RU2231047C2 - Method of thermomagnetic measurements under pressure - Google Patents
Method of thermomagnetic measurements under pressure Download PDFInfo
- Publication number
- RU2231047C2 RU2231047C2 RU2002114014/28A RU2002114014A RU2231047C2 RU 2231047 C2 RU2231047 C2 RU 2231047C2 RU 2002114014/28 A RU2002114014/28 A RU 2002114014/28A RU 2002114014 A RU2002114014 A RU 2002114014A RU 2231047 C2 RU2231047 C2 RU 2231047C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic field
- thermomagnetic
- pressure
- chamber
- sample
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000005421 thermomagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 5
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005352 galvanomagnetic phenomena Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- GNLCAVBZUNZENF-UHFFFAOYSA-N platinum silver Chemical compound [Ag].[Ag].[Ag].[Pt] GNLCAVBZUNZENF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к способам исследования комплекса свойств полупроводников при сверхвысоких давлениях в магнитном поле.The invention relates to methods for studying the complex properties of semiconductors at ultrahigh pressures in a magnetic field.
Для изучения параметров электронной структуры полупроводников, в том числе оценки эффективной массы носителей заряда m, обычно измеряют оптические свойства или гальваномагнитные эффекты, которые определяются подвижностью электронов и дырок [1]. Термомагнитные эффекты, как и гальваномагнитные также характеризуют подвижность носителей заряда и механизмы их рассеяния, но имеют перед последними ряд преимуществ [2]. Так от параметра рассеяния зависят не только величины, но и знаки продольного и поперечного эффектов Нернста-Эттингсгаузена. Таким образом, изучение термомагнитных эффектов при сверхвысоких давлениях является весьма актуальным.To study the parameters of the electronic structure of semiconductors, including estimating the effective mass of charge carriers m, optical properties or galvanomagnetic effects are usually measured, which are determined by the mobility of electrons and holes [1]. Thermomagnetic effects, like galvanomagnetic effects, also characterize the mobility of charge carriers and their scattering mechanisms, but have several advantages over the latter [2]. So, not only the magnitudes, but also the signs of the longitudinal and transverse Nernst-Ettingshausen effects depend on the scattering parameter. Thus, the study of thermomagnetic effects at ultrahigh pressures is very relevant.
Известен способ термоэлектрических измерений под давлением, включающий закрепление полупроводникового образца с продольными и поперечными контактами между двумя пуансонами в камере высокого давления, создание и поддержание в образце градиента температур, создание в прокладке, расположенной вокруг образца, давления, передаваемого на образец, и измерение значений термоэлектрического сигнала при изменении давления [3]. Однако в этом способе не осуществляют термомагнитных измерений.A known method of thermoelectric measurements under pressure, including fixing a semiconductor sample with longitudinal and transverse contacts between two punches in a high pressure chamber, creating and maintaining a temperature gradient in the sample, creating a pressure transmitted to the sample in the gasket located around the sample, and measuring thermoelectric values signal when pressure changes [3]. However, this method does not carry out thermomagnetic measurements.
Наиболее близким к заявляемому по технической сущности и достигаемому результату является способ аттестации полупроводниковых образцов по термомагнитным эффектам Нернста-Эттингсгаузена, позволяющий зондировать электронную структуру, определять концентрацию и подвижность μ носителей заряда и механизмы их рассеяния и т.д. Способ включает закрепление полупроводникового образца с продольными и поперечными контактами между двумя пластинами в камере высокого давления, помещенной в магнитное поле, создание и поддержание на образце градиента температур и измерение значений термоэдс и магнитосопротивления в зависимости от изменения индукции магнитного поля при изменении давления на образце [4]. Способ наиболее эффективно применяется для полупроводников с прямой запрещенной связью.The closest to the claimed technical essence and the achieved result is a method of certification of semiconductor samples according to the Nernst-Ettingshausen thermomagnetic effects, which allows probing the electronic structure, determining the concentration and mobility μ of charge carriers and their scattering mechanisms, etc. The method includes fixing a semiconductor sample with longitudinal and transverse contacts between two plates in a high-pressure chamber placed in a magnetic field, creating and maintaining a temperature gradient on the sample and measuring the thermoelectric power and magnetoresistance depending on the change in the magnetic field induction with changing pressure on the sample [4 ]. The method is most effectively applied to direct forbidden semiconductors.
