RU2197043C2 - Импульсно-периодический лазер - Google Patents

Импульсно-периодический лазер Download PDF

Info

Publication number
RU2197043C2
RU2197043C2 SU3191824A RU2197043C2 RU 2197043 C2 RU2197043 C2 RU 2197043C2 SU 3191824 A SU3191824 A SU 3191824A RU 2197043 C2 RU2197043 C2 RU 2197043C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
active element
pump
laser
holder
pump lamp
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
О.Б. Сторощук
В.А. Беренберг
А.К. Фельк
А.Л. Филимонов
А.Е. Михайлов
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Вологодский оптико-механический завод"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Вологодский оптико-механический завод" filed Critical Открытое акционерное общество "Вологодский оптико-механический завод"
Priority to SU3191824 priority Critical patent/RU2197043C2/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2197043C2 publication Critical patent/RU2197043C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в твердотельных импульсно-периодических лазерах и лазерных усилителях, работающих без жидкостного охлаждения. Технический результат изобретения - повышение мощности излучения лазера в широком диапазоне мощностей накачек. Импульсно-периодический лазер содержит установленные в отражающем осветителе активный элемент в сапфировом трубчатом держателе и лампу накачки. Ближняя от лампы накачки часть активного элемента контактирует по всей длине с сапфировым держателем, а противоположная часть - с металлической пластиной с коэффициентом отражения не менее 0,85, причем толщина пластины В, диаметр активного элемента Д и внутренний диаметра d сапфирового держателя связаны соотношением
Figure 00000001

2 ил.

Description

Изобретение относится к квантовой электронике, а более конкретно к конструкции основного узла лазерного излучателя-квантрона, и может быть использовано в твердотельных импульсно-периодических лазерах и лазерных усилителях, работающих без жидкостного охлаждения.
Такой лазер обладает хорошей эффективностью только при небольших средних мощностях накачки. При увеличении средней мощности накачки (более 150 Вт) существенно увеличиваются термические деформации активного элемента, связанные с односторонним притоком тепла от лампы накачки. Эти деформации приводят к уменьшению мощности излучения.
Известен лазер, квантрон которого содержит активный элемент в трубчатом держателе из прозрачного теплопроводного материала и по крайней мере одной лампы накачки, контактирующей с ситалловым корпусом осветителя.
Теплоотвод от активного элемента, расположенного соосно в трубчатом держателе, осуществляемый через две индиевые прокладки, расположенные симметрично плоскости, проходящей через оси лампы накачки и активного элемента, уменьшает температуру активного элемента.
К недостаткам указанного лазера относится наличие клиновой термической деформации активного элемента в плоскости, проходящей через лампу накачки и активный элемент, а также недостаточный теплоотвод от активного элемента, размещенного с воздушным зазором в трубчатом держателе, что приводит к снижению мощности генерации лазера. Применение второй лампы с противоположной стороны активного элемента позволяет компенсировать клиновую деформацию активного элемента, но эффективность двухлампового осветителя в данном случае уменьшится в полтора раза по сравнению с одноламповым осветителем.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является лазер, содержащий в диффузно-отражающем осветителе лампу накачки и активный элемент, асимметрично расположенный в прозрачном трубчатом держателе (Балашов И. Ф. и др. Применение монокристаллических труб для выравнивания температуры в активной среде твердотельного лазера. Известия Академия Наук, Сер. Физическая, том 44, 2, с. 393-395).
Значительное уменьшение термических искажений активного элемента при средних мощностях накачки достигается путем смещения активного элемента в трубчатом держателе в сторону лампы накачки, что приводит к выравниванию температуры более нагретой со стороны лампы накачки части АЭ и противоположной, менее нагретой.
К недостаткам этого лазера относится снижение мощности генерации при увеличении мощности накачки (200 Вт и более) за счет перегрева активного элемента.
Целью настоящего изобретения является повышение мощности генерации лазера в широком диапазоне мощностей накачек (200÷350 Вт и более), уменьшения температуры активного элемента и его термооптических деформаций.
Указанная цель достигается тем, что в лазере, содержащем в диффузно-отражающем осветителе лампу накачки и активный элемент в прозрачном трубчатом держателе, ближняя к лампе накачки часть активного элемента контактирует по всей длине с трубчатым держателем, а противоположная часть боковой поверхности активного элемента находится в тепловом контакте с металлической пластиной с коэффициентом отражения не ниже 0,85 для излучения накачки, причем толщина пластины В диаметр активного элемента Д и внутренний диаметр трубчатого держателя d связаны соотношением
Figure 00000003

