RU2161840C2 - Автоэмиссионный триод - Google Patents

Автоэмиссионный триод Download PDF

Info

Publication number
RU2161840C2
RU2161840C2 RU97106916/09A RU97106916A RU2161840C2 RU 2161840 C2 RU2161840 C2 RU 2161840C2 RU 97106916/09 A RU97106916/09 A RU 97106916/09A RU 97106916 A RU97106916 A RU 97106916A RU 2161840 C2 RU2161840 C2 RU 2161840C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
grid
cathode
emission
field
anode
Prior art date
Application number
RU97106916/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU97106916A (ru
Inventor
Ю.А.(RU) Манкелевич
Ю.А. Манкелевич
А.Т.(RU) Рахимов
А.Т. Рахимов
Б.В.(RU) Селезнев
Б.В. Селезнев
Н.В.(RU) Суетин
Н.В. Суетин
Original Assignee
Тарис Технолоджис, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тарис Технолоджис, Инк. filed Critical Тарис Технолоджис, Инк.
Priority to RU97106916/09A priority Critical patent/RU2161840C2/ru
Publication of RU97106916A publication Critical patent/RU97106916A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2161840C2 publication Critical patent/RU2161840C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронике, а именно к вакуумным триодам, позволяющим коммутировать большие токи малыми напряжениями. В предлагаемом автоэмиссионном триоде, содержащем анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2 - 6 В/мкм, а зазор D между катодом и анодом и напряжение U выбираются так, чтобы поле на катоде было достаточным для работы автоэмиссионного катода, что делает возможным выполнение управляющей сеткой функций запирающей сетки. Технический результат заключается в уменьшении рассеяния электронов сеточным полем, упрощении технологических требований к параметрам сетки за счет снижения сеточного тока, повышении эффективности управляемых сеткой катодолюминесцентных источников света за счет подавления эмиссии под нитями сетки, а также облегчения управляемости полным током эмиссии. Использование предлагаемого холодно-эмиссионного катода в плоских эмиссионных дисплеях также позволит снизить управляющее напряжение, уменьшить расфокусировку электронного пучка (сетка отталкивает электроны), увеличить ресурс катода, т.к. сетка снизит поток ионов остаточного газа, бомбардирующих катод. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Изобретение относится к области электроники, а именно к вакуумным триодам, позволяющим коммутировать большие токи малыми напряжениями.
Известны традиционные вакуумные триоды [1] с термоэмиссионным катодом. Именно термоэмиссионные катоды обеспечивают режим работы, когда на сетку подается запирающее по отношению к движению термоэмиссионных электронов напряжение.
В автоэмиссионном триоде [2], содержащем анод, автоэмиссионный катод, в данной конструкции выполненный микроострийным, и расположенную между ними управляющую сетку, и являющемся наиболее близким к предлагаемому изобретению техническим решением, использование запирающего напряжения невозможно, т.к. в этом случае между сеткой и анодом возникает большая напряженность электрического поля, что может привести к паразитной эмиссии с поверхности сетки. Поэтому все холодно-эмиссионные триоды управляются ускоряющим полем сетки, т.е. напряженность поля анод - катод не остаточна для появления эмиссии и на сетку подается положительное по отношению к катоду напряжение, величина которого такова, что вызывает полевую эмиссию с поверхности катода, как правило, микроострийного. Такая схема управления имеет определенные недостатки, т.к. часть электронов может быть перехвачена сеткой, что вызовет паразитный сеточный ток. Кроме того, сетка должна иметь максимально большую прозрачность, а диаметр отверстий сетки должен быть существенно меньше расстояния сетка - катод. Все эти недостатки обусловлены традиционными материалами катода, которые имеют порог эмиссии порядка или более 100 В/мкм.
Предлагаемое изобретение позволяет ликвидировать указанные недостатки.
Технической задачей является создание автоэмиссионного триода с запирающей сеткой.
Технический результат заключается в уменьшении рассеяния электронов сеточным полем, упрощении технологических требований к параметрам сетки за счет снижения сеточного тока, повышении эффективности управляемых сеткой катодолюминесцентных источников света за счет подавления эмиссии под нитями сетки, а также облегчении управляемости полным током эмиссии.
Сами по себе нанокристаллические алмазные пленки известны [3], но не все они обладают высокими эмиссионными параметрами, в частности низким порогом эмиссии. В предлагаемом автоэмиссионном триоде, содержащем анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2-6 В/мкм, зазор D между катодом и анодом и напряжение U выбираются так, чтобы поле на катоде было достаточным для работы автоэмиссионного катода, при этом управляющая сетка выполняет роль запирающей сетки.
Отверстия в управляющей сетке могут быть выполнены с расширением к аноду.
Нанокристаллические алмазные эмиттеры, созданные по специальным технологиям, имеют порог эмиссии порядка 2-6 В/мкм [4]. Использование таких катодов в триодной конструкции делает возможным выполнение управляющей сеткой функций запирающей сетки. Однако до настоящего времени такие конструкции не были известны, хотя они обладают целым рядом неоспоримых преимуществ по сравнению с прототипом [2].
В этом случае сеточный ток предельно мал, а требования к сетке существенно ниже по сравнению со случаем, когда управляющая сетка является ускоряющей.