Однако этот способ имеет ряд существенных недостатков. Для его осуществления необходимо к полупроводниковому образцу припаивать две пары контактов (при измерении продольных и поперечных эффектов одновременно), что накладывает ограничения на размеры образца и, следовательно, ограничивает область давлений, при которых проводятся термомагнитные измерения. В известном способе термомагнитные измерения при высоком давлении проводились в диапазоне 0-3 Гпа.However, this method has several significant disadvantages. For its implementation, it is necessary to solder two pairs of contacts to the semiconductor sample (when measuring longitudinal and transverse effects simultaneously), which imposes restrictions on the size of the sample and, therefore, limits the pressure range at which thermomagnetic measurements are carried out. In the known method, thermomagnetic measurements at high pressure were carried out in the range of 0-3 GPa.
В основу изобретения положена задача создания способа термомагнитных измерений, в частности измерения продольного и поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена, при увеличении значений прикладываемого давления и снижении размеров измеряемых образцов.The basis of the invention is the creation of a method of thermomagnetic measurements, in particular measuring the longitudinal and transverse Nernst-Ettingshausen effect, while increasing the applied pressure and reducing the size of the measured samples.
Поставленная задача решается тем, что в способе термомагнитных измерений под давлением, включающем закрепление полупроводникового образца с продольными и поперечными контактами между двумя пластинами в камере высокого давления, помещенной в магнитное поле, создание в образце градиента температур, создание на образце давления и измерение значений продольного и поперечного термомагнитных эффектов при изменении давления, продольные и поперечные контакты совмещают, камеру поворачивают в магнитном поле вокруг своей оси, находят положения, соответствующие четному и нечетному относительно магнитного поля термоэлектрическим эффектам, и осуществляют соответственно измерение продольного и поперечного термомагнитных эффектов в этих положениях.The problem is solved in that in the method of thermomagnetic measurements under pressure, including fixing a semiconductor sample with longitudinal and transverse contacts between two plates in a high pressure chamber placed in a magnetic field, creating a temperature gradient in the sample, creating a pressure on the sample and measuring the longitudinal and transverse thermomagnetic effects when the pressure changes, the longitudinal and transverse contacts are combined, the camera is rotated in a magnetic field around its axis, find I corresponding to even and odd with respect to the magnetic field of thermoelectric effects, and accordingly measurement is carried out of the longitudinal and transverse thermomagnetic effects in these positions.
При этом в качестве термомагнитного эффекта измеряют эффект Нернста-Эттингсгаузена, ось камеры, вдоль которой создается градиент температур, располагают перпендикулярно магнитному полю, пластины выполняют в виде наковален из синтетического алмаза, а контакты выполняют прижимными, измерения проводят в нестационарном тепловом режиме, положения, соответствующие четному и нечетному относительно магнитного поля термоэлектрическим эффектам, находят путем проведения измерений в разных положениях камеры при изменении магнитной индукции.In this case, the Nernst-Ettingshausen effect is measured as the thermomagnetic effect, the axis of the chamber along which the temperature gradient is created is perpendicular to the magnetic field, the plates are made in the form of anvils from synthetic diamond, and the contacts are clamped, the measurements are carried out in non-stationary thermal conditions, the positions corresponding to even and odd relative to the magnetic field thermoelectric effects, are found by taking measurements at different positions of the chamber with a change in magnetic induction.
Совмещение продольных и поперечных прижимных контактов в заявляемом способе позволило уменьшить толщину исследуемых образцов и тем самым снизить существующие ограничения на их размеры.The combination of longitudinal and transverse clamping contacts in the inventive method allowed to reduce the thickness of the investigated samples and thereby reduce the existing restrictions on their size.
Размещение образцов с совмещенными контактами в камере высокого давления позволило уменьшить ее объем и повысить верхний предел диапазона прикладываемых к образцу давлений, что в совокупности с поворотом камеры вокруг оси в магнитном поле и с определением ее положений, соответствующих четному и нечетному по магнитному полю термоэлектрическим эффектам, позволило измерять в этих положениях продольный или поперечный термомагнитные эффекты при изменении давления до 30 ГПа.Placing the samples with combined contacts in the high-pressure chamber made it possible to reduce its volume and increase the upper limit of the range of pressures applied to the sample, which, together with the rotation of the chamber around the axis in a magnetic field and the determination of its positions corresponding to thermoelectric effects even and odd in the magnetic field, allowed to measure in these positions the longitudinal or transverse thermomagnetic effects when the pressure changes up to 30 GPa.
Посредством заявляемого способа впервые были выполнены измерения продольного и поперечного эффектов Нернста-Эттингсгаузена при высоком давлении до 30 ГПа.By means of the proposed method, the longitudinal and transverse effects of Nernst-Ettingshausen were first measured at high pressure up to 30 GPa.
