотных сигналов и входом резистивного четырехполюсника в продольную цепь, к выходу четырехполюсника подключена нагрузка для проходных модулированных по амплитуде и фазе радиочастотных сигналов с комплексными проводимостями, при этом значения параметров резистивных элементов, формирующих резистивный четырехполюсник, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициента передачи в двух состояниях управляемого элемента, определяемых двумя крайними значениями низкочастотного управляющего сигнала, которые в математической форме выражаются в следующем виде:
α=-γ(D+rH)+E; β=-Fγ+D-rн,
где
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
а, b, с, d - элементы классической матрицы передачи;
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
z1,2=r1,2+jx1,2 - заданные значения сопротивлений управляемого двухполюсного элемента в двух состояниях (1 и 2), определяемых двумя крайними уровнями низкочастотного управляющего сигнала; zн=rн+jxн, zo=rо+jxо - заданные комплексные сопротивления нагрузки и источника сигнала; Δφ - заданная величина разностей фаз коэффициентов передачи, обеспечивающая физическую реализуемость и наибольшую полосу частот.
2. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного перекрытого Т-образного соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3, r4 двухполюсников, составляющих симметричное перекрытое Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей (m) и разностей фаз (φ) коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000061
Figure 00000062
где
Figure 00000063
D, E, F, rн, хн и остальные обозначения имеют тот же смысл, что и в п.1.
3. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде Г-образного соединения двух резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих Г-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000064
Figure 00000065
где
Figure 00000066
D, E, F, rн, хн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
4. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде
Figure 00000067
-образного соединения двух резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих
Figure 00000067
-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000068
Figure 00000069
где
Figure 00000070
D, Е, rн, хн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
5. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3=r1 двухполюсников, составляющих симметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000071
Figure 00000072
где
Figure 00000073
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
6. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3 двухполюсников, составляющих несимметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000074
Figure 00000075
где
Figure 00000076
D, Е, rн, хн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1; значение сопротивления r3 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивления r1, r2.
7. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3 двухполюсников, составляющих несимметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых коэффициентов усиления, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000077
Figure 00000078
где
Figure 00000079
D, Е, rн, хн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1; значение сопротивления r2 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивления r1, r3.
8. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного Т-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3 двухполюсников, составляющих несимметричное Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000080
Figure 00000081
где
Figure 00000082
D, E, F, rн, xн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1; значение сопротивления r1 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивления r2, r3.
9. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде мостовой схемы соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3=r1, r4=r2 двухполюсников, составляющих мостовое соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000083
Figure 00000084
где
Figure 00000085
D, E, F, rн, хн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
10. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде симметричного П-образного соединения трех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3=r1 двухполюсников, составляющих П-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
Figure 00000086
Figure 00000087
где
Figure 00000088
D, E, F, rн, хн и остальные обозначения имеют такой же смысл, как и в п.1.
RU2007103507/09A 2007-01-29 2007-01-29 Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов RU2341007C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007103507/09A RU2341007C2 (ru) 2007-01-29 2007-01-29 Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007103507/09A RU2341007C2 (ru) 2007-01-29 2007-01-29 Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007103507A RU2007103507A (ru) 2008-08-10
RU2341007C2 true RU2341007C2 (ru) 2008-12-10

Family

ID=39745852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007103507/09A RU2341007C2 (ru) 2007-01-29 2007-01-29 Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2341007C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2663558C1 (ru) * 2017-06-27 2018-08-07 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Способ модуляции амплитуды и фазы высокочастотных сигналов и устройство его реализации

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
БАЛАКИРЕВ М.В. и др. Радиопередающие устройства. / Под ред. О.А.Челнокова. - М.: Радио и связь, 1982, с.143-150. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2663558C1 (ru) * 2017-06-27 2018-08-07 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации Способ модуляции амплитуды и фазы высокочастотных сигналов и устройство его реализации

Also Published As

Publication number Publication date
RU2007103507A (ru) 2008-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2342769C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2354039C1 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2341006C2 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройства его реализации
RU2341866C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2341011C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2354040C1 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2353049C1 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2341867C2 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы многочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2341007C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2342768C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2341008C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2341010C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов
RU2342770C2 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2496224C2 (ru) Способ амплитудно-фазовой модуляции высокочастотного сигнала и устройство его реализации
RU2341865C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы многочастотных сигналов
RU2341009C2 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройства его реализации
RU2589304C1 (ru) Способ амплитудно-фазовой модуляции высокочастотного сигнала и устройство его реализации
RU2341012C2 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2341014C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы многочастотных сигналов
RU2494529C2 (ru) Способ амплитудно-фазовой модуляции высокочастотного сигнала и устройство его реализации
RU2354038C1 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2341868C2 (ru) Устройство модуляции амплитуды и фазы многочастотных сигналов
RU2694784C2 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы высокочастотных сигналов и устройство его реализации
RU2494528C2 (ru) Способ амплитудно-фазовой модуляции высокочастотного сигнала и устройство его реализации
RU2663554C1 (ru) Способ модуляции амплитуды и фазы высокочастотных сигналов и устройство его реализации

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090130