RU2253123C1 - Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method - Google Patents

Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method Download PDF

Info

Publication number
RU2253123C1
RU2253123C1 RU2004106671/28A RU2004106671A RU2253123C1 RU 2253123 C1 RU2253123 C1 RU 2253123C1 RU 2004106671/28 A RU2004106671/28 A RU 2004106671/28A RU 2004106671 A RU2004106671 A RU 2004106671A RU 2253123 C1 RU2253123 C1 RU 2253123C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resonator
circuit
resonant frequency
measured
sample
Prior art date
Application number
RU2004106671/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Г.В. Дмитриенко (RU)
Г.В. Дмитриенко
Н.А. Трефилов (RU)
Н.А. Трефилов
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority to RU2004106671/28A priority Critical patent/RU2253123C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2253123C1 publication Critical patent/RU2253123C1/en

Links

Landscapes

  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

FIELD: electric engineering.
SUBSTANCE: method and device are used for performing measurements of complex dielectric penetrability of low-impedance materials, having rough surface, by resonator method. According to inventive method, standard short circuit locker and two additional standard short circuit lockers are used, smooth one and rough one, then resonance frequency and Q-factor of resonator are measured with standard short circuit lockers and measured material sample, on basis of received results values of complex dielectric penetrability are calculated.
EFFECT: higher precision.
2 cl

Description

Изобретение относится к области измерения электрических величин и может быть использовано в производстве существующих и новых поглощающих низкоимпедансных материалов типа углепластиков, применяемых в СВЧ диапазоне, а также для контроля электрических параметров диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь.The invention relates to the field of measuring electrical quantities and can be used in the production of existing and new absorbing low-impedance materials such as carbon fiber, used in the microwave range, as well as to control the electrical parameters of the dielectric constant and the dielectric loss tangent.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является выбранный в качестве прототипа способ для измерения комплексной диэлектрической проницаемости косвенным методом [см.. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 120 с.]. Измерения проводятся в два этапа, вначале производят измерение резонансной частоты и добротности полого разъемного перестраиваемого цилиндрического резонатора, у которого подвижный поршень является одной из торцевых стенок резонатора и играет роль эталонного короткозамыкателя. От СВЧ генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна, производят измерение резонансной частоты и добротности полого резонатора. Затем в цилиндрический резонатор помещают образец измеряемого материала на поршень и также производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с материалом. Информация о параметрах материала заключается в резонансной частоте и добротности резонатора. Обработка результатов производится по методике изложенной [см. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 117 с.].Closest to the technical nature of the claimed invention is the selected as a prototype method for measuring complex dielectric constant by the indirect method [see .. Brandt A.A. The study of dielectrics at microwave frequencies. - M .: Fizmatgiz, 1963. - 120 p.]. The measurements are carried out in two stages, first they measure the resonant frequency and quality factor of a hollow detachable tunable cylindrical resonator, in which the movable piston is one of the end walls of the resonator and plays the role of a standard short circuit. A sounding electromagnetic wave is supplied from the microwave generator through the waveguide, and the resonant frequency and Q-factor of the hollow resonator are measured. Then, a sample of the measured material is placed on the piston in a cylindrical resonator and the resonant frequency and quality factor of the resonator with the material are also measured. Information about the parameters of the material lies in the resonant frequency and the quality factor of the resonator. Processing of the results is carried out according to the method described above [see Brandt A.A. The study of dielectrics at microwave frequencies. - M .: Fizmatgiz, 1963. - 117 p.].

