RU2238239C1 - Method for making nanotubes - Google Patents
Method for making nanotubes Download PDFInfo
- Publication number
- RU2238239C1 RU2238239C1 RU2003109374/28A RU2003109374A RU2238239C1 RU 2238239 C1 RU2238239 C1 RU 2238239C1 RU 2003109374/28 A RU2003109374/28 A RU 2003109374/28A RU 2003109374 A RU2003109374 A RU 2003109374A RU 2238239 C1 RU2238239 C1 RU 2238239C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- nanotube
- sacrificial layer
- substrate
- gold
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к наноэлектронике и наноэлектромеханике и может быть использовано в микроэлектромеханических системах в качестве датчиков, при производстве конденсаторов и индуктивностей для средств сотовой телефонной связи, а также для оптической волоконной связи на матричных полупроводниковых лазерах.The invention relates to nanoelectronics and nanoelectromechanics and can be used in microelectromechanical systems as sensors, in the production of capacitors and inductors for cellular telephone communications, as well as for optical fiber communications using matrix semiconductor lasers.
Известен способ создания нанотрубок (V.Ya.Prinz, V.A.Seleznev, А.К.Gutakovsky, А.V.Chehovskiy, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato, Т.A.Gavrilova, Free-standing and overgrown InGaAs/GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays.- Physica E 6 (2000), p.828-831), заключающийся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку. Жертвенный слой удаляют стравливанием в жидкостном травителе. Перед удалением жертвенного слоя, со стороны слоя, образующего нанотрубку, и жертвенного слоя электронной литографией формируют окна или трещины глубиной до поверхности подложки, через которые стравливают жертвенный слой. Слой, образующий нанотрубку, изготавливают из двух слоев. Жертвенный слой и слои, входящие в состав слоя, образующего нанотрубку, формируют молекулярно-лучевой эпитаксией из полупроводникового материала А3B5 с разными постоянными кристаллической решетки для каждого слоя. В качестве материала подложки используют полупроводниковые соединения типа А3В5 (GaAs или InP).A known method of creating nanotubes (V.Ya.Prinz, VASeleznev, A.K. Gutakovsky, A.V. Chehovskiy, VVPreobrazhenskii, MAPutyato, T.A. Gavrilova, Free-standing and overgrown InGaAs / GaAs nanotubes, nanohelices and their arrays. - Physica E 6 (2000), p.828-831), which consists in the fact that a sacrificial layer is applied to the substrate, a layer forming a nanotube is formed on the sacrificial layer, the sacrificial layer is removed, while folding the nanotube. The sacrificial layer is removed by etching in a liquid etchant. Before removing the sacrificial layer, from the side of the layer forming the nanotube and the sacrificial layer by electron lithography, windows or cracks are formed to the depth of the substrate surface, through which the sacrificial layer is etched. The layer forming the nanotube is made of two layers. The sacrificial layer and the layers that make up the nanotube-forming layer are formed by molecular beam epitaxy from A 3 B 5 semiconductor material with different crystal lattice constants for each layer. As the substrate material, semiconductor compounds of type A 3 B 5 (GaAs or InP) are used.
К недостаткам известного технического решения относится следующее.The disadvantages of the known technical solutions include the following.
Во-первых, получаемые нанотрубки известным способом не проводят электрический ток, поскольку для них используют полупроводниковые материалы.Firstly, the obtained nanotubes in a known manner do not conduct electric current, since they use semiconductor materials.
Во-вторых, получаемые нанотрубки известным способом не обладают пластичностью и ковкостью, и достаточной гладкостью, легко поддаются растрескиванию при образовании концентраторов напряжений, приводящему к небольшому сроку службы и низкой износостойкости, что также обусловлено использованием полупроводниковых материалов.Secondly, the obtained nanotubes in a known manner do not have ductility and ductility, and sufficient smoothness, are easily susceptible to cracking during the formation of stress concentrators, leading to a short service life and low wear resistance, which is also due to the use of semiconductor materials.
