RU2336596C1 - Semiconductor photoelectric generator (versions) - Google Patents

Semiconductor photoelectric generator (versions) Download PDF

Info

Publication number
RU2336596C1
RU2336596C1 RU2007113493/28A RU2007113493A RU2336596C1 RU 2336596 C1 RU2336596 C1 RU 2336596C1 RU 2007113493/28 A RU2007113493/28 A RU 2007113493/28A RU 2007113493 A RU2007113493 A RU 2007113493A RU 2336596 C1 RU2336596 C1 RU 2336596C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
generator
nanoclusters
insulating film
semiconductor photoelectric
junctions
Prior art date
Application number
RU2007113493/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Дмитрий Семенович Стребков (RU)
Дмитрий Семенович Стребков
Ольга В чеславовна Шеповалова (RU)
Ольга Вячеславовна Шеповалова
Виталий Викторович Заддэ (RU)
Виталий Викторович Заддэ
Original Assignee
Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) filed Critical Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ)
Priority to RU2007113493/28A priority Critical patent/RU2336596C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2336596C1 publication Critical patent/RU2336596C1/en

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

FIELD: physics, phototechnics.
SUBSTANCE: invention concerns electronic technics, particularly devices converting electromagnetic emission energy into electric energy, and technologies of their manufacturing, particularly semiconductor photoelectric generators. Semiconductor photoelectric generator takes form of a matrix of commuted microphotoconverters with one or two linear dimensions comparable to diffusion length of secondary current carriers in base area; p-n transition planes are perpendicular to working surface of generator; microphotoconverter surface free of n-p transitions carries a 10-30 nm thick insulating film with 10-40 nm metal clusters positioned on it at 60-120 nm distance from each other; and dielectric layer of passivating antireflection coating is laid over nanoclusters. Two more embodiments of photoelectric generator are claimed.
EFFECT: improved efficiency of photoelectric generator and electromagnetic radiation conversion for single emission.
3 cl, 4 dwg

Description

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам.The invention relates to electronic equipment, namely to devices that convert the energy of electromagnetic radiation into electrical energy, and the technology for their manufacture, in particular to semiconductor photoelectric generators.

Известен фотоэлектрический генератор матричного типа (патент РФ №2265915, 2005 г., МПК Н01L 31/18), в котором на полупроводниковой подложке расположены эпитаксиальные слои n и р-типа, а запирающий эффект обратносмещенных переходов устранен путем импульсного пробоя. Недостатком указанного преобразователя является недостаточно высокий кпд, не превышающий 8.6% при однократной интенсивности освещения.A matrix-type photoelectric generator is known (RF patent No. 2265915, 2005, IPC H01L 31/18), in which n and p-type epitaxial layers are located on a semiconductor substrate, and the blocking effect of reverse biased transitions is eliminated by pulse breakdown. The disadvantage of this Converter is not high enough efficiency, not exceeding 8.6% at a single light intensity.

Так же известен преобразователь солнечной энергии в электрическую (патент РФ №2217845, 2003 г., МПК Н01L 31/04) на основе фоточувствительного слоя на металлической пластине, содержащий металлические наночастицы в n-слое полупроводникового полимера и полупроводниковые нанокристаллы р-типа. Недостатком указанного преобразователя является нестабильность состояния, обеспечивающего возрастание диэлектрической проницаемости среды фоточувствительного слоя, увеличение потерь в n-области и появление эффекта фотонной деградации.A solar to electric energy converter is also known (RF patent No. 2117845, 2003, IPC H01L 31/04) based on a photosensitive layer on a metal plate containing metal nanoparticles in the n-layer of a semiconductor polymer and p-type semiconductor nanocrystals. The disadvantage of this Converter is the instability of the state, providing an increase in the dielectric constant of the medium of the photosensitive layer, an increase in losses in the n-region and the appearance of the effect of photon degradation.

В качестве прототипа принята конструкция фотоэлектрического генератора (А.с. №288163 СССР, 1967 г., МПК Н01L 31/042), выполненного в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости р-n - переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора.The design of the photoelectric generator (A.S. No. 288163 USSR, 1967, IPC Н01L 31/042), made in the form of a matrix of commutated microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority carriers in base region, and the plane pn - transitions perpendicular to the working surface of the generator.

Недостатком указанного преобразователя является недостаточно высокая эффективность преобразования.The disadvantage of this Converter is not a high conversion efficiency.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение кпд фотоэлектрического генератора, повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения.The objective of the invention is to increase the efficiency of the photoelectric generator, increasing the conversion efficiency of electromagnetic radiation.

