RU2329333C1 - Method of preparation of quasi-crystalline films on basis of aluminium - Google Patents
Method of preparation of quasi-crystalline films on basis of aluminium Download PDFInfo
- Publication number
- RU2329333C1 RU2329333C1 RU2006136103/02A RU2006136103A RU2329333C1 RU 2329333 C1 RU2329333 C1 RU 2329333C1 RU 2006136103/02 A RU2006136103/02 A RU 2006136103/02A RU 2006136103 A RU2006136103 A RU 2006136103A RU 2329333 C1 RU2329333 C1 RU 2329333C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- materials
- quasicrystalline
- quasi
- films
- composition
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к способам получения квазикристаллических материалов, в частности пленок состава Al-Pd-Re, Al-Fe-Cu и др., которые могут использоваться благодаря своим уникальным свойствам для повышения износостойкости инструмента, снижения трения в подшипниках, применяться в качестве защитных покрытий в различных отраслях авиапромышленнности, в реакторостороении и др.The invention relates to methods for producing quasicrystalline materials, in particular films of the composition Al-Pd-Re, Al-Fe-Cu, etc., which can be used due to their unique properties to increase tool wear resistance, reduce friction in bearings, be used as protective coatings in various sectors of the aviation industry, in reactor engineering, etc.
Известные к настоящему времени квазикристаллы образованы, как правило, металлическими компонентами, но обладают рядом свойств, весьма необычных для металлических сплавов. К их числу относятся чрезвычайно высокое удельное электросопротивление, значительный отрицательный температурный коэффициент сопротивления, возрастание удельного сопротивления при увеличении степени структурного совершенства образцов при очень сильной чувствительности к составу (Mayou D., Berger С., et al. // Phys. Rev. Lett. 1993. V.70. №25. P.3915), низкая теплопроводность и низкий электронный вклад в удельную теплоемкость. При этом квазикристаллы обладают твердостью, превышающей твердость стали, а по своим антифрикционным свойствам сравнимы с фторопластами. Наиболее перспективными для применения являются квазикристаллические пленки, массивные образцы обладают высокой хрупкостью, что ограничивает возможность их применения.The quasicrystals known so far are formed, as a rule, by metal components, but possess a number of properties that are very unusual for metal alloys. These include an extremely high electrical resistivity, a significant negative temperature coefficient of resistance, an increase in resistivity with an increase in the degree of structural perfection of samples with very strong sensitivity to composition (Mayou D., Berger C., et al. // Phys. Rev. Lett. 1993. V.70. No. 25. P.3915), low thermal conductivity and low electronic contribution to specific heat. In this case, quasicrystals have a hardness exceeding the hardness of steel, and in their antifriction properties are comparable to fluoroplastics. The most promising applications are quasicrystalline films, bulk samples are highly fragile, which limits the possibility of their use.
Известны различные способы получения квазикристаллических пленок Al-Cu-Fe. Например, методом послойного магнетронного распыления на переменном токе получали пленки толщиной 300 нм (Klein Т., Symko O.G. // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. №4. P.431), методом электроннолучевого испарения из одного сплавного катода пленки 400-900 нм (Yoshioka A., Edagawa К., Kimura К., Takeuchi Sh. //Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V.34. №3. P.1606). Для получения квазикристаллической фазы в пленках, приготовленных этими методами, необходим последующий отжиг. Без последующего отжига квазикристаллические пленки получаются лишь при распылении на нагретую подложку (Eisenhammer Т., Trampert A. // Phys. Rev. Lett. 1997. V.78. №2. Р.262).Various methods are known for producing quasicrystalline Al-Cu-Fe films. For example, 300 nm thick films were obtained by the method of layer-by-layer magnetron sputtering by alternating current (Klein T., Symko OG // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. No. 4. P.431) by electron beam evaporation from a single alloy cathode films 400-900 nm (Yoshioka A., Edagawa K., Kimura K., Takeuchi Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V.34. No. 3. P.1606). Subsequent annealing is required to obtain a quasicrystalline phase in films prepared by these methods. Without subsequent annealing, quasicrystalline films are obtained only by sputtering on a heated substrate (Eisenhammer T., Trampert A. // Phys. Rev. Lett. 1997. V.78. No. 2. P. 262).