В-третьих, низкая безопасность, низкое соответствие требованиям экологичности и санитарно-гигиеническим нормам. Поскольку в качестве основы для травителя жертвенного слоя используют фтористоводородную кислоту, а в качестве материалов, из которых изготавливают нанотрубки, используют соединения мышьяка, и то, и другое делает процесс формирования нанотрубок при массовом промышленном производстве экологически небезопасным.Thirdly, low safety, low compliance with environmental friendliness and sanitary standards. Since hydrofluoric acid is used as the basis for the etchant of the sacrificial layer, and arsenic compounds are used as the materials from which nanotubes are made, both of these make the process of forming nanotubes in mass industrial production environmentally unsafe.
В-четвертых, недостаточная совместимость с промышленной кремниевой технологией, которые обусловлены тем, что используются особо чистые полупроводниковые материалы А3В5 и сверхвысоковакуумные технологии и устройства молекулярно-лучевой эпитаксии A3B5 полупроводников с низкой производительностью.Fourth, the lack of compatibility with industrial silicon technology, which is due to the fact that the use of highly pure semiconductor materials A 3 B 5 and ultra-high vacuum technologies and molecular beam epitaxy A 3 B 5 semiconductors with low performance.
Наиболее близким по совокупности признаков и назначению к заявляемому является способ создания нанотрубок (V.Ya.Prinz, D.Grutzmacher, A.Beyer, C.David, B.Ketterer, E.Deckart. A new technique for fabricating three-dimensional micro- and nanostructures of various shapes. - Nanotechnology 12 (2001), p.399-402), заключающийся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку. В качестве подложки используют пластину из кремния. Жертвенный слой удаляют стравливанием в жидкостном травителе. Перед удалением жертвенного слоя, со стороны слоя, образующего нанотрубку, и жертвенного слоя электронной литографией формируют окна или трещины глубиной до поверхности подложки, через которые стравливают жертвенный слой. Слой, образующий нанотрубку, изготавливают из двух слоев.The closest in combination of features and purpose to the claimed one is the method of creating nanotubes (V.Ya.Prinz, D.Grutzmacher, A. Beyer, C. David, B. Ketterer, E. Deckart. A new technique for fabricating three-dimensional micro- and nanostructures of various shapes. - Nanotechnology 12 (2001), p.399-402), which consists in the fact that a sacrificial layer is applied to the substrate, a layer forming a nanotube is formed on the sacrificial layer, the sacrificial layer is removed, thus folding the nanotube. A silicon wafer is used as the substrate. The sacrificial layer is removed by etching in a liquid etchant. Before removing the sacrificial layer, from the side of the layer forming the nanotube and the sacrificial layer by electron lithography, windows or cracks are formed to the depth of the substrate surface, through which the sacrificial layer is etched. The layer forming the nanotube is made of two layers.
Жертвенный слой и слои, входящие в состав слоя, образующего нанотрубку, формируют молекулярно-лучевой эпитаксией из раствора полупроводниковых материалов Si:Ge с разными постоянными кристаллической решетки и разным типом проводимости.The sacrificial layer and the layers that make up the nanotube-forming layer are formed by molecular beam epitaxy from a solution of Si: Ge semiconductor materials with different crystal lattice constants and different types of conductivity.
К недостаткам известного технического решения относится следующее.The disadvantages of the known technical solutions include the following.
Во-первых, получаемые нанотрубки известным способом отличаются низкой электропроводностью, характеризуются большим сопротивлением электрическому току, порядка МОм на один микрон длины нанотрубки, поскольку для них используют полупроводниковые материалы с обедненной областью пространственного заряда.Firstly, the obtained nanotubes in a known manner are characterized by low electrical conductivity, are characterized by a high resistance to electric current, of the order of 1 megohm per micron of the length of the nanotube, since they use semiconductor materials with a depleted space charge region.
Во-вторых, получаемые нанотрубки известным способом не обладают пластичностью и ковкостью, и достаточной гладкостью, легко поддаются растрескиванию при образовании концентраторов напряжений, приводящему к небольшому сроку службы и низкой износостойкости, что также обусловлено использованием кристаллических полупроводниковых материалов.Secondly, the obtained nanotubes in a known manner do not have ductility and ductility, and sufficient smoothness, are easily susceptible to cracking during the formation of stress concentrators, leading to a short service life and low wear resistance, which is also due to the use of crystalline semiconductor materials.