Вышеуказанный результат достигается тем, что в полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе, выполненном в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости р-n - переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от n-р - переходов, размещена изолирующая пленка толщиной 10-30 нм, на которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм с расстоянием между нанокластерами 60-120 нм, а над нанокластерами расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика.The above result is achieved by the fact that in a semiconductor photoelectric generator, made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the plane of pn junctions is perpendicular to the working surface of the generator, on the surface of microphotoconverters free of np junctions, an insulating film 10–30 nm thick is placed on which metal nanoclusters 10–40 nm in size are placed with a distance between nanoclusters of 60-120 nm, and above the nanoclusters there is a layer of a passivating antireflection coating of dielectric.

Так же увеличение кпд и эффективности преобразования достигается тем, что в полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе, выполненном в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-р - переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от р-n - переходов, размещена изолирующая пленка, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, а над пленкой расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика.An increase in efficiency and conversion efficiency is also achieved by the fact that in a semiconductor photoelectric generator made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the n-p transition planes are perpendicular the working surface of the generator, on the surface of microphototransducers free of pn junctions, an insulating film is placed in which nanoclusters of metal ra mer 10-40 nm and over the film is a layer of a passivating dielectric antireflection coating.

Так же увеличение кпд и эффективности преобразования достигается тем, что в полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе, выполненном в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-р - переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, отличающийся тем, что на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от р-n - переходов, размещена изолирующая пленка, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, при этом изолирующая пленка выполняет функцию пассивирующего антиотражающего покрытия.An increase in efficiency and conversion efficiency is also achieved by the fact that in a semiconductor photoelectric generator made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the n-p transition planes are perpendicular the working surface of the generator, characterized in that on the surface of the microphototransducers free of pn junctions, an insulating film is placed in which nanoparticles are placed metal cluster size of 10-40 nm, the insulating film serves as a passivating antireflective coating.

Сущность изобретения поясняется фиг.1-4.The invention is illustrated figure 1-4.

На фиг.1 показаны основные элементы конструкции полупроводниковых фотоэлектрических генераторов с нанокластерами, расположенными на изолирующей пленке, с базовой областью n-типа. На фиг.2 показаны основные элементы конструкции полупроводниковых фотоэлектрических генераторов с эпитаксиальными вертикальными р-n - переходами с нанокластарами, расположенными на изолирующей пленке, для варианта подложки n-типа. На фиг.3 показаны основные элементы конструкции полупроводниковых фотоэлектрических генераторов с размещенными в изолирующей пленке нанокластерами. На фиг.4 показаны основные элементы конструкции полупроводниковых фотоэлектрических генераторов с нанокластерами внутри изолирующей пленки, которая выполняет функцию пассивирующего антиотражающего покрытия.Figure 1 shows the basic structural elements of semiconductor photoelectric generators with nanoclusters located on an insulating film with an n-type base region. Figure 2 shows the basic structural elements of semiconductor photoelectric generators with epitaxial vertical pn junctions with nanoclusters located on an insulating film for an n-type substrate variant. Figure 3 shows the basic structural elements of semiconductor photoelectric generators with nanoclusters placed in an insulating film. Figure 4 shows the basic structural elements of semiconductor photoelectric generators with nanoclusters inside an insulating film, which serves as a passivating antireflection coating.

На фиг.1 фотоэлектрический генератор состоит из микрофотопреобразователей 1, содержащих n-р - переходы 2, базовую область 4 n-типа и легированный слой 5, рабочей поверхности 3, внешних металлических контактов 6, внутренних металлических контактов 7, изолирующей пленки 8, нанокластеров 9, пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика 10, свободной от n-р - переходов поверхности 11. При этом n-р - переходы 2 расположены перпендикулярно рабочей поверхности 3. Один или два линейных размера микрофотопреобразователей 1 соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области 4. Изолирующая пленка 8 расположена на свободной от n-р переходов поверхности 11, толщина пленки 8 10-30 нм. На изолирующей пленке 8 размещены нанокластеры 9, размер которых 10-40 нм, а расстояние между нанокластерами 9 составляет 60-120 нм. Над нанокластерами 9 расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика 10.In Fig. 1, the photoelectric generator consists of microphototransducers 1 containing np junctions 2, an n-type base region 4 and a doped layer 5, a work surface 3, external metal contacts 6, internal metal contacts 7, an insulating film 8, nanoclusters 9 passivating antireflection coating of a dielectric 10, free from n-p - transitions of the surface 11. In this case, the n-p - transitions 2 are perpendicular to the working surface 3. One or two linear sizes of microphotoconverters 1 are comparable with diffusion d other minority carriers in the base region 4. The insulating film 8 located on the free n-p transition surface 11, the film thickness of 8 nm 10-30. On the insulating film 8 there are nanoclusters 9, the size of which is 10-40 nm, and the distance between the nanoclusters 9 is 60-120 nm. Above nanoclusters 9 is a layer of a passivating antireflection coating of dielectric 10.

