RU2327824C1 - Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5 - Google Patents
Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5 Download PDFInfo
- Publication number
- RU2327824C1 RU2327824C1 RU2006132106/15A RU2006132106A RU2327824C1 RU 2327824 C1 RU2327824 C1 RU 2327824C1 RU 2006132106/15 A RU2006132106/15 A RU 2006132106/15A RU 2006132106 A RU2006132106 A RU 2006132106A RU 2327824 C1 RU2327824 C1 RU 2327824C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- crucible
- crystals
- seed
- single crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры, которые преимущественно применяются в производстве оптоэлектронных светоизлучающих приборов, таких, например, как светодиоды и лазеры.The invention relates to the field of growing single crystals by vertical directed crystallization and can be used in the technology of growing single crystals of semiconductor compounds to obtain bulk single crystals with a high degree of structural perfection, which are mainly used in the production of optoelectronic light-emitting devices, such as, for example, LEDs and lasers.
Технической задачей, решаемой изобретением, является повышение качества производимой продукции.The technical problem solved by the invention is to improve the quality of products.
Известен способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа А3В5 вертикальной направленной кристаллизацией расплава материала в тигле на затравку, располагаемую на дне цилиндрического тигля и имеющую диаметр, близкий к внутреннему диаметру тигля (см. J.Amon, D.Zemke, В.Hoffmann, G.Muller Journal of Crystal Growth, 1996, v.166, p.646-650). Недостатком данного способа является то, что при большой протяженности линии контакта: «затравочный кристалл-расплав-стенка тигля» - велика вероятность роста поликристаллического слитка, поскольку зарождение центров паразитной кристаллизации с кристаллографической ориентацией, отличной от заданной, всегда происходит вдоль указанной линии. Кроме того, при промышленно значимых размерах кристаллов (диаметр более 30 мм) вероятность получения монокристалла при затравливании на затравку с большой площадью поперечного сечения недостаточна для экономически эффективного производства.A known method of growing single crystals of semiconductor compounds of type A 3 B 5 by vertical directed crystallization of a material melt in a crucible for a seed located at the bottom of a cylindrical crucible and having a diameter close to the inner diameter of the crucible (see J. Amon, D. Zemke, B. Hoffmann, G. Muller Journal of Crystal Growth, 1996, v. 166, p. 646-650). The disadvantage of this method is that with a large length of the contact line: “seed crystal-melt-wall of the crucible”, the polycrystalline ingot is very likely to grow, since the centers of parasitic crystallization with a crystallographic orientation different from the specified one always occur along the specified line. In addition, with industrially significant crystal sizes (diameter greater than 30 mm), the probability of obtaining a single crystal when seeding with a seed with a large cross-sectional area is insufficient for cost-effective production.
Известен способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа А3B5 вертикальной направленной кристаллизацией расплава, находящегося в тигле, имеющем в нижней части отделение для затравочного кристалла (т.н. «колодец») с площадью поперечного сечения много меньше площади поперечного сечения тигля (см. патент США №6896729, кл. 117/81, опубл. 24.05.2005). Способ принят за прототип.A known method of growing single crystals of semiconductor compounds of type A 3 B 5 by vertical directed crystallization of a melt located in a crucible having in the lower part a compartment for a seed crystal (the so-called "well") with a cross-sectional area much smaller than the cross-sectional area of the crucible (see US patent No. 6896729, CL 117/81, publ. 05.24.2005). The method adopted for the prototype.
Способ предусматривает использование тиглей с отделением в нижней части для затравочного кристалла, имеющего диаметр в несколько мм и кристаллографическую ориентацию вертикальной оси в соответствии с выбранным кристаллографическим направлением выращивания монокристалла.The method involves the use of crucibles with a separation in the lower part for a seed crystal having a diameter of several mm and a crystallographic orientation of the vertical axis in accordance with the selected crystallographic direction of growing a single crystal.
