RU2161856C1 - Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона - Google Patents

Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона Download PDF

Info

Publication number
RU2161856C1
RU2161856C1 RU99124257A RU99124257A RU2161856C1 RU 2161856 C1 RU2161856 C1 RU 2161856C1 RU 99124257 A RU99124257 A RU 99124257A RU 99124257 A RU99124257 A RU 99124257A RU 2161856 C1 RU2161856 C1 RU 2161856C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
input
field
inductor
housing
microstrip
Prior art date
Application number
RU99124257A
Other languages
English (en)
Inventor
А.Г. Баркалов
С.А. Ломаченко
Б.К. Кожевников
Н.М. Назаров
П.А. Баркалов
Е.А. Епанина
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Малошумящие импульсные приборы"
Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Специализированные приборы для радиометеорологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Малошумящие импульсные приборы", Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Специализированные приборы для радиометеорологии" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "Малошумящие импульсные приборы"
Priority to RU99124257A priority Critical patent/RU2161856C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2161856C1 publication Critical patent/RU2161856C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технике электрической связи и может быть использовано при построении приемных устройств радиолокационных станций, радионавигационных средств, спутниковых систем связи и предназначено для усиления электромагнитных колебаний сантиметрового и дециметрового диапазонов. Устройство на основе твердотельного усилителя СВЧ, выполненного по микрополосковой технологии, содержит многокаскадный твердотельный гибридно-монолитный усилитель на полевых транзисторах, направленных ответвителях, развязывающих конденсаторах, нагрузочных резисторах и в который введены с первой по шестую катушки индуктивности, конденсаторы постоянной емкости, подстроечные резисторы и n каскадное защитное устройство на параллельно включенных ограничительных p-i-n диодах, микрополосковых соединителях и конденсаторах. Технический результат: увеличение коэффициента усиления, уменьшение коэффициента шума, защита от значительных мощностей входного сигнала, обеспечение большей равномерности коэффициента усиления в рабочем диапазоне частот, снижение энергопотребления и эксплуатационных расходов. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к технике электрической связи СВЧ-диапазона и может быть использовано при построении входных устройств повышенной чувствительности, помехоустойчивости и надежности для приемных устройств радиолокационных станций (РЛС), радионавигационных средств, спутниковых систем (в частности, сотовых) связи и предназначено для усиления электромагнитных волн сантиметрового и дециметрового диапазонов.
Одним из основных элементов приемных устройств (практически всех ныне существующих) РЛС, радионавигационных средств и систем спутниковой связи сантиметрового и дециметрового диапазонов являются лампы бегущей волны (ЛБВ) малой и средней мощности, которые предназначены для усиления входных сигналов до определенного уровня, необходимого для дальнейшей обработки информации.
Применяются электровакуумные ЛБВ малой мощности с мощным электромагнитом для ускорения пучка электронов, испускаемого электронной пушкой [1]. Такие ЛБВ имеют большие габариты, коэффициент шума и вес, требуют мощные источники питания. Низкая надежность (ресурс работы не более 500 ч) и сложность регулировки из-за необходимости согласования расположения электровакуумного прибора с магнитным полем соленоида затрудняют их эксплуатацию и повышают стоимость приемных систем.
Известны также электровакуумные ЛБВ с постоянными магнитами [2]. Такие ЛБВ имеют меньший коэффициент шума, меньшие габариты и вес. Однако они не имеют защиты от посторонних магнитных полей и требуют не менее двух-трех источников питания, что усложняет их эксплуатацию и снижает надежность работы в экстремальных условиях. Ресурс работы не более 1000 ч.
В диапазоне сантиметровых волн (3,5-4 см) в приемных устройствах могут также использоваться схемотехнические решения с применением туннельных диодов [3]. Однако подобные устройства нестабильны в работе и имеют ресурс работы порядка 1000 ч, что не отвечает требованиям, предъявляемым к современной технике СВЧ-диапазона.