В-третьих, низкая безопасность, низкое соответствие требованиям экологичности и санитарно-гигиеническим нормам. Поскольку в качестве основы для травителя жертвенного слоя используют NН4OH, что делает процесс формирования нанотрубок при массовом промышленном производстве экологически небезопасным.Thirdly, low safety, low compliance with environmental friendliness and sanitary standards. Since NH 4 OH is used as the basis for the etchant of the sacrificial layer, which makes the process of forming nanotubes in mass industrial production environmentally unsafe.
В-четвертых, недостаточная совместимость с промышленной кремниевой технологией обусловлены тем, что используются особо чистые полупроводниковые материалы и сверхвысоковакуумные технологии, причем поверхностный слой подложки кремния обязательно должен быть легирован до очень высокой концентрации примеси (2·1020 см-3) для формирования блокирующего слоя при жидкостном травлении при сворачивании нанотрубок, что является непреодолимым препятствием к достижению совместимости.Fourth, the lack of compatibility with industrial silicon technology is due to the fact that extremely pure semiconductor materials and ultra-high vacuum technologies are used, and the surface layer of the silicon substrate must be doped to a very high impurity concentration (2 × 10 20 cm -3 ) to form a blocking layer with liquid etching when folding nanotubes, which is an insurmountable obstacle to achieving compatibility.
Техническим результатом изобретения является:The technical result of the invention is:
- полная совместимость с промышленной кремниевой технологией СБИС;- full compatibility with industrial silicon VLSI technology;
- повышение электропроводности, гибкости, пластичности, ковкости нанотрубок;- increased electrical conductivity, flexibility, ductility, ductility of nanotubes;
- повышение срока службы, износостойкости;- increase in service life, wear resistance;
- достижение высокой стабильности электромеханических характеристик;- achieving high stability of electromechanical characteristics;
- повышение безопасности, соответствие требованиям экологичности и санитарно-гигиеническим нормам.- increased safety, compliance with environmental friendliness and sanitary standards.
Технический результат достигается тем, что в способе создания нанотрубок, заключающемся в том, что на подложку наносят жертвенный слой, на жертвенном слое формируют слой, образующий нанотрубку, формируют окна, жертвенный слой удаляют, сворачивая при этом нанотрубку, жертвенный слой изготавливают из металла, на котором в качестве слоя, образующего нанотрубку, формируют слои из металлов, имеющих различные коэффициенты термического расширения и модули Юнга.The technical result is achieved in that in the method of creating nanotubes, which consists in the fact that a sacrificial layer is applied to the substrate, a layer forming a nanotube is formed on the sacrificial layer, windows are formed, the sacrificial layer is removed, while the nanotube is rolled up, the sacrificial layer is made of metal, which, as a layer forming a nanotube, form layers of metals having different thermal expansion coefficients and Young's moduli.
В способе в качестве подложки используют пластину из полупроводника.In the method, a semiconductor wafer is used as a substrate.
В способе в качестве подложки используют пластину из полупроводника IV группы.In the method, a wafer of group IV semiconductor is used as a substrate.
В способе в качестве подложки используют пластину из кремния.In the method, a silicon wafer is used as a substrate.
В способе на пластине, образующей подложку, перед нанесением жертвенного слоя, формируют слои из материала, отличающегося по своим свойствам от материала пластины из полупроводника.In the method, on the wafer forming the substrate, before applying the sacrificial layer, layers of a material differing in their properties from the material of the wafer of the semiconductor are formed.
В способе на кремниевой пластине, перед нанесением жертвенного слоя, формируют слой окисла кремния.In the method, a silicon oxide layer is formed on the silicon wafer before applying the sacrificial layer.
В способе жертвенный слой изготавливают из алюминия, толщиной 20-80 нм, который после формирования на нем слоя, образующего нанотрубку, удаляют в слабом растворе щелочи.In the method, the sacrificial layer is made of aluminum with a thickness of 20-80 nm, which, after the formation of the layer forming the nanotube on it, is removed in a weak alkali solution.
