RU215606U1 - Galvanic Pulsed X-Ray Sensor - Google Patents
Galvanic Pulsed X-Ray Sensor Download PDFInfo
- Publication number
- RU215606U1 RU215606U1 RU2022129899U RU2022129899U RU215606U1 RU 215606 U1 RU215606 U1 RU 215606U1 RU 2022129899 U RU2022129899 U RU 2022129899U RU 2022129899 U RU2022129899 U RU 2022129899U RU 215606 U1 RU215606 U1 RU 215606U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation
- pulsed
- dielectric plate
- ray
- coating
- Prior art date
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 210000004544 DC2 Anatomy 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000007374 clinical diagnostic method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002530 ischemic preconditioning Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000034408 response to ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Полезная модель относится к области ядерной физики и может быть использована для регистрации ионизирующих излучений, например для регистрации мощных потоков рентгеновского излучения в экспериментальных исследованиях.The utility model relates to the field of nuclear physics and can be used to detect ionizing radiation, for example, to detect powerful X-ray fluxes in experimental studies.
В гальваническом датчике импульсного рентгеновского излучения, содержащем диэлектрическую пластину, с обеих сторон которой выполнены электрические контакты, первый контакт по ходу излучения выполнен в виде кольцевого покрытия из золота толщиной 1-5 мкм, поверхность диэлектрической пластины, обращенной к кольцевому покрытию, имеет шероховатость Rz≤1 нм, второй контакт на противоположной стороне пластины выполнен в виде сплошного покрытия из золота толщиной 1-5 мкм. Диэлектрическая пластина может быть выполнена из кварца или сапфира, ее толщина 200-300 мкм. Наружный диаметр кольцевого покрытия может составлять D=18-19 мм, а внутренний d=14-15 мм. 2 з.п. ф-лы, 5 ил. In a galvanic sensor of pulsed X-ray radiation, containing a dielectric plate, on both sides of which electrical contacts are made, the first contact along the radiation path is made in the form of an annular gold coating 1–5 μm thick, the surface of the dielectric plate facing the annular coating has a roughness R z ≤1 nm, the second contact on the opposite side of the plate is made in the form of a continuous gold coating with a thickness of 1-5 μm. The dielectric plate can be made of quartz or sapphire, its thickness is 200-300 microns. The outer diameter of the annular coating can be D=18-19 mm, and the inner diameter d=14-15 mm. 2 w.p. f-ly, 5 ill.
Description
Полезная модель относится к области ядерной физики и может быть использована для регистрации ионизирующих излучений, например для регистрации мощных потоков рентгеновского излучения в экспериментальных исследованиях. Предложено и применяются множество различных способов измерений параметров излучений [1], в большинстве случаев основанных на эффекте ионизации атомов под действием излучения. Исследования в области инерциального термоядерного синтеза поставили новые диагностические задачи [2], в частности разработки метода регистрации электромагнитного излучения плазмы, удовлетворяющего следующим основным требованиям:The utility model relates to the field of nuclear physics and can be used to detect ionizing radiation, for example, to detect powerful X-ray fluxes in experimental studies. Many different methods for measuring radiation parameters have been proposed and used [1], in most cases based on the effect of ionization of atoms under the action of radiation. Research in the field of inertial thermonuclear fusion has set new diagnostic tasks [2], in particular, the development of a method for detecting plasma electromagnetic radiation that meets the following basic requirements:
1) рабочий диапазон измерений должен находиться в области энергий квантов (25-10000) эВ;1) the operating range of measurements should be in the region of quantum energies (25-10000) eV;
2) разрешение во времени должно находиться в диапазоне единиц нс;2) the resolution in time must be in the range of units of ns;
3) линейная область чувствительности датчика должна находиться выше уровня мощности потока излучения I~1 МВт/см2.3) the linear area of sensitivity of the sensor should be above the power level of the radiation flux I~1 MW/cm 2 .