В последние годы все шире используются приемные каскады СВЧ-диапазона с применением твердотельных усилителей на базе транзисторных усилителей различных типов, которые в значительной мере не имеют недостатков, присущих ЛБВ (а именно - низкая надежность, малый ресурс работы, сложность регулировки, наличие нескольких источников питания, в т.ч. повышенного напряжения и т.д., т. е. недостатки, присущие всем типам устройств с использованием электровакуумных усилительных элементов).
Известен "Усилитель СВЧ" (патент РФ N 2000030 C, МПК (5) H 03 F 3/60, опубл. 15.02.93) [4] , содержащий более двух каскадов с непосредственными связями, каждый из которых выполнен на транзисторе, включенном по постоянному току в схеме с общим эмиттером, и частотно-избирательном четырехполюснике, включенном в цепь базы транзистора, в котором последний каскад усилителя охвачен отрицательной обратной связью по напряжению. Транзисторы каждого каскада, кроме первого, охвачены отрицательной обратной связью по постоянному току, нечетные каскады включены последовательно по цепи питания, при этом транзисторы промежуточных четных каскадов включены между входом соответствующих предыдущих и последующих нечетных каскадов, а при четном количестве каскадов транзистор последнего каскада включен между входом предпоследнего каскада и выходом усилителя СВЧ.
По сравнению с известными техническими решениями с использованием ЛБВ в данном техническом решении отпадает необходимость большого количества источников питания. Недостатками данного технического решения являются применение навесных элементов (конденсаторов и резисторов) и корпусных транзисторов, что может привести к переходу в режим самовозбуждения в области верхних частот СВЧ-диапазона.
Известен также "Усилитель СВЧ" (патент N 2020730 C 1, МПК (5) H 03 F 3/60, опубл. 30.09.94) [5] , содержащий металлизированную с одной стороны диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположены полевой транзистор, включенный стоком и затвором к одним концам первого и второго полосков, другие концы которых являются входом и выходом усилителя соответственно, третий полосок, соединенный одним общим концом с истоком полевого транзистора, а другим - с металлизацией, и первый, и второй полуволновые шлейфы цепей питания стока и затвора, разомкнутые на концах и подключенные параллельно первому и второму полоскам соответственно, в который введены первый-седьмой резистивные элементы и третий-седьмой полуволновые шлейфы, при этом первый и второй резистивные элементы включены в разрывы, выполненные в первом полоске по обе стороны от подключения первого полуволнового шлейфа, третий и четвертый резистивные элементы включены в разрывы, выполненные во втором полоске по обе стороны от подключения второго полуволнового полоска, пятый резистивный элемент включен в разрыв в третьем полоске, шестой и седьмой резистивные элементы подключены к середине первого и второго полуволновых шлейфов соответственно, а третий, четвертый, пятый, шестой и седьмой полуволновые шлейфы своими концами подключены параллельно первому, второму, третьему, четвертому и пятому резистивным элементам соответственно.
Недостатками данного технического решения являются:
1) возможность использования только в однокаскадных схемах усилителей;
2) применимость схемы в специальных системах, у которых коэффициент стоячей волны по напряжению (КСВН) больше 2, так как для эффективно работающих устройств в СВЧ-диапазоне КСВН должен быть не более 2 [3].
В настоящее время получили распространение линейные балансные усилители СВЧ-диапазона, обладающие неоспоримыми преимуществами: малым КСВН по входному и выходному сигналам, большим динамическим диапазоном усиления, более высокой линейностью характеристики усилителя, независимостью согласования по КСВН и коэффициенту шума. Для получения требуемого коэффициента усиления довольно часто приходится применять несколько усилительных каскадов, включенных последовательно. Однако в многокаскадных усилителях возникает возможность самовозбуждения схемы. Одним из распространенных способов исключения самовозбуждения из-за взаимного влияния каскадов усиления является применение балансных усилителей. В каждом каскаде балансных усилителей обычно используются два направленных ответвителя и два одиночных усилителя.