Квазикристаллические пленки могут получаться при отжиге аморфных пленок, при этом напыление ведется при температуре жидкого азота (Chiein C.L., Lu M. // Phys. Rev. В. 1992. V.45. №22. Р.12793).Quasicrystalline films can be obtained by annealing amorphous films, while the deposition is carried out at the temperature of liquid nitrogen (Chiein C.L., Lu M. // Phys. Rev. V. 1992. V.45. No. 22. P.12793).
Пленки толщиной 50 мкм были получены при распылении с помощью СО2 лазера с последующим лазерным отжигом (Audebert F., Colaco R., Villar R., et al. // Scripta Mater. 1999. V.40. №5. P.551).
Свойства квазикристаллов зависят от точности их состава, поэтому все эти способы обладают основным недостатком - невозможностью выдержать соотношение элементов, что приводит к несовершенству структуры квазикристалла и снижению заявленных свойств - теплопроводности, электропроводности и пр. Например, состав квазикристаллических пленок на основе алюминия должен быть выдержан при следующих соотношениях элементов: Al65,5, Fe12, Cu24,5, Al71Pd21Re8.The properties of quasicrystals depend on the accuracy of their composition, therefore, all these methods have the main drawback - the inability to withstand the ratio of elements, which leads to imperfection of the structure of the quasicrystal and a decrease in the declared properties - thermal conductivity, electrical conductivity, etc. For example, the composition of quasicrystalline films based on aluminum must be maintained at the following element ratios: Al 65.5 , Fe 12 , Cu 24.5 , Al 71 Pd 21 Re 8 .
Известен способ получения отражающего покрытия (патент РФ №1805137, С23С 14/14, оп. 30.03.93), заключающийся в осаждении на подложку металлических слоев методом катодного распыления в ячейке Пеннинга. В этом случае получали отражающее покрытие с промежуточным слоем магния толщиной ~ 1,5 нм.A known method of producing a reflective coating (RF patent No. 1805137, C23C 14/14, op. 30.03.93), which consists in the deposition of metal layers on a substrate by cathodic spraying in a Penning cell. In this case, a reflective coating with an intermediate layer of magnesium ~ 1.5 nm thick was obtained.
Наиболее близким к заявляемому является способ получения квазикристаллических пленок на основе алюминия (Al-Cu-Fe) методом послойного магнетронного распыления переменным током материалов, соответствующих составу квазикристаллической пленки с последующим отжигом. Этим методом получали пленки толщиной 300 нм (Klein Т., Symko O.G. // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. №4. P.431). Недостатком этого способа является невозможность выдержать определенную толщину слоя каждого материала из-за высокого давления при напылении и, соответственно, высокой скорости напыления, что в свою очередь ведет к несовершенству структуры квазикристаллической пленки. Кроме того, этим способом нельзя получить сплошные пленки толщиной менее 3-5 нм.Closest to the claimed is a method for producing quasicrystalline films based on aluminum (Al-Cu-Fe) by the method of layer-by-layer magnetron sputtering by alternating current of materials corresponding to the composition of the quasicrystalline film, followed by annealing. Using this method, films with a thickness of 300 nm were obtained (Klein, T., Symko O.G. // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. No. 4. P.431). The disadvantage of this method is the inability to withstand a certain layer thickness of each material due to the high pressure during deposition and, accordingly, the high deposition rate, which in turn leads to imperfections in the structure of the quasicrystalline film. In addition, continuous films with a thickness of less than 3-5 nm cannot be obtained by this method.
Техническим результатом, на который направлено изобретение, является стабильное получение пленок квазикристаллической структуры.The technical result to which the invention is directed is the stable production of films of a quasicrystalline structure.
Для этого предложен способ получения квазикристаллических пленок на основе алюминия, заключающийся в послойном нанесении материалов, соответствующих составу квазикристаллической пленки на подложку с последующим отжигом, при этом послойное нанесение материалов проводят методом катодного распыления в ячейке Пеннинга, при этом количество секций и материал катодов ячейки соответствуют составу квазикристаллической пленки, после чего наносят защитное покрытие Al2О3, а затем проводят вакуумный отжиг.To this end, a method for producing quasicrystalline films based on aluminum is proposed, which consists in layer-by-layer deposition of materials corresponding to the composition of the quasicrystalline film on a substrate, followed by annealing, while layer-by-layer deposition of materials is carried out by cathodic spraying in a Penning cell, while the number of sections and cathode material of the cell correspond to the composition a quasicrystalline film, after which a protective coating of Al 2 O 3 is applied, and then vacuum annealing is carried out.