В способе перед удалением жертвенного слоя формируют окна оптической обратной литографией.In the method, windows are formed by optical reverse lithography before removing the sacrificial layer.
В способе в качестве металлов для слоя, образующего нанотрубку, используют металлы, коэффициенты термического расширения и модули Юнга которых различаются на величину 5,9·10-6 К-1 и 30 ГПа соответственно.In the method, metals whose thermal expansion coefficients and Young's moduli differ by 5.9 · 10 -6 K -1 and 30 GPa, respectively, are used as metals for the layer forming the nanotube.
В способе сворачивают слой в нанотрубку диаметром от 400 нм до 20 мкм.In the method, the layer is rolled into a nanotube with a diameter of 400 nm to 20 μm.
В способе, в качестве слоя, образующего нанотрубку, используют биметаллический слой из титана и золота.In the method, a bimetallic layer of titanium and gold is used as the layer forming the nanotube.
В способе используют биметаллический слой из титана и золота при суммарной толщине слоев титана и золота от 12 до 100 нм.The method uses a bimetallic layer of titanium and gold with a total thickness of titanium and gold layers from 12 to 100 nm.
Сущность изобретения поясняется нижеследующим описанием и прилагаемыми чертежами. На фиг.1 схематически показан процесс получения металлических нанотрубок, где 1 - полупроводниковая пластина из кремния, 2 - слой материала, отличающийся по своим свойствам от материала полупроводниковой пластины, например слой окисла кремния, 3 - жертвенный слой, 4 - слой титана, 5 - слой золота; на фиг.2 показан электронно-микроскопический снимок поперечного среза нанотрубки на кремнии.The invention is illustrated by the following description and the accompanying drawings. Figure 1 schematically shows the process of producing metal nanotubes, where 1 is a silicon semiconductor wafer, 2 is a material layer that differs in its properties from the material of the semiconductor wafer, for example, silicon oxide layer, 3 is a sacrificial layer, 4 is a titanium layer, 5 - a layer of gold; figure 2 shows an electron microscopic image of a cross section of a nanotube on silicon.
Для реализации предлагаемого способа создания нанотрубок (фиг.1) материалом для жертвенного слоя 3 был выбран алюминий, поскольку алюминий легко травится в слабом растворе щелочи. При этом жертвенный слой из алюминия наносят на кремниевую пластину 1, на которой предварительно формируют слой окисла кремния 2. Формирование окисла кремния необходимо для пассивирования поверхности кремния, выравнивания ее и блокирования травления кремния в слабом растворе щелочи. Для травления жертвенного слоя методом оптической обратной литографии формируют окна непосредственно в процессе создания рисунка жертвенного слоя и биметаллического слоя, который образуют слой титана 4 и слой золота 5, на поверхности окисленного кремния.To implement the proposed method for creating nanotubes (Fig. 1), the material for the sacrificial layer 3 was aluminum, since aluminum is easily etched in a weak alkali solution. In this case, a sacrificial layer of aluminum is deposited on a silicon wafer 1, on which a silicon oxide layer 2 is preliminarily formed. The formation of silicon oxide is necessary to passivate the silicon surface, level it, and block silicon etching in a weak alkaline solution. To etch the sacrificial layer by optical reverse lithography, windows are formed directly in the process of creating a pattern of the sacrificial layer and the bimetallic layer, which form a titanium layer 4 and a gold layer 5, on the surface of oxidized silicon.
В качестве слоя, образующего нанотрубку, используют биметаллический слой титан/золото. Эти металлы не травятся в слабом растворе щелочи и сворачиваются в нанотрубку при стравливании жертвенного слоя из алюминия фиг.1. Бислой титан/золото обеспечивает достижение указанного технического результата главным образом потому, что используется благородный металл - золото, с высокой электрической проводимостью, пластичностью, ковкостью, гладкостью, химической стабильностью в качестве внутреннего поверхностного слоя нанотрубок, а также металл титан - с высокой упругостью, прочностью, напряженный в качестве внешней поверхности нанотрубки. С целью создания нанотрубок были исследованы также другие бислои (например, никель/золото), однако нанотрубок получить не удалось.As the nanotube forming layer, a titanium / gold bimetallic layer is used. These metals are not etched in a weak alkali solution and are rolled into a nanotube when etching the sacrificial layer of aluminum of Fig. 1. Titanium / gold bilayer ensures the achievement of the indicated technical result mainly because a noble metal is used - gold, with high electrical conductivity, ductility, ductility, smoothness, chemical stability as the inner surface layer of nanotubes, and titanium metal - with high elasticity, strength stressed as the outer surface of a nanotube. In order to create nanotubes, other bilayers (for example, nickel / gold) were also investigated, but nanotubes could not be obtained.