Наиболее близким по технической сути к предлагаемому техническому решению является "Многокаскадный балансный усилитель на СВЧ-транзисторах" (патент РФ N 2009610, МПК (5) НО 3 F3/60, опубл. 15.03. 94 г.) [6], содержащий делители-сумматоры типа мостов Ланге с заземленными балластными резисторами и элементы развязки по постоянному току, в котором заземление балластных резисторов осуществляется через дополнительно введенные разомкнутые четвертьволновые шлейфы (прототип).
Работает данный усилитель следующим образом.
В его состав входят несколько последовательно соединенных усилительных каскадов на полевых транзисторах с заземленным истоком. На затвор и сток каждого транзистора подаются разные по величине и знаку потенциалы от источника питания. На входе и выходе каждого каскада размещены направленные ответвители типа мостов Ланге, нагрузочные резисторы которых заземлены по СВЧ-разомкнутыми четвертьволновыми шлейфами. Для развязывания каскадов по постоянному току в общее плечо между смежными мостами Ланге помещены развязывающие конденсаторы. Сокращение числа развязывающих конденсаторов стало возможным в результате использования в разомкнутом плече моста Ланге вместо заземленной нагрузки - нагрузки, соединенной с разомкнутым микрополосковым четвертьволновым шлейфом. Используя тот факт, что четвертьволновый отрезок линии, если он разомкнут на одном конце, т.е. имеет бесконечное сопротивление, на противоположном конце имеет нулевое сопротивление, т.е. он как бы короткозамкнут, резисторы развязанных плеч мостов Ланге, нагруженные разомкнутыми четвертьволновыми шлейфами в виде микрополосковой линии того же волнового сопротивления, что и в мостах Ланге, оказываются закороченными на землю по СВЧ, как и в случае прямого соединения резисторов с землей, а соединения с землей по постоянному току не создается. По этой причине отпадает необходимость в развязывающих конденсаторах на входе и выходе транзисторов, которые размещены в плечах, связанных омически с резистором в развязанном плече моста Ланге, но каждый из конденсаторов, развязывающих выход предыдущего каскада от входа последующего, установлен в отрезок микрополосковой линии, являющейся общим плечом двух смежных мостов Ланге. Единственный для двух соседних каскадов развязывающий конденсатор ставится в таком месте, которое развязано с согласующими цепями выходных плеч предшествующего и входных плеч моста Ланге и не влияет на процесс согласования.
Недостатками данного технического решения следует считать:
1) использование четвертьволновых отрезков, которые являются частото-зависимыми элементами схемы, и поэтому применение данной схемотехники в широкополосных усилителях СВЧ может быть затруднено;
2) наличие двух источников питания;
3) невозможность использования многокаскадного балансного усилителя в схемах при значительных мощностях входного сигнала из-за отсутствия эффективного ограничителя мощности на входе усилителя;
4) необходимость тщательного и жесткого отбора полевых транзисторов для противоположных плеч каскада по идентичности электрических параметров.
Целями предлагаемого технического решения являются:
- увеличение коэффициента усиления (К ус.);
- уменьшение коэффициента шума (К ш.);
- повышение надежности (увеличение долговечности и ресурса эксплуатации) введением эффективной защиты от значительных мощностей входного сигнала;
- обеспечение большей равномерности коэффициента усиления в рабочем диапазоне частот (К ус.р.д.);
- снижение энергопотребления (с уменьшением количества источников питания до одного);
- снижение эксплуатационных расходов (за счет большего срока эксплуатации и меньшей стоимости изделия).