Кроме того, общую толщину квазикристаллической пленки формируют, изменяя общее количество и толщину наносимых слоев.In addition, the total thickness of the quasicrystalline film is formed by changing the total number and thickness of the applied layers.
В качестве материалов, наносимых совместно с алюминием, выбирают материалы из рада Cu, Fe, Cr, Со, V, Ni, Ti, Mn, Pd, Ru, Re, Rh, Ir, Mn, Mo, Os, Si, Mg, Li.As materials applied together with aluminum, materials from the Cu, Fe, Cr, Co, V, Ni, Ti, Mn, Pd, Ru, Re, Rh, Ir, Mn, Mo, Os, Si, Mg, Li series are selected .
Нами применяется метод катодного распыления материалов с низким давлением рабочего газа. При этом компоненты, входящие в состав квазикристаллической пленки, наносятся послойно, затем покрытие подвергается термообработке до образования квазикристаллической фазы. Применяемый метод благодаря низкому давлению рабочего газа и, следовательно, более низкой скорости нанесения, имеет то преимущество, что позволяет точнее выдерживать толщины слоев компонентов (что необходимо для получения состава, соответствующего квазикристаллической фазе), чем в методах с более высоким давлением рабочего газа. Кроме того, возможность получать тонкие (1-5 нм) слои позволяет создавать многослойные пленки с чередованием слоев из материалов, входящих в состав квазикристалла, что при последующем отжиге улучшает диффузию материалов, что также приводит к стабилизации состава пленки. Наносимое защитное покрытие в той же ячейке из Al2O3 предотвращает унос материалов из пленки при последующем отжиге, что также обеспечивает сохранение точности состава квазикристаллического материала. Квазикристаллические сплавы на основе алюминия бывают двух компонентные, трехкомпонентные и многокомпонентные. В квазикристаллический сплав могут входить следующие элементы: Cu, Fe, Cr, Со, V, Ni, Ti, Mn, Pd, Ru, Re, Rh, Ir, Mn, Mo, Os, Si, Mg, Li, которые возможно напылять катодным распылением в ячейке Пеннинга.We apply the method of cathodic spraying of materials with low working gas pressure. In this case, the components that make up the quasicrystalline film are applied in layers, then the coating is subjected to heat treatment until the formation of the quasicrystalline phase. The method used, due to the low pressure of the working gas and, consequently, a lower deposition rate, has the advantage of allowing it to more accurately withstand the thicknesses of the layers of the components (which is necessary to obtain a composition corresponding to the quasicrystalline phase) than in methods with a higher pressure of the working gas. In addition, the ability to obtain thin (1-5 nm) layers allows you to create multilayer films with alternating layers of materials that make up the quasicrystal, which upon subsequent annealing improves the diffusion of materials, which also leads to stabilization of the film composition. The applied protective coating in the same Al 2 O 3 cell prevents the ablation of materials from the film during subsequent annealing, which also ensures the accuracy of the composition of the quasicrystalline material. Quasicrystalline aluminum-based alloys come in two component, three-component and multi-component. The following elements can enter a quasicrystalline alloy: Cu, Fe, Cr, Co, V, Ni, Ti, Mn, Pd, Ru, Re, Rh, Ir, Mn, Mo, Os, Si, Mg, Li, which can be deposited by cathodic spray in the Penning cell.
На фигуре 1 показана схема установки для получения квазикристаллических пленок, где 1 - вакуумная камера, 2 - аноды, 3 - катоды, 4 - подложка, 5 - соленоид.The figure 1 shows a diagram of an installation for producing quasicrystalline films, where 1 is a vacuum chamber, 2 are anodes, 3 are cathodes, 4 is a substrate, 5 is a solenoid.
На фигуре 2 дана рентгенограмма квазикристаллической пленки AlCuFe толщиной около 300 нм (пример 1).Figure 2 shows the x-ray diffraction pattern of a quasicrystalline AlCuFe film with a thickness of about 300 nm (example 1).