При сворачивании нанотрубок возникает момент М сворачивающих сил F1 - растягивающей и F2 - сжимающей (см. фиг.1). При этом необходима разница коэффициентов термического расширения и модулей Юнга материалов слоя, образующего нанотрубку, для формирования напряжений в биметаллическом слое, релаксация которых и приводит к сворачиванию нанотрубок. Разница коэффициентов термического расширения и модулей Юнга, чем больше, тем лучше, для сворачивания в трубку достаточны упругие деформации в биметаллическом слое величиной до 1%. Величина упругих деформаций в биметаллическом слое в предлагаемом способе составляет от 0,5 до 3% и определяется также толщиной напыляемых слоев из титана и золота.When folding the nanotubes, the moment M of the folding forces F 1 - tensile and F 2 - compressive occurs (see figure 1). In this case, a difference in the thermal expansion coefficients and Young's modulus of the materials of the layer forming the nanotube is necessary for the formation of stresses in the bimetallic layer, the relaxation of which leads to the folding of the nanotubes. The difference in thermal expansion coefficients and Young's moduli, the larger the better, elastic strains in a bimetallic layer up to 1% are sufficient for folding into a tube. The magnitude of the elastic deformations in the bimetallic layer in the proposed method is from 0.5 to 3% and is also determined by the thickness of the sprayed layers of titanium and gold.
Нанесение жертвенного слоя и слоя, образующего нанотрубку, осуществляют методом вакуумного напыления. При изменении толщины слоев в биметаллическом слое изменяется диаметр нанотрубки.The sacrificial layer and the layer forming the nanotube are applied by vacuum spraying. When the thickness of the layers in the bimetallic layer changes, the diameter of the nanotube changes.
В качестве примеров реализации предлагаемого способа приводим нижеследующие примеры.As examples of the implementation of the proposed method, the following examples.
Пример 1.Example 1
На подложку из кремниевой пластины толщиной 350 мкм с выращенным на ней длительным окислением в комнатной атмосфере при комнатной температуре естественным окислом кремния толщиной 2,1 нм наносят жертвенный слой алюминия толщиной 20 нм методом вакуумного напыления (электронно-лучевого распыления).A substrate of a silicon wafer with a thickness of 350 μm and grown on it with long-term oxidation in a room atmosphere at room temperature of natural silicon oxide 2.1 nm thick is applied to a sacrificial layer of aluminum with a thickness of 20 nm by vacuum evaporation (electron beam sputtering).
Формируют биметаллический слой, образующий нанотрубку, из титана/золота методом вакуумного напыления толщиной 15 нм (10 нм - титан, 5 нм - золото), разница коэффициентов термического расширения титана и золота 5,9·10-6 К-1, разница модулей Юнга 30 ГПа. Жертвенный слой из алюминия удаляют в 1%-ном водном растворе щелочи КОН. При этом сворачиванием слоя, образующего нанотрубку, получают нанотрубку диаметром 400 нм (см. фиг.2).A bimetallic layer forming a nanotube is formed from titanium / gold by vacuum deposition with a thickness of 15 nm (10 nm - titanium, 5 nm - gold), the difference in the thermal expansion coefficients of titanium and gold is 5.9 · 10 -6 K -1 , the difference in Young's moduli 30 GPa. The sacrificial layer of aluminum is removed in a 1% aqueous solution of KOH alkali. While folding the layer forming the nanotube, get a nanotube with a diameter of 400 nm (see figure 2).