Недостатком способа является то, что при выращивании монокристаллов из материалов, для которых невозможно использовать не содержащий дислокаций затравочный кристалл (например, монокристаллов полупроводниковых соединений А3B5), способ не может обеспечить условий начального роста монокристалла с высоким совершенством структуры вследствие наследования растущим монокристаллом дислокаций из затравочного кристалла, и ,в результате, получаемые монокристаллы характеризуются высокой плотностью дислокаций.The disadvantage of this method is that when growing single crystals from materials for which it is impossible to use a dislocation-free seed crystal (for example, single crystals of A 3 B 5 semiconductor compounds), the method cannot provide the conditions for the initial growth of a single crystal with high structural perfection due to inheritance by the growing single crystal of dislocations from a seed crystal, and, as a result, the resulting single crystals are characterized by a high density of dislocations.
Техническим результатом изобретения является снижение плотности дислокаций в выращиваемых монокристаллах и, соответственно, повышение качества монокристаллов большого диаметра.The technical result of the invention is to reduce the density of dislocations in the grown single crystals and, accordingly, improve the quality of single crystals of large diameter.
Технический результат достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа А3В5 вертикальной направленной кристаллизацией, включающем кристаллизацию расплава в тигле на затравочный кристалл, расположенный в нижней части тигля и имеющий площадь поперечного сечения много меньше площади основного сечения тигля, согласно изобретению в качестве затравочного кристалла используют монокристалл, в котором линии дислокаций преимущественно расположены под углом от 45 градусов к вертикали и более; кроме того, в качестве затравочного кристалла может быть использован монокристалл, содержащий изовалентную легирующую примесь с концентрацией выше 1018 атом/см3.The technical result is achieved by the fact that in the method of growing single crystals of semiconductor compounds of type A 3 B 5 by vertical directional crystallization, including crystallization of the melt in a crucible onto a seed crystal located in the lower part of the crucible and having a cross-sectional area much smaller than the main cross-sectional area of the crucible, according to the invention in as a seed crystal, a single crystal is used in which the dislocation lines are predominantly located at an angle of 45 degrees to the vertical or more; in addition, as a seed crystal, a single crystal containing an isovalent dopant with a concentration above 10 18 atom / cm 3 can be used.
Сущность способа заключается в том, что использование затравочных кристаллов, в которых линии дислокаций наклонены под большим углом к нормали к фронту затравления, резко снижает количество наследуемых растущим кристаллом дислокаций и одновременно способствует выходу на поверхность кристалла унаследованных дислокаций.The essence of the method lies in the fact that the use of seed crystals, in which the dislocation lines are inclined at a large angle to the normal to the seeding front, sharply reduces the number of dislocations inherited by the growing crystal and at the same time facilitates the exit of inherited dislocations to the crystal surface.
На фронте затравления наследование дислокаций затравочного кристалла растущим монокристаллом осуществляется двумя способами, которые схематично иллюстрируются прилагаемым чертежом.At the seeding front, the inheritance of seed crystal dislocations by a growing single crystal is carried out in two ways, which are schematically illustrated by the attached drawing.
Часть дислокаций при переходе из затравки в растущий кристалл сохраняют направление и вектор Бюргерса (на чертеже такие дислокации обозначены цифрой 1). При большом угле отклонения от нормали к фронту затравления и малом поперечном размере затравочного кристалла такие дислокации выходят на поверхность слитка уже через несколько мм от фронта затравления (в зоне регенерации затравки и разращивания слитка).Part of the dislocations during the transition from the seed to the growing crystal retain the direction and Burgers vector (in the drawing, such dislocations are indicated by the number 1). With a large angle of deviation from the normal to the seed front and a small transverse size of the seed crystal, such dislocations reach the surface of the ingot already a few mm from the seed front (in the zone of seed regeneration and ingot growth).