На фиг.2 на подложке n-типа 12 размещены эпитаксиальные слои n-типа 5 и р-типа 4, пробитые обратносмещенные р-n - переходы 7, а внутренние металлические контакты отсутствуют.In Fig. 2, n-type 5 and p-type 4 epitaxial layers are placed on an n-type substrate 12, punctured reverse biased p-n junctions 7, and no internal metal contacts.

На фиг.3 нанокластеры 9 размещены внутри изолирующей пленки 8, а пассивирующее антиотражающее покрытие 10 расположено на изолирующей пленке 8.In figure 3, nanoclusters 9 are placed inside the insulating film 8, and a passivating antireflection coating 10 is located on the insulating film 8.

На фиг.4 нанокластеры 9 размещены внутри изолирующей пленки 8, которая выполняет функцию пассивирующего антиотражающего покрытия.In figure 4, nanoclusters 9 are placed inside an insulating film 8, which acts as a passivating antireflection coating.

Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.

Падающее на рабочую поверхность 3 электромагнитное излучение через пассивирующее антиотражающее покрытие 10 и изолирующую пленку 8 поступает на поверхности 11 микрофотопреобразователей 1, свободные от n-р переходов 2, например, перпендикулярно n-р переходам 2. Происходит поглощение фотонов, сопровождающееся образованием электронно-дырочных пар и появлением избыточных носителей заряда. Электронно-дырочные пары разделяются полем, что вызывает во внешней цепи фототок, направленный к базовой области 4. Одновременно излучение поступает на нанокластеры 9. При этом частота плазменного резонанса нанокластеров 9 соответствует частоте падающего электромагнитного излучения что позволяет переизлучать падающее излучение через изолирующую пленку 8, и т.о. создается среда, в которой распространяется электромагнитная волна. Происходит резкое увеличение количества неосновных носителей заряда и увеличение функции генерации.Electromagnetic radiation incident on the working surface 3 through a passivating antireflection coating 10 and an insulating film 8 enters the surface 11 of the microphotoconverters 1, free of n-p junctions 2, for example, perpendicular to the n-j transitions 2. Photon absorption occurs, accompanied by the formation of electron-hole pairs and the appearance of excess charge carriers. The electron-hole pairs are separated by a field, which causes a photocurrent in the external circuit directed to the base region 4. At the same time, the radiation enters the nanoclusters 9. The frequency of the plasma resonance of the nanoclusters 9 corresponds to the frequency of the incident electromagnetic radiation, which allows the incident radiation to reradiate through the insulating film 8, and thus an environment is created in which an electromagnetic wave propagates. There is a sharp increase in the number of minority charge carriers and an increase in the generation function.

В устройстве по п.2 через пассивирующее антиотражающее покрытие из диэлектрика 10 излучение поступает на нанокластеры 9, расположенные в изолирующей пленке 8.In the device according to claim 2, through a passivating antireflection coating of dielectric 10, the radiation enters the nanoclusters 9 located in the insulating film 8.

В устройстве по п.3 электромагнитное излучение поступает непосредственно на изолирующую пленку 8, которая выполняет функцию пассивирующего антиотражающего покрытия, и расположенные в ней нанокластеры 9.In the device according to claim 3, the electromagnetic radiation directly enters the insulating film 8, which performs the function of a passivating antireflection coating, and the nanoclusters 9 located therein.

Сочетание оптических, механических и диффузионных характеристик покрытия и характеристик нанокластеров позволяет в ряде случаев использовать изолирующую, диэлектрическую пленку, в которой размещены нанокластеры и в качестве антиотражающего покрытия (без дополнительного пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика над пленкой).The combination of the optical, mechanical, and diffusion characteristics of the coating and the characteristics of nanoclusters makes it possible in some cases to use an insulating, dielectric film in which nanoclusters are placed and as an antireflection coating (without an additional passivating antireflection coating made of a dielectric above the film).

