RU2152349C1 - Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials - Google Patents
Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials Download PDFInfo
- Publication number
- RU2152349C1 RU2152349C1 RU98113647A RU98113647A RU2152349C1 RU 2152349 C1 RU2152349 C1 RU 2152349C1 RU 98113647 A RU98113647 A RU 98113647A RU 98113647 A RU98113647 A RU 98113647A RU 2152349 C1 RU2152349 C1 RU 2152349C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- germanium
- isotope
- silicon
- optical
- isotopes
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области технологий изготовления материалов, предназначенных для получения стекол, оптических волокон и полупроводников. В качестве таких материалов выступают германий и кремний, которые являются их основой. The invention relates to the field of manufacturing technologies for materials designed to produce glasses, optical fibers and semiconductors. These materials are germanium and silicon, which are their basis.
Известны стекла, в которых в качестве вещества, образующего стекло, выступает окись кремния. Такое стекло является наиболее распространенным и именуется силикатным оксидным стеклом. В качестве основы стекла может выступать германий и некоторые другие химические элементы. Развитие телекоммуникаций с использованием волоконно-оптических систем передачи поставило задачу всемерного повышения качественных характеристик стекла и, в первую очередь, снижения потерь при пропускании светового сигнала по стеклянному волокну. Характеристики оптического волокна задаются качеством компонент, используемых при его изготовлении. Для производства волокна в качестве компонентов используют хлориды, которые переводят в окись, образующую стекло. При этом используют тетрахлориды как кремния, так и германия с наибольшей химической чистотой, что обеспечивает наименьшие загрязнения кварцевого или германиевого стекла оптически-активными ионами, атомами и комплексами (Cheo P.К. "Fiber optics. Devices and systems", Prentice-Hall, 1985). Стекло, обладающее наибольшей химической однородностью, имеет и лучшие оптические характеристики. Glasses are known in which silicon oxide acts as the substance forming the glass. Such glass is the most common and is called silicate oxide glass. The basis of glass can be germanium and some other chemical elements. The development of telecommunications using fiber-optic transmission systems has set the task of comprehensively improving the quality characteristics of glass and, above all, reducing losses when transmitting a light signal through glass fiber. The characteristics of the optical fiber are determined by the quality of the components used in its manufacture. For the production of fiber, chlorides are used as components, which are converted to glass-forming oxide. In this case, both silicon and germanium tetrachlorides are used with the highest chemical purity, which ensures the smallest contamination of quartz or germanium glass with optically active ions, atoms and complexes (Cheo P. K. "Fiber optics. Devices and systems", Prentice-Hall, 1985). Glass with the highest chemical homogeneity has the best optical characteristics.
Известны полупроводниковые материалы - германий и кремний, являющиеся основой для производства различных классов полупроводниковых приборов (в том числе детекторов излучения, интегральных схем, фотоприемников и др.). Качественные характеристики приборов определяются чистотой германия и кремния, однородностью структуры их кристаллической решетки. Технология элементарных полупроводниковых материалов является хорошо отработанной (см., например, "Металлургия и технология полупроводниковых материалов", ред. Б.А. Сахаров, М., "Металлургия", 1972). В технологиях используются хлориды, где в качестве структурообразующего элемента выступают кремний - в тетрахлориде кремния (SiCl4) и германий - в тетрахлориде германия (GeCl4). Эти хлориды извлекают из исходных смесей, содержащих хлороводороды и хлориды других элементов, в ходе дистилляции, достигая глубокой химической очистки. Указанный способ выбран в качестве прототипа, поскольку названные операции используются также и при приготовлении хлорсодержащих веществ для получения материалов с высокими оптическими характеристиками.Semiconductor materials are known - germanium and silicon, which are the basis for the production of various classes of semiconductor devices (including radiation detectors, integrated circuits, photodetectors, etc.). The qualitative characteristics of the devices are determined by the purity of germanium and silicon, the uniformity of the structure of their crystal lattice. The technology of elementary semiconductor materials is well established (see, for example, Metallurgy and Technology of Semiconductor Materials, ed. B.A. Sakharov, M., Metallurgy, 1972). Chlorides are used in the technologies, where silicon acts as a structure-forming element in silicon tetrachloride (SiCl 4 ) and germanium in germanium tetrachloride (GeCl 4 ). These chlorides are recovered from the initial mixtures containing hydrogen chloride and other chlorides during distillation, achieving deep chemical purification. The specified method is selected as a prototype, since these operations are also used in the preparation of chlorine-containing substances to obtain materials with high optical characteristics.