На фигуре 3 дана рентгенограмма квазикристаллической пленки AlPdRe толщиной около 300 нм (пример 4).Figure 3 shows the x-ray diffraction pattern of a quasicrystalline AlPdRe film about 300 nm thick (example 4).
Структура полученных пленок исследовалась методом скользящего пучка на дифрактометре D8 Advance фирмы Broker AXS. Для фокусировки рентгеновского Cu kα излучения использовалось зеркало Гебеля. Индицирование рентгенограмм проведено по схеме Кана (Chan J.W., Shechtman D., Gratias D. // J. Mater. Res. 1986. V.1. №1. P.13).The structure of the obtained films was studied by the sliding beam method on a Broker AXS D8 Advance diffractometer. To focus the x-ray Cu k α radiation, a Goebel mirror was used. Radiographs were indicated according to the Kahn scheme (Chan JW, Shechtman D., Gratias D. // J. Mater. Res. 1986. V.1. No. 1. P.13).
Способ осуществляется следующим образом.The method is as follows.
Послойное напыление пленок осуществляется в вакуумной камере 1 методом катодного распыления с использованием ячейки Пеннинга, которая состоит из четырех катодов 3, двух полых анодов 2 и соленоида 5, который расположен вне вакуумной камеры 1. Катоды изготавливают из материала, который будет напыляться. Катоды могут быть изготовлены из следующих материалов: Al, Cu, Fe, Pd и Re, и любых других материалов, которые создают квазикристаллическую структуру и их можно подвергнуть катодному распылению.Layer-by-layer deposition of films is carried out in a vacuum chamber 1 by cathodic atomization using a Penning cell, which consists of four cathodes 3, two hollow anodes 2, and a solenoid 5, which is located outside of vacuum chamber 1. The cathodes are made of material that will be sprayed. The cathodes can be made of the following materials: Al, Cu, Fe, Pd and Re, and any other materials that create a quasicrystalline structure and can be subjected to cathodic sputtering.
Напыление осуществляется следующим образом: с помощью соленоида 5 создается магнитное поле, подается высокое напряжение на катоды 3 и с помощью натекателя (не показан) в вакуумную камеру 1 подается рабочий газ, например, Kr. Между катодами 3 загорается разряд. Ионизированный рабочий газ Kr бомбардирует поверхность катода, выбиваемые при этом частицы попадают на подложку 4, формируя слой определенного материала нужной толщины.The deposition is carried out as follows: using a solenoid 5, a magnetic field is created, a high voltage is applied to the cathodes 3, and a working gas, for example, Kr, is supplied to a vacuum chamber 1 using a leakage device (not shown). Between the cathodes 3, a discharge lights up. The ionized working gas Kr bombards the surface of the cathode, particles knocked out at the same time fall on the substrate 4, forming a layer of a certain material of the desired thickness.
Для напыления квазикристаллических пленок в вакуумной установке устанавливают три независимые секции для катодного распыления, например, Al, Cu, Fe. Подложки (например, полированный кремний, стекло, сапфир, ситалл), на которые будут напыляться металлические пленки, закрепляют на подвижные тележки, которые можно перемещать от секции к секции с помощью механического привода.To spray quasicrystalline films in a vacuum installation, three independent sections for cathodic sputtering, for example, Al, Cu, Fe, are installed. Substrates (for example, polished silicon, glass, sapphire, glass), on which metal films will be sprayed, are fixed on movable carts, which can be moved from section to section using a mechanical drive.
Предварительно перед нанесением квазикристаллических пленок определялась скорость нанесения каждого из металлов. Контроль за толщиной осуществлялся с помощью профилометра Alpha-Step.Скорость напыления определялась с точностью до одной сотой нм/мин и составила для Al - 1,16 нм/мин, Cu - 1,55 нм/мин и Fe - 0,97 нм/мин. Режим напыления: напряжение - 3,5 кВ, ток -1 мА, давление рабочего газа от 2 до 5×10-5 Торр. Режим для всех металлов одинаков и регулировался с помощью подачи рабочего газа. Режим подбирался эмпирически таким образом, чтобы получать сплошные, аморфные пленки.Before applying the quasicrystalline films, the deposition rate of each of the metals was determined. The thickness was controlled using an Alpha-Step profilometer. The deposition rate was determined with an accuracy of one hundredth nm / min and amounted to 1.16 nm / min for Al, 1.55 nm / min for Cu and 0.97 nm / Fe min Spraying mode: voltage - 3.5 kV, current -1 mA, working gas pressure from 2 to 5 × 10 -5 Torr. The mode for all metals is the same and was regulated by means of a working gas supply. The regime was selected empirically in such a way as to obtain continuous, amorphous films.