Обычно для регистрации интенсивности импульсного рентгеновского излучения используются твердотельные полупроводниковые детекторы, чувствительность которых определяется затратой энергии ΔЕ, необходимой для образования пары носителей заряда. Детекторы, основанные на кремнии, требуют ΔЕ~3 эВ, основанные на алмазе - ΔЕ~13 эВ. Анализ показывает, что в исследованиях по инерциальному термоядерному синтезу для регистрации излучения в рабочем диапазоне чувствительности требуется удаление детектора (даже алмазного) в вакууме на расстояние нескольких десятков метров от источника излучения, что достаточно дорого и не всегда выполнимо в реальных условиях. Применение фильтров, ослабляющих интенсивность падающего излучения, одновременно искажает его спектральный состав, что не позволяет идентифицировать процессы, протекающие в термоядерной мишени.Usually, to register the intensity of pulsed X-ray radiation, solid-state semiconductor detectors are used, the sensitivity of which is determined by the energy consumption ΔE required to form a pair of charge carriers. Silicon-based detectors require ΔE~3 eV, diamond-based detectors require ΔE~13 eV. The analysis shows that in research on inertial thermonuclear fusion, in order to detect radiation in the operating sensitivity range, it is necessary to remove the detector (even a diamond one) in vacuum at a distance of several tens of meters from the radiation source, which is quite expensive and not always feasible in real conditions. The use of filters that attenuate the intensity of the incident radiation simultaneously distorts its spectral composition, which makes it impossible to identify the processes occurring in a thermonuclear target.
Кроме этих, на установках инерциального термоядерного синтеза для рутинных измерений мощных потоков рентгеновского излучения используются вторично-эмиссионные детекторы, чувствительность которых варьируется изменением материала катода [3]. Эти вторично-эмиссионные детекторы (ВРД) можно рассматривать как аналоги предлагаемого изобретения. Однако, применение ВРД рентгеновского излучения, также, как и полупроводниковых, из-за высокого отклика на ионизирующее излучение, возможно использовать только с применением различных ослабляющих фильтров. Реализация данной диагностической методики требует вакуумных условий, наличия в измерительной схеме источника высокого напряжения и учета зависимости эмиссионного отклика от энергии квантов измеряемого излучения и состояния эмитирующей поверхности, которая достаточно быстро модифицируется при высокой мощности измеряемых потоков излучения.In addition to these, inertial thermonuclear fusion facilities for routine measurements of powerful X-ray fluxes use secondary emission detectors, the sensitivity of which is varied by changing the cathode material [3]. These secondary emission detectors (SRD) can be considered as analogues of the present invention. However, the use of X-ray WFDs, as well as semiconductor ones, due to the high response to ionizing radiation, can only be used with the use of various attenuating filters. The implementation of this diagnostic technique requires vacuum conditions, the presence of a high-voltage source in the measuring circuit, and taking into account the dependence of the emission response on the energy of the measured radiation quanta and the state of the emitting surface, which is rather quickly modified at a high power of the measured radiation fluxes.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению (прототипом) является способ достоверных измерений больших интенсивностей излучения I~(105÷107) Вт/см2 при упрощении схемы измерений и снижении ее стоимости, представленный в патенте [4]. Для достижения указанного технического результата в известном способе регистрации импульсного ионизирующего излучения, при котором в процессе измерения электрического сигнала, возникающего под действием излучения в твердом чувствительном к излучению элементе со сравнительно высокой энергией образования свободных носителей заряда ΔЕ, например, стекла КУ1 (ΔЕ~150 эВ), который выполнен в виде диэлектрической пластины с первым и вторым контактами из металла, контакты нанесены на двух противоположных плоскостях пластины, имеющих площадь, причем толщина первого контакта делает его прозрачным для ионизирующего излучения, детектор на базе упомянутого чувствительного к излучению элемента устанавливают на пути регистрируемого ионизирующего излучения таким образом, что сторона пластины с первым контактом ориентирована навстречу ионизирующему излучению.Closest to the claimed technical solution (prototype) is a method for reliable measurements of high radiation intensities I~(10 5 ÷10 7 ) W/cm 2 while simplifying the measurement scheme and reducing its cost, presented in the patent [4]. To achieve the specified technical result in a known method for registering pulsed ionizing radiation, in which, in the process of measuring an electrical signal that occurs under the action of radiation in a solid radiation-sensitive element with a relatively high energy of formation of free charge carriers ΔE, for example, KU1 glass (ΔE~150 eV ), which is made in the form of a dielectric plate with the first and second metal contacts, the contacts are applied on two opposite planes of the plate, having an area, and the thickness of the first contact makes it transparent to ionizing radiation, the detector based on the said radiation-sensitive element is installed in the path of the registered ionizing radiation in such a way that the side of the plate with the first contact is oriented towards the ionizing radiation.
