RU2220429C2 - Process of formation of sensor element of scanning sounding microscope - Google Patents
Process of formation of sensor element of scanning sounding microscope Download PDFInfo
- Publication number
- RU2220429C2 RU2220429C2 RU2000112731A RU2000112731A RU2220429C2 RU 2220429 C2 RU2220429 C2 RU 2220429C2 RU 2000112731 A RU2000112731 A RU 2000112731A RU 2000112731 A RU2000112731 A RU 2000112731A RU 2220429 C2 RU2220429 C2 RU 2220429C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sensor element
- growth
- cantilever
- electron beam
- formation
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области сканирующей зондовой микроскопии, а более конкретно к способу формирования сенсорного элемента сканирующего зондового микроскопа (СЗМ). The invention relates to the field of scanning probe microscopy, and more particularly to a method for forming a sensor element of a scanning probe microscope (SPM).
В настоящее время известны различные варианты технологии выращивания на поверхности кремниевых кантилеверов ориентированных систем нитевидных кристаллов (сенсорных элементов). Так, известен способ выращивания ориентированных систем нитевидных кристаллов на монокристаллической подложке, ориентированной по наиболее упакованной для данного материала кристаллографической грани, путем осаждения этого материала из паровой фазы при нагреве, через частицы растворителя, нанесенные на подложку в определенном порядке. При этом реализуется механизм роста пар-жидкость-кристалл [1]. At present, various variants of the technology for growing oriented systems of whiskers (sensor elements) on the surface of silicon cantilevers are known. Thus, there is a known method of growing oriented systems of whiskers on a single crystal substrate, oriented along the crystallographic facet most packed for a given material, by depositing this material from the vapor phase during heating, through solvent particles deposited on the substrate in a specific order. In this case, the vapor – liquid – crystal growth mechanism is realized [1].
Однако такой способ имеет следующий недостаток: растущие нитевидные кристаллы часто ветвятся, изменяют направление своего роста и т.п. However, this method has the following drawback: growing whiskers often branch, change their direction of growth, etc.
Известен также способ управляемого выращивания нитевидных кристаллов на подложке, который обеспечивает создание регулярных систем хорошо ориентированных нитевидных кристаллов на большой площади [2]. В этом способе выращивание ориентированных систем нитевидных кристаллов на монокристаллической подложке, ориентированной по наиболее плотно упакованной для данного материала кристаллографической грани, осуществляют путем осаждения этого материала из паровой фазы при нагреве, через частицы растворителя, нанесенные на подложку в определенном порядке. При этом параллельно подложке размещают источник материала для роста нитевидных кристаллов в виде твердого тела с плоской поверхностью, обращенной к подложке, того же состава, что и выращиваемые кристаллы, так что между подложкой и источником создается векторно-однородное температурное поле, градиент которого перпендикулярен подложке и источнику. Частицы растворителя наносят на подложку либо напылением через трафаретную маску, либо с участием фотолитографического процесса. There is also known a method of controlled growing whiskers on a substrate, which provides the creation of regular systems of well-oriented whiskers over a large area [2]. In this method, the growth of oriented whisker systems on a single crystal substrate oriented along the crystallographic facet most densely packed for a given material is carried out by depositing this material from the vapor phase during heating through solvent particles deposited on the substrate in a specific order. In this case, a source of material for the growth of whiskers in the form of a solid with a flat surface facing the substrate of the same composition as the grown crystals is placed parallel to the substrate, so that a vector-uniform temperature field is created between the substrate and the source, the gradient of which is perpendicular to the substrate and source. Particles of solvent are applied to the substrate either by spraying through a screen mask, or with the participation of a photolithographic process.