Другая часть дислокаций затравочного кристалла наследуется с изменением и направления, и вектора Бюргерса (на чертеже такие дислокации обозначены цифрой 2). Как правило, таким образом наследуются дислокации, линии которых расположены под малым углом к нормали к фронту затравления. В растущем кристалле такие дислокации распространяются перпендикулярно фронту кристаллизации и, в силу вогнутости последнего в кристаллах малого диаметра, концентрируются вблизи оси растущего слитка.Another part of the seed crystal dislocations is inherited with a change in both the direction and the Burgers vector (in the drawing, such dislocations are indicated by the number 2). As a rule, dislocations whose lines are located at a small angle to the normal to the seed front are inherited in this way. In a growing crystal, such dislocations propagate perpendicular to the crystallization front and, due to the concavity of the latter in small diameter crystals, are concentrated near the axis of the growing ingot.
В изобретении предложено использовать затравочный кристалл с большим углом наклона дислокаций к фронту кристаллизации, ≥45 гадусов. При этом количество дислокаций в выращиваемом монокристалле резко уменьшается.The invention proposes to use a seed crystal with a large angle of inclination of dislocations to the crystallization front, ≥45 cadus. In this case, the number of dislocations in the grown single crystal decreases sharply.
Идеальным является случай, когда все дислокации в затравочном кристалле располагаются перпендикулярно оси растущего кристалла.The ideal case is when all the dislocations in the seed crystal are perpendicular to the axis of the growing crystal.
Затравочные кристаллы, в которых линии дислокаций преимущественно расположены под углом к вертикали 45 градусов и более, могут быть вырезаны из монокристаллов с преимущественной ориентацией линий дислокаций по кристаллографическим направлениям. Примером таких кристаллов являются сильно легированные кристаллы с содержанием примеси выше 1018 атом/см3, преимущественная ориентация дислокаций в которых происходит благодаря известному эффекту примесного упрочнения. Наибольший эффект достигают при использовании кристаллов, легированных изовалентными примесями, которые создают эффект примесного упрочнения, но не оказывают влияния на электрофизические параметры материала, что позволяет выращивать на таких затравочных кристаллах материалы с различными свойствами (как легированные, так и нелегированные).Seed crystals, in which the dislocation lines are predominantly angled 45 degrees or more, can be cut from single crystals with the preferred orientation of the dislocation lines in crystallographic directions. An example of such crystals are heavily doped crystals with an impurity content higher than 10 18 atom / cm 3 , the preferred orientation of the dislocations in which occurs due to the known effect of impurity hardening. The greatest effect is achieved when using crystals doped with isovalent impurities, which create the effect of impurity hardening, but do not affect the electrophysical parameters of the material, which makes it possible to grow materials with different properties on such seed crystals (both alloyed and undoped).
Способ наиболее эффективен при выращивании высокосовершенных монокристаллов в условиях низких температурных градиентов, когда в растущем кристалле не происходит образования дислокаций под действием термоупругих напряжений.The method is most effective when growing highly perfect single crystals under conditions of low temperature gradients, when dislocations do not form in a growing crystal under the influence of thermoelastic stresses.
Способ применим при выращивании монокристаллов на затравочные кристаллы с различной кристаллографической ориентацией оси, включая направления <100>, <111>, <110>, <211> и другие, а также на затравочные кристаллы с осью, отклоненной от выбранного кристаллографического направления на заданный угол в заданном направлении, например на затравочный кристалл с осью, отклоненной от направления <100> на 2° в сторону плоскости (110).The method is applicable when growing single crystals on seed crystals with different crystallographic axis orientations, including directions <100>, <111>, <110>, <211> and others, as well as on seed crystals with an axis deviated from the selected crystallographic direction by a given angle in a given direction, for example, to a seed crystal with an axis deviated from the direction <100> by 2 ° in the direction of the (110) plane.
Примеры осуществления способа.Examples of the method.