Недостатком данного способа получения оптических и полупроводниковых материалов только за счет уменьшения числа и количества химических примесей, остающихся в составе компонент, является ограниченность такого пути. Конечно, чем меньше химических примесей остается в приготовляемых компонентах, тем выше однородность структуры получаемых из них оптических и полупроводниковых материалов. Однако этот путь ограничен по достижению наибольшей однородности материалов природным составом самих химических элементов. The disadvantage of this method of obtaining optical and semiconductor materials only by reducing the number and quantity of chemical impurities remaining in the composition of the components is the limited nature of this path. Of course, the less chemical impurities remain in the prepared components, the higher the uniformity of the structure of the optical and semiconductor materials obtained from them. However, this path is limited in achieving the greatest uniformity of materials by the natural composition of the chemical elements themselves.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является повышение атомарной однородности компонент для получения оптических и полупроводниковых материалов. The problem to which this invention is directed, is to increase the atomic homogeneity of the components to obtain optical and semiconductor materials.
Для решения поставленной задачи в способе приготовления компонент для получения оптических и полупроводниковых материалов, состоящем в извлечении из исходной смеси хлорсодержащего вещества, включающего структурообразующий элемент, извлечение хлорсодержащего вещества проводят путем изотопного обогащения его структурообразующего элемента газовым центрифугированием. To solve the problem in the method of preparing components for obtaining optical and semiconductor materials, which consists in extracting a chlorine-containing substance from the initial mixture, including a structure-forming element, the extraction of chlorine-containing substance is carried out by isotope enrichment of its structure-forming element by gas centrifugation.
В качестве хлорсодержащего вещества извлекают тетрахлорид германия, подвергаемый обогащению по изотопу германия. As a chlorine-containing substance, germanium tetrachloride is recovered, which is enriched in the germanium isotope.
В качестве хлорсодержащего вещества извлекают тетрахлорид кремния, подвергаемый обогащению по изотопу кремния. As a chlorine-containing substance, silicon tetrachloride is recovered, which is enriched in silicon isotope.
Изотопное обогащение структурообразующего элемента проводят при температуре 5 - 45oC.Isotopic enrichment of the structural element is carried out at a temperature of 5 - 45 o C.
Как известно, изотопами называются разновидности атомов одного и того же химического элемента, имеющие различную массу (при неизменном заряде ядра). Изотопы подразделяются на стабильные и радиоактивные. Только стабильные изотопы и рассматриваются в настоящем техническом решении. Часть химических элементов (таких в природе 22 элемента) состоит только из одного стабильного изотопа, в их числе - алюминий, натрий, фосфор, фтор. Остальные элементы содержат от 2-х до 10-и стабильных изотопов (И.П.Селинов "Изотопы", Справочник, Наука, М., 1970). Изотопия элемента характеризуется массой имеющихся изотопов и их содержанием в природной смеси. Табл. 1 и 2 в качестве примера показывают природную изотопию кремния и германия. As is known, isotopes are the types of atoms of the same chemical element that have different masses (with a constant charge of the nucleus). Isotopes are divided into stable and radioactive. Only stable isotopes are considered in this technical solution. A part of chemical elements (22 elements in nature) consists of only one stable isotope, including aluminum, sodium, phosphorus, and fluorine. The remaining elements contain from 2 to 10 stable isotopes (IP Selinov "Isotopes", Handbook, Nauka, M., 1970). The isotopy of an element is characterized by the mass of available isotopes and their content in the natural mixture. Tab. 1 and 2 show, by way of example, the natural isotopy of silicon and germanium.
Видно, что для кремния и германия количество стабильных изотопов различно (3 и 5), ширина изотопного интервала не совпадает (2 и 6 атомных единицы массы), содержание изотопов также собственные. В природе нет элементов с одинаковыми изотопными характеристиками. It can be seen that for silicon and germanium the number of stable isotopes is different (3 and 5), the width of the isotope interval does not coincide (2 and 6 atomic mass units), and the isotope content is also intrinsic. In nature, there are no elements with the same isotopic characteristics.
В повседневной практике отличия в свойствах различных изотопов одного и того же элемента незаметны, и все они интегрально определяют свойства самого химического элемента. Тем не менее, установлены и изучены многие изотопные эффекты, влияющие на скорость химических реакций, коэффициенты переноса, и др. Именно эти малые отличия позволяют использовать их в технологиях разделения изотопов (М. Шемля, Ж. Перье "Разделение изотопов", М., Атомиздат, 1980). In everyday practice, differences in the properties of various isotopes of the same element are invisible, and all of them integrally determine the properties of the chemical element itself. Nevertheless, many isotopic effects that affect the rate of chemical reactions, transport coefficients, and others have been established and studied. It is these small differences that allow their use in isotope separation technologies (M. Shemlya, J. Perrier, “Isotope Separation,” M., Atomizdat, 1980).