Пример 2.Example 2
На подложку из кремниевой пластины толщиной 350 мкм с выращенным на ней длительным окислением в комнатной атмосфере при комнатной температуре окислом кремния толщиной 1,5 нм наносят жертвенный слой алюминия толщиной 20 нм методом вакуумного напыления (электронно-лучевого распыления). Формируют биметаллический слой, образующий нанотрубку, из титана/золота методом вакуумного напыления толщиной 12 нм (8 нм - титан, 4 нм - золото), разница коэффициентов термического расширения титана и золота 5,9·10-6 K-1, разница модулей Юнга 30 ГПа. Жертвенный слой из алюминия удаляют в 1%-ном водном растворе щелочи КОН. При этом сворачиванием слоя образующего нанотрубку, получают нанотрубку диаметром 2,3 мкм.On a substrate of a silicon wafer with a thickness of 350 μm with a long-term oxidation grown on it in a room atmosphere at room temperature, silicon oxide with a thickness of 1.5 nm is applied a sacrificial layer of aluminum with a thickness of 20 nm by vacuum evaporation (electron beam sputtering). A bimetallic layer is formed that forms a nanotube from titanium / gold by vacuum deposition with a thickness of 12 nm (8 nm - titanium, 4 nm - gold), the difference in the thermal expansion coefficients of titanium and gold is 5.9 · 10 -6 K -1 , the difference in Young's moduli 30 GPa. The sacrificial layer of aluminum is removed in a 1% aqueous solution of KOH alkali. In this case, by folding the layer forming the nanotube, a nanotube with a diameter of 2.3 μm is obtained.
Пример 3.Example 3
На подложку из кремниевой пластины толщиной 350 мкм с выращенным на ней термическим окислением окислом кремния толщиной 100 нм наносят жертвенный слой алюминия толщиной 80 нм методом вакуумного напыления (электронно-лучевого распыления). Формируют биметаллический слой, образующий нанотрубку, из титана/золота методом вакуумного напыления толщиной 100 нм (50 нм - титан, 50 нм - золото), разница коэффициентов термического расширения титана и золота 5,9·10-6 К-1, разница модулей Юнга 30 ГПа. Жертвенный слой из алюминия удаляют в 1%-ном водном растворе щелочи КОН. При этом сворачиванием слоя образующего нанотрубку, получают нанотрубку диаметром 20 мкм.A sacrificial layer of aluminum with a thickness of 100 nm was deposited on a substrate of a silicon wafer with a thickness of 350 μm thick and grown on it with thermal oxidation of silicon oxide with a thickness of 100 nm by vacuum deposition (electron beam sputtering). A bimetallic layer forming a nanotube is formed from titanium / gold by vacuum deposition with a thickness of 100 nm (50 nm - titanium, 50 nm - gold), the difference in the thermal expansion coefficients of titanium and gold is 5.9 · 10 -6 K -1 , the difference in Young's moduli 30 GPa. The sacrificial layer of aluminum is removed in a 1% aqueous solution of KOH alkali. In this case, by folding the layer forming the nanotube, a nanotube with a diameter of 20 μm is obtained.
Положительный эффект данного изобретения заключается в микроминиатюризации микроэлектромеханических устройств на кремнии, что приводит к повышению их надежности, быстродействия, чувствительности и степени интеграции.The positive effect of this invention is the microminiaturization of microelectromechanical devices on silicon, which leads to an increase in their reliability, speed, sensitivity and degree of integration.