Несмотря на определенные преимущества такого способа, предлагаемая технология не лишена недостатков, главный из которых заключается в том, что рост нитевидных кристаллов или так называемых "вискеров" (whiskers) возможен лишь на плоскости кремния. При этом "вискеры" будут отличаться повышенной хрупкостью, так как при такой ориентации пластины плоскость наилегчайшего скола оказывается перпендикулярной оси иглы. Despite the certain advantages of this method, the proposed technology is not without drawbacks, the main one of which is that the growth of whiskers or the so-called “whiskers” is possible only on the silicon plane. In this case, the “whiskers” will be distinguished by increased fragility, since with such an orientation of the plate, the plane of the easiest cleavage is perpendicular to the axis of the needle.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ формирования сенсорного элемента сканирующего зондового микроскопа, включающий нанесение исходного материала на зонд кремниевого кантилевера, формирование сфокусированного электронного пучка в непосредственной близости от зоны начала формирования роста сенсорного элемента и управление ростом острия посредством перемещения зонда относительно фокуса электронного пучка [3]. The closest in technical essence and the achieved effect is a method of forming a sensor element of a scanning probe microscope, including applying a source material to a silicon cantilever probe, forming a focused electron beam in the immediate vicinity of the zone of the beginning of the growth of the sensor element and controlling the tip growth by moving the probe relative to the electron focus beam [3].
Однако и эта технология выращивания "вискеров" на кончике зонда кантилевера не позволяет осуществлять строго контролируемый качественно и количественно состав исходных материалов для формирования заданных свойств сенсорных элементов. However, this technology of growing “whiskers” at the tip of the cantilever probe does not allow for strictly controlled qualitatively and quantitatively the composition of the starting materials to form the desired properties of the sensor elements.
Недостатками такого технического решения являются также недостаточная возможность регулирования величины потенциалов на поверхности сенсорных элементов и ограниченные возможности управления динамикой роста сенсорных элементов и контроля за их ростом. The disadvantages of this technical solution are also the insufficient ability to control the magnitude of the potentials on the surface of the sensor elements and the limited ability to control the dynamics of the growth of sensor elements and control their growth.
Задачей изобретения является создание такой технологии формирования сенсорного элемента сканирующего зондового микроскопа, которая позволяет воспроизводить геометрию формируемого сенсорного элемента. Такая технология позволяет выращивать объемные структуры сложной и заданной формы. The objective of the invention is the creation of such a technology for the formation of a sensor element of a scanning probe microscope, which allows you to reproduce the geometry of the formed sensor element. This technology allows you to grow bulk structures of complex and given shape.
Поставленная задача достигается за счет того, что в способе формирования сенсорного элемента сканирующего зондового микроскопа, включающем нанесение исходного материала на зонд кремниевого кантилевера, формирование сфокусированного электронного пучка в непосредственной близости от зоны начала формирования роста сенсорного элемента и управление ростом острия посредством перемещения зонда относительно фокуса электронного пучка, перед началом формирования сенсорного элемента осуществляют модификацию поверхности кантилевера с приданием ей заданных значений смачиваемости и шероховатости, причем исходный материал контролируемого состава наносят из паровой фазы. The problem is achieved due to the fact that in the method of forming a sensor element of a scanning probe microscope, which includes applying a source material to a silicon cantilever probe, forming a focused electron beam in the immediate vicinity of the zone where the sensor element begins to form, and controlling the tip growth by moving the probe relative to the electron focus beam, before the formation of the sensor element, the surface of the cantilever is modified with giving her the specified values of wettability and roughness, and the source material of a controlled composition is applied from the vapor phase.
Одним из вариантов осуществления изобретения является использование дополнительного электронного луча для регулирования величины положительного заряда на поверхности сенсорного элемента, что, в свою очередь, позволяет регулировать направление роста "вискеров" благодаря изменению сил взаимодействия между ними (см. подробнее [3]). One of the embodiments of the invention is the use of an additional electron beam to control the amount of positive charge on the surface of the sensor element, which, in turn, allows you to adjust the direction of growth of “whiskers” due to a change in the forces of interaction between them (see details [3]).
Возможно также проводить фотостимуляцию поверхности сенсорного элемента для регулирования проводимости его поверхности, что позволяет стекать зарядам и регулировать направление роста благодаря принятию сил взаимодействия между ними (см. подробнее [3]). It is also possible to conduct photo-stimulation of the surface of the sensor element to control the conductivity of its surface, which allows the charges to drain off and to regulate the growth direction due to the adoption of the interaction forces between them (see in more detail [3]).