Исследованы оптические изотопные эффекты, состоящие в тонкой структуре спектров изотопосодержащих элементов. Эти отличия послужили основой для лазерного метода разделения изотопов (Летохов B.C., Мур С.Б. "Лазерное разделение изотопов". Квантовая электроника, т.3, N2, 1976, стр.248). Optical isotope effects consisting of a fine structure of the spectra of isotope-containing elements are investigated. These differences served as the basis for the laser method of isotope separation (Letokhov B.C., Moore S.B. “Laser Isotope Separation.” Quantum Electronics, vol. 3, N2, 1976, p. 248).
Таким образом, оптическая среда, содержащая различные изотопы одного и того же элемента, не может рассматриваться как однородная. Изотопы, имея собственные спектры поглощения, возбуждения и др., уширяют полосу спектра поглощения элемента, приводят к дополнительной дисперсии, нелинейностям при передаче оптического сигнала. Указанные факторы особенно нежелательны в оптических волокнах. Thus, an optical medium containing different isotopes of the same element cannot be considered as homogeneous. Isotopes, having their own absorption, excitation, and other spectra, broaden the band of the absorption spectrum of an element, lead to additional dispersion, nonlinearities in the transmission of an optical signal. These factors are especially undesirable in optical fibers.
Нахождение в оптическом стекле химического элемента в изотопно-обогащенной форме: с меньшим числом изотопов, подавляющим содержанием одного изотопа, повышает атомарную однородность стекла, и вышеназванные негативные факторы минимизируются. Наивысшая атомарная однородность достигается при предельном обогащении, когда один из изотопов элемента берется в моноизотопном виде, что снижает оптическое поглощение. The presence of a chemical element in isotope-enriched form in optical glass: with a smaller number of isotopes, the overwhelming content of one isotope, increases the atomic uniformity of the glass, and the above negative factors are minimized. The highest atomic homogeneity is achieved with the ultimate enrichment, when one of the element isotopes is taken in a monoisotopic form, which reduces optical absorption.
Атомарно-изотопная однородность компонент для полупроводниковых материалов является лишь промежуточным результатом, который представляет практическую ценность благодаря своим техническим следствиям в полупроводниках. The atomic-isotopic homogeneity of components for semiconductor materials is only an intermediate result, which is of practical value due to its technical consequences in semiconductors.
В последние годы при исследовании кристаллов установлено, что при изготовлении кристаллов из изотопно-обогащенных материалов, в них проявляются новые свойства, в частности изменяются теплофизические характеристики. У изотопически чистых кристаллов резко возрастает коэффициент теплопроводности (Anthony T.R. et al.,"Thermal diffusivity of isotopically enriched 12C diamond", Phys. Rev. B, V42, N2, 5 July 1990-1). Этот эффект выявлен у германия и кремния, что имеет значительную ценность для техники изготовления современных интегральных схем. Рост теплопроводности в моноизотопном углероде по сравнению с природным составляет 50% при комнатной температуре и порядка 20% для германия. При низких температурах рост может составлять 1000%. Использование кремния и германия в изотопном виде улучшает теплоотвод, повышая тем самым быстродействие и надежность процессоров для компьютеров.In recent years, when studying crystals, it was found that in the manufacture of crystals from isotopically enriched materials, new properties appear in them, in particular, the thermophysical characteristics change. In isotopically pure crystals, the thermal conductivity increases sharply (Anthony TR et al., "Thermal diffusivity of isotopically enriched 12 C diamond", Phys. Rev. B, V42, N2, 5 July 1990-1). This effect was detected in germanium and silicon, which is of considerable value for the technology of manufacturing modern integrated circuits. The increase in thermal conductivity in monoisotopic carbon compared to natural is 50% at room temperature and about 20% for germanium. At low temperatures, growth can be up to 1000%. The use of silicon and germanium in an isotopic form improves heat dissipation, thereby increasing the speed and reliability of computer processors.
Известно влияние изотопной чистоты на параметры кристаллической решетки полупроводников. Повышение изотопической однородности приводит к уменьшению локальных искажений решетки. Последние невелики, но влияют на качество пленок, напыляемых на поверхность кремния, и, в конечном итоге, - на выход годных изделий в процессе изготовления. Полупроводниковые датчики для регистрации ионизующих излучений и редких распадов ядер из изотопно-обогащенных германия или кремния обладают повышенной чувствительностью и более устойчивы к внешним физическим полям. The effect of isotopic purity on the crystal lattice parameters of semiconductors is known. An increase in isotopic homogeneity leads to a decrease in local lattice distortions. The latter are small, but affect the quality of the films deposited on the surface of silicon, and, ultimately, on the yield of suitable products in the manufacturing process. Semiconductor sensors for detecting ionizing radiation and rare decays of nuclei from isotopically enriched germanium or silicon have increased sensitivity and are more resistant to external physical fields.