К недостаткам прототипа изобретения [4] относятся значительное время нарастания фронта сигнала (40 нс) как характеристика его быстродействия на воздействие импульсного рентгеновского излучения; а также сильно затянутый по времени отклик на воздействие импульсного рентгеновского излучения.The disadvantages of the prototype of the invention [4] include a significant rise time of the front signal (40 ns) as a characteristic of its performance on the impact of pulsed x-rays; as well as a strongly delayed response to the action of pulsed X-ray radiation.
Технической задачей, которая решается предлагаемой конструкцией активного элемента гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения, является повышение величин его быстродействия при детектировании ионизирующего излучения по способу [4].The technical problem, which is solved by the proposed design of the active element of the galvanic sensor of pulsed X-ray radiation, is to increase the values of its speed when detecting ionizing radiation according to the method [4].
Технический результат - обеспечение изготовления эффективного и чувствительного активного элемента гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения с плотностью мощности до 2 МВт/см2.EFFECT: ensuring the manufacture of an efficient and sensitive active element of a galvanic sensor of pulsed X-ray radiation with a power density of up to 2 MW/cm 2 .
Поставленные техническая задача и результат достигаются в результате того, что в гальваническом датчике импульсного рентгеновского излучения, содержащем диэлектрическую пластину, с обеих сторон которой выполнены электрические контакты, первый контакт по ходу излучения выполнен в виде кольцевого покрытия из золота толщиной 1-5 мкм, поверхность диэлектрической пластины, обращенной к кольцевому покрытию имеет шероховатость Rz≤1 нм, второй контакт на противоположной стороне пластины выполнен в виде сплошного покрытия из золота толщиной 1-5 мкм. Диэлектрическая пластина может быть выполнена из кварца или сапфира, ее толщина 200-300 мкм. Наружный диаметр кольцевого покрытия может составлять D=18-19 мм, а внутренний d=14-15 мм.The stated technical problem and the result are achieved as a result of the fact that in a galvanic sensor of pulsed X-ray radiation, containing a dielectric plate, on both sides of which electrical contacts are made, the first contact along the radiation path is made in the form of an annular coating of gold 1-5 μm thick, the surface of the dielectric plate facing the annular coating has a roughness R z ≤1 nm, the second contact on the opposite side of the plate is made in the form of a continuous coating of gold with a thickness of 1-5 microns. The dielectric plate can be made of quartz or sapphire, its thickness is 200-300 microns. The outer diameter of the annular coating can be D=18-19 mm, and the inner diameter d=14-15 mm.
Существо полезной модели поясняется на представленных фигурах.The essence of the utility model is illustrated in the presented figures.
Фиг. 1 - вид на датчик спереди.Fig. 1 - front view of the sensor.
Фиг. 2 -разрез датчика по А-А.Fig. 2 - section of the sensor along A-A.
Фиг. 3 - схема устройства для детектирования импульсного рентгеновского излучения на основе предлагаемого гальванического датчика.Fig. 3 is a diagram of a device for detecting pulsed x-ray radiation based on the proposed galvanic sensor.