Целесообразным является также управление скоростью роста сенсорного элемента посредством подачи ультразвуковых колебаний в зону роста. При этом "вискер" является концентратором ультразвуковых колебаний, что приводит к стимулированию роста его конца. Это происходит из-за того, что жидкость на конце сенсорного элемента перемещается по направлению распространения колебаний благодаря увеличению подвижности молекул в этом направлении. It is also advisable to control the growth rate of the sensor element by applying ultrasonic vibrations to the growth zone. In this case, the “whisker” is a concentrator of ultrasonic vibrations, which leads to stimulation of the growth of its end. This is due to the fact that the liquid at the end of the sensor element moves in the direction of propagation of vibrations due to an increase in the mobility of molecules in this direction.
Регулирование направлением распространения ультразвуковых колебаний можно осуществлять посредством колебаний упругого элемента кантилевера, что, в свою очередь, приводит к повышению степени ориентации "вискера" относительно оси роста. Это происходит вследствие того, что плоскость упругого элемента кантилевера перпендикулярна оси зонда, его жесткость в этом направлении как минимум на порядок меньше жесткости в других направлениях, что приводит, в свою очередь, при подборе частоты колебаний, соответствующей резонансной частоте кантилевера, к распространению колебаний вдоль оси зонда. Это направление роста "вискера" является наиболее предпочтительным для дальнейшего использования кантилевера. The direction of propagation of ultrasonic vibrations can be controlled by vibrations of the elastic element of the cantilever, which, in turn, leads to an increase in the degree of orientation of the “whisker” relative to the growth axis. This is due to the fact that the plane of the elastic element of the cantilever is perpendicular to the axis of the probe, its stiffness in this direction is at least an order of magnitude lower than the stiffness in other directions, which, in turn, leads to the propagation of oscillations along the vibration frequency corresponding to the resonant frequency of the cantilever axis of the probe. This direction of growth of the "whisker" is most preferred for the further use of the cantilever.
Возможно осуществление контроля роста сенсорного элемента посредством измерения изменения собственной частоты кантилевера в результате изменения его массы, например, посредством регистрации оптического сигнала, модифицированного измененной собственной частотой кантилевера. It is possible to control the growth of the sensor element by measuring the change in the natural frequency of the cantilever as a result of changes in its mass, for example, by recording an optical signal modified by the modified natural frequency of the cantilever.
Изменение смачиваемости и шероховатости, необходимое для получения исходного материала на конце зонда в требуемом количестве, осуществляют напылением тонких пленок, например, золота, карбида вольфрама или нитрида титана, а также травлением поверхности зонда посредством ионной бомбардировки, плазменной обработки, электрического травления и т.п. The change in wettability and roughness necessary to obtain the starting material at the end of the probe in the required amount is carried out by spraying thin films, for example, gold, tungsten carbide or titanium nitride, as well as etching the surface of the probe by ion bombardment, plasma treatment, electrical etching, etc. .
Сущность изобретения поясняется ниже с помощью чертежей, на которых схематично изображено:
фиг. 1 - установка для формирования сенсорных элементов на конце зонда кантилевера СЗМ;
фиг.2 - кассета для закрепления ряда кантилеверов, вид в плане;
фиг.3 - вид сбоку по фиг. 2;
фиг. 4 - кантилевер, изготовленный по известной ранее технологии, вид сверху;
фиг.5 - кантилевер, изображенный на фиг. 4, вид сбоку;
фиг. 6 - кантилевер с сенсорным элементом, сформированный предлагаемым способом.The invention is illustrated below using the drawings, which schematically depict:
FIG. 1 - installation for the formation of sensory elements at the end of the probe cantilever SPM;
figure 2 - cassette for fixing a number of cantilevers, view in plan;
FIG. 3 is a side view of FIG. 2;
FIG. 4 - cantilever made according to previously known technology, top view;
5 is a cantilever depicted in FIG. 4, side view;
FIG. 6 - cantilever with a sensor element formed by the proposed method.