Пример 1.Example 1
Выращивание монокристаллов арсенида галлия осуществляют в установке, печной блок которой состоит из девяти расположенных друг над другом независимо управляемых резистивных нагревателей. В тигель из пиролитического нитрида бора с внутренним диаметром 55 мм, имеющий в нижней части отделение для затравочного кристалла внутренним диаметром 6 мм и длиной 40 мм, последовательно помещают затравочный кристалл, поликристаллический арсенид галлия весом 1 кг, легирующую примесь кремния и навеску обезвоженного борного ангидрида. Цилиндрический затравочный кристалл вырезан из объемного монокристалла арсенида галлия, сильно легированного кремнием (2·1018 атом/см3), таким образом, что ось цилиндра совпадает с кристаллографическим направлением <100>, а линии дислокаций составляют с осью цилиндра углы от 45 до 90 градусов. Тигель с загрузкой помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и запаивают. Ампулу устанавливают на подставке внутри печного блока и включают нагрев установки. Внутри печного блока устанавливают такое распределение температуры, чтобы расплавить поликристаллический арсенид галлия и частично (до половины длины) оплавить затравочный кристалл. Изменяют температуры независимых нагревателей таким образом, чтобы произвести кристаллизацию расплава в тигле снизу вверх, начиная от затравки. Кристаллизацию ведут со скоростями 1-2 мм/ч при температурных градиентах не выше 10°С/см. После кристаллизации всей массы расплава ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры.Gallium arsenide single crystals are grown in a plant, the furnace unit of which consists of nine independently controlled resistive heaters located one above the other. In a crucible made of pyrolytic boron nitride with an internal diameter of 55 mm, having in the lower part a compartment for a seed crystal with an internal diameter of 6 mm and a length of 40 mm, a seed crystal, polycrystalline gallium arsenide weighing 1 kg, a doping silicon admixture and a portion of dehydrated boric anhydride are sequentially placed. The cylindrical seed crystal is cut from a bulk gallium arsenide single crystal heavily doped with silicon (2 · 10 18 atoms / cm 3 ) so that the axis of the cylinder coincides with the crystallographic direction <100> and the dislocation lines make angles from 45 to 90 with the axis of the cylinder degrees. The loading crucible is placed in a quartz ampoule, which is pumped out and sealed. The ampoule is mounted on a stand inside the furnace unit and the installation is turned on. A temperature distribution is set inside the furnace block to melt polycrystalline gallium arsenide and partially (to half the length) melt the seed crystal. The temperatures of the independent heaters are changed in such a way as to crystallize the melt in the crucible from the bottom up, starting from the seed. Crystallization is carried out at speeds of 1-2 mm / h at temperature gradients of no higher than 10 ° C / cm. After crystallization of the entire mass of the melt, the ampoule is slowly cooled to room temperature.
Были выращены монокристаллы арсенида галлия, легированного кремнием до концентрации (1-5)·1018 атом/см3, диаметром 55 мм и весом до 1 кг с ориентацией оси <100> и с плотностью дислокаций менее 500 см-2, что на 40-60% ниже плотности дислокаций в таких же кристаллах, выращенных в тех же условиях, но с использованием затравочных кристаллов с неупорядоченным расположением дислокаций.Single crystals of gallium arsenide doped with silicon were grown to a concentration of (1-5) · 10 18 atom / cm 3 , diameter 55 mm and weight up to 1 kg with an axis orientation <100> and with a dislocation density of less than 500 cm -2 , which is 40 -60% lower dislocation density in the same crystals grown under the same conditions, but using seed crystals with a disordered arrangement of dislocations.
Пример 2. Выращивание монокристаллов ведут в той же установке, в таком же тигле и при таких же тепловых условиях, что и в примере 1. В тигель загружают затравочный кристалл, поликристаллический арсенид галлия весом 1,5 кг и навеску обезвоженного борного ангидрида. Цилиндрический затравочный кристалл вырезан из объемного монокристалла арсенида галлия, сильно легированного изовалентной примесью - индием (2·1019 атом/см3), таким образом, что ось цилиндра совпадает с кристаллографическим направлением <100>, а линии дислокаций составляют с осью цилиндра углы от 45 до 90 градусов.Example 2. Single crystals are grown in the same setup, in the same crucible and under the same thermal conditions as in Example 1. A seed crystal, polycrystalline gallium arsenide weighing 1.5 kg and a portion of dehydrated boric anhydride are loaded into the crucible. The cylindrical seed crystal is cut from a bulk gallium arsenide single crystal heavily doped with an isovalent impurity — indium (2 · 10 19 atoms / cm 3 ), so that the axis of the cylinder coincides with the crystallographic direction <100> and the dislocation lines form angles from 45 to 90 degrees.