ФИГ. 4. Сравнение сигналов различных детекторов импульсного рентгеновского излучения с плотностью мощности импульса ~2 МВт см-2.FIG. 4. Comparison of signals from various detectors of pulsed X-ray radiation with a pulse power density of ~2 MW cm -2 .
Фиг. 5 - АСМ-изображения лицевых (рабочих) поверхностей пластин из монокристаллического сапфира на участках 1x1 мкм2 после химико-механической полировки до Rz≈0.1 нм (а) и после механической полировки до Rz≈1.2 нм (б); сигналы детекторов излучения (плотность мощности рентгеновского импульса ~2 МВт см-2 на основе указанных пластин из монокристаллического сапфира после химико-механической полировки (в) и после механической полировки (г).Fig. 5 - AFM images of the front (working) surfaces of plates of single-crystal sapphire in areas of 1x1 μm 2 after chemical-mechanical polishing to R z ≈0.1 nm (a) and after mechanical polishing to R z ≈1.2 nm (b); radiation detector signals (X-ray pulse power density ~2 MW cm -2 on the basis of the indicated plates of single-crystal sapphire after chemical-mechanical polishing (c) and after mechanical polishing (d).
Предлагаемый датчик 1 содержит диэлектрическую пластину 2 с рабочими поверхностями 3 и 4. На поверхность 3 нанесено кольцевое покрытие 5 из золота толщиной 1-5 мкм, а на поверхность 4 нанесено сплошное золотое покрытие толщиной 1-5 мкм. При этом шероховатость поверхности 3, обращенной в сторону рентгеновского излучения составляет Rz≤1 нм.The proposed
Датчик используется в устройстве для регистрации импульсного ионизирующего излучения (фиг. 3), содержащем нагрузочное сопротивление 7 и регистрирующую аппаратуру 8,. например, осциллограф.The sensor is used in a device for recording pulsed ionizing radiation (Fig. 3), containing a load resistance 7 and recording equipment 8,. like an oscilloscope.
Датчик применяют следующим образом. Первый контакт, находящийся на стороне пластины, ориентированной навстречу ионизирующему излучению, заземляют, а возникающий на противоположной стороне пластины отклик отрицательного напряжения по коаксиальному кабелю транслируют к регистрирующей аппаратуре, например осциллографу. Один конец центрального проводника коаксиального кабеля соединяют со вторым контактом чувствительного элемента и первым выводом нагрузочного сопротивления, второй конец центрального проводника коаксиального кабеля соединяют с регистрирующей аппаратурой, а оплетку коаксиального кабеля и второй вывод нагрузочного сопротивления заземляют.The sensor is used as follows. The first contact, located on the side of the plate oriented towards the ionizing radiation, is grounded, and the negative voltage response that occurs on the opposite side of the plate is transmitted via a coaxial cable to the recording equipment, such as an oscilloscope. One end of the central conductor of the coaxial cable is connected to the second contact of the sensing element and the first output of the load resistance, the second end of the central conductor of the coaxial cable is connected to the recording equipment, and the braid of the coaxial cable and the second output of the load resistance are grounded.
ПРИМЕР №1
Источником импульсного рентгеновского излучения (полная пиковая мощность до 1013 Вт) служила плазма мегаамперного Z-пинча, реализованная на специализированной термоядерной установке Ангара-5-1 [5]. Плотностью мощности импульса на датчиках во всех случаях составляла ~2 МВт см-2. Величина возникающей при этом импульсной электродвижущей силы в контакте изолятор - металл регистрируется электрической схемой, представленной на ФИГ. 3.The source of pulsed X-ray radiation (total peak power up to 1013 W) was the plasma of a megaampere Z-pinch, which was realized on a specialized thermonuclear facility Angara-5-1 [5]. The pulse power density on the sensors in all cases was ~2 MW cm -2 . The magnitude of the resulting pulsed electromotive force in the insulator-metal contact is recorded by the electrical circuit shown in FIG. 3.