Затем вакуумную камеру откачивают и обезгаживают с помощью термического нагрева. Откачка установки производится с помощью турбомолекулярного и ионного насосов. Время обезгаживания 4-5 часов при температуре 150-200°С.Then the vacuum chamber is pumped out and degassed by thermal heating. The installation is pumped out using turbomolecular and ion pumps. The degassing time of 4-5 hours at a temperature of 150-200 ° C.
По достижении необходимого вакуума 1×10-7 Торр попеременно зажигают каждую катодную секцию для очистки поверхности от окисных пленок и адсорбированных газов в течении 10-20 мин до установления стабильного горения разряда. Подложки в это время находятся в месте, недоступном для попадания на них частиц металлов. После этого подложки последовательно вводят в зоны напыления металлов. Последовательность слоев, толщина и их количество определяются техническим заданием. Общее количество слоев может варьироваться, т.е.общая толщина пленки может напыляться, например, в три, шесть или другое число слоев. После этого, на нанесенное покрытие в этой же ячейке напыляют защитный слой Al2O3 толщиной ~ 10 нм, распыляя катод из алюминия при подаче кислорода. Это необходимо для того чтобы при последующем вакуумном отжиге не происходило уноса материалов, что приводит к нарушению соотношения материалов в пленке.Upon reaching the required vacuum of 1 × 10 -7 Torr, each cathode section is alternately lit to clean the surface of oxide films and adsorbed gases for 10-20 minutes until a stable discharge is established. The substrates at this time are in a place inaccessible to the ingress of metal particles on them. After this, the substrates are successively introduced into the metal deposition zones. The sequence of layers, thickness and their number are determined by the technical task. The total number of layers can vary, i.e. the total film thickness can be sprayed, for example, in three, six or another number of layers. After that, a protective layer of Al 2 O 3 ~ 10 nm thick is sprayed onto the deposited coating in the same cell, sputtering the aluminum cathode when oxygen is supplied. This is necessary so that during subsequent vacuum annealing no ablation of materials occurs, which leads to a violation of the ratio of materials in the film.
Примеры.Examples.
Подложки 4 из сапфира закрепляли на подвижные тележки и загружали в вакуумную установку 1. В качестве катодов 3 для одной системы были использованы металлы Al, Fe, Cu, а для другой Al, Pd, Re.Sapphire substrates 4 were fixed on movable trolleys and loaded into vacuum unit 1. Al, Fe, Cu metals were used as cathodes 3 for one system, and Al, Pd, Re for the other.
Пример 1Example 1
Покрытие состава Al64,3Cu24,4Fe11,4 Coating Al 64.3 Cu 24.4 Fe 11.4
Методом катодного напыления наносим слои Al/Fe/Cu толщиной 69,6/8,7/18,6 нм соответственно. Напыление каждого материала производим в три этапа, т.е. наносим 9 слоев, повторяя чередование слоев три раза: 3·(Al/Fe/Cu), суммарная толщина покрытия 290,7 нм. После нанесения слоистой структуры напыляем защитный слой Al2O3 толщиной 10 нм. Изделие с покрытием отжигаем в вакууме при давлении ~10-5 Торр 3 часа при температуре 350°С и два часа при температуре 650°С. В результате получена пленка с практически 100% квазикристаллической структурой, что подтверждается рентгенограммой фиг.2.Using cathodic deposition, we apply Al / Fe / Cu layers 69.6 / 8.7 / 18.6 nm thick, respectively. Each material is sprayed in three stages, i.e. apply 9 layers, repeating the alternation of layers three times: 3 · (Al / Fe / Cu), the total coating thickness of 290.7 nm. After applying a layered structure, we spray a protective layer of Al 2 O 3 with a thickness of 10 nm. The coated product is annealed in vacuum at a pressure of ~ 10 -5 Torr for 3 hours at a temperature of 350 ° C and two hours at a temperature of 650 ° C. As a result, a film with an almost 100% quasicrystalline structure was obtained, which is confirmed by the x-ray of figure 2.
