RU2262781C2 - Microstrip filter - Google Patents
Microstrip filter Download PDFInfo
- Publication number
- RU2262781C2 RU2262781C2 RU2003134098/09A RU2003134098A RU2262781C2 RU 2262781 C2 RU2262781 C2 RU 2262781C2 RU 2003134098/09 A RU2003134098/09 A RU 2003134098/09A RU 2003134098 A RU2003134098 A RU 2003134098A RU 2262781 C2 RU2262781 C2 RU 2262781C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- loops
- microstrip
- stubs
- electric length
- active elements
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к радиотехнике, а более конкретно - к технике сверхвысоких частот (СВЧ), и может быть использовано в радиолокации, радиосвязи и системах спутникового телевидения.The invention relates to radio engineering, and more specifically to ultra-high frequency (microwave) technology, and can be used in radar, radio communications and satellite television systems.
Известен микрополосковый фильтр, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен проводящий экран, а на другой стороне - микрополосковая линия, а также перпендикулярно пересекающий ее полуволновый микрополосковый резонатор с разомкнутыми концами, подключенный к линии на расстоянии одной восьмой длины волны от своего конца, а также объемный диэлектрический резонатор, установленной на область пересечения микрополосковой линии с полуволновым резонатором (см. А.С. №1513543 СССР Н 01 Р 1/20, Б.И. №37, 1989).Known microstrip filter containing a dielectric substrate, on one side of which there is a conductive screen, and on the other side is a microstrip line, as well as open-ended half-wave microstrip resonator perpendicular to it, connected to the line at an eighth of a wavelength from its end, and also a volumetric dielectric resonator mounted on the intersection of the microstrip line with the half-wave resonator (see AS No. 1513543 USSR H 01 P 1/20, B.I. No. 37, 1989).
Недостатками указанного устройства являются: во-первых, сложная непланарная объемная конструкция устройства (так как содержит объемный диэлектрический резонатор); во-вторых, необходимость изготовления и закрепления дополнительной детали - диэлектрического резонатора (причем технология его изготовления и закрепления не является микрополосковой и, следовательно, также вводится дополнительно); в-третьих, трудоемкость сборки, связанная с трудностью точного совмещения основания диэлектрического резонатора с областью пересечения микрополосковой линии с полуволновым резонатором (так как в силу частотной узкополосности устройства даже небольшое смещение диэлектрического резонатора приводит к нарушению работы устройства).The disadvantages of this device are: firstly, the complex non-planar volumetric design of the device (as it contains a volume dielectric resonator); secondly, the need to manufacture and fix an additional part - a dielectric resonator (and the technology for its manufacture and fixing is not a microstrip and, therefore, is also introduced additionally); thirdly, the complexity of the assembly, associated with the difficulty of accurately aligning the base of the dielectric resonator with the region of intersection of the microstrip line with the half-wave resonator (since, due to the frequency narrowband of the device, even a small shift of the dielectric resonator leads to disruption of the device).
Известен микрополосковый фильтр, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен проводящий экран, а на другой стороне - последовательно соединенные четвертьволновые отрезки микрополосковых линий, к участкам соединения которых подключены одиночные разомкнутые микрополосковые шлейфы (см. книгу Малорацкий Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. - М.: Сов. радио, 1976, стр.185, рис.2.45в).A microstrip filter is known that contains a dielectric substrate, on one side of which there is a conductive screen, and on the other side there are serially connected quarter-wave segments of microstrip lines, to the connection sections of which are connected single open microstrip loops (see the book Maloratsky L.G. Microminiaturization of elements and devices Microwave - M .: Sov. Radio, 1976, p. 185, fig. 2.45c).
Недостатками указанного устройства являются: малая относительная рабочая полоса частот ввиду частотной узкополосности одиночных разомкнутых микрополосковых шлейфов; невозможность значительной перестройки частотных характеристик фильтра (например, перестройки из полосно-заграждающего в полосно-пропускающий фильтр); трудоемкость и нетехнологичность подстройки, в особенности плавной (обычно осуществляется дискретно, путем отрезания участков концов шлейфов).The disadvantages of this device are: a small relative operating frequency band due to the frequency narrow-band single open microstrip loops; the impossibility of significant tuning of the frequency characteristics of the filter (for example, tuning from a band-stop to a band-pass filter); the complexity and low-tech tuning, especially smooth (usually carried out discretely, by cutting sections of the ends of the loops).