Недостатком описанного прототипа являются большие ошибки измерения ε и tgδ для низкоимпедансных материалов, имеющих одновременно большие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ и характеризующиеся большими коэффициентами отражения от образца и наличие шероховатой рабочей поверхности.The disadvantage of the described prototype is the large measurement errors ε and tanδ for low-impedance materials having simultaneously large values of dielectric constant ε and dielectric loss tangent tanδ and characterized by large reflection coefficients from the sample and the presence of a rough working surface.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является выбранное в качестве прототипа устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости косвенным методом, включающее СВЧ генератор, измерительное устройство резонансной частоты резонатора, разъемный перестраиваемый цилиндрический резонатор и измеряемый материал [см. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. - 120 с.]. Измерения проводятся в два этапа, вначале производят измерение резонансной частоты и добротности полого разъемного перестраиваемого цилиндрического резонатора, у которого подвижный поршень является одной из торцевых стенок резонатора и играет роль эталонного короткозамыкателя. От СВЧ генератора по волноводу подается зондирующая электромагнитная волна, производят измерение резонансной частоты и добротности полого резонатора. Затем в цилиндрический резонатор помещают образец измеряемого материала на поршень и также производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с материалом. Информация о параметрах материала заключается в резонансной частоте и добротности резонатора. Обработка результатов производится по методике, изложенной [см. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963. – 117 с.].The closest in technical essence to the claimed invention is a device selected for prototype measurement of complex permittivity by an indirect method, comprising a microwave generator, a resonant resonance frequency measuring device, a detachable tunable cylindrical resonator and a measured material [see Brandt A.A. The study of dielectrics at microwave frequencies. - M .: Fizmatgiz, 1963. - 120 p.]. The measurements are carried out in two stages, first they measure the resonant frequency and quality factor of a hollow detachable tunable cylindrical resonator, in which the movable piston is one of the end walls of the resonator and plays the role of a standard short circuit. A sounding electromagnetic wave is supplied from the microwave generator through the waveguide, and the resonant frequency and Q-factor of the hollow resonator are measured. Then, a sample of the measured material is placed on the piston in a cylindrical resonator and the resonant frequency and quality factor of the resonator with the material are also measured. Information about the parameters of the material lies in the resonant frequency and the quality factor of the resonator. Processing of the results is carried out according to the method described [see Brandt A.A. The study of dielectrics at microwave frequencies. - M .: Fizmatgiz, 1963. - 117 p.].

Недостатком описанного прототипа являются большие ошибки измерения ε и tgδ для низкоимпедансных материалов, имеющих одновременно большие значения диэлектрической проницаемости ε и тангенса угла диэлектрических потерь tgδ и характеризующиеся большими коэффициентами отражения от образца и наличие шероховатой рабочей поверхности.The disadvantage of the described prototype is the large measurement errors ε and tanδ for low-impedance materials having simultaneously large values of dielectric constant ε and dielectric loss tangent tanδ and characterized by large reflection coefficients from the sample and the presence of a rough working surface.

К причинам, препятствующим достижению указанного ниже технического результата при использовании известного способа, принятого за прототип, относится то, что известный способ имеет низкую точность измерения низкоимпедансных материалов, имеющих большие значения комплексной диэлектрической проницаемости. При этом инструментальные и методические погрешности способа приводят к большим ошибкам измерения ε и tgδ. Одной из причин погрешностей является отличие в величине шероховатостей поверхности эталонного короткозамыкателя и измеряемого образца.For reasons that impede the achievement of the technical result indicated below when using the known method adopted as a prototype, the known method has low accuracy in measuring low-impedance materials having large values of complex dielectric constant. Moreover, the instrumental and methodological errors of the method lead to large errors in the measurement of ε and tanδ. One of the causes of errors is the difference in the surface roughness of the reference short circuit and the measured sample.