Пример 2Example 2
Покрытие состава Al66,5Cu23Fe10,5 Coating Al 66.5 Cu 23 Fe 10.5
Методом катодного напыления наносим слои Al/Fe/Cu толщиной 34,8/3,9/8,5 нм соответственно. Напыление каждого материала производим в два этапа, т.е. наносим 6 слоев, повторяя чередование слоев 2 раза: 2·(Al/Fe/Cu), суммарная толщина покрытия 94,4 нм. После нанесения слоистой структуры напыляем защитный слой Al2O3 толщиной 10,0 нм. Изделие с покрытием отжигаем 3 часа при температуре 350°С и два часа при температуре 650°С.Using cathodic deposition, we apply Al / Fe / Cu layers with a thickness of 34.8 / 3.9 / 8.5 nm, respectively. Each material is sprayed in two stages, i.e. apply 6 layers, repeating the alternation of layers 2 times: 2 · (Al / Fe / Cu), the total coating thickness of 94.4 nm. After applying the layered structure, we spray a protective layer of Al 2 O 3 with a thickness of 10.0 nm. The coated product is annealed for 3 hours at a temperature of 350 ° C and two hours at a temperature of 650 ° C.
Пример 3Example 3
Покрытие состава Al65Cu22,5Fe12,5 Coating Al 65 Cu 22.5 Fe 12.5
Методом катодного напыления наносим слои Al/Fe/Cu толщиной 208,8/28,1/51,1 нм соответственно, суммарная толщина покрытия 288,0 нм. После нанесения слоистой структуры напыляем защитный слой Al2O3 толщиной 10,0 нм. Изделие с покрытием отжигаем 3 часа при температуре 350°С и два часа при температуре 650°С.Using cathodic deposition, we apply Al / Fe / Cu layers with a thickness of 208.8 / 28.1 / 51.1 nm, respectively, with a total coating thickness of 288.0 nm. After applying the layered structure, we spray a protective layer of Al 2 O 3 with a thickness of 10.0 nm. The coated product is annealed for 3 hours at a temperature of 350 ° C and two hours at a temperature of 650 ° C.
Пример 4Example 4
Покрытие состава Al72,7Pd20,8Re6,5 Coating composition Al 72.7 Pd 20.8 Re 6.5
Методом катодного напыления наносим слои Al/Pd/Re толщиной 69,6/18,5/5,8 нм соответственно. Напыление каждого материала производим в три этапа, т.е. наносим 9 слоев, повторяя чередование слоев три раза: 3·(Al/Pd/Re), суммарная толщина покрытия 281,7 нм. После нанесения слоистой структуры напыляем защитный слой Al2О3 толщиной 10,0 нм. Изделие с покрытием отжигаем 3 часа при температуре 350°С и два часа при температуре 700°С. В результате получена пленка с практически 100% квазикристаллической структурой, что подтверждается рентгенограммой фиг.3.Using cathodic deposition, we apply Al / Pd / Re layers 69.6 / 18.5 / 5.8 nm thick, respectively. Each material is sprayed in three stages, i.e. we apply 9 layers, repeating the alternation of layers three times: 3 · (Al / Pd / Re), the total coating thickness of 281.7 nm. After applying the layered structure, we spray a protective layer of Al 2 O 3 with a thickness of 10.0 nm. The coated product is annealed for 3 hours at a temperature of 350 ° C and two hours at a temperature of 700 ° C. As a result, a film with an almost 100% quasicrystalline structure was obtained, which is confirmed by the x-ray of figure 3.