Известен взятый в качестве прототипа микрополосковый фильтр, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен проводящий экран, а на другой стороне - входное и выходное плечи, между которыми включены последовательно соединенные отрезки микрополосковых линий, к участкам соединения которых присоединены разомкнутые шлейфы, причем к одному и тому же участку может быть гальванически непосредственно присоединено два и более шлейфов; при этом при подключении устройства на входе и выходе могут ставиться разделительные конденсаторы (см. Патент РФ №2049366 МПК Н 01 Р 1/203, Б.И. №33, 1995, а также соответствующую Заявку №93019087/09 на микрополосковый полоснозаграждающий фильтр).Known is taken as a prototype microstrip filter containing a dielectric substrate, on one side of which there is a conductive screen, and on the other side is the input and output shoulders, between which are connected series-connected segments of microstrip lines, to the connection sections of which are connected open loops, and to one and the same area can be galvanically connected directly to two or more loops; at the same time, when connecting the device at the input and output, isolation capacitors can be installed (see RF Patent No. 2049366 IPC Н 01 Р 1/203, B.I. No. 33, 1995, as well as the corresponding Application No. 93019087/09 for a microstrip band-pass filter) .
Недостатками указанного устройства являются: во-первых, отсутствие возможности управления (перестройки) фильтра по уровню сигнала (в частности, невозможность переключения фильтра из полосно-заграждающего в полосно-пропускающий режим, в особенности плавного переключения); во-вторых, отсутствие возможности изменения рабочей полосы частот фильтра, в том числе перестройки по частоте (в частности, невозможность переключения граничных частот); в-третьих, невозможность плавной подстройки характеристик фильтра (подстройка возможна лишь дискретная, обычно осуществляется путем удаления дискретных участков концов шлейфов); в-четвертых, невозможность обратимой подстройки характеристик фильтра (подстройка возможна лишь необратимая, поскольку осуществляется путем отрезания концов шлейфов); в-пятых, нетехнологичность и трудоемкость подстройки характеристик фильтра (поскольку производится обычно под микроскопом).The disadvantages of this device are: firstly, the lack of control (adjustment) of the filter according to the signal level (in particular, the inability to switch the filter from the band-stop to the band-pass mode, especially smooth switching); secondly, the lack of the ability to change the working frequency band of the filter, including frequency tuning (in particular, the inability to switch the boundary frequencies); thirdly, the impossibility of smoothly adjusting the filter characteristics (tuning is only possible discrete, usually by removing discrete sections of the ends of the loops); fourthly, the impossibility of reversibly adjusting the filter characteristics (adjustment is only irreversible, since it is carried out by cutting off the ends of the loops); fifthly, the low-tech and laboriousness of adjusting the filter characteristics (since it is usually done under a microscope).
Решаемой технической задачей изобретения является, во-первых, введение возможности управления (перестройки) фильтра по уровню сигнала (в частности переключения фильтра из полосно-заграждающего в полосно-пропускающий режим и обратно, в особенности плавного переключения); во-вторых, введение возможности изменения рабочей полосы частот фильтра, в том числе перестройки по частоте (в частности, переключения граничных частот); в-третьих, введение возможности плавной подстройки характеристик фильтра; в-четвертых, введение возможности обратимой подстройки характеристик фильтра; в-пятых, улучшение технологичности и снижение трудоемкости подстройки характеристик фильтра.The technical problem of the invention to be solved is, firstly, the introduction of the possibility of controlling (tuning) the filter according to the signal level (in particular, switching the filter from a band-stop to a band-pass mode and vice versa, in particular smooth switching); secondly, the introduction of the possibility of changing the operating frequency band of the filter, including frequency tuning (in particular, switching boundary frequencies); thirdly, the introduction of the possibility of smooth adjustment of the filter characteristics; fourthly, the introduction of the possibility of reversible adjustment of the filter characteristics; fifthly, improving manufacturability and reducing the complexity of adjusting the filter characteristics.