Для достижения поставленных целей в комплексированном изделии СВЧ-диапазона предлагается использовать твердотельный малошумящий усилитель СВЧ, выполняемый по микрополосковой технологии) с соответствующим устройством его защиты от больших уровней просачивающейся мощности от работающего передатчика одновременно с комплексированным изделием, к примеру в РЛС, которая может вывести из строя первые каскады усилителя [7], или (иными словами) в комплексированном изделии СВЧ-диапазона на основе многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя, содержащего в каждом каскаде усиления полевые транзисторы, нагрузочные резисторы, разделительный конденсатор, первый и второй направленные ответвители, полосковые линии, в каждый каскад усиления введены с первой по шестую катушки индуктивности, первый и второй конденсаторы постоянной емкости, первый и второй подстроечные резисторы, причем затвор первого полевого транзистора через первую катушку индуктивности подключен через первый направленный ответвитель к нагрузочному резистору, а через третью катушку индуктивности к корпусу, затвор второго полевого транзистора через вторую катушку индуктивности подключен через первый направленный ответвитель ко входу каскада усиления, а через четвертую катушку индуктивности к корпусу, исток первого полевого транзистора через первый подстроечный резистор и через первый конденсатор постоянной емкости соединен с корпусом, исток второго полевого транзистора через второй подстроечный резистор и через второй конденсатор постоянной емкости подключен к корпусу, сток первого полевого транзистора через пятую катушку индуктивности подключен через соответствующий фильтр питания к положительному выходу источника питания и через второй направленный ответвитель, разделительный конденсатор - к выходу каскада усиления, а сток второго полевого транзистора через шестую катушку индуктивности и второй направленный ответвитель подключен через соответствующий фильтр питания к положительному выходу источника питания, а через второй нагрузочный резистор - к корпусу, вход комплексированного изделия СВЧ-диапазона через защитное устройство, содержащее n последовательно соединенных каскадов на ограничительных p-i-n диодах, и полосковую линию подключен ко входу многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя; при этом каждый из n каскадов защитного устройства состоит из m (m > 2) параллельно включенных ограничительных p-i-n диодов, катоды которых через первые микрополосковые соединители подключены ко входу соответствующего каскада, а через вторые микрополосковые соединители подключены через выходной микрополосковый соединитель, разделительный конденсатор ко входу следующего каскада защитного устройства, при этом аноды всех ограничительных p-i-n диодов подключены к корпусу, вход первого каскада защитного устройства через входной микрополосковый соединитель подключен к корпусу, а вход последнего каскада защитного устройства через дополнительный микрополосковый соединитель, вход и выход которого через фильтрующие конденсаторы подсоединены к корпусу, подключен ко входу управляющего сигнала бланкирующего напряжения.
Предлагаемое техническое решение коплексированного изделия СВЧ-диапазона на основе твердотельного гибридно-монолитного малошумящего усилителя с защитным устройством изображено на фиг. 1. На фиг. 2 изображена зависимость уровня выходного сигнала от подаваемой на защитное устройство входной мощности.
В состав защитного устройства может входить несколько последовательно соединенных каскадов на ограничтельных диодах p-i-n серии. Каждый каскад защитного устройства состоит из m параллельно включенных p-i-n диодов (например, четырех) - 1, 2, 3, 4 (1', 2', 3', 4'), входных микрополосковых соединителей 5 (5'), выходных микрополосковых соединителей 6 (6'), первых микрополосковых соединителей 7', 7'', 7''', 7'''', вторых микрополосковых соединителей 8', 8'', 8''', 8'''', выходного диода 9, дополнительного микрополоскового соединителя 10, фильтрующих конденсаторов 11, 12, разделительных конденсаторов 13(13'). Выход защитного устройства соединен со входом малошумящего твердотельного гибридно-монолитного усилителя через полосковую линию 14.