Сущность изобретения заключается в следующем. В процессе измерения и обработки результатов измерений не учитывается различие шероховатостей поверхностей образца измеряемого материала и эталонного короткозамыкателя, с которым производится сравнение, что приводит к погрешностям измерения. Поэтому для повышения точности измерения фазы в качестве эталона предлагается использовать промежуточный короткозамыкатель, имеющий такую же шероховатость поверхности, как измеряемый материал, шероховатый короткозамыкатель можно изготовить из образца измеряемого материала, на который нанесено металлическое отражающее покрытие, например, методом вакуумного напыления. Шероховатый короткозамыкатель повторяет рельеф шероховатой поверхности исследуемого материала и устраняет ошибку, вызванную различием шероховатости поверхностей образца измеряемого материала и эталонного короткозамыкателя. Но в процессе измерения и обработки результатов измерений не учитывается отличие отражательных свойств нанесенного металлического покрытия от отражательных свойств материала эталонного короткозамыкателя. Для оценки отражательных свойств нанесенного металлического покрытия шероховатого короткозамыкателя производят его сравнения с эталонным короткозамыкателем. Для этого берут эталонный короткозамыкатель и наносят на него отражающее металлическое покрытие, как на шероховатом короткозамыкателе. В результате получают образец измеряемого материала и три эталонных короткозамыкателя:The invention consists in the following. In the process of measuring and processing the measurement results, the difference in the roughness of the surfaces of the sample of the measured material and the standard short-circuit, with which the comparison is made, is not taken into account, which leads to measurement errors. Therefore, to improve the accuracy of phase measurement, it is proposed to use an intermediate short circuit having the same surface roughness as the measured material as a reference, a rough short circuit can be made from a sample of the measured material on which a metal reflective coating is applied, for example, by vacuum spraying. A rough short-circuit repeats the relief of the rough surface of the material under study and eliminates the error caused by the difference in the roughness of the surfaces of the sample of the measured material and the standard short-circuit. But in the process of measuring and processing the measurement results, the difference between the reflective properties of the deposited metal coating and the reflective properties of the material of the short circuit is not taken into account. To assess the reflective properties of the applied metal coating of a rough short-circuit, compare it with a standard short-circuit. To do this, take a standard short circuit and apply a reflective metal coating on it, as on a rough short circuit. The result is a sample of the measured material and three reference short circuit:

1 короткозамыкатель - эталонный короткозамыкатель, рекомендуемый ГОСТом для измерения параметров диэлектрических материалов [ГОСТ 8.358-79.ГСИ. Методика выполнения измерений относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в диапазоне частот от 0,2 до 1 ГГц. - М.: Изд-во стандартов, 1979. - 12 с.];1 short circuit - reference short circuit recommended by GOST for measuring the parameters of dielectric materials [GOST 8.358-79. GSI. The methodology for measuring the relative dielectric constant and the dielectric loss tangent in the frequency range from 0.2 to 1 GHz. - M .: Publishing house of standards, 1979. - 12 p.];

2 короткозамыкатель - гладкий короткозамыкатель, имеющий частоту обработки поверхности, как эталонный короткозамыкатель 1, один из эталонных короткозамыкателей с нанесенным на него отражающим металлическим покрытием;2 short-circuit - a smooth short-circuit having a frequency of surface treatment, as a standard short-circuit 1, one of the standard short-circuits with a reflective metal coating applied to it;

3 короткозамыкатель - шероховатый короткозамыкатель, имеющий частоту обработки поверхности, как измеряемый образец, один из измеряемых образцов с нанесенным на него отражающим металлическим покрытием, как в эталонном короткозамыкателе 2.3 short circuit - a rough short circuit having a surface treatment frequency as a measured sample, one of the measured samples coated with a reflective metal coating, as in the reference short circuit 2.

По измеренным резонансным частотам и добротностям резонатора от короткозамыкателей (fpeз1, fрез2, fрез3, Q1, Q2, Q3) и измеряемого образца материала (fpeз.oбp, Qoбp) производится обработка результатов измерений и вычисление комплексной диэлектрической проницаемости. По значениям резонансных частот и добротностей (fpeз1, fpeз2, Q1, Q2) производят оценку и уточнение отражательных свойств металлического покрытия, нанесенного на поверхность эталонного короткозамыкателя с эталонным короткозамыкателем. По уточненным значениям резонансной часты и добротности и (fрез3, fрез3,) производят оценку и уточнение отражательных свойств металлического покрытия, нанесенного на поверхность эталонного короткозамыкателя с металлическим покрытием, нанесенным на шероховатую поверхность одного образца измеряемого материала. С уточненными параметрами резонансной частоты и добротности производят вычисление комплексной диэлектрической проницаемости образца измеряемого материала по методике [см. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. - М.: Физматгиз, 1963.].Based on the measured resonant frequencies and the Q factor of the resonator from short-circuiting (f re1 , f rez2 , f rez3 , Q 1 , Q 2 , Q 3 ) and the measured sample of the material (f re.sample , Q obr ), the measurement results are processed and the complex permittivity is calculated . The values of the resonant frequencies and Q factors (f pe1 , f pe2 , Q 1 , Q 2 ) evaluate and refine the reflective properties of the metal coating deposited on the surface of the standard short-circuit with a standard short-circuit. Based on the updated values of the resonant frequency and quality factor and (f res3 , f res3 ,), the reflective properties of the metal coating deposited on the surface of the standard short circuit with a metal coating deposited on the rough surface of one sample of the measured material are estimated and refined. With the refined parameters of the resonant frequency and figure of merit, the complex dielectric permittivity of the sample of the measured material is calculated by the method [see Brandt A.A. The study of dielectrics at microwave frequencies. - M .: Fizmatgiz, 1963.].