Таким образом, способ позволяет получать квазикристаллические пленки на основе алюминия стабильного состава, что определяет их высокие технологические свойства - электропроводность, теплопроводность, твердость и пр., что позволит широко использовать эти покрытия в машиностроении, авиапромышленности, реакторостроении.Thus, the method allows to obtain quasicrystalline films based on aluminum with a stable composition, which determines their high technological properties - electrical conductivity, thermal conductivity, hardness, etc., which will make it possible to widely use these coatings in mechanical engineering, aircraft industry, and reactor engineering.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006136103/02A RU2329333C1 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Method of preparation of quasi-crystalline films on basis of aluminium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006136103/02A RU2329333C1 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Method of preparation of quasi-crystalline films on basis of aluminium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006136103A RU2006136103A (en) | 2008-04-20 |
| RU2329333C1 true RU2329333C1 (en) | 2008-07-20 |
Family
ID=39453709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006136103/02A RU2329333C1 (en) | 2006-10-12 | 2006-10-12 | Method of preparation of quasi-crystalline films on basis of aluminium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2329333C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2478739C1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Method of electrochemical production of composite nickel coating with quasicrystalline particles |
| RU2640687C1 (en) * | 2016-08-15 | 2018-01-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Method for forming nanocrystalline surface layer on details from aluminium alloys (versions) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112599735B (en) * | 2020-12-11 | 2022-02-18 | 合肥国轩高科动力能源有限公司 | Modified NCM622 ternary cathode material and preparation method thereof |
-
2006
- 2006-10-12 RU RU2006136103/02A patent/RU2329333C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2478739C1 (en) * | 2011-12-13 | 2013-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" | Method of electrochemical production of composite nickel coating with quasicrystalline particles |
| RU2640687C1 (en) * | 2016-08-15 | 2018-01-11 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет" | Method for forming nanocrystalline surface layer on details from aluminium alloys (versions) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2006136103A (en) | 2008-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3027502B2 (en) | Abrasion-resistant amorphous hard film and method for producing the same | |
| JP2892231B2 (en) | Ti-Si-N-based composite hard film and method for producing the same | |
| JP2008522026A (en) | Coated product and method for producing the same | |
| US4522844A (en) | Corrosion resistant coating | |
| JP2816786B2 (en) | Al-Ti-based or Al-Ta-based wear-resistant hard film and method for producing the same | |
| EP3670696A1 (en) | Corrosion resistant carbon coatings | |
| Diesselberg et al. | Corrosion protection of magnetron sputtered TiN coatings deposited on high strength aluminium alloys | |
| KR101527144B1 (en) | Mg-al coated steel sheet and method for manufacturing the same | |
| Shi et al. | Structure, mechanical and tribological properties of CrN thick coatings deposited by circular combined tubular arc ion plating | |
| Athmani et al. | Microstructural, mechanical, thermal stability and oxidation behavior of TiSiN/CrVxN multilayer coatings deposited by DC reactive magnetron sputtering | |
| Lackner | Industrially-scaled large-area and high-rate tribological coating by pulsed laser deposition | |
| RU2329333C1 (en) | Method of preparation of quasi-crystalline films on basis of aluminium | |
| Kao et al. | Structure, mechanical properties and thermal stability of nitrogen-doped TaNbSiZrCr high entropy alloy coatings and their application to glass moulding and micro-drills | |
| Ghantasala et al. | Magnetron sputtered thin films based on transition metal nitride: structure and properties | |
| Liu et al. | TiN, TiN gradient and Ti/TiN multi-layer protective coatings on Uranium | |
| Shaĭtura et al. | Fabrication of quasicrystalline coatings: a review | |
| CN109252137B (en) | Preparation method of zirconium alloy surface coating | |
| KR100671422B1 (en) | Forming method of Aluminum coatings by sputtering | |
| Sizova et al. | Influence of the Intermediate Layer on the Adhesion and Friction of Titanium-Based Nitrided Coatings on a Copper Substrate | |
| EP1624087B1 (en) | A method for depositing thin layers of titanium dioxide on support surfaces | |
| TWI821944B (en) | Sputtering target, method of manufacturing the same, and method of manufacturing alloy thin film | |
| EP0415206A2 (en) | Production method of metal foil and metal foil produced by the method | |
| RU2784959C1 (en) | METHOD FOR OBTAINING A LAYERED COMPOSITE MATERIAL Ti-TiN FOR TRIBOLOGICAL PURPOSES | |
| Metzner et al. | Electron beam-PVD for enhanced surface properties on metallic strips and sheets | |
| KR20230115987A (en) | Molybdenum nitride-based multi-layer coating for reduced wear and friction |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151013 |