RU2249227C1 - Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов - Google Patents
Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2249227C1 RU2249227C1 RU2003124052/28A RU2003124052A RU2249227C1 RU 2249227 C1 RU2249227 C1 RU 2249227C1 RU 2003124052/28 A RU2003124052/28 A RU 2003124052/28A RU 2003124052 A RU2003124052 A RU 2003124052A RU 2249227 C1 RU2249227 C1 RU 2249227C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- normal
- value
- semiconductor devices
- annealing
- temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Использование: для определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов. Сущность заключается в том, что на партии полупроводниковых приборов, в которой необходимо определить, а затем отделить потенциально нестабильные приборы, проводят измерение интенсивности шума при нормальной и повышенной температуре, затем воздействуют импульсами ЭСР допустимой по ТУ величины, проводят температурный отжиг при максимально-допустимой по ТУ температуре в течение 1-5 часов и вновь измеряют интенсивность шума при нормальной и повышенной температуре. Определяют величину А до воздействия ЭСР и после отжига и по критерию: АОТЖ≤ АНАЧ определяют потенциально стабильные приборы. Технический результат: обеспечение качества и надежности партий полупроводниковых приборов. 1 табл.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения.
Известен способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [1], состоящий в том, что после измерения интенсивности шумов пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1.5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение, затем измеряют интенсивность шумов и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальной надежности приборов.
Недостатком метода является подача импульса, в 1.5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение по техническим условиям на прибор, что может вызвать необратимые процессы в структуре приборов, которые могут привести к недостаточной достоверности результатов и к преждевременным отказам приборов в эксплуатации.
Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей.
Это достигается тем, что на партии полупроводниковых приборов, в которой необходимо определить, а затем отделить потенциально нестабильные приборы, проводят измерение интенсивности шума при нормальной и повышенной температуре, затем воздействуют импульсами электростатического разряда (ЭСР) допустимой по техническим условиям (ТУ) величины, проводят температурный отжиг при максимально допустимой по ТУ температуре в течение 1-5 часов и вновь измеряют интенсивность шума при нормальной и повышенной температуре. По данным об интенсивности шума для каждого полупроводникового прибора определяют величину значения А по формуле:
где Т, ТН - повышенная и нормальная температуры соответственно;
Полупроводниковый прибор считается потенциально стабильным, если соблюдается критерий
АОТЖ≤ АНАЧ,
где АОТЖ, АНАЧ - значения величин соответственно после отжига и до воздействия ЭСР.
Пример осуществления способа.
На произвольно выбранных 10 транзисторах КТ3102 измерили шумы (при токе IЭК=5 мА) при нормальной и повышенной температуре 100° С, затем на каждый транзистор на переход эмиттер-база подали по три импульса ЭСР напряжением ± 200 В (допустимый по ТУ потенциал), после чего провели температурный отжиг транзисторов (100° С 4 часа) и вновь измерили шумы при нормальной и повышенной температуре. Определили значение величины А до и после отжига. Результаты приведены в таблице.
Таблица | |||||||
N приб. | Значение , мВ2, | Значение | Оценка стабильности прибора * |
||||
начальное при температуре, ° С | после отжига при температуре, ° С | начальное AНАЧ, мВ2/° С |
после отжига АОТЖ мВ2/° С |
||||
20 | 100 | 20 | 100 | ||||
1 | 33 | 36 | 37 | 38 | 0.0375 | 0.0125 | с |
2 | 32 | 35 | 34 | 37 | 0.0375 | 0.0375 | с |
3 | 35 | 37 | 39 | 41 | 0.025 | 0.025 | с |
4 | 43 | 44 | 47 | 47 | 0.0125 | 0 | с |
5 | 34 | 37 | 37 | 41 | 0.0375 | 0.05 | н |
6 | 23 | 27 | 24 | 30 | 0.05 | 0.075 | н |
7 | 26 | 30 | 27 | 31 | 0.05 | 0.05 | с |
8 | 21 | 25 | 24 | 26 | 0.05 | 0.025 | с |
9 | 29 | 35 | 32 | 36 | 0.075 | 0.05 | с |
10 | 27 | 33 | 31 | 35 | 0.075 | 0.05 | с |
* - С - стабильный прибор Н - нестабильный прибор |
Испытания на надежность транзисторов в течение 500 часов подтвердили нестабильность транзисторов N 5, 6.
Источники информации
1. Авторское свидетельство СССР 490047, G 01 R 31/26, 1976.
Claims (1)
- Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов, заключающийся в том, что проводят измерения интенсивности шума при нормальной и повышенной температуре, затем воздействуют импульсами электростатического разряда (ЭСР) допустимой по техническим условиям (ТУ) величины и проводят температурный отжиг при максимально-допустимой по ТУ температуре и вновь измеряют интенсивность шума при нормальной и повышенной температурах, отличающийся тем, что вычисляют величину А по формулегде Т, ТН - повышенная и нормальная температура соответственно;при этом полупроводниковый прибор считается потенциально стабильным, если соблюдается критерий Аотж≤ Анач, где Аотж, Анач, - величина, вычисленная соответственно после отжига и до воздействия ЭСР.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003124052/28A RU2249227C1 (ru) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2003124052/28A RU2249227C1 (ru) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2003124052A RU2003124052A (ru) | 2005-01-27 |
RU2249227C1 true RU2249227C1 (ru) | 2005-03-27 |
Family
ID=35138809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2003124052/28A RU2249227C1 (ru) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2249227C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2455655C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-07-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разбраковки полупроводниковых изделий по надежности |
RU2465612C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности |
-
2003
- 2003-07-31 RU RU2003124052/28A patent/RU2249227C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2455655C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-07-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разбраковки полупроводниковых изделий по надежности |
RU2465612C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-10-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2003124052A (ru) | 2005-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5519333A (en) | Elevated voltage level IDDQ failure testing of integrated circuits | |
EP1972952A1 (en) | ESD test system calibration | |
RU2249227C1 (ru) | Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов | |
US20090237088A1 (en) | Method for inspecting insulation property of capacitor | |
WO2017061072A1 (ja) | p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法 | |
RU2230335C1 (ru) | Способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов | |
RU2258234C1 (ru) | Способ разделения полупроводниковых приборов по надежности | |
RU2309418C2 (ru) | Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности | |
Martin et al. | Plasma induced charging damage (PID) from well charging in a BCD technology with deep trenches causing MOS device reliability lifetime degradation | |
RU2234104C1 (ru) | Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов | |
RU2303790C1 (ru) | Способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной надежности | |
RU2204142C2 (ru) | Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии | |
RU2278392C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем | |
RU2309417C2 (ru) | Способ определения потенциально ненадежных биполярных транзисторов | |
RU2787306C1 (ru) | Способ сравнительной оценки стойкости партий интегральных схем к электростатическому разряду | |
RU2537104C2 (ru) | Способ разделения интегральных схем по надежности | |
RU2317560C1 (ru) | Способ сравнительной оценки стойкости партий биполярных транзисторов к электростатическому разряду | |
RU2242018C1 (ru) | Способ разделения биполярных транзисторов по стабильности обратных токов | |
RU2234163C1 (ru) | Способ определения потенциально ненадежных транзисторов | |
Khai et al. | Innovative methodology for short circuit failure localization by OBIRCH Analysis | |
RU2226698C2 (ru) | Способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов | |
RU2472171C2 (ru) | Способ разбраковки полупроводниковых изделий | |
RU2276378C1 (ru) | Способ отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем | |
RU2507525C2 (ru) | Способ разделения транзисторов по надежности | |
JP3891862B2 (ja) | 半導体素子の特性検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050801 |