Технический результат - повышение точности измерения комплексной диэлектрической проницаемости композиционных материалов, имеющих шероховатую поверхность.EFFECT: increased accuracy of measuring the complex dielectric constant of composite materials having a rough surface.

Указанный технический результат при осуществлении способа достигается тем, что в известном способе измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ, заключающемся в измерении резонансной частоты и добротности полого разъемного перестраиваемого резонатора, а затем с помещенным в него образцом измеряемого материала, с последующей обработкой результатов измерений.The specified technical result in the implementation of the method is achieved by the fact that in the known method for measuring the complex permittivity of low-impedance materials on microwave, which consists in measuring the resonant frequency and quality factor of a hollow detachable tunable resonator, and then with a sample of the measured material placed in it, with subsequent processing of the measurement results.

Особенность способа заключается в том, что производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с эталонным короткозамыкателем, затем с гладким эталонным короткозамыкателем, вычисляют уточненное значение резонансной частоты и добротности резонатора с гладким эталонным короткозамыкателем, затем производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с шероховатым эталонным короткозамыкателем, вычисляют уточненное значение резонансной частоты и добротности резонатора с шероховатым эталонным короткозамыкателем, затем производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с образца измеряемого материала, затем по значениям резонансной частоты и добротности резонатора с измеряемым образцом и по уточненному значению резонансной частоты и добротности резонатора с шероховатым эталонным короткозамыкателем определяют значения комплексной диэлектрической проницаемости измеряемого материала.The peculiarity of the method lies in the fact that they measure the resonant frequency and quality factor of a resonator with a standard short circuit, then with a smooth reference short circuit, calculate the updated value of the resonant frequency and quality factor of a resonator with a smooth reference short circuit, then measure the resonant frequency and quality factor of a resonator with a rough standard calculate the updated value of the resonant frequency and quality factor of the resonator with a rough reference short-circuit elem, then measuring the resonant frequency and Q-factor of the resonator with the sample material to be measured, then the values of the resonant frequency and Q of the resonator with the measured sample and the updated value of the resonant frequency and Q-factor of the resonator to short-circuiting roughened reference values determine the complex permittivity of the measured material.

Указанный технический результат при осуществлении устройства для измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ, содержащего СВЧ генератор, который подключен к измерительному устройству резонансной частоты резонатора, к противоположному концу измерительного устройства подключен разъемный перестраиваемый цилиндрический резонатор, в который установлен эталонный короткозамыкатель, а затем образец измеряемого материала.The specified technical result when implementing a device for measuring the complex dielectric constant of low-impedance materials on a microwave, containing a microwave generator, which is connected to a measuring device for the resonant frequency of the resonator, a detachable tunable cylindrical resonator is connected to the opposite end of the measuring device, in which a standard short-circuit, and then a sample of the measured material.

Особенность устройства заключается в том, что введены дополнительно два эталонных короткозамыкателя, причем один из них, гладкий эталонный короткозамыкатель, имеющий такую шероховатость поверхности, как эталонный короткозамыкатель с нанесенным на него отражающим металлическим покрытием, а второй - шероховатый эталонный короткозамыкатель, имеющий такую же шероховатость поверхности, как измеряемый материал с нанесенным на него отражающим металлическим покрытием.A feature of the device is that two additional standard short-circuits are introduced, one of which is a smooth standard short-circuit having a surface roughness such as a standard short-circuit with a reflective metal coating applied to it, and the second is a rough standard short-circuit, having the same surface roughness as a measured material coated with a reflective metal coating.

Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения с получением вышеуказанного технического результата. Способ реализуется с помощью устройства. Вначале изготавливают шероховатый эталонный короткозамыкатель с шероховатостью, повторяющей шероховатость измеряемого образца, затем изготавливают гладкий эталонный короткозамыкатель, повторяющий шероховатость эталонного короткозамыкателя, для оценки отражательных свойств металлического покрытия у шероховатого эталонного короткозамыкателя. После производят измерения резонансной частоты и добротности резонатора с эталонным короткозамыкателем, затем с гладким эталонным короткозамыкателем, затем с шероховатым эталонным короткозамыкателем и с образцом измеряемого материала, затем производят обработку результатов измерений с вычислением значений комплексной диэлектрической проницаемости.Information confirming the possibility of carrying out the invention with obtaining the above technical result. The method is implemented using the device. First, a rough reference short circuit is made with a roughness that repeats the roughness of the measured sample, then a smooth reference short circuit is repeated that repeats the roughness of the reference short circuit to evaluate the reflective properties of the metal coating of the rough reference short circuit. After that, the resonant frequency and quality factor of the resonator are measured with a reference short circuit, then with a smooth reference short circuit, then with a rough reference short circuit and with a sample of the measured material, then the measurement results are processed with the calculation of the complex dielectric constant values.

Для проведения измерений комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с образцом измеряемого материала, имеющего шероховатую поверхность. Берут два образца измеряемого материала и два эталонных короткозамыкателя. На один образец измеряемого материала и на один эталонный короткозамыкатель наносят металл с высокими отражающими свойствами, например, серебро, эти образцы используются в качестве шероховатого и гладкого эталонных короткозамыкателей. Второй образец измеряемого материала используется как измеряемый. Измерения проводятся в четыре этапа: с эталонным короткозамыкателем, с гладким эталонным короткозамыкателем, с шероховатым эталонным короткозамыкателем и с образцом измеряемого материала.To measure the complex permittivity of low-impedance materials, the resonant frequency and the Q factor of the resonator are measured with a sample of the measured material having a rough surface. Two samples of the measured material and two reference short circuits are taken. A metal with high reflective properties, for example, silver, is applied to one sample of the measured material and to one reference short-circuit, for example, these samples are used as a rough and smooth reference short-circuits. A second sample of the measured material is used as the measured. The measurements are carried out in four stages: with a reference short-circuit, with a smooth reference short-circuit, with a rough reference short-circuit and with a sample of the measured material.

От СВЧ генератора к разъемному перестраиваемому цилиндрическому резонатору подается зондирующая электромагнитная волна. Вначале производятся измерения резонансной частоты и добротности резонатора с эталонным короткозамыкателем, затем с гладким эталонным короткозамыкателем, затем с шероховатым эталонным короткозамыкателем и с образцом измеряемого материала. По измеренным резонансным частотам и добротностям резонатора от короткозамыкателей (fрез1, fpeз2, fрез3, Q1, Q2, Q3) и измеряемого образца материала (fрез.обр, Qoбp) производится обработка результатов измерений и вычисление комплексной диэлектрической проницаемости. По значениям резонансных частот и добротностей (fpeз1, fрез2, Q1, Q2) производят оценку и уточнение отражательных свойств металлического покрытия, нанесенного на поверхность эталонного короткозамыкателя с эталонным короткозамыкателем. По уточненным значениям резонансной часты и добротности и (fpeз3, fрез3) производят оценку и уточнение отражательных свойств металлического покрытия, нанесенного на поверхность эталонного короткозамыкателя с металлическим покрытием, нанесенным на шероховатую поверхность одного образца измеряемого материала. Информация о параметрах материала заключается в резонансной частоте и добротности резонатора с образцом измеряемого материала. С уточненными параметрами резонансной частоты и добротности производят вычисление комплексной диэлектрической проницаемости образца измеряемого материала.A probe electromagnetic wave is supplied from a microwave generator to a detachable tunable cylindrical resonator. First, measurements are made of the resonant frequency and quality factor of the resonator with a reference short circuit, then with a smooth reference short circuit, then with a rough reference short circuit and with a sample of the measured material. Based on the measured resonant frequencies and the Q factor of the resonator from short-circuiting (f res1 , f res2 , f res3 , Q 1 , Q 2 , Q 3 ) and the measured sample of the material (f res res , Q res ), the measurement results are processed and the complex permittivity is calculated . The values of the resonant frequencies and Q factors (f pe1 , fres2 , Q 1 , Q 2 ) evaluate and refine the reflective properties of the metal coating deposited on the surface of the standard short-circuit with a standard short-circuit. Based on the updated values of the resonant frequency and quality factor and (f pe3 , fres3 ), the reflective properties of the metal coating deposited on the surface of the standard short circuit with a metal coating deposited on the rough surface of one sample of the measured material are evaluated and refined. Information about the parameters of the material lies in the resonant frequency and quality factor of the resonator with a sample of the measured material. With the refined parameters of the resonant frequency and quality factor, the complex dielectric constant of the sample of the measured material is calculated.