Результаты измерений временной зависимости амплитуды отклика для разных материалов, из которых изготовлен гальванический датчик импульсного рентгеновского излучения, представлены на ФИГ. 4. Из рассмотрения представленных графиков следует, что время нарастания фронта сигнала (менее 4 нс), как характеристика быстродействия датчика на воздействие импульсного рентгеновского излучения, уменьшается при облучении импульсным рентгеновским излучением от Z-пинча датчиков из сапфира и кварца (ФИГ. 4) по сравнению с 40 нс у датчика, изготовленного в соответствии с прототипом. Таким образом, конструкция предлагаемого датчика, включая замену стекла КУ1 на монокристаллический кварц или сапфир, приводит к увеличению его быстродействия в 10 раз по сравнению с прототипом.The results of measurements of the time dependence of the response amplitude for different materials from which the galvanic pulsed x-ray sensor is made are shown in FIG. 4. From the consideration of the presented graphs, it follows that the rise time of the signal front (less than 4 ns), as a characteristic of the speed of the sensor to the impact of pulsed X-ray radiation, decreases when sapphire and quartz sensors are irradiated with pulsed X-ray radiation from the Z-pinch (FIG. 4) by compared to 40 ns for a sensor made in accordance with the prototype. Thus, the design of the proposed sensor, including the replacement of KU1 glass with single-crystal quartz or sapphire, leads to an increase in its speed by 10 times compared to the prototype.
ПРИМЕР №2
Рассматривалось влияние шероховатости лицевой (рабочей) поверхности пластины 2 датчика (фиг. 2) Проведено испытание датчиков с пластинами из кварца и сапфира. Из рассмотрения графиков на фиг. 5в и 5г следует, что происходит повышение величин их быстродействия (скорость нарастания фронта около 8 нс) при облучении импульсным рентгеновским излучением от Z-пинча (Фиг. 5) по сравнению с датчиками, для которых характерна большая шероховатость лицевой (рабочей) поверхности (скорость нарастания фронта около 32 нс), а также по сравнению с датчиками на основе стекла КУ-1 (прототип) с неконтролируемой шероховатостью поверхности.The effect of the roughness of the front (working) surface of the
Кроме того, гальванический сигнал от датчика с шероховатой поверхностью (Фиг. 5б) явно отклоняется от линейности по отношению к рентгеновскому импульсу (Фиг. 5г)In addition, the galvanic signal from the sensor with a rough surface (Fig. 5b) clearly deviates from linearity with respect to the X-ray pulse (Fig. 5d)
Приведенная информация подтверждает промышленную применимость датчиков предлагаемой конструкции.The above information confirms the industrial applicability of the sensors of the proposed design.
Источники информации.Sources of information.
1. Калашникова В.И., Козодаев М.С. Детекторы элементарных частиц. - М.: Наука. 1966.1. Kalashnikova V.I., Kozodaev M.S. Detectors of elementary particles. - M.: Science. 1966.
2. Диагностика плотной плазмы / Под ред. Н.Г. Басова. - М: Наука. 1989.2. Dense Plasma Diagnostics, Ed. N.G. Basov. - M: Science. 1989.
3. Kornblum H.N., Slivinsky V.W. // Rev. Scient. Instrum. 1978. V. 49. №8. P. 1204.3. Kornblum H.N., Slivinsky V.W. // Rev. Scient. Instrum. 1978. V. 49. No. 8. P. 1204.
4. RU 2640320 «Способ регистрации импульсного ионизирующего излучения», МПК G01T 1/00, опубл. 27.12.2017.4. RU 2640320 "Method of registration of pulsed ionizing radiation",
5. Зайцев В.И., Барыков И.А., Карташов А.В., Терентьев О.В., Родионов Н.Б. Радиационно-индуцированный гальванический эффект, наблюдаемый в интерфейсе металл-диэлектрик // Письма в ЖТФ. - 2016. - Т. 42. - Вып. 22. - С. 72-78.5. Zaitsev V.I., Barykov I.A., Kartashov A.V., Terentiev O.V., Rodionov N.B. Radiation-induced galvanic effect observed in the metal-dielectric interface // JTF Letters. - 2016. - T. 42. - Issue. 22. - S. 72-78.