Claims (12)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003109374/28A RU2238239C1 (en) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | Method for making nanotubes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003109374/28A RU2238239C1 (en) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | Method for making nanotubes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2238239C1 true RU2238239C1 (en) | 2004-10-20 |
| RU2003109374A RU2003109374A (en) | 2004-10-27 |
Family
ID=33537816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003109374/28A RU2238239C1 (en) | 2003-04-03 | 2003-04-03 | Method for making nanotubes |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2238239C1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009002215A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Stanislav Viktorovich Khartov | Nano-electromechanical structure and method for the production thereof |
| CN104016294A (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-03 | 北京邮电大学 | Silicon-based group III-V nanotubes and micro-tubes as well as preparation method thereof |
| CN104555899A (en) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 北京邮电大学 | Method for reducing diameter of self-crimping micron tube by virtue of metal nanoparticles |
| CN104591079A (en) * | 2014-12-04 | 2015-05-06 | 复旦大学 | Processing method for micrometer pipe |
| CN114295222A (en) * | 2021-12-18 | 2022-04-08 | 复旦大学 | Tubular bolometer based on vanadium oxide film and preparation method thereof |
-
2003
- 2003-04-03 RU RU2003109374/28A patent/RU2238239C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PRINZ V. et. al. NANOTECHNOLOGY, №12/2001, р.399-402. * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009002215A1 (en) * | 2007-06-22 | 2008-12-31 | Stanislav Viktorovich Khartov | Nano-electromechanical structure and method for the production thereof |
| CN101795962A (en) * | 2007-06-22 | 2010-08-04 | S·V·哈特夫 | Nano-electromechanical structure and method for the production thereof |
| CN104016294A (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-03 | 北京邮电大学 | Silicon-based group III-V nanotubes and micro-tubes as well as preparation method thereof |
| CN104016294B (en) * | 2013-03-01 | 2016-05-11 | 北京邮电大学 | A kind of silica-based III-V family's nanotube and micron tube and preparation method thereof |
| CN104591079A (en) * | 2014-12-04 | 2015-05-06 | 复旦大学 | Processing method for micrometer pipe |
| CN104591079B (en) * | 2014-12-04 | 2019-11-12 | 复旦大学 | A kind of processing method of micron of pipeline |
| CN104555899A (en) * | 2014-12-18 | 2015-04-29 | 北京邮电大学 | Method for reducing diameter of self-crimping micron tube by virtue of metal nanoparticles |
| CN114295222A (en) * | 2021-12-18 | 2022-04-08 | 复旦大学 | Tubular bolometer based on vanadium oxide film and preparation method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6404028B1 (en) | Adhesion resistant micromachined structure and coating | |
| TWI472477B (en) | Silicon nanostructures and method for producing the same and application thereof | |
| US7267859B1 (en) | Thick porous anodic alumina films and nanowire arrays grown on a solid substrate | |
| US20120107562A1 (en) | Methods for graphene-assisted fabrication of micro-and nanoscale structures and devices featuring the same | |
| US5753134A (en) | Method for producing a layer with reduced mechanical stresses | |
| EP1683757A1 (en) | Manufacturing method of a MEMS structure using a porous silicon layer | |
| JP6108793B2 (en) | Method for forming a structure comprising an active portion having at least one plurality of thicknesses | |
| JP2003536273A (en) | Etch stop layer system | |
| CN101643199A (en) | Fabricating a graphene nano-device | |
| US20100176489A1 (en) | Microelectromechanical systems structures and self-aligned harpss fabrication processes for producing same | |
| TW201105571A (en) | Method for fabricating hollow nanotube structure | |
| RU2238239C1 (en) | Method for making nanotubes | |
| US20190301004A1 (en) | Amorphous tungsten nitride compositions, methods of manufacture, and devices incorporating the same | |
| JPH06267926A (en) | Etching process and electrostatic microswitch using same | |
| Miller et al. | Mechanical effects of galvanic corrosion on structural polysilicon | |
| CN101195471A (en) | MEMS device and manufacturing method thereof | |
| EP1071981B1 (en) | Method for producing large-surface membrane masks | |
| WO2002098788A2 (en) | Applications of a strain-compensated heavily doped etch stop for silicon structure formation | |
| DE10051315A1 (en) | Micromechanical component used as an acceleration or rotation sensor in vehicles has functional components hanging above a substrate in a functional layer | |
| Mendach et al. | Interlocking mechanism for the fabrication of closed single-walled semiconductor microtubes | |
| RU2270164C2 (en) | Method of production of nano-fibers | |
| NAMAZU et al. | Novel size effect phenomena in single crystal silicon nanowires | |
| Aprilia et al. | Controlled release of microcantilever from a silicon-on-insulator wafer with oxide brace | |
| Behrens et al. | Micromachining of silicon carbide on silicon fabricated by low-pressure chemical vapour deposition | |
| JP2005528626A (en) | Method for forming the tip of an atomic force microscope |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130404 |