Кроме того, снижение ограничений на размеры образцов позволило упростить процесс их получения, так как вырастить чистые монокристаллические образцы больших размеров весьма затруднительно.In addition, a decrease in the restrictions on the size of the samples made it possible to simplify the process of their preparation, since it is very difficult to grow large-sized pure single-crystal samples.
Таким образом, новый технический результат, достигаемый в заявляемом способе, заключается в возможности проведения измерений продольного и поперечного термомагнитных эффектов в диапазоне 0-30 ГПа, в отличие от используемого в настоящее время в соответствующих измерениях диапазона 0-3 Гпа.Thus, the new technical result achieved in the claimed method consists in the possibility of measuring longitudinal and transverse thermomagnetic effects in the range of 0-30 GPa, in contrast to the currently used range of 0-3 GPa in the corresponding measurements.
На фиг.1 представлена принципиальная схема расположения образца в камере высокого давления, показаны направления магнитного поля В и теплового потока W, создающего перепад температур в образце; на фиг.2 - расположение контактов на образце, используемых для снятия разности потенциалов и тока через образец; на фиг.3 - зависимости термоэдс от магнитного поля для образца Se, измеренные в синтетических алмазных наковальнях при давлении 13,6 ГПа; на фиг.4 - зависимости термоэдс от магнитного поля для образца Те при давлении 1 ГПа и температуре Т=293 К, полученные в камере с алмазными наковальнями; на фиг.5 - зависимости термоэдс от магнитного поля для образца Те при давлении 2,5 ГПа и температуре Т=293 К, полученные в камере с алмазными наковальнями [5]; на фиг.6 - зависимость термоэдс от магнитного поля для образца Те в промежуточной позиции (смесь продольного и поперечного эффектов Нернста-Эттингсгаузена), полученная в камере высокого давления с наковальнями из гексанита при давлении 4,5 ГПа и температуре Т=295 К в нестационарном тепловом режиме.Figure 1 presents a schematic diagram of the location of the sample in the high-pressure chamber, shows the directions of the magnetic field B and heat flux W, which creates a temperature difference in the sample; figure 2 - the location of the contacts on the sample used to remove the potential difference and the current through the sample; figure 3 - dependence of the thermopower on the magnetic field for the sample Se, measured in synthetic diamond anvils at a pressure of 13.6 GPa; figure 4 - dependence of the thermopower on the magnetic field for a sample of Te at a pressure of 1 GPa and a temperature of T = 293 K, obtained in a chamber with diamond anvils; figure 5 - dependence of the thermopower on the magnetic field for the sample Te at a pressure of 2.5 GPa and a temperature of T = 293 K, obtained in a chamber with diamond anvils [5]; figure 6 - dependence of the thermoelectric power on the magnetic field for the sample Te in the intermediate position (a mixture of longitudinal and transverse Nernst-Ettingshausen effects) obtained in a high pressure chamber with anvils from hexanite at a pressure of 4.5 GPa and a temperature of T = 295 K in non-stationary thermal mode.
Способ осуществляют следующим образом. Для проведения измерений в качестве материалов были выбраны элементарные полупроводники Те и Se, у которых в интервале 0 - 4 и 0 - 25 ГПа ширина запрещенной зоны уменьшается до нуля, при этом подвижности дырок экспоненциально возрастают. Высокое давление до 30 ГПа создают с помощью камеры из синтетического сверхтвердого материала, в частности из синтетического алмаза (фиг.1). В камере высокого давления полупроводниковый образец 1, имеющий форму диска, толщиной ~0,05 - 0,02 и диаметром ~0,3 мм помещают в сжимаемую прокладку 2, выполненную из катлинита, и зажимают между двумя наковальнями 3, выполненными из синтетического алмаза. Алмазные наковальни 3, теплопроводность которых в несколько раз выше, чем у меди, используют в качестве теплоотводов. Наковальни 3 выполняют соответственно функции нагревателя и холодильника. Нагревание одной из наковален 3 посредством нагревательного элемента (на чертеже не показан) создают градиент температур. Температуру в фиксированных точках наковален измеряют с помощью термопар. К образцу 1 подводят прижимные контакты 4. Контакты 4 выполняются из платиносеребрянных проводов 5, 6 (фиг.2) толщиной 5 мкм и шириной 0,1 мм (термоэдс этого материала очень мала), которые используют соответственно для снятия разности потенциалов и тока через образец 1. Для снятия этих сигналов также могут быть использованы проводящие алмазные наковальни 3. Расстояние между проводами 5 