Claims (3)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU215606U1 true RU215606U1 (en) | 2022-12-20 |
Family
ID=
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000052989A2 (en) * | 1999-07-28 | 2000-09-14 | Yuly Zagyansky | Einstein-bohr end: new atomic scale physics, electric field: neutrinos and electrons in conversions, perpetual motion. development: seisms, extinguished volcans, created islands, big bang energy |
GB2328014B (en) * | 1997-08-11 | 2001-12-05 | Siemens Plc | Improvements in or relating to personal radiation dosemeters |
RU83622U1 (en) * | 2009-03-02 | 2009-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" | MULTILAYER DETECTOR ANALYZER |
EP1746442B1 (en) * | 2005-07-21 | 2011-11-02 | E2V Technologies (UK) Limited | Sensor with trigger pixels for imaging of pulsed radiation |
RU2579157C1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Multispectral one-dimensional x-ray and gamma-radiation detector |
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2328014B (en) * | 1997-08-11 | 2001-12-05 | Siemens Plc | Improvements in or relating to personal radiation dosemeters |
WO2000052989A2 (en) * | 1999-07-28 | 2000-09-14 | Yuly Zagyansky | Einstein-bohr end: new atomic scale physics, electric field: neutrinos and electrons in conversions, perpetual motion. development: seisms, extinguished volcans, created islands, big bang energy |
EP1746442B1 (en) * | 2005-07-21 | 2011-11-02 | E2V Technologies (UK) Limited | Sensor with trigger pixels for imaging of pulsed radiation |
RU83622U1 (en) * | 2009-03-02 | 2009-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" | MULTILAYER DETECTOR ANALYZER |
RU2579157C1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова" (ФГУП "ВНИИА") | Multispectral one-dimensional x-ray and gamma-radiation detector |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1219975B1 (en) | Corpuscular beam image detector using gas amplification by pixel type electrodes | |
US5821539A (en) | Fast operating radiation detector and method for operating same | |
CN103261914B (en) | Direct conversion x-ray detectors | |
EP0180780B1 (en) | Noncontact dynamic tester for integrated circuits | |
JPS5853470B2 (en) | Ionization chamber with grid | |
RU215606U1 (en) | Galvanic Pulsed X-Ray Sensor | |
Squillante et al. | Development of two new M-π-n CdTe sensors | |
Sciuto et al. | Advantages and limits of 4H-SIC detectors for high-and low-flux radiations | |
US7368723B2 (en) | Diamond radiation detector | |
Kurz et al. | Two-dimensional neutron detector based on a position-sensitive photomultiplier | |
US9142383B2 (en) | Device and method for monitoring X-ray generation | |
Gauthier et al. | A high-resolution silicon drift chamber for X-ray spectroscopy | |
RU2640320C1 (en) | Method of pulse ionising radiation registration | |
Giakos et al. | Study of detection efficiency of Cd/sub 1-x/Zn/sub x/Te detectors for digital radiography | |
RU2248012C2 (en) | Low-energy gamma-ray emission and x-ray radiation registrar | |
Spooner et al. | Investigation of voltage amplification of thermal spectra (“Luke effect”) in a low temperature calorimetric detector | |
US4166218A (en) | P-i-n diode detector of ionizing radiation with electric field straightening | |
US6037596A (en) | Photoconducting positions monitor and imaging detector | |
US2717964A (en) | Sulfur crystal counter | |
Hutton et al. | Diamond-based radiation detectors for very high dose rate environments– | |
RU2229731C1 (en) | Diamond detector of ionizing radiations | |
Tepper et al. | A contactless, microwave-based radiation detector | |
WO2024195804A1 (en) | Analysis device | |
Tepper et al. | Detection of single photon ionization events using a contactless microwave technique | |
RU171358U1 (en) | A device for recording a scintillation signal in an inspection complex |