Конструкция холодно-эмиссионного катода с запирающей сеткой позволит повысить эффективность управляемых сеткой катодолюминесцентных источников света за счет подавления эмиссии под нитями сетки и снижения тока на сетку, а также облегчит управляемость полным током эмиссии.
Использование предлагаемого холодно-эмиссионного катода в плоских эмиссионных дисплеях также позволит снизить управляющее напряжение, уменьшить расфокусировку электронного пучка (сетка отталкивает электроны), увеличить ресурс катода, т.к. сетка снизит поток ионов остаточного газа, бомбардирующих катод.
Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена схема термоэмиссионного триода; на фиг. 2 распределение потенциала между электродами триода; на фиг. 3 и 4 - распределение электрического поля в режиме запирания для различных геометрических размеров системы; на фиг. 5 - распределение электрического поля над центром катода.
Предлагаемая конструкция автоэмиссионного триода, изображенная на фиг. 1, содержит катод 1, анод 2 с зазором между ними, равным D, управляющую сетку 3 толщиной H, выполненную с отверстиями 4. диаметром h и расположенную с зазором, равным d, между ней и катодом 1. Катод 1 и анод 2 подсоединены к источнику питания 5. Управляющая сетка 3 соединена с катодом 1 через ключ 6. Катод 1 выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера.
На фиг. 2 показано распределение потенциала при разомкнутом ключе 6 - линия 7, и распределение потенциала при замыкании ключа 6 - линия 8.
Зазор, равный D, и напряжение U выбираются так, чтобы поле E=U/D было достаточным для работы автоэмиссионного катода 1, т.е. порядка 10 В/мкм. Управляющая сетка 3 устанавливается с зазором от катода, равным d. Напряжение коммутации, которое должен выдерживать ключ 6, определяется как u= Ud/D.
При разомкнутом ключе 6 управляющая сетка 3 автоматически приобретает потенциал, при котором поле сетка-катод равно полю анод-катод - линия 7. При замыкании ключа поле сетка-катод становится равным нулю и эмиссия прекращается - линия 8.
Реальная картина более сложная. Результаты численного расчета распределения электрического поля в режиме запирания для различных геометрических размеров системы представлены на фиг. 3 и 4.
На фиг. 3 представлено распределение электрического поля (Ez - ось ординат) вдоль катода (R - ось абсцисс) при различных напряжениях на сетке: при нулевом напряжении - линия 9, при напряжении, равном -250 В, - линия 10, при напряжении, равном 250 В, - линия 11. При этом напряжение на аноде равно 20 кВ, на катоде равно 0 В, расстояние между катодом и анодом - 1000 мкм, расстояние между катодом и сеткой - 50 мкм, толщина сетки - 50 мкм, диаметр отверстия сетки - 300 мкм.
На фиг. 4 представлено распределение электрического поля (Ez - ось ординат) вдоль катода (R - ось абсцисс) при различных напряжениях на сетке: при нулевом напряжении - линия 12, при напряжении, равном -80 В, - линия 13, при напряжении, равном 80 В, - линия 14. При этом напряжение на аноде равно 20 кВ, на катоде равно 0 В, расстояние между катодом и анодом - 1000 мкм, расстояние между катодом и сеткой - 16 мкм, толщина сетки - 0,5 мкм, диаметр отверстия сетки - 50 мкм.
На фиг. 5 представлена зависимость электрического поля (Ez - ось ординат) в центре катода от отношения диаметра отверстия сетки к сумме размера зазора между катодом и сеткой и толщиной сетки (h/(d+H) - ось абсцисс) при разных напряжениях на сетке: при нулевом напряжении - линия 15, при напряжении, равном 250 В, - линия 16, при напряжении, равном -250 В, - линия 17. При этом напряжение на аноде равно 20 кВ, на катоде равно 0 В, расстояние между катодом и анодом D=1000 мкм, расстояние между катодом и сеткой d=50 мкм, толщина сетки H=50 мкм.
Представленные на фиг. 3 зависимости отражают режим, близкий к режиму лампы, а представленные на фиг. 4, - к режиму эмиссионного дисплея.
При проведении моделирования предполагалось, что порог эмиссии катода 6 -7 В/мкм, а максимально допустимое поле 12 В/мкм, что соответствует реально существующим алмазным катодам.
Как видно из представленных зависимостей, предложенная схема хорошо работает и позволяет управлять током при напряжениях на сетке 100 - 300 В.
Зависимости напряжения над центом катода позволяет вычислить геометрические характеристики сетки, требуемые для каждого конкретного катода.
Проникновение электрического поля через отверстие в сетке увеличивается для расширяющегося к аноду отверстия по сравнению со случаем вертикальных стенок отверстия. Это связано с увеличением минимального отношения h/(d+H) (фиг. 5). Так, для угла расширения отверстия в 45o максимальное поле у катода увеличивается на 30% в соответствии с изменением минимального отношения h/(d+H) от 3 до 4 (для параметров триода в случае, отображенном на фиг.3).
Источники информации
1. Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. "Эмиссионная электроника", М.: Наука, 1966, стр.117.
2. I.Brodie, P.R.Schwoebel, Proceedins of the IEEE, 1994, v.82, n.7, p. 1006.
3. S. Sattel, J. Robertson, Z. Tass et. al., "Formation of nanocrystalline diamond by hydrocarbon plasma beam deposition", Proceedings of 7 European Conf. Diamond'96, Diamond and Related Materials, v. 6, 1997, p.255.
4. A. T. Rakhimnov, B. V. Seleznev, N.V.Suetin et al. Applications of Diamond Films and Related Material: 3-rd International Conf., Gaithersburg, MD, USA, 1995, NISTIR 5692, Supplement to NIST Special Publication 885, p. 11s.