и 6 приблизительно соответствует толщине провода (~100 мкм). Вторую пару прижимных контактов 5 и 6 используют для подвода тока либо его подводят через наковальни. Далее путем приложения усилия пресса (на чертеже не показан) к наковальням 3 в прокладке 2 создается давление, передаваемое на образец 1 (давление определяется по градуировочной зависимости от усилия для данной камеры) [6]. Помещают камеру с образцом 1 в магнитное поле с величиной индукции до 2 Тл, создаваемое панцирным магнитом так, что ось камеры, вдоль которой создается градиент температур, была перпендикулярна полю. Поворачивают камеру высокого давления вокруг оси в магнитном поле и измеряют термоэлектрический эффект. Затем определяют такие положения камеры в магнитном поле, которые соответствуют четному и нечетному (относительно значений при отсутствии поля) по магнитному полю термоэлектрическим эффектам. В найденных положениях измеряют соответственно продольный или поперечный термомагнитные эффекты при изменении давления.The method is as follows. To carry out the measurements, elementary semiconductors Te and Se were chosen as materials, in which the band gap decreases to zero in the interval 0 - 4 and 0 - 25 GPa, while the hole mobilities increase exponentially. High pressure up to 30 GPa is created using a chamber of synthetic superhard material, in particular synthetic diamond (Fig. 1). In a high-pressure chamber, a
Из-за не совсем симметричного расположения контактов на образце обычно существует вклад эффекта Холла в магнитосопротивление и наоборот, так что требуются специальные меры для компенсации вкладов [2]. В заявляемом способе это достигалось путем поворота камеры в магнитном поле относительно своей оси.Due to the not quite symmetrical arrangement of the contacts on the sample, there is usually a contribution from the Hall effect to the magnetoresistance and vice versa, so special measures are required to compensate for the contributions [2]. In the claimed method, this was achieved by rotating the camera in a magnetic field about its axis.
Измерения проводят с помощью установки, позволяющей одновременно регистрировать и накапливать в энергонезависимой памяти все параметры измерений и сигналы от образца с последующей передачей данных на компьютер [6].The measurements are carried out using the installation, which allows simultaneously registering and storing in non-volatile memory all measurement parameters and signals from the sample with subsequent data transfer to the computer [6].
Результаты измерений показаны на рисунках (фиг.3-6). Как следует из зависимости, представленной на фиг.3 при разных положениях 1-4 камеры в магнитном поле термомагнитный эффект в образце из Se изменяется от продольного 2 до поперечного 4, проходя через промежуточные положения 1 и 3, где эффект смешанный. На фиг.4 показаны продольный 1 и поперечный 2 эффекты Нернста-Эттингсгаузена в камере с образцом Те. Аналогичные зависимости 1 и 2 для того же образца Те, но при более высоком давлении, равном 2,5 ГПа, представлены на фиг.5. На фиг.6 представлена зависимость продольного и поперечного эффектов Нернста-Эттингсгаузена в образце Те, полученная в нестационарном тепловом режиме при двукратном изменении знаков магнитной индукции.The measurement results are shown in the figures (Fig.3-6). As follows from the dependence presented in Fig. 3 at
Проведенные посредством заявляемого способа измерения при увеличении диапазона давления в ~10 раз по сравнению с известным позволяют сделать вывод, что термомагнитные эффекты (Нернста-Эттингсгаузена) являются удобным инструментом изучения электронной структуры полупроводников при сверхвысоких давлениях.The measurements carried out by the proposed method with an increase in the pressure range by a factor of ~ 10 compared to the known one allow us to conclude that thermomagnetic effects (Nernst-Ettingshausen) are a convenient tool for studying the electronic structure of semiconductors at ultrahigh pressures.
Источники информацииSources of information
1. K.Зeeгep. Физика полупроводников. - М.: Мир, 1977.1. K. Seeger. Semiconductor Physics. - M .: Mir, 1977.
2. Цидильковский И.М. Термомагнитные явления в полупроводниках. - М.: Гос. изд-во физ.-мат. литературы, 1960.2. Tsidilkovsky I.M. Thermomagnetic phenomena in semiconductors. - M .: State. Publishing House of Phys.-Math. literature, 1960.
3. Авторское свидетельство СССР №13540686, 1987.3. Copyright certificate of the USSR No. 13540686, 1987.
4. Akselrod М.М., Demchuk К.М., and Tsidilkovskii I.M., Phys. Stat. Sol. 27, 249, 1968 - прототип.4. Akselrod M.M., Demchuk K.M., and Tsidilkovskii I.M., Phys. Stat. Sol. 27, 249, 1968 - prototype.