Решаемая техническая задача в микрополосковом фильтре, содержащем диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен проводящий экран, а на другой стороне - разделительные конденсаторы, входное и выходное плечи, между которыми через разделительные конденсаторы включены последовательно соединенные отрезки микрополосковых линий, к участкам соединения которых подключены разомкнутые шлейфы, причем к одному и тому же участку подключено не менее двух шлейфов, достигается тем, что введены активные элементы с подключенными к шлейфам выводами, управляющие цепи, подключенные к шлейфам, шлейфы подключены к участкам соединения так, что между соседними шлейфами включены разделительные конденсаторы, причем электрическая длина шлейфов менее электрической длины полуволнового отрезка микрополосковой линии. Шлейфы могут быть выполнены в виде отрезков микрополосковой линии, ширина которых различна как по длине шлейфа, так и между соседними шлейфами. В качестве активного элемента может использоваться p-i-n-диод. В качестве активного элемента может использоваться СВЧ-транзистор. Выводы активных элементов могут быть подключены к шлейфам на одинаковом по электрической длине расстоянии от участка соединения для выводов, принадлежащих одному и тому же активному элементу, и разном - для выводов, принадлежащих разным активным элементам, причем выводы разных активных элементов разделены включенным в шлейф разделительным конденсатором, электрическая длина которого вместе с электрической длиной шлейфа равна электрической длине четвертьволнового отрезка микрополосковой линии. Электрическая длина разделительного конденсатора между соседними шлейфами может быть равна электрической длине четного количества четвертьволновых отрезков микрополосковой линии.The technical problem to be solved is in a microstrip filter containing a dielectric substrate, on one side of which there is a conductive screen, and on the other side there are separation capacitors, input and output shoulders, between which through the separation capacitors are connected series-connected segments of microstrip lines, to the connection sections of which are connected open loops, moreover, at least two loops are connected to the same section, it is achieved by the fact that active elements with loops connected Fam terminals, control circuits connected to the loops, the loops are connected to the connection areas so that between the adjacent loops are connected isolation capacitors, and the electric length of the loops is less than the electric length of the half-wave segment of the microstrip line. The loops can be made in the form of segments of a microstrip line, the width of which varies both along the length of the loop and between adjacent loops. As the active element, a p-i-n diode can be used. As an active element, a microwave transistor can be used. The terminals of the active elements can be connected to the cables at the same electrical distance from the connection area for the terminals belonging to the same active element, and differently for the terminals belonging to different active elements, the terminals of different active elements being separated by a separation capacitor included in the cable , the electric length of which, together with the electric length of the cable, is equal to the electric length of the quarter-wave segment of the microstrip line. The electrical length of the isolation capacitor between adjacent loops can be equal to the electrical length of an even number of quarter-wave segments of the microstrip line.
На приведенных чертежах (Фиг.1, Фиг.2, Фиг.3) изображены примеры конкретной реализации предложенного микрополоскового фильтра.The drawings (Fig. 1, Fig. 2, Fig. 3) show examples of specific implementations of the proposed microstrip filter.
Примеры конкретной реализации предложенного микрополоскового фильтра (см. Фиг.1, Фиг.2, Фиг.3) содержат диэлектрическую подложку 1 (например, подложка толщиной 1 мм с относительной диэлектрической проницаемостью, равной 9,6), на одной стороне которой расположен проводящий экран (не показан), а на другой стороне - разделительные конденсаторы 2, входное 3 и выходное 4 плечи, между которыми через разделительные конденсаторы 2 включены последовательно соединенные отрезки микрополосковых линий 5 (например, два четвертьволновых отрезка 100-омных микрополосковых линий), к участкам соединения которых подключены разомкнутые шлейфы 6 (например, микрополосковые шлейфы с линейно изменяющейся шириной микрополоска), причем к одному и тому же участку подключено не менее двух шлейфов (например, два шлейфа для Фиг.1, три - для Фиг.2, четыре - для Фиг.3), введены активные элементы с подключенными к шлейфам выводами (например, в качестве активного элемента взят арсенид-галлиевый p-i-n-диод 7 (для Фиг.1, Фиг.3), биполярный СВЧ-транзистор 8 (для Фиг.2)), управляющие цепи 9, подключенные к шлейфам (например, в виде отдельных компактных фильтров низкой частоты, сделанных, например, по микрополосковой интегральной технологии и состоящих из последовательного чередования высокоомных четвертьволновых микрополосковых отрезков и секторных шлейфов (не показано)), разомкнутые шлейфы 6 подключены к участкам соединения так, что между соседними шлейфами включены разделительные конденсаторы 2, причем электрическая длина шлейфов 6 менее электрической длины полуволнового отрезка микрополосковой линии.Examples of a specific implementation of the proposed microstrip filter (see FIG. 1, FIG. 2, FIG. 3) comprise a dielectric substrate 1 (for example, a substrate 1 mm thick with a relative dielectric constant of 9.6), on which side a conductive screen is located (not shown), and on the other side there are