В состав твердотельного малошумящего твердотельного гибридно-монолитного усилителя входят несколько последовательно соединенных идентичных усилительных каскадов k, k'... (количество каскадов усиления зависит от требуемого коэффициента усиления). В состав каждого каскада усиления k,(k') входят: нагрузочные резисторы 15, (15'); направленные ответвители 16, (16') и 32, (32'); катушки индуктивности 17, (17'), 18, (18'), 19, (19') и 20, (20'); полевые транзисторы 21, (21') и 22, (22'); катушки индуктивности 23, (23'), 25, (25'); подстроечные резисторы 24, (24'), 26, (26'); конденсаторы постоянной емкости 27, (27'), 28, (28'); резисторы 29, (29'), 33, (33'); конденсаторы постоянной емкости 30, (30'), 34, (34'), 37, (37'); полосковые линии 14, (14'); режекторные фильтры 31, (31'), 35, (35'); разделительные конденсаторы 38, (38'); резисторы 36, (36'). Каждый усилительный каскад, для повышения динамического диапазона, состоит из двух параллельно включенных полевых транзисторов 21 и 22. Режим по постоянному току транзисторов устанавливается подстроечными резисторами 24 и 26. Конденсаторы постоянной емкости 27 и 28 обеспечивают необходимый коэффициент усиления усилителя. Направленный ответвитель 16 делит мощность входного сигнала примерно пополам и подводит ее к затворам транзисторов 21 и 22, обеспечивая одновремнно требуемую развязку по входу этих транзисторов. Катушки индуктивности 17, 19, 23 и 25 предназначены для повышения устойчивости работы усилителя. Катушки индуктивности 18 и 20 обеспечивают режим работы полевых транзисторов 21 и 22 по постоянному току. Нагрузочный резистор 15 является нагрузкой направленного ответвителя для поглощения отраженного сигнала. Направленный ответвитель 32 суммирует усиленные на полевых транзисторах 21 и 22 сигналы и через разделительную емкость 38 передает их на выход. Нагрузочный резистор 36 является нагрузкой направленного ответвителя 32 аналогично нагрузочному резистору 15. Резисторы 29 и 33, емкости 30, 34 и 37 составляют фильтры цепи питания усилителя. Элементы 31 и 35 - режекторные фильтры.
Предлагаемое устройство работает следующим образом.
Для нормальной работы малошумящего многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя импульсный входной сигнал не должен превышать мощность 0,5 Вт, минимальный сигнал 10-6 Вт. Входной сигнал подается на вход направленного ответвителя 16 (16') и делится в нем на два сигнала с практически равными мощностями. Эти сигналы снимаются с выходов направленного ответвителя 16 (16'). Через катушки индуктивности 17 (17') и 19(19') сигналы поступают на входы полевых транзисторов 21 (21'), 22 (22'), усиливаются в каждом плече на 7,5 дБ. Усиленные по мощности сигналы с выходов полевых транзисторов 21 (21'), 22 (22') через катушки индуктивности 23(23'), 25 (25') поступают на направленные ответвители 32 (32'), где они суммируются, и на выход сигнал поступает через разделительные емкости 38 (38'). Суммарное усиление каждого каскада 15 дБ. Общее усиление по мощности входного сигнала двухкаскадного усилителя 30 дБ. Коэффициент шума многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя определяется параметрами полевых транзисторов при минимально допустимых потерях в сосредоточенных и распределенных элементах схемы [7].