Figure 00000004

Контакт ближней, более нагретой, от лампы накачки части активного элемента с прозрачным трубчатым держателем уменьшает температуру верхней части активного элемента по сравнению с нижней его частью. Поэтому для уменьшения градиента температуры, а следовательно, и термических искажений в активном элементе, возникает необходимость понижения температуры нижней части активного элемента, что достигается путем ее контакта с металлической пластиной.
Достаточно хороший коэффициент отражения контактирующей части пластины (не менее 0,85) для излучения накачки и незначительная площадь отражения поверхности пластины, находящейся в осветителе, не снижают его эффективность более чем на 10%.
Изобретение поясняется чертежами, где на фигуре 1 (показана конструкция квантрона лазера, на фигуре 2 (а, б) - зависимость спада энергии генерации от времени работы лазера.
Кривые а - для прототипа для мощности накачки 150 Вт.
Кривые б - для предлагаемого устройства, для мощности накачки 350 Вт.
Примером конкретного выполнения является лазер, содержащий в плоскосферическом резонаторе длиной 150 мм, образованным 100% отражающим зеркалом с кривизной r= 1200 м и выходным зеркалом с коэффициентом отражения R=70% (на чертеже условно не показан), активный элемент 1 из КГВ с внутренним диаметром ⌀ 5х50 мм в лейкосапфировом держателе 2 с внутренним диаметром ⌀ 5,2 мм, длиной 50 мм и толщиной стенки 1,5 мм и лампу накачки 3 типа ИНПЗ/35А. В нижней части лейкосапфирового держателя 2 и металлического (сплав Д16Т) корпуса 4 лазера сделаны симметричные продольные пропилы шириной 1,5 мм и длиной 51 мм, в которые вставляется алюминиевая пластина 5 толщиной 1,5 мм, длиной 50 мм и высотой 15 мм. Верхняя часть пластины 5 выполнена с радиусом R=2,5 мм и обеспечивает тепловой контакт с активным элементом 1.
Пластина 5 с помощью пружин 6 прижимает активный элемент 1 к верхней части лейкосапфирового держателя 2. Для обеспечения теплового контакта боковой поверхности пластины 5 с металлическим корпусом лазера 4 применяется теплопроводная паста КПТ-8.
Предложенное устройство работает следующим образом.
Упругий прижим активного элемента 1 металлической пластиной 5 с помощью пружин 6, по сравнению с жестким прижимом, предотвращает возможность прогиба АЭ, уменьшает внутренние деформации в нем. Пружины 6 изготовлены из ленты Бр Б2-Т-0,5-н шириной 4 мм и длиной 20 мм.
Тепловой поток от лампы накачки 3 создает градиент температуры в активном элементе 1 и связанные с ним клиновые термические деформации активного элемента (АЭ) 1, приводящие к уменьшению мощности генерации.
Осуществляя контакт ближней от лампы накачки 3 более нагретой части боковой поверхности АЭ1 уменьшается нагрев АЭ1 за счет теплоотвода на лейкосапфировый держатель 2.
Чем больше отношение Д, тем эффективнее теплоотвод, но вместе с тем эта часть АЭ1 за счет интенсивного теплоотвода становится менее нагретой по сравнению с нижней, противоположной частью АЭ1. Поэтому для избежания значительного градиента температуры, нижняя часть активного элемента 1 также охлаждается с помощью металлической пластины 5. Следовательно, теплоотвод от верхней и нижней части АЭ1 уменьшает термические искажения в активном элементе, существенно понижает его температуру, что в конечном счете приводит к повышению мощности генерации. Тем самым достигается цель изобретения.
Максимальный эффект в снижении температуры в термооптических деформаций активного элемента 1, приводящих к увеличению мощности генерации, без уменьшения эффективности осветителя достигается при использовании соотношений между диаметром АЭ Д, внутренним диаметром лейкосапфирового держателя d и толщины пластины В, приведенных в формуле изобретения.
Проведенные эксперименты показали, что уменьшение отношения Д/d с 0,90 до 0,8 ведет к увеличению спада энергии генерации на 15÷20% за счет ухудшения теплоотвода от АЭ (уменьшается площадь эффективного контакта АЭ с лейкосапфировым держателем).
При значениях Д/d>0,95 возрастают термические искажения АЭ, что влечет за собой спад энергии излучения в серии импульсов генерации.
Увеличение отношения B/Д с 0,30 до 0,40 ведет к снижению эффективности осветителя на 15÷20% и возрастанию градиента температуры за счет более интенсивного теплоотвода от нижней части АЭ по сравнению с его ближней от лампы накачки частью АЭ, при уменьшении B/Д от 0,25 и менее, наоборот интенсивность теплоотвода от нижней части активного элемента недостаточна для компенсации градиента температуры.
Технико-экономическая эффективность изобретения заключается в том, что предложенная выше конструкция импульсно-периодического неохлаждаемого лазера (его основной части - квантрона) обеспечивает минимальные термооптические деформации активного элемента и тем самым высокую стабильность энергетических характеристик лазерного излучения как в генерационном, так и в усилительном режимах.