Таким образом, изложенные сведения свидетельствуют о выполнении при использовании заявленного изобретения следующей совокупности условий:Thus, the above information indicates the fulfillment of the following set of conditions when using the claimed invention:

- средство, воплощающее заявленный способ при его осуществлении, предназначено для использования в промышленности, а именно в измерении параметров диэлектрических материалов;- a tool embodying the claimed method in its implementation, is intended for use in industry, namely in measuring the parameters of dielectric materials;

- для заявленного способа в том виде, как он охарактеризован в независимом пункте изложенной формулы изобретения, подтверждена возможность его осуществления с помощью описанных в заявке или известных до даты приоритета средств и методов.- for the claimed method in the form described in the independent clause of the claims, the possibility of its implementation using the means and methods described in the application or known prior to the priority date is confirmed.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует условию “промышленная применимость”.Therefore, the claimed invention meets the condition of “industrial applicability”.

Claims (2)

1. Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ, заключающийся в измерении резонансной частоты и добротности полого разъемного перестраиваемого резонатора, а затем с помещенным в него образцом измеряемого материала, с последующей обработкой результатов измерений, отличающийся тем, что производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с эталонным короткозамыкателем, затем с гладким эталонным короткозамыкателем, вычисляют уточненное значение резонансной частоты и добротности резонатора с гладким эталонным короткозамыкателем, затем производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с шероховатым эталонным короткозамыкателем, вычисляют уточненное значение резонансной частоты и добротности резонатора с шероховатым эталонным короткозамыкателем, затем производят измерение резонансной частоты и добротности резонатора с образцом измеряемого материала, затем по значениям резонансной частоты и добротности резонатора с измеряемым образцом и по уточненному значению резонансной частоты и добротности резонатора с шероховатым эталонным короткозамыкателем определяют значения комплексной диэлектрической проницаемости измеряемого материала.1. The method of measuring the complex permittivity of low-impedance materials on microwave, which consists in measuring the resonant frequency and quality factor of a hollow detachable tunable resonator, and then with a sample of the measured material placed in it, followed by processing of the measurement results, characterized in that the measurement of the resonant frequency and quality factor resonator with a reference short-circuit, then with a smooth reference short-circuit, calculate the updated value of the resonant frequency and add resonator frequency with a smooth reference short-circuit, then measure the resonant frequency and Q factor of the resonator with a rough reference short-circuit, calculate the adjusted value of the resonant frequency and Q-factor of the resonator with a rough reference short-circuit, then measure the resonant frequency and Q-factor of the resonant material with the sample value the frequency and quality factor of the resonator with the measured sample and the specified value of the resonant frequency The s and the Q-factors of a resonator with a rough reference short-circuit breaker determine the complex permittivity of the measured material. 2. Устройство для измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных материалов на СВЧ, содержащее СВЧ-генератор, который подключен к измерительному устройству резонансной частоты резонатора, к противоположному концу измерительного устройства подключен разъемный перестраиваемый цилиндрический резонатор, в который установлен эталонный короткозамыкатель, а затем образец измеряемого материала, отличающееся тем, что введены дополнительно два эталонных короткозамыкателя, причем один из них, гладкий эталонный короткозамыкатель, имеющий такую же шероховатость поверхности как эталонный короткозамыкатель с нанесенным на него отражающим металлическим покрытием, а второй - шероховатый эталонный короткозамыкатель, имеющий такую же шероховатость поверхности как измеряемый материал, с нанесенным на него отражающим металлическим покрытием.2. A device for measuring the complex permittivity of low-impedance materials on a microwave, containing a microwave generator, which is connected to a resonant frequency measuring device of the resonator, a detachable tunable cylindrical resonator is connected to the opposite end of the measuring device, in which a standard short-circuit, and then a sample of the measured material, characterized in that an additional two reference short circuits are introduced, one of them being a smooth reference short a contactor having the same surface roughness as a reference shorting coated with a reflective metallic coating, and the second - gritty reference shorting having the same surface roughness as measured by a material coated with a reflective metal coating.
RU2004106671/28A 2004-03-05 2004-03-05 Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method RU2253123C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004106671/28A RU2253123C1 (en) 2004-03-05 2004-03-05 Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004106671/28A RU2253123C1 (en) 2004-03-05 2004-03-05 Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2253123C1 true RU2253123C1 (en) 2005-05-27