На фиг. 1 в упрощенном виде показана вакуумная камера 1, внутри которой установлена электронная пушка 2, сопряженная с координатным столом 3. Координатный стол 3 включает подвижную каретку 4, установленную на подвижной направляющей 5, перемещающуюся по координате X. Подвижная направляющая 5 установлена в свою очередь на направляющих (не показаны), которые представляют собой поверхность координатного стола 3, находящуюся в соприкосновении с направляющей 5 и перемещающуюся по координатам Y, Z. Вакуумная камера 1 содержит шлюз 6 для оперативной загрузки объектов. При этом каретка 4 имеет привод 7, закрепленный на направляющей 5, на которой установлены приводы 8, 9 по координатам Y, Z. Крышка 10 выполнена из оптически прозрачного материала (для наблюдения за процессом) и закреплена на камере 1, например, в виде откидного элемента. In FIG. 1, a vacuum chamber 1 is shown in a simplified form, inside of which an electron gun 2 is mounted, coupled to the coordinate table 3. The coordinate table 3 includes a movable carriage 4 mounted on a movable guide 5, moving along the X coordinate. The movable guide 5 is mounted in turn on the guides (not shown), which are the surface of the coordinate table 3, in contact with the guide 5 and moving along the coordinates Y, Z. The vacuum chamber 1 contains a gateway 6 for online loading about ektov. In this case, the carriage 4 has a drive 7 mounted on a guide 5, on which the drives 8, 9 are mounted in the coordinates Y, Z. The cover 10 is made of optically transparent material (for monitoring the process) and is mounted on the camera 1, for example, in the form of a folding item.
При изготовлении сенсорных элементов на каретке 4 закрепляют кассету 11, например, посредством пружины 12 с по меньшей мере одним кантилевером 13 и зондом 14. Более подробно кантилеверы 13 с зондами 14 описаны в RU 2124780 и RU 2121657. In the manufacture of sensor elements, a cartridge 11 is fixed on the carriage 4, for example, by means of a spring 12 with at least one cantilever 13 and a probe 14. For more details, cantilevers 13 with probes 14 are described in RU 2124780 and RU 2121657.
Установка для формирования сенсорных элементов детально не описана, т.к. она не является предметом изобретения. Installation for the formation of sensory elements is not described in detail since it is not the subject of invention.
Однако в качестве варианта осуществления способа может быть использована, например, стандартная установка JEOL-840. However, as an embodiment of the method, for example, a standard JEOL-840 installation can be used.
На фиг. 2-3 показана кассета 15 с пьедесталом 16 и пружиной 17 с лапками 13, посредством которых могут быть закреплены кантилеверы 19. Как показано на фиг. 4-6, более подробно, кантилевер 19 представляет собой основание 20 с балками 21, на которых закреплен зонд 22. In FIG. 2-3, a
Процесс формирования сенсорных элементов осуществляют следующим образом. The process of forming sensor elements is as follows.
Модификацию поверхности кантилевера 19 (фиг. 5), как уже отмечалось выше, осуществляют посредством, например, нанесения тонких пленок различных материалов, таких как карбид вольфрама, золото, нитрида титана и т.п. для стабилизации свойств, регулирующих величину смачиваемости. Шероховатость можно регулировать, проводя травление поверхности зонда. Нанесение материалов из паровой фазы можно производить в камере, в которой можно регулировать концентрацию исходного вещества, его температуру, давление и т.п., определяя тем самым структуру и количество исходного материала. Подробнее модификация поверхности, а также нанесение материала из паровой фазы изложена, например, в [4, 5]. Причем возможно одновременное нанесение исходных материалов на заданное количество кантилеверов. После чего кантилевер 19 закрепляют посредством лапки 18 на пьедестале 16. Затем, используя шлюз 6, кассету 11 закрепляют в зоне формирования сфокусированного электронного пучка. Включают электронную пушку 2 и на конце зонда 14 (фиг.1) формируют фокус электронного пучка. После чего по заданной программе осуществляют перемещение зонда 14 относительно фокуса электронного пучка, формируя при этом сенсорный элемент. The surface modification of the cantilever 19 (Fig. 5), as already noted above, is carried out by, for example, applying thin films of various materials, such as tungsten carbide, gold, titanium nitride, etc. to stabilize the properties that regulate the wettability. The roughness can be adjusted by etching the surface of the probe. The application of materials from the vapor phase can be carried out in a chamber in which the concentration of the starting material, its temperature, pressure, etc. can be controlled, thereby determining the structure and amount of the starting material. The surface modification, as well as the deposition of material from the vapor phase, is described in more detail, for example, in [4, 5]. Moreover, it is possible to simultaneously apply the starting materials to a given number of cantilevers. After that, the