Для примера конкретной реализации (Фиг.1) шлейфы 6 выполнены в виде четвертьволновых микрополосковых отрезков с линейно возрастающей шириной (по направлению от подключенного к разомкнутому концу шлейфа).For an example of a specific implementation (Figure 1), the
Для примера конкретной реализации (Фиг.2) шлейфы 6 выполнены в виде четвертьволновых отрезков микрополосковой линии, ширина которых различна как по длине шлейфа, так и между соседними шлейфами (например, боковые шлейфы к разомкнутому концу шире среднего, причем ширина боковых шлейфов линейно возрастает, а среднего - линейно убывает (по направлению от подключенного к разомкнутому концу шлейфа).For an example of a specific implementation (Figure 2), the
Для примера конкретной реализации (Фиг.3) шлейфы 6 выполнены в виде отрезков микрополосковой линии, ширина которых различна как по длине шлейфа, так и между соседними шлейфами (например, два боковых шлейфа к разомкнутому концу шире двух средних, причем ширина боковых шлейфов линейно возрастает, а средних линейно убывает (по направлению от подключенного к разомкнутому концу шлейфа). Выводы активных элементов 7 (например, p-i-n-диодов) подключены к шлейфам 6 на одинаковом по электрической длине расстоянии от участка соединения для выводов, принадлежащих одному и тому же активному элементу, и разном - для выводов, принадлежащих разным активным элементам, причем выводы разных активных элементов разделены включенным в шлейф разделительным конденсатором (например, четыре конденсатора - по одному для каждого из четырех шлейфов), электрическая длина которого вместе с электрической длиной шлейфа равна электрической длине четвертьволнового отрезка микрополосковой линии. Электрическая длина разделительного конденсатора 2 между соседними шлейфами 6 равна электрической длине четного количества четвертьволновых отрезков микрополосковой линии (например, полуволновой электрической длине). Благодаря последовательному включению диодов управляющие цепи 9 подсоединены только к боковым шлейфам (например, по две управляющие цепи для каждого бокового шлейфа).For an example of a specific implementation (Figure 3), the
При работе предложенного устройства (см. Фиг.1, Фиг.2, Фиг.3) СВЧ-сигнал (например, со средней рабочей частотой 1,35 ГГц) с частотой из рабочей полосы частот, поступивший во входное плечо 3, прошел, отфильтровавшись на шлейфах 6 и подключенных к ним перестраиваемых активных элементах, в выходное плечо 4. Подача управляющих токов и напряжений на активные элементы 7 позволила плавно и в широких пределах регулировать характеристики фильтра (в том числе уровень полосы пропускания/заграждения и граничные частоты). Плечи 3 и 4 подключались к 50-омному тракту.When the proposed device (see Fig. 1, Fig. 2, Fig. 3), a microwave signal (for example, with an average operating frequency of 1.35 GHz) with a frequency from the working frequency band, which entered the input arm 3, passed through, being filtered on
По сравнению с прототипом в предложенном устройстве введены возможности управления (перестройки) фильтра по уровню сигнала (в частности переключения фильтра из полосно-заграждающего в полосно-пропускающий режим и обратно, в особенности плавного переключения). По мере плавного увеличения подачи управляющих токов и напряжений на активные элементы между концами полуволновых U-образных шлейфных резонаторов, образованных каждой парой соседних шлейфов, работа резонаторов постепенно отключается. Таким образом, при отключении управляющих токов и напряжений (отключении активных элементов) фильтр работает как полосно-пропускающий (за счет возникновения противофазных колебаний на концах полуволнового U-образного шлейфного резонатора (см. Фиг.1) или нескольких таких резонаторов (Фиг.2)). При включении управляющих токов и напряжений (включении активных элементов) фильтр работает как полосно-заграждающий (колебания на концах шлейфов синфазны, все шлейфы работают как один общий низкоомный четвертьволновый разомкнутый шлейф (Фиг.1, Фиг.2)).Compared with the prototype, the proposed device introduced the possibility of controlling (tuning) the filter according to the signal level (in particular, switching the filter from the band-stop to the band-pass mode and vice versa, especially smooth switching). As the supply of control currents and voltages to the active elements between the ends of the half-wave U-shaped loop resonators formed by each pair of adjacent loops gradually increases, the operation of the resonators is gradually turned off. Thus, when the control currents and voltages are turned off (active elements are turned off), the filter operates as a band-pass filter (due to the occurrence of out-of-phase oscillations at the ends of a half-wave U-shaped loop resonator (see Figure 1) or several such resonators (Figure 2) ) When control currents and voltages are turned on (active elements are turned on), the filter operates as a band-stop (oscillations at the ends of the loops are in phase, all loops work as one common low-impedance quarter-wave open loop (Fig. 1, Fig. 2)).