Family

ID=35824610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004106671/28A RU2253123C1 (en) 2004-03-05 2004-03-05 Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2253123C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2473889C1 (en) * 2011-09-05 2013-01-27 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Method of measuring physical quantity

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
БРАНДТ А.А., Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах, М., Физматгиз, 1963, с.120. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2473889C1 (en) * 2011-09-05 2013-01-27 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Method of measuring physical quantity

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11079339B2 (en) Biosensor with integrated antenna and measurement method for biosensing applications
Raymond et al. Complex permittivity measurement using capacitance method from 300 kHz to 50 MHz
Amirian et al. Differential narrow bandpass microstrip filter design for material and liquid purity interrogation
Chao et al. Wide-range permittivity measurement with a parametric-dependent cavity
Easton et al. Non-destructive complex permittivity measurement of low permittivity thin film materials
RU2253123C1 (en) Method for measuring complex dielectric penetrability of low-impedance materials on uhf and device for realization of said method
Salski et al. Mode coupling in a fabry-perot open resonator
Cai et al. Ungrounded coplanar waveguide based straight line methods for broadband and continuous dielectric characterization of microwave substrates
Felbecker et al. Estimation of permitivitty and loss tangent of high frequency materials in the millimeter wave band using a hemispherical open resonator
JP4370463B2 (en) Broadband high frequency dielectric constant measurement method and apparatus
Alhegazi et al. Design of double ring resonator (DRR) for material properties measurement
JP7370060B2 (en) Evaluation method, evaluation device, and evaluation system for dielectric materials
Low et al. Estimation of dielectric constant for various standard materials using microstrip ring resonator
Karpisz et al. A novel approach to the modeling of a Fabry-Perot open resonator
RU2231078C1 (en) Method for measurement of high values of complex dielectric permittivity of impedance materials at superhigh frequencies and device for its realization
RU2247399C1 (en) Device for measurement of high values of complex permittivity of low-impedance materials at microwave frequencies
RU2194285C1 (en) Method determining high values of complex dielectric permittivity of impedance materials
RU2247400C1 (en) Device for measurement of complex permittivity of low- impedance materials at microwave frequencies
Obrzut et al. Input impedance of a coaxial line terminated with a complex gap capacitance-numerical and experimental analysis
Shebani et al. Measurement of dielectric constant of some materials using planar technology
RU2796388C1 (en) Method for determining length of a metal pipe
RU2326392C1 (en) Device for determination of parameters of low impedance materials at microwaves with help of coaxial cavity resonator
Jafari et al. Non-destructive aging of transformer oil using electromagnetic waves
RU2750845C1 (en) Method for determining permittivity of layers of multilayer materials
JP6893358B2 (en) Inductance and capacitance measurement method using group delay

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20060306