Для выполнения вариантов предложенного способа к камере 1 может быть подстыкован лазер 15, оптически сопряженный с фотоприемником 16 с блоком управления 17. На каретке 4 может быть закреплен пьезокерамический преобразователь 18, также подключенный к блоку управления 17, а в камере 1 установлена дополнительная электронная пушка 19. To carry out variants of the proposed method, a
Для более полного понимания изобретения и с целью его иллюстрации ниже приводится пример его осуществления. Однако следует понимать, что возможны его различные модификации, очевидные для специалиста в данной области техники, не меняющие существа изобретения и не выходящие за пределы объема изобретения, определяемого прилагаемой формулой изобретения. For a more complete understanding of the invention and for the purpose of illustrating it, an example of its implementation is given below. However, it should be understood that its various modifications are possible, obvious to a person skilled in the art, not changing the essence of the invention and not beyond the scope of the invention defined by the attached claims.
Пример 1
Необходимое количество кантилеверов закрепляют в кассету, которую размещают в установке нанесения нитрида титана, где формируют его пленку на поверхности кантилеверов, после чего проводят травление поверхности. Затем переносят кассету в камеру, где формируется парогазовая смесь необходимой концентрации (см. подробнее в [4, 5]). После формирования заданного количества исходного материала на кончике зонда переносят кассету в вакуумную камеру сканирующего электронного микроскопа (JEOL-840) и воздействуют на это вещество сфокусированным пучком электронов. Диаметр электронного пучка может составлять порядка 6 нм, энергия - в пределах десятков и более кэВ, например, 40 кэВ, ток - 30 пА.Example 1
The required number of cantilevers is fixed in a cassette, which is placed in a titanium nitride deposition unit, where its film is formed on the surface of the cantilevers, after which the surface is etched. Then the cartridge is transferred to a chamber where a vapor-gas mixture of the required concentration is formed (see details in [4, 5]). After the formation of a predetermined amount of the starting material at the tip of the probe, the cartridge is transferred to the vacuum chamber of a scanning electron microscope (JEOL-840) and this substance is exposed to a focused electron beam. The diameter of the electron beam can be about 6 nm, the energy can be in the range of tens or more keV, for example, 40 keV, and the current 30 pA.
Вследствие воздействия на нанесенное вещество сфокусированным пучком электронов происходит реакция распада этого вещества с последующим ростом из продуктов распада углеродсодержащего соединения. Далее, при перемещении кантилевера относительно фокуса пучка электронов вдоль оси зуба кантилевера со средней скоростью 1 мкр в 4 минуты происходит рост прочного компактного углеродсодержащего соединения в виде конуса или так называемого "вискера", диаметром, начиная от 100 до 4 нм, углом растра конуса до менее 10 и длиной конуса до 1 мкр и более. При этом ось пучка перпендикулярна оси зуба. При перемещении фокуса пучка электронов вдоль некоторой запрограммированной кривой ось конуса углеродсодержащего соединения изгибается в процессе роста и следует за траекторией фокуса пучка электронов. По окончании процесса геометрия выращенного "вискера" контролируется в той же установке с переходом в режим измерения. Подробнее процесс формирования "вискеров" описан в [3]. Due to the effect on the deposited substance by a focused electron beam, the decomposition reaction of this substance occurs, followed by the growth of the carbon-containing compound from the decomposition products. Further, when the cantilever is moved relative to the focus of the electron beam along the axis of the cantilever tooth with an average speed of 1 μR in 4 minutes, a strong compact carbon-containing compound in the form of a cone or the so-called “whisker” grows, with a diameter starting from 100 to 4 nm, the cone angle up to less than 10 and a cone length of up to 1 microns or more. In this case, the axis of the beam is perpendicular to the axis of the tooth. When the focus of the electron beam moves along a programmed curve, the axis of the cone of the carbon-containing compound bends during growth and follows the focus path of the electron beam. At the end of the process, the geometry of the grown "whisker" is controlled in the same installation with the transition to measurement mode. The process of forming “whiskers” is described in more detail in [3].