Были выращены монокристаллы нелегированного арсенида галлия диаметром 55 мм и весом до 1,5 кг с ориентацией оси <100> и с плотностью дислокаций менее 2000 см-2, что в 1,5-2 раза ниже плотности дислокаций в таких же кристаллах, выращенных в тех же условиях, но с использованием затравочных кристаллов с неупорядоченным расположением дислокаций.Single crystals of undoped gallium arsenide were grown with a diameter of 55 mm and a weight of up to 1.5 kg with an orientation of the <100> axis and with a dislocation density of less than 2000 cm -2 , which is 1.5-2 times lower than the dislocation density in the same crystals grown in the same conditions, but using seed crystals with a disordered arrangement of dislocations.
Пример 3. Выращивание монокристаллов арсенида индия осуществляют в той же установке, что и в примере 1. В тигель из пиролитического нитрида бора с внутренним диаметром 80 мм, имеющий в нижней части отделение для затравочного кристалла внутренним диаметром 6 мм и длиной 40 мм, последовательно помещают затравочный кристалл, поликристаллический арсенид индия весом 3,5 кг, легирующую примесь серы и навеску обезвоженного борного ангидрида. Цилиндрический затравочный кристалл вырезан из объемного монокристалла арсенида индия, сильно легированного серой (3-1018 атом/см3), таким образом, что ось цилиндра совпадает с кристаллографическим направлением <100>, а линии дислокаций составляют с осью цилиндра углы от 45 до 90 градусов. Тигель с загрузкой помещают в кварцевую ампулу, которую откачивают и запаивают. Ампулу устанавливают на подставке внутри печного блока и включают нагрев установки. Внутри печного блока устанавливают такое распределение температуры, чтобы расплавить поликристаллический арсенид индия и частично (до половины длины) оплавить затравочный кристалл. Изменяют температуры независимых нагревателей таким образом, чтобы произвести кристаллизацию расплава в тигле снизу вверх, начиная от затравки. Кристаллизацию ведут со скоростями 1-3 мм/ч при температурных градиентах не выше 15°С/см. После кристаллизации всей массы расплава ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры.Example 3. The growth of indium arsenide single crystals is carried out in the same installation as in example 1. In a crucible made of pyrolytic boron nitride with an internal diameter of 80 mm, having a compartment for a seed crystal with an internal diameter of 6 mm and a length of 40 mm in the lower part, a seed crystal, polycrystalline indium arsenide weighing 3.5 kg, a doping impurity of sulfur and a weighed portion of dehydrated boric anhydride. The cylindrical seed crystal is cut from a bulk single crystal of indium arsenide heavily doped with sulfur (3-10 18 atoms / cm 3 ) so that the axis of the cylinder coincides with the crystallographic direction <100> and the dislocation lines make angles from 45 to 90 with the axis of the cylinder degrees. The loading crucible is placed in a quartz ampoule, which is pumped out and sealed. The ampoule is mounted on a stand inside the furnace unit and the installation is turned on. A temperature distribution is set inside the furnace block to melt polycrystalline indium arsenide and partially (to half the length) melt the seed crystal. The temperatures of the independent heaters are changed in such a way as to crystallize the melt in the crucible from the bottom up, starting from the seed. Crystallization is carried out at speeds of 1-3 mm / h at temperature gradients of no higher than 15 ° C / cm. After crystallization of the entire mass of the melt, the ampoule is slowly cooled to room temperature.