Claims (1)

  1. Импульсно-периодический лазер, содержащий установленные в диффузно-отражающем осветителе лампу накачки, активный элемент в прозрачном трубчатом держателе со смещением в сторону лампы накачки, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения в широком диапазоне мощностей накачки за счет уменьшения термооптических деформаций активного элемента и снижения его температуры, ближняя от лампы накачки часть активного элемента контактирует по всей длине с прозрачным трубчатым держателем, а противоположная часть боковой поверхности активного элемента находится в тепловом контакте с металлической пластиной с коэффициентом отражения не менее 0,85 для излучения накачки, причем толщина пластины В, диаметр активного элемента Д и внутренний диаметр трубчатого держателя d связаны соотношением
    Figure 00000005
SU3191824 1988-02-11 1988-02-11 Импульсно-периодический лазер RU2197043C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3191824 RU2197043C2 (ru) 1988-02-11 1988-02-11 Импульсно-периодический лазер

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3191824 RU2197043C2 (ru) 1988-02-11 1988-02-11 Импульсно-периодический лазер

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2197043C2 true RU2197043C2 (ru) 2003-01-20

Family

ID=20928862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3191824 RU2197043C2 (ru) 1988-02-11 1988-02-11 Импульсно-периодический лазер

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2197043C2 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
БАЛАШОВ И.Ф. и др. Применение монокристаллических труб для выравнивания температуры в активной среде твердотельного лазера. Известия Академии наук, сер. Физическая, т. 33, № 2, с. 393-395. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4949346A (en) Conductively cooled, diode-pumped solid-state slab laser
US5351251A (en) Laser apparatus
US6256142B1 (en) End pumped zig-zag slab laser gain medium
JPH10503887A (ja) 補償光学系を備えたレーザーシステム
US6167069A (en) Thermal lens elimination by gradient-reduced zone coupling of optical beams
US5206874A (en) Solid-state laser
EP0854551B1 (en) Three-level laser system
US4858242A (en) Unitary solid-state laser
US4506369A (en) High power cesium lamp system for laser pumping
US5982792A (en) Solid-state laser device
RU2197043C2 (ru) Импульсно-периодический лазер
USH1673H (en) Cooling device for solid state laser
US5177751A (en) Laser apparatus
US6853668B1 (en) CO2 slab laser
US4397023A (en) High efficiency dye laser
US3577095A (en) Semielliptical pump cavity
JPH01268080A (ja) 固体レーザ装置
JPS5886785A (ja) 発光ダイオ−ドでポンピングされるアレキサンドライト・レ−ザ−
JPH088477A (ja) 固体レーザ装置
US3475697A (en) Laser employing semielliptical pump cavity
RU2202846C2 (ru) Лазер
RU2202845C2 (ru) Лазер
JPH0728071B2 (ja) 固体レーザ装置
US5682399A (en) Ion laser tube with a discharge tubule adopted for a high discharge current and a high laser output
Giesen et al. Recent results of the scalable diode-pumped Yb: YAG thin disk laser