Потребность в защитном устройстве следует из необходимости защиты малошумящего твердотельного усилителя от импульсов передатчика при работе на общую антенну. Сходные задачи возникают в случае опасности функционального поражения усилителя при попадании случайных или преднамеренно созданных мощных сигналов [8]. Источниками просачивающейся мощности на вход усилителя СВЧ-диапазона являются либо СВЧ-сигналы от соседних радиолокационных станций, работающих в близком диапазоне частот, либо от собственного передатчика, либо СВЧ-импульсы преднамеренного воздействия. Не исключены также броски входного сигнала из-за грозовых разрядов или коммутационных перенапряжений в первичных и вторичных цепях электропитания систем, где применяются усилительные устройства. В данном техническом решении максимальная импульсная мощность СВЧ-сигнала, подаваемая на вход защитного устройства, до 1 кВт при скважности 1000. Защитное устройство состоит из 2-х последовательно соединенных каскадов на ограничительных диодах p-i-n серии, которые ограничивают до определенного уровня мощности входной СВЧ-сигнал. Каждый каскад состоит из 4-х параллельно включенных ограничительных p-i-n диодов. С целью обеспечения определенного уровня мощность СВЧ на маломощных быстродействующих ограничительных p-i-n диодах, применена схема параллельного их включения. Разделение входного сигнала и его сложение после диодов происходят на полосковой линии, аналогичной в малошумящем многокаскадном твердотельном гибридно-монолитном усилителе. Для предотвращения прохождения переднего фронта сигнала передатчика или любого другого мощного излучателя в тракт приема возможна подача управляющего сигнала бланкирующего напряжения, которым открываются все пять диодов и закрывают вход приема сигнала на время действия бланкирующего напряжения. Во 2-м каскаде введена дополнительная защита на диоде 9 на случай прохождения сигнала СВЧ через диоды 1', 2', 3', 4'. При подаче импульсной мощности 1 кВт на "Вход" первый каскад на диодах 1, 2, 3, 4 ослабляет мощность на 20 дБ, т.е. до уровня 10 Вт. Второй каскад на диодах 1', 2', 3', 4' ослабляет просачивающуюся мощность на 20 дБ, т.е. до уровня 0,1 Вт. СВЧ-диод 9 дополнительно ослабляет мощность сигнала на 3 дБ, т.е. до уровня 0,05 Вт.
Конструктивно модуль многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя может быть выполнен в виде металлического герметичного корпуса, в котором установлены две одинаковых платы на поликоровой подложке, на каждую из которой напылены все элементы электрической схемы и установлены навесные элементы: транзисторы 21 (21'), 22 (22'); конденсаторы 27 (27'), 28 (28'), 30 (30'), 34 (34'), 38 (38'); катушки индуктивности 17 (17'), 18 (18'), 19 (19'), 20 (20'), 23 (23'), 25 (25').
Конструктивно защитное устройство может быть выполнено в виде металлического герметичного корпуса, в котором установлены две платы на поликоровой подложке, на которых напылены все элементы электрической схемы и установлены микроточечной сваркой диоды 1, 2, 3, 4, 1', 2', 3', 4', 9 и емкости 10, 11, 12, 13.
В результате лабораторных обследований и полевых испытаний выявлено, что предлагаемое комплексированное изделие по сравнению с прототипом при равном количестве усилительных каскадов имеет увеличение коэффициента усиления более чем на 15 дБ; уменьшение коэффициента шума более чем в 1,9 раза; большую равномерность коэффициента усиления, которая составляет не хуже 2,5 дБ; повышение надежности работы комплексированного изделия за счет введения эффективной 43х дБ защиты, которая позволяет избежать перегрузки входных усилительных каскадов и ослабляет просачивающуюся мощность передатчика при его одновременной работе с приемным устройством или от посторонних источников излучения; снижение энергопотребления и увеличение срока службы изделий и, следовательно, уменьшение эксплуатационных расходов.
Сравнительный анализ заявляемого технического решения позволяет сделать вывод о том, что по совокупности заявляемых признаков техническое решение не известно из предыдущего уровня техники и, следовательно, удовлетворяет требованиям критерия изобретения "новизна".
Из патентной и научно-технической литературы, доступной для специалистов, не известно для достижения поставленных целей выполнение комплексированного изделия СВЧ-диапазона с использованием катушек индуктивности, конденсаторов постоянной емкости, подстроечных резисторов и защитного устройства на основе n каскадов параллельно соединенных ограничительных p-i-n диодов, соединенных в соответствии с приведенной формулой изобретения, и таким образом предложенное техническое решение удовлетворяет требованиям критерия изобретения "изобретательский уровень".