По сравнению с прототипом в предложенном устройстве введены возможности изменения рабочей полосы частот фильтра, в том числе перестройки по частоте (в частности, переключения граничных частот). При трех и более шлейфах (Фиг.2 и Фиг.3) избирательное включение разных шлейфов (комбинаций шлейфов) и разных частей шлейфов в рабочий U-образный резонатор позволяет менять граничные частоты. Подключение активных элементов не только к концам шлейфов, но и к промежуточным точкам шлейфов (см. Фиг.3) дает возможность переключать рабочую длину U-образных шлейфных резонаторов и, следовательно, переключать область рабочих частот при работе в полосно-пропускающем режиме.Compared with the prototype, the proposed device introduces the possibility of changing the operating frequency band of the filter, including frequency tuning (in particular, switching boundary frequencies). With three or more loops (Figure 2 and Figure 3), the selective inclusion of different loops (combinations of loops) and different parts of the loops in the working U-shaped resonator allows you to change the cutoff frequencies. The connection of active elements not only to the ends of the loops, but also to the intermediate points of the loops (see Figure 3) makes it possible to switch the working length of the U-shaped loop resonators and, therefore, switch the range of operating frequencies when operating in the band-pass mode.
По сравнению с прототипом в предложенном устройстве введены возможности плавной подстройки характеристик фильтра. Возможность плавного изменения управляющих токов и напряжений позволяет плавно подстраивать характеристики фильтра. Например, в случае использования в качестве активных элементов p-i-n-диодов (например, арсенид-галлиевых диодов типа 2А517) рабочий диапазон тока через диод - от 0 до 0,05 мА (причем диапазон бесступенчатый, плавный). В прототипе же можно осуществлять лишь дискретную подстройку (например, путем отрезания дискретных участков концов шлейфов).Compared with the prototype in the proposed device introduced the possibility of smooth adjustment of the filter characteristics. The ability to smoothly change the control currents and voltages allows you to smoothly adjust the filter characteristics. For example, if p-i-n-diodes (for example, gallium arsenide diodes of type 2A517) are used as active elements, the working range of the current through the diode is from 0 to 0.05 mA (the range is stepless, smooth). In the prototype, however, only discrete adjustment can be carried out (for example, by cutting off discrete sections of the ends of the loops).
По сравнению с прототипом в предложенном устройстве введены возможности обратимой подстройки характеристик фильтра. Возможность при изменении управляющих токов и напряжений вернуться к исходному их значению позволяет осуществлять обратимую подстройку в предложенном устройстве. В прототипе же подстройка (например, путем отрезания участков концов шлейфов) необратима (даже если удастся припаять обратно отрезанный участок, то, ввиду неточностей пайки, неизбежного добавления посторонний включений (припоя, флюса), искажения геометрической формы концов шлейфов, получить исходные характеристики фильтра не удается).Compared with the prototype in the proposed device introduced the possibility of reversible adjustment of the filter characteristics. The ability to change the control currents and voltages to return to their original value allows reversible adjustment in the proposed device. In the prototype, the adjustment (for example, by cutting sections of the ends of the loops) is irreversible (even if it is possible to solder back the cut section, then, due to inaccuracies in soldering, the inevitable addition of extraneous inclusions (solder, flux), distortion of the geometric shape of the ends of the loops, it is not possible to obtain the initial filter characteristics succeeds).