При этом посредством дополнительной электронной пушки 19, расположенной в вакуумной камере 1, можно формировать дополнительный электронный луч для регулирования положительного заряда на поверхности сенсорного элемента. In this case, by means of an
Фотостимуляция поверхности сенсорного элемента может быть осуществлена посредством подачи, например лазерного излучения в зону его формирования через окно 10. Посредством пьезокерамического преобразователя 18, например, механически связанных с кантилевером, можно также передавать ультразвуковые колебания в зону роста, причем можно управлять направлением ультразвуковых колебаний, используя упругий элемент кантилевера 13, т.к. он может представлять плоскую пружину, имеющую строго определенное направление колебаний. Контроль роста сенсорного элемента связан и изменением его массы, что соответственно приводит к изменению собственной частоты колебаний кантилевера, которую можно измерять, например, используя лазерный луч, направленный на колеблющийся элемент кантилевера и фотоприемник 16, расположенный в зоне отраженного оптического сигнала. Подробнее аппаратура, осуществляющая процессы, описанные в этом абзаце, изложена в [6, 7, 8]. Photostimulation of the surface of the sensor element can be carried out by supplying, for example, laser radiation into the zone of its formation through the window 10. By means of a
Электронно-графический анализ показывает, что по своей структуре материал "вискера" соответствует аморфному углероду. Из измерений зависимостей силы взаимодействия этих зондов с поверхностью следует, что они гидрофобные и подвижного водного адсорбционного слоя на них не обнаружено. An electron-graphical analysis shows that the structure of the “whisker” material corresponds to amorphous carbon. From measurements of the dependences of the force of interaction of these probes with the surface, it follows that they are hydrophobic and there is no mobile adsorption layer on them.
Толщина "вискеров" может составлять 50-100 нм, радиус кривизны до 2-3 нм, длина до 3 мкм и может быть изначально заданной с точностью до 20-30 нм, что делает иглы такого типа чрезвычайно перспективными для применений как в аналитической атомно-силовой микроскопии, так и в нанотехнологии. Комбинация групповых методов микромеханики и методов электрон-стимулированного направленного роста структур открывает возможность создания сложных инструментальных устройств. The thickness of the “whiskers” can be 50-100 nm, the radius of curvature is up to 2-3 nm, the length is up to 3 microns and can be initially set with an accuracy of 20-30 nm, which makes needles of this type extremely promising for applications as in analytical atomic force microscopy, and in nanotechnology. The combination of group methods of micromechanics and methods of electronically stimulated directed growth of structures opens up the possibility of creating complex instrumental devices.
Таким образом, предложенный способ позволяет более точно по сравнению с прототипом воспроизводить геометрию и состав сенсорного элемента. Thus, the proposed method allows more accurately in comparison with the prototype to reproduce the geometry and composition of the sensor element.
Список литературы
1. Патент США 3535538.List of references
1. US patent 3535538.
2. Международная публикация WO 97/37064. 2. International publication WO 97/37064.
3. Публикация Microsc. Microanal. Microstruct., 3 (1992), с.313-331. 3. Publication Microsc. Microanal. Microstruct., 3 (1992), pp. 313-331.
4. Планарная технология кремниевых приборов. Е.З. Мазель, Р.П. Пресс, М. , Энергия, 1974. 4. Planar technology of silicon devices. E.Z. Mazel, R.P. Press, M., Energy, 1974.
5. Физика поверхности. Э. Зенгулл, М., Мир, 1990. 5. Surface physics. E. Zengull, M., Mir, 1990.
6. Положительное решение по заявке РФ 97100591. 6. A positive decision on the application of the Russian Federation 97100591.