Заявляемое техническое решение может быть использовано при построении входных устройств повышенной чувствительности, помехозащищенности и надежности для приемных систем РЛС, радионавигационных средств, спутниковых каналов связи и, таким образом, предложенное решение удовлетворяет требованиям критерия изобретения "промышленная применимость".
Результаты подопытной эксплуатации подтверждают высокую эффективность технического решения в части реализованного комплексированного изделия на различных СВЧ-поддиапазонах (Акты войсковой части и Федеральной службы Российской Федерации по гидрометеорологии и мониторингу окружающей среды, рецензия научно-исследовательского центра изучения природных ресурсов прилагаются).
Литература
1. Трошанов Н.А., Радиоаппаратура на лампах бегущей волны. Судпромгиз, 1961, стр. 71.
2. Дж. P. Пирс. , Лампа с бегущей волной, пер. с англ., под ред. В.Т. Овчарова, изд-во "Советское радио", 1963, стр. 22.
3. P. Лэнди, Д. Дэвис и А. Албрехт., Справочник радиоинженера. Госэнергоиздат, 1981, стр.556.
4. Усилитель СВЧ (патент РФ N 2000030 C, МПК (5) H 03 F 3/60, опубл. 15.02.93 г.).
5. Усилитель СВЧ (патент РФ N 2020730 C1, МПК (5) H 03 F 3/60, опубл. 30.09.94 г.).
6. Многокаскадный балансный усилитель на СВЧ-транзисторах (патент РФN 2009610 C1 МПК (5) H 03 F 3/60, опубл. 15.03.94 г.).
7. Петров Г.В., Толстой А.И. Линейные балансные СВЧ- усилители. М.: Радио и Связь, 1983, стр.22-23,46.
8. Лебедев И. В. , Развитие переключательных и защитных СВЧ-устройств. "Радиотехника", 1999 г., N 4, стр.69.

Claims (2)

1. Комплексированное изделие сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона на основе многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя, содержащего в каждом каскаде усиления СВЧ полевые транзисторы, нагрузочные резисторы, разделительный конденсатор, первый и второй направленные ответвители, полосковые линии, отличающееся тем, что в каждый каскад усиления введены с первой по шестую катушки индуктивности, первый и второй конденсаторы постоянной емкости, первый и второй подстроечные резисторы, причем затвор первого полевого транзистора через первую катушку индуктивности подключен через первый направленный ответвитель к нагрузочному резистору, а через третью катушку индуктивности к корпусу, затвор второго полевого транзистора через вторую катушку индуктивности подключен через первый направленный ответвитель ко входу каскада усиления, а через четвертую катушку индуктивности к корпусу, исток первого полевого транзистора через первый подстроечный резистор и через первый конденсатор постоянной емкости соединен с корпусом, исток второго полевого транзистора через второй подстроечный резистор и через второй конденсатор постоянной емкости подключен к корпусу, сток первого полевого транзистора через пятую катушку индуктивности подключен через соответствующий фильтр питания к положительному выходу источника питания и через второй направленный ответвитель, разделительный конденсатор - к выходу каскада усиления, а сток второго полевого транзистора через шестую катушку индуктивности и второй направленный ответвитель подключен через соответствующий фильтр питания к положительному выходу источника питания, а через второй нагрузочный резистор - к корпусу, вход комплексированного изделия СВЧ диапазона через защитное устройство, содержащее n последовательно соединенных каскадов на ограничительных p-i-n диодах, и полосковую линию подключен ко входу многокаскадного твердотельного гибридно-монолитного усилителя.