По сравнению с прототипом в предложенном устройстве улучшена технологичность и снижена трудоемкость подстройки характеристик фильтра. Подстройка осуществляется лишь путем изменения управляющих токов и напряжений, без изменения топологии и схемы устройства, без отключения устройства. В прототипе же необходимо трудоемкое изменение топологии (например, удаление участков концов шлейфов обычно осуществляется под микроскопом и при отключении устройства, причем после изменения топологии необходимо вновь подключать фильтр к измерительной аппаратуре, затем опять осуществлять изменение топологии в отключенном устройстве и т.д.).Compared with the prototype, the proposed device has improved manufacturability and reduced the complexity of adjusting the filter characteristics. Adjustment is carried out only by changing the control currents and voltages, without changing the topology and circuitry of the device, without turning off the device. In the prototype, a laborious change in the topology is necessary (for example, removal of sections of the ends of the loops is usually carried out under a microscope and when the device is turned off, and after changing the topology, it is necessary to reconnect the filter to the measuring equipment, then again change the topology in the disconnected device, etc.).
Дополнительным достоинством предложенного устройства является возможность уменьшения габаритов устройства в связи с включением в микрополосковые отрезки и шлейфы разделительных конденсаторов с диэлектрической проницаемостью больше диэлектрической проницаемости подложки и, следовательно, с большой электрической длиной по сравнению с микрополоском той же геометрической длины, что и конденсатор. Поэтому с включением таких разделительных конденсаторов геометрическая длина микрополосковых отрезков и шлейфов (например, см. Фиг.3) уменьшается при сохранении той же электрической длины (или же эффективной электрической длины, отличающейся на четное количество четвертей волн). При этом включение конденсаторов вблизи середины, а не края шлейфа позволяет максимально сократить вносимые искажения в работу устройства. Кроме того, включение конденсаторов полуволновой электрической длины между соседними шлейфами позволяет достичь нулевой эффективной электрической длины между участками подключения шлейфов, что улучшает работу устройства и недостижимо при обычном способе подключения шлейфов к участкам, отстоящим друг от друга на величину межшлейфного зазора (с ненулевой электрической длиной).An additional advantage of the proposed device is the ability to reduce the dimensions of the device due to the inclusion in the microstrip segments and loops of separation capacitors with a dielectric constant greater than the dielectric constant of the substrate and, therefore, with a large electric length compared to a microstrip of the same geometric length as the capacitor. Therefore, with the inclusion of such separation capacitors, the geometric length of the microstrip segments and loops (for example, see Figure 3) is reduced while maintaining the same electrical length (or effective electric length, which differs by an even number of quarters of waves). In this case, the inclusion of capacitors near the middle, and not the edge of the loop, allows to minimize the introduced distortions in the operation of the device. In addition, the inclusion of half-wave electric capacitors between adjacent loops allows achieving a zero effective electric length between the loop connection areas, which improves the operation of the device and is unattainable in the usual way of connecting the loops to sections separated by an inter-loop gap (with a non-zero electric length) .
Кроме того, к достоинствам предложенного устройства относится удобный ортогональный характер геометрии топологии (состоит только из вертикальных и горизонтальных отрезков), который адаптирован к предъявляемым требованиям по программируемому вводу и легко реализуется современными автоматизированными устройствами изготовления фотошаблонов.In addition, the advantages of the proposed device include the convenient orthogonal nature of the geometry of the topology (consists only of vertical and horizontal segments), which is adapted to the requirements for programmable input and is easily implemented by modern automated devices for making photo masks.
Кроме того, к достоинствам предложенного устройства следует отнести то, что предложенное устройство чрезвычайно экономично с точки зрения потребляемой мощности. Например, арсенид-галлиевый p-i-n-диод (например, типа 2А517) в предложенном устройстве благодаря особенностям подключения потребляет ток в предельных режимах работы в интервале от 0 до всего 0,05 мА, тогда как в других СВЧ-устройства он потребляет ток в предельных режимах работы в интервале от 0 до 30-100 мА.In addition, the advantages of the proposed device should include the fact that the proposed device is extremely economical in terms of power consumption. For example, a gallium arsenide pin diode (for example, type 2A517) in the proposed device, due to the connection features, consumes current in extreme operating modes in the range from 0 to only 0.05 mA, while in other microwave devices it consumes current in extreme modes works in the range from 0 to 30-100 mA.