7. Публикация "Piezoresistive canitleverrs utilized for scanninning tunneling and scanning force microscope in ultrahigh vacuum", F.J. Gisseble и B.M. Trafas, Rev. Scl. Instrum. 65 (6), июнь, 1994. 7. Publication "Piezoresistive canitleverrs utilized for scanninning tunneling and scanning force microscope in ultrahigh vacuum", F.J. Gisseble and B.M. Trafas, Rev. Scl. Instrum. 65 (6), June 1994.
8. Публикация "Magnetic force microscopy with 25 nm resolution", Philip C.D., et al., Appl. Phys. Lett. 55 (22), 27 ноября 1989. 8. Publication "Magnetic force microscopy with 25 nm resolution", Philip C. D., et al., Appl. Phys. Lett. 55 (22), November 27, 1989.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000112731A RU2220429C2 (en) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | Process of formation of sensor element of scanning sounding microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000112731A RU2220429C2 (en) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | Process of formation of sensor element of scanning sounding microscope |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000112731A RU2000112731A (en) | 2002-03-20 |
| RU2220429C2 true RU2220429C2 (en) | 2003-12-27 |
Family
ID=32065167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000112731A RU2220429C2 (en) | 2000-05-22 | 2000-05-22 | Process of formation of sensor element of scanning sounding microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2220429C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7997125B2 (en) | 2006-02-01 | 2011-08-16 | Nanoscale Systems, Nanoss Gmbh | Miniaturized spring element and method for producing the spring element |
-
2000
- 2000-05-22 RU RU2000112731A patent/RU2220429C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Публикация Microsk. Microanal. Microstruct., 3, 1992, с.313-331. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7997125B2 (en) | 2006-02-01 | 2011-08-16 | Nanoscale Systems, Nanoss Gmbh | Miniaturized spring element and method for producing the spring element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6779387B2 (en) | Method and apparatus for the ultrasonic actuation of the cantilever of a probe-based instrument | |
| US8220318B2 (en) | Fast microscale actuators for probe microscopy | |
| US7098678B2 (en) | Multiple local probe measuring device and method | |
| US6694817B2 (en) | Method and apparatus for the ultrasonic actuation of the cantilever of a probe-based instrument | |
| US7017398B2 (en) | Active probe for an atomic force microscope and method for use thereof | |
| US6906450B2 (en) | Resonant probe driving arrangement and a scanning probe microscope including such an arrangement | |
| US8136385B2 (en) | Cantilevered probes having piezoelectric layer, treated section, and resistive heater, and method of use for chemical detection | |
| US7036357B2 (en) | Dynamic activation for an atomic force microscope and method of use thereof | |
| US5436448A (en) | Surface observing apparatus and method | |
| EP2183569B1 (en) | Fast-scanning spm and method of operating same | |
| US7441444B2 (en) | AFM cantilevers and methods for making and using same | |
| KR20060033798A (en) | Probe for an atomic force microscope | |
| KR19980081247A (en) | Scanning probe microscope | |
| JPH04233406A (en) | Probe of nanometer scale and manufacture thereof | |
| US8084101B2 (en) | Fabrication of patterned and ordered nanoparticles | |
| WO2018029151A1 (en) | Scanning probe microscope and method for examining a sample surface | |
| US7737381B2 (en) | Electric discharge apparatus for controlling the length of a carbon nanotube | |
| RU2220429C2 (en) | Process of formation of sensor element of scanning sounding microscope | |
| Tyrrell et al. | Development of a scanning probe microscope compact sensor head featuring a diamond probe mounted on a quartz tuning fork | |
| WO2000028299A1 (en) | Optical cantilever and production method therefor | |
| KR100526217B1 (en) | Processing apparatus using a scanning probe microscope, and recording and reproducing apparatus using a scanning probe microscope | |
| Jenkins et al. | High resolution micro-positioning of a silicon cantilever using sputtered PZT films | |
| JPH09119938A (en) | Scanning probe microscope | |
| Richter et al. | Mechanical properties of fullerite and diamondlike carbon films using surface acoustic waves and nanoindentation | |
| アクラミ,セイドモハマド | Improvement of stability and speed in liquid-environment atomic force microscopy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120523 |