Т.к. для матричных фотоэлектрических генераторов характерна возможность генерации носителей заряда практически во всем объеме, то введение дополнительных источников генерации носителей в виде нанокластеров позволяет достичь при однократном излучении значений кпд, достижимых в других конструкциях при высоких концентрациях излучения. Таким образом, рост функции генерации в базовой области, повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения приводит к повышению кпд в предлагаемой конструкции фотоэлектрического генератора в реальных условиях эксплуатации по сравнению с известными конструкциями.Because Since matrix photoelectric generators are characterized by the possibility of generating charge carriers in almost the entire volume, the introduction of additional sources of carrier generation in the form of nanoclusters makes it possible to achieve efficiency with a single radiation, which can be achieved in other structures at high radiation concentrations. Thus, an increase in the generation function in the base region, an increase in the efficiency of conversion of electromagnetic radiation leads to an increase in the efficiency in the proposed design of the photoelectric generator in real operating conditions in comparison with the known structures.

Пример выполнения полупроводникового фотоэлектрическиого генератора.An example of a semiconductor photoelectric generator.

ПРИМЕР 1. Фотоэлектрический генератор представляет собой матрицу из столбика микрофотопреобразователей с вертикальной n-p-n...-р - структурой. Микрофотопреобразователи представляют собой пластины кремния марки КДБ 0,5(0.1) с диффузионными переходами и сплошными омическими контактами из индия с обоих n- и р-сторон пластин. На поверхности, свободной от n-р - переходов, размещена изолирующая пленка двуокиси кремния толщиной 10-20 нм, на которой расположены нанокластеры металла, например золота, размером 10-40 нм, при этом расстояние между нанокластерами 60-120 нм. Над нанокластерами расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика типа нитрида кремния SixNу.EXAMPLE 1. A photoelectric generator is a matrix of a column of microphototransducers with a vertical npn ...- p structure. Microphototransducers are KDB 0.5 (0.1) grade silicon wafers with diffusion transitions and continuous ohmic contacts from indium on both n- and p-sides of the wafers. On the surface free of np junctions, an insulating silicon dioxide film 10–20 nm thick is placed, on which metal nanoclusters, for example, gold, 10–40 nm in size are located, with a distance between nanoclusters of 60–120 nm. Above the nanoclusters is a layer of a passivating antireflection coating of a dielectric such as silicon nitride Si x N у .

ПРИМЕР 2. Фотоэлектрический генератор представляет собой многослойную эпитаксиальную n-p-n...-р - структуру на полупроводниковой подложке из кремния n-типа марки КДБ 0,5(0.1) с пробитыми обратносмещенными р-n - переходами. На поверхности, свободной от n-р - переходов, размещена изолирующая пленка двуокиси кремния толщиной 10-20 нм, на которой расположены нанокластеры металла, например атомов серебра, размером 10-40 нм, при этом расстояние между нанокластерами 60-120 нм. Над нанокластерами расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика типа нитрида кремния SixNу.EXAMPLE 2. The photoelectric generator is a multilayer epitaxial npn ...- p structure on a semiconductor substrate of n-type silicon of the KDB 0.5 (0.1) grade with punched reverse biased pn junctions. On the surface free of np junctions, an insulating silicon dioxide film 10–20 nm thick is placed on which metal nanoclusters, for example silver atoms, 10–40 nm in size are located, and the distance between the nanoclusters is 60–120 nm. Above the nanoclusters is a layer of a passivating antireflection coating of a dielectric such as silicon nitride Si x N у .

Следует отметить, что указанные примеры осуществления никак не ограничивают притязания заявителя, которые могут быть определены прилагаемой формулой изобретения, и множество модификаций и усовершенствований может быть сделано в рамках настоящего изобретения. Например, возможно создание в микрофотопреобразователях дополнительных р-n- или изотопных переходов, а также создание косоугольных матриц.It should be noted that these examples of implementation do not limit the claims of the applicant, which can be determined by the attached claims, and many modifications and improvements can be made in the framework of the present invention. For example, it is possible to create additional pn or isotope transitions in microphototransducers, as well as the creation of oblique matrices.