5. Патент РФ №2050180, 1995.5. RF patent No. 2050180, 1995.
6. Shchennikov V.V. Phys. Stat. Sol. b223, 561 (2001).6. Shchennikov V.V. Phys. Stat. Sol. b223, 561 (2001).
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002114014/28A RU2231047C2 (en) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | Method of thermomagnetic measurements under pressure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2002114014/28A RU2231047C2 (en) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | Method of thermomagnetic measurements under pressure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2002114014A RU2002114014A (en) | 2004-01-27 |
| RU2231047C2 true RU2231047C2 (en) | 2004-06-20 |
Family
ID=32845686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2002114014/28A RU2231047C2 (en) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | Method of thermomagnetic measurements under pressure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2231047C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2569933C1 (en) * | 2014-11-26 | 2015-12-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Method to measure relative heat conductivity under external impact |
| RU2806889C1 (en) * | 2023-05-19 | 2023-11-08 | Сюньпэн Чжан | Method and device for capturing signal arising from nernst-ettinghausen effect in superconductor |
-
2002
- 2002-05-29 RU RU2002114014/28A patent/RU2231047C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| М.М.AKSELROD et al., Effect of Pressure on the electron effective mass of InSb, Phys. Stat.sol, v.27, 249, 1968, р.249-251. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2569933C1 (en) * | 2014-11-26 | 2015-12-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Method to measure relative heat conductivity under external impact |
| RU2806889C1 (en) * | 2023-05-19 | 2023-11-08 | Сюньпэн Чжан | Method and device for capturing signal arising from nernst-ettinghausen effect in superconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2002114014A (en) | 2004-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jachalke et al. | How to measure the pyroelectric coefficient? | |
| Minakov et al. | Thin-film alternating current nanocalorimeter for low temperatures and high magnetic fields | |
| Lubomirsky et al. | Invited Review Article: Practical guide for pyroelectric measurements | |
| Sola et al. | Evaluation of thermal gradients in longitudinal spin Seebeck effect measurements | |
| Kohama et al. | AC measurement of heat capacity and magnetocaloric effect for pulsed magnetic fields | |
| Sola et al. | Spincaloritronic measurements: A round robin comparison of the longitudinal spin Seebeck effect | |
| Basso et al. | A Peltier cell calorimeter for the direct measurement of the isothermal entropy change in magnetic materials | |
| Buliński et al. | Application of the ASTM D5470 standard test method for thermal conductivity measurements of high thermal conductive materials | |
| Dodge et al. | Temperature-dependent local exchange splitting in SrRuO 3 | |
| Kehlberger et al. | Investigation of the magnetic properties of insulating thin films using the longitudinal spin Seebeck effect | |
| Irie et al. | High-pressure dc magnetic measurements on a bisdiselenazolyl radical ferromagnet using a vibrating-coil SQUID magnetometer | |
| Su et al. | Measurement of thermal conductivity of anisotropic SiC crystal | |
| Choi et al. | Low-frequency method for magnetothermopower and Nernst effect measurements on single crystal samples at low temperatures and high magnetic fields | |
| RU2231047C2 (en) | Method of thermomagnetic measurements under pressure | |
| Gonzalez-Fuentes et al. | Systematic errors in the determination of the spectroscopic g-factor in broadband ferromagnetic resonance spectroscopy: A proposed solution | |
| CN108802098A (en) | A kind of measuring device and its measurement method of continuous carbonization silicon thin film thermal conductivity | |
| Green et al. | Measurement of thermal diffusivity of semiconductors by Ångström's method | |
| Hishiyama et al. | Galvanomagnetic properties of well-oriented graphite in relation to the structural imperfections | |
| Kubota et al. | Construction of a low-temperature thermodynamic measurement system for single crystal of molecular compounds under pressures | |
| Kogure et al. | Simultaneous Measurement of Low-Temperature Specific Heat and Thermal Conductivity by Temperature-Wave Method | |
| Venkat et al. | Measurement of the heat flux normalized spin Seebeck coefficient of thin films as a function of temperature | |
| Rostami | Spatial characteristics of superconductors and a 3D Hall microscope for their analysis | |
| Graham et al. | Ultrasonic investigation of critical behavior in the random-field Ising system Dy (As x V 1− x) O 4 | |
| Choi et al. | Thermoelectric power measurement under hydrostatic pressure using a self-clamped pressure cell | |
| RU46857U1 (en) | DEVICE FOR THERMOMAGNETIC MEASUREMENTS UNDER PRESSURE |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070530 |