Изготовленные опытные образцы предложенного микрополоскового фильтра показали, что они по эксплуатационным параметрам не уступают известным аналогам и прототипу, кроме того, топология предложенного устройства имеет удобную для реализации компактную геометрическую структуру.The manufactured prototypes of the proposed microstrip filter showed that they are not inferior to the known analogues and prototype in operational parameters, in addition, the topology of the proposed device has a compact geometric structure that is convenient for implementation.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003134098/09A RU2262781C2 (en) | 2003-11-24 | 2003-11-24 | Microstrip filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003134098/09A RU2262781C2 (en) | 2003-11-24 | 2003-11-24 | Microstrip filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003134098A RU2003134098A (en) | 2005-05-27 |
| RU2262781C2 true RU2262781C2 (en) | 2005-10-20 |
Family
ID=35824149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003134098/09A RU2262781C2 (en) | 2003-11-24 | 2003-11-24 | Microstrip filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2262781C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2662058C1 (en) * | 2017-06-26 | 2018-07-23 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации | Microvawe low-pass filter |
| RU199124U1 (en) * | 2018-07-23 | 2020-08-17 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют-27" (АО "НПП "Салют-27") | Microwave protective device |
-
2003
- 2003-11-24 RU RU2003134098/09A patent/RU2262781C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| МАКАРОВА Л.В. и др. Проектирование умножителей частоты на диодах с нелинейной емкостью р-n перехода. г. Куйбышев: КАИ, 1981, с.50-51. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2662058C1 (en) * | 2017-06-26 | 2018-07-23 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации | Microvawe low-pass filter |
| RU199124U1 (en) * | 2018-07-23 | 2020-08-17 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Салют-27" (АО "НПП "Салют-27") | Microwave protective device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2003134098A (en) | 2005-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101294707B1 (en) | Multirole circuit element capable of operating as variable resonator or transmission line and variable filter incorporating the same | |
| US8427260B2 (en) | Dual-band bandpass resonator and dual-band bandpass filter | |
| CN109301404B (en) | LTCC (Low temperature Co-fired ceramic) wide stop band filtering balun based on frequency selective coupling | |
| Sirci et al. | Low-loss 3-bit tunable SIW filter with PIN diodes and integrated bias network | |
| WO2008108783A2 (en) | Radio frequency devices with enhanced ground structure | |
| US20130307640A1 (en) | Transmission line resonator, bandpass filter using transmission line resonator, splitter, balanced-to-unbalanced transformer, power distributor, unbalanced-to-balanced transformer, frequency mixer, and balance-type filter | |
| JP6265461B2 (en) | Resonator-loaded dual-band resonator and dual-band filter using the same | |
| US20090066443A1 (en) | Signal selecting device | |
| RU2262781C2 (en) | Microstrip filter | |
| JP6265460B2 (en) | Dual band resonator and dual band bandpass filter using the same | |
| RU2262782C2 (en) | Stripline filter | |
| KR101788824B1 (en) | Apparatus for microstrip reconfigurable duplexer device controlled by single switch | |
| US11916295B2 (en) | Frequency selective surface | |
| Sirci et al. | Electronically reconfigurable doublet in dual-mode coaxial SIW | |
| Bhat et al. | Electronically tunable dual band microwave filter | |
| Sam et al. | The investigation of reconfigurable SIW filter using varactor diodes | |
| JP2006253877A (en) | High-frequency filter | |
| Yao et al. | Tunable microstrip ring bandpass filter | |
| Allanic et al. | Bandpass Filter at 5 GHz with Reconfigurable Bandwidth Using Integrated ScDDAs | |
| JP4189971B2 (en) | Variable frequency type high frequency filter | |
| JP2007142977A (en) | Tunable antenna and its control method | |
| US20240171163A1 (en) | Frequency selecting/switching circuit | |
| KR101391428B1 (en) | Meta-material band rejection filter based having conductor backed defected ground structure | |
| Rehman et al. | Reconfigurable bandstop filter using defected ground structure (DGS) | |
| JP4533987B2 (en) | Frequency conversion method and frequency converter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20051125 |