2. Комплексированное изделие СВЧ диапазона по п.1, отличающееся тем, что каждый из n каскадов защитного устройства состоит из m (m > 2) параллельно включенных ограничительных p-i-n диодов, катоды которых через первые микрополосковые соединители подключены ко входу соответствующего каскада, а через вторые микрополосковые соединители подключены через выходной микрополосковый соединитель, разделительный конденсатор ко входу следующего каскада защитного устройства, при этом аноды всех ограничительных p-i-n диодов подключены к корпусу, вход первого каскада защитного устройства через входной микрополосковый соединитель подключен к корпусу, а вход последнего каскада защитного устройства через дополнительный микрополосковый соединитель, вход и выход которого через фильтрующие конденсаторы подсоединены к корпусу, подключен ко входу управляющего сигнала бланкирующего напряжения.
RU99124257A 1999-11-18 1999-11-18 Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона RU2161856C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99124257A RU2161856C1 (ru) 1999-11-18 1999-11-18 Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99124257A RU2161856C1 (ru) 1999-11-18 1999-11-18 Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2161856C1 true RU2161856C1 (ru) 2001-01-10

Family

ID=20227101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99124257A RU2161856C1 (ru) 1999-11-18 1999-11-18 Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2161856C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494502C2 (ru) * 2011-10-18 2013-09-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") Миниатюрный широкополосный квадратурный направленный ответвитель на элементах с сосредоточенными параметрами
RU2678066C1 (ru) * 2016-03-09 2019-01-23 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный комплекс "Радарсервис", Свч разделительно-суммирующее устройство
RU209911U1 (ru) * 2021-11-29 2022-03-23 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" Криогенный малошумящий СВЧ-усилитель

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ПЕТРОВ Г.В. и др. Линейные балансные СВЧ - усилители. М.: Радио и связь, 1983, с.22-23, 46. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2494502C2 (ru) * 2011-10-18 2013-09-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") Миниатюрный широкополосный квадратурный направленный ответвитель на элементах с сосредоточенными параметрами
RU2678066C1 (ru) * 2016-03-09 2019-01-23 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный комплекс "Радарсервис", Свч разделительно-суммирующее устройство
RU209911U1 (ru) * 2021-11-29 2022-03-23 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет" Криогенный малошумящий СВЧ-усилитель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Deal et al. Integrated-antenna push-pull power amplifiers
US4641107A (en) Printed circuit radial power combiner with mode suppressing resistors fired at high temperature
US5276406A (en) Low noise wide dynamic range amplifiers
US8994471B2 (en) Stacked diode limiter
US7420790B2 (en) Integrated circuit with protection against electrostatic damage
EP3041135A1 (en) Active balun and monolithic microwave integrated circuit incorporating the same for ultra-wide band reception
Djukic et al. A planar 4.5-GHz DC-DC power converter
Lu et al. Seamless integration of active antenna with improved power efficiency
Leveque et al. Modelling of dielectric losses in microstrip patch antennas: application of FDTD method
US5300897A (en) Amplifier protection circuit
Nordholt et al. A new approach to active antenna design
RU2161856C1 (ru) Комплексированное изделие сверхвысокочастотного диапазона
US6657497B1 (en) Asymmetric, voltage optimized, wideband common-gate bi-directional MMIC amplifier
Sledzik et al. GaN based power amplifiers for broadband applications from 2 GHz to 6 GHz
Van Heijningen et al. Multi function and high power amplifier chipset for X-band phased array frontends
Martin et al. An eight-device extended-resonance power-combining amplifier
US11271529B1 (en) Harmonic matching network for increasing performance in class-F power amplifiers
CN117394805A (zh) 多级单片微波集成电路功率放大器
Kennan et al. A miniature 2-18 GHz monolithic GaAs distributed amplifier
Kim et al. Design and Fabrication of S to C-Band GaN Solid State Power Amplifier for the Electronic Warfare
US5345199A (en) Non-reflective limiter
CN114915276B (zh) 一种用于射频前端电磁防护的限幅滤波结构
Simon et al. K through Ka-band driver and power amplifiers
CN211879584U (zh) 功率合成模块和功率合成电路
CN217063275U (zh) 一种雷电电磁脉冲一体化超短波端口防护模块

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091119