Claims (3)

1. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости р-n-переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, отличающийся тем, что на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от n-р-переходов размещена изолирующая пленка толщиной 10-30 нм, на которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм с расстоянием между нанокластерами 60-120 нм, а над нанокластерами расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика.1. A semiconductor photoelectric generator made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the plane of the pn junctions is perpendicular to the working surface of the generator, characterized in that on the surface of microphotoconverters, free of n-p junctions, an insulating film 10–30 nm thick is placed, on which metal nanoclusters 10–40 nm in size with a distance between nanoclaves are placed 60–120 nm, and above the nanoclusters there is a layer of a passivating antireflection coating of dielectric. 2. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-р-переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, отличающийся тем, что на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от р-n-переходов размещена изолирующая пленка, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, а над пленкой расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика.2. A semiconductor photoelectric generator made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the n-p junction planes are perpendicular to the generator working surface, characterized in that on the surface microphotoconverters, free from pn junctions, an insulating film is placed in which metal nanoclusters 10-40 nm in size are placed, and a passivating layer is located above the film a dielectric antireflection coating. 3. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-р-переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, отличающийся тем, что на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от р-n-переходов размещена изолирующая пленка, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, при этом изолирующая пленка выполняет функцию пассивирующего антиотражающего покрытия.3. A semiconductor photoelectric generator made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the n-p junction planes are perpendicular to the generator working surface, characterized in that on the surface microphotoconverters, free from pn junctions, an insulating film is placed in which metal nanoclusters 10-40 nm in size are placed, while the insulating film performs the function iju passivating antireflective coating.
RU2007113493/28A 2007-04-11 2007-04-11 Semiconductor photoelectric generator (versions) RU2336596C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007113493/28A RU2336596C1 (en) 2007-04-11 2007-04-11 Semiconductor photoelectric generator (versions)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007113493/28A RU2336596C1 (en) 2007-04-11 2007-04-11 Semiconductor photoelectric generator (versions)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2336596C1 true RU2336596C1 (en) 2008-10-20

Family

ID=40041363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007113493/28A RU2336596C1 (en) 2007-04-11 2007-04-11 Semiconductor photoelectric generator (versions)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2336596C1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2444087C2 (en) * 2009-12-11 2012-02-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric converter and method of making said converter (versions)
RU2444088C2 (en) * 2009-12-30 2012-02-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric converter and method of making said converter (versions)
RU2444089C2 (en) * 2010-02-10 2012-02-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric generator and method of making said generator
RU2494496C2 (en) * 2011-12-28 2013-09-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric generator (versions)
RU2532137C2 (en) * 2009-09-18 2014-10-27 Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. Solar cell, solar cell fabrication method and solar cell module

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2532137C2 (en) * 2009-09-18 2014-10-27 Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. Solar cell, solar cell fabrication method and solar cell module
RU2444087C2 (en) * 2009-12-11 2012-02-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric converter and method of making said converter (versions)
RU2444088C2 (en) * 2009-12-30 2012-02-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric converter and method of making said converter (versions)
RU2444089C2 (en) * 2010-02-10 2012-02-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric generator and method of making said generator
RU2494496C2 (en) * 2011-12-28 2013-09-27 Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) Semiconductor photoelectric generator (versions)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7718888B2 (en) Solar cell having polymer heterojunction contacts
AU2007248865B2 (en) Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US8580599B2 (en) Bypass diode for a solar cell
US8816191B2 (en) High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof
CN103700713A (en) Solar cell and method of manufacturing the same
RU2336596C1 (en) Semiconductor photoelectric generator (versions)
RU2374720C1 (en) Photoelectric converter (versions) and method of making said converter
EA017920B1 (en) Electromagnetic radiation converter and a battery
RU2590284C1 (en) Solar cell
KR100953448B1 (en) Photoelectric conversion device using semiconductor nano material and method for manufacturing thereof
KR101284271B1 (en) Method of preparing solar cell and solar cell prepared by the same
RU2331139C1 (en) Photo-electric converter and method of its production (versions)
RU2357325C1 (en) Semiconductor photoelectric generator and method of making it
RU2373607C1 (en) Semiconductor photoelectric generator and method of making said generator
RU2371811C1 (en) Semiconductor photoelectric generator (versions) and method of making said generator (versions)
Vernon et al. High performance porous silicon solar cell development
KR101034318B1 (en) Solar cell and method of manufacturing solar cell
RU2494496C2 (en) Semiconductor photoelectric generator (versions)
RU2387048C1 (en) Photoelectric converter
KR20110074252A (en) Thin film solar cell and methode for fabricating the same
KR20180034091A (en) Silicon solar cell and Method for manufacturing thereof
Nakamura et al. Performance improvement of front junction n-type PERT solar cell by wafer thinning
RU84625U1 (en) PHOTOELECTRIC CONVERTER
RU2242064C1 (en) Solar cell
RU2444087C2 (en) Semiconductor photoelectric converter and method of making said converter (versions)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20090412