Были выращены монокристаллы арсенида индия, легированного серой до концентрации (1-3)·1018 атом/см3, диаметром 80 мм и весом до 3,5 кг с ориентацией оси <100> и с плотностью дислокаций менее 5000 см-2, что на 50-100% ниже плотности дислокаций в таких же кристаллах, выращенных в тех же условиях, но с использованием затравочных кристаллов с неупорядоченным расположением дислокаций.Single crystals of indium arsenide doped with sulfur were grown to a concentration of (1-3) · 10 18 atom / cm 3 , diameter 80 mm and weight up to 3.5 kg with an axis orientation <100> and with a dislocation density of less than 5000 cm -2 , which 50-100% lower than the density of dislocations in the same crystals grown under the same conditions, but using seed crystals with an disordered arrangement of dislocations.
Таким образом, заявляемый способ позволяетThus, the claimed method allows
1. Повысить структурное совершенство выращиваемых монокристаллов полупроводниковых соединений типа А3В5.1. To improve the structural perfection of the grown single crystals of semiconductor compounds of type A 3 B 5 .
2. Повысить выход годных при выращивании монокристаллов полупроводниковых соединений типа А3В5 и при изготовлении из них изделий (полупроводниковых приборов) за счет улучшения параметров, изготавливаемых на более совершенных подложках.2. To increase the yield of type A 3 B 5 semiconductor compounds suitable for growing single crystals and in the manufacture of products (semiconductor devices) from them by improving the parameters made on more advanced substrates.
3. Сократить затрат электроэнергии и расходных дорогостоящих материалов в расчете на единицу продукции.3. To reduce the cost of electricity and expensive consumables per unit of output.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006132106/15A RU2327824C1 (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006132106/15A RU2327824C1 (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006132106A RU2006132106A (en) | 2008-03-20 |
| RU2327824C1 true RU2327824C1 (en) | 2008-06-27 |
Family
ID=39279323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006132106/15A RU2327824C1 (en) | 2006-09-07 | 2006-09-07 | Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2327824C1 (en) |
-
2006
- 2006-09-07 RU RU2006132106/15A patent/RU2327824C1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2006132106A (en) | 2008-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7081162B2 (en) | Method of manufacturing bulk single crystal of gallium nitride | |
| US7473317B2 (en) | Crystal growth crucible | |
| US7314518B2 (en) | Furnace for growing compound semiconductor single crystal and method of growing the same by using the furnace | |
| PL225430B1 (en) | Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride | |
| JP2007106669A (en) | METHOD FOR MANUFACTURING SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL | |
| RU2327824C1 (en) | Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5 | |
| JP5370394B2 (en) | Compound semiconductor single crystal substrate | |
| KR101530349B1 (en) | The insulation structure for a sapphire single crystal growth | |
| JPH10167898A (en) | Production of semi-insulative gaas single crystal | |
| JP2010059052A (en) | METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SEMI-INSULATING GaAs SINGLE CRYSTAL | |
| JP3648703B2 (en) | Method for producing compound semiconductor single crystal | |
| US20070079751A1 (en) | Inp single crystal, gaas single crystal, and method for production thereof | |
| US20220002902A1 (en) | Heat shield device for insulating heat and smelting furnace | |
| JP2002293686A (en) | Method of growing compound semiconductor signal crystal and substrate cut out of the same | |
| Li et al. | Influence of the cone angle and crystal shape on the formation of twins in InP crystals | |
| JP5370393B2 (en) | Compound semiconductor single crystal substrate | |
| JP4923253B2 (en) | Method for producing Si bulk polycrystal | |
| JP5172881B2 (en) | Compound semiconductor single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP2006188403A (en) | Compound semiconductor single crystal and its manufacturing method and apparatus | |
| US20220002901A1 (en) | Heat shield device and smelting furnace | |
| KR20190092417A (en) | Silicon single crystal manufacturing method and silicon single crystal wafer | |
| RU2528995C1 (en) | Method of producing large-size gallium antimonide monocrystals | |
| WO2005007939A1 (en) | InP SINGLE CRYSTAL, GaAs SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF | |
| JP3633212B2 (en) | Single crystal growth method | |
| JP4529712B2 (en) | Method for producing compound semiconductor single crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200908 |