Claims (2)

1. Автоэмиссионный триод, содержащий анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, отличающийся тем, что автоэмиссионный катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2-6 В/мкм, зазор D между катодом и анодом и напряжение U выбирают так, чтобы поле на катоде было достаточным для работы автоэмиссионного катода, при этом управляющая сетка выполняет роль запирающей сетки.
2. Автоэмиссионный триод по п.1, отличающийся тем, что отверстия в управляющей сетке выполнены с расширением к аноду.
RU97106916/09A 1997-04-18 1997-04-18 Автоэмиссионный триод RU2161840C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97106916/09A RU2161840C2 (ru) 1997-04-18 1997-04-18 Автоэмиссионный триод

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU97106916/09A RU2161840C2 (ru) 1997-04-18 1997-04-18 Автоэмиссионный триод

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97106916A RU97106916A (ru) 1999-04-27
RU2161840C2 true RU2161840C2 (ru) 2001-01-10

Family

ID=20192428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97106916/09A RU2161840C2 (ru) 1997-04-18 1997-04-18 Автоэмиссионный триод

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2161840C2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585360B2 (en) 2001-08-30 2009-09-08 Tadamasa Fujimura Stable aqueous suspension liquid of finely divided diamond particles, metallic film containing diamond particles and method of producing the same
RU2581833C1 (ru) * 2014-12-12 2016-04-20 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" Источник электронов с автоэлектронным эмиттером и рентгеновская трубка с таким источником электронов
RU2680347C1 (ru) * 2018-04-28 2019-02-19 Сергей Николаевич Веревкин Полевой триод

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BRODIE I. SCHWOEBEL P.R. Proceedins of the IEEE, 1994, V. 82, n.7, p. 1006. *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585360B2 (en) 2001-08-30 2009-09-08 Tadamasa Fujimura Stable aqueous suspension liquid of finely divided diamond particles, metallic film containing diamond particles and method of producing the same
US7927390B2 (en) 2001-08-30 2011-04-19 Tadamasa Fujimura Stable aqueous suspension liquid of finely divided diamond particles, metallic film containing diamond particles and method of producing the same
US8172916B2 (en) 2001-08-30 2012-05-08 Tadamasa Fujimura Stable aqueous suspension liquid of finely divided diamond particles, metallic film containing diamond particles and method of producing the same
RU2581833C1 (ru) * 2014-12-12 2016-04-20 Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий" Источник электронов с автоэлектронным эмиттером и рентгеновская трубка с таким источником электронов
RU2680347C1 (ru) * 2018-04-28 2019-02-19 Сергей Николаевич Веревкин Полевой триод

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gilmour Jr et al. Klystrons, traveling wave tubes, magnetrons, crossed-field amplifiers, and gyrotrons
US4684848A (en) Broad-beam electron source
CA1072913A (en) Device for providing high-intensity ion or electron beam
EP0185074B1 (en) Radial geometry electron beam controlled switch utilizing wire-ion-plasma electron source and such a source
EP0151588B1 (en) Electron emission system
RU2161840C2 (ru) Автоэмиссионный триод
US6693282B1 (en) Particle-optical apparatus including a particle source that can be switched between high brightness and large beam current
US2229766A (en) Cathode-ray tube
US3903450A (en) Dual-perveance gridded electron gun
US4553064A (en) Dual-mode electron gun with improved shadow grid arrangement
Alton High‐intensity, heavy negative ion sources based on the sputter principle
US2842703A (en) Electron gun for beam-type tubes
US2659024A (en) Velocity modulated tube of the reflex type
RU2714692C1 (ru) Способ бессеточной модуляции пучка в свч-приборах о-типа
DE69936929D1 (de) Elektronenhohlstrahl-schaltröhre mit hoher spannungsfestigkeit und stromregelung
Orloff Thermal field emission for low voltage scanning electron microscopy
US2237065A (en) Cathode ray tube
EP3933881A1 (en) X-ray source with multiple grids
US8492978B2 (en) Dual element switched electron gun
US3912930A (en) Electron beam focusing system
Wang et al. 300 kV DC High Voltage Photogun With Inverted Insulator Geometry and CsK₂sb Photocathode
SU1145383A1 (ru) Источник ионов
Scrivens Electron and ion sources for particle accelerators
Broers et al. High brightness limited area cathodes
Keller et al. Ion sources and implantation systems

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20060419

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20070310

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20080419