Таким образом, новая форма полупроводниковых и оптических материалов - изотопная, обладающая более высоким уровнем однородности, позволяет достичь новых технических результатов, недостижимых известными техническими решениями. Thus, a new form of semiconductor and optical materials - isotopic, with a higher level of homogeneity, allows you to achieve new technical results, unattainable by known technical solutions.
Именно на достижение вышеназванных конечных технических результатов и направлено настоящее техническое решение. В существующую хлоридную технологию приготовления компонент вводится процесс, при котором извлечение хлорсодержащего вещества проводится путем изотопного обогащения его структурообразующего элемента газовым центрифугированием. Благодаря использованию при центрифугировании широко применимых хлоридов достигается наибольшая технико-экономическая эффективность достижения конечных результатов. При этом вводимый процесс не заменяет применяемые операции, а дополняет их, обеспечивая новое качество. It is to achieve the above-mentioned final technical results that the present technical solution is directed. A process is introduced into the existing chloride technology for the preparation of components, in which the extraction of a chlorine-containing substance is carried out by isotope enrichment of its structure-forming element by gas centrifugation. Due to the use of widely applicable chlorides in centrifugation, the greatest technical and economic efficiency of achieving the final results is achieved. At the same time, the introduced process does not replace the operations used, but supplements them, providing a new quality.
Газовое центрифугирование получило свое развитие для разделения изотопов урана ("Обогащение урана", под ред. Виллани, Энергоатомиздат, М., 1983). Летучее соединение элемента подается во вращающийся ротор и более тяжелые молекулы, включающие более тяжелые изотопы, концентрируются на периферии, благодаря чему достигается разделительный эффект (М. Шемля, Ж. Перье "Разделение изотопов", М., Атомиздат, 1980). Gas centrifugation was developed for the separation of uranium isotopes ("Uranium Enrichment", edited by Villany, Energoatomizdat, M., 1983). The volatile compound of the element is fed into a rotating rotor and heavier molecules, including heavier isotopes, are concentrated on the periphery, due to which a separation effect is achieved (M. Shemlya, J. Perrier “Isotope separation”, M., Atomizdat, 1980).
Для достижения эффекта разделения в газовой фазе используются специальные высокоскоростные центрифуги, чьи скорости вращения многократно превосходят другие аналоги. To achieve the separation effect in the gas phase, special high-speed centrifuges are used, whose rotation speeds are many times higher than other analogues.
Вещества, используемые при газовом центрифугировании, должны иметь достаточную упругость паров, благодаря чему они могут быть подвергнуты изотопному обогащению по изотопам структурообразующего элемента посредством газовых центрифуг. The substances used in gas centrifugation must have sufficient vapor pressure, so that they can be subjected to isotopic enrichment over the isotopes of the structure-forming element by gas centrifuges.
Изотопное обогащение структурообразующего элемента проводят при температурах, когда обеспечивается достаточная летучесть хлорсодержащего вещества - при температуре 5-45oC. Например, тетрахлорид германия при температуре 20oC имеет давление паров 69 мм рт.ст.The isotope enrichment of the structure-forming element is carried out at temperatures when sufficient volatility of the chlorine-containing substance is ensured - at a temperature of 5-45 o C. For example, germanium tetrachloride at a temperature of 20 o C has a vapor pressure of 69 mm Hg
Примеры реализации способа. Examples of the method.
Пример 1. Example 1
Для приготовления германия исходную смесь, содержащую тетрахлорид германия (GeCl4), полученную известными в технологиях элементарного германия методами, подают на установку с газовыми центрифугами, где осуществляют центрифугирование структурообразующего элемента - германия, например по изотопу германий-70, и извлекают тем самым тетрахлорид германия, обогащенный по изотопу германий-70. Степень обогащения по изотопу германия может быть различной, и определяется требованиями к материалу и экономическими показателями.To prepare germanium, the initial mixture containing germanium tetrachloride (GeCl 4 ), obtained by methods known in the technology of elemental germanium, is fed to a gas centrifuge unit, where the structure-forming element, Germany, is centrifuged, for example, using the germanium-70 isotope, and thereby germanium tetrachloride is recovered enriched in germanium-70 isotope. The degree of enrichment by germanium isotope can be different, and is determined by the requirements for the material and economic indicators.
Может извлекаться тетрахлорид германия с содержанием германия-70 около 80%, а германия-72 будет в нем около 20%. В таком материале изотопов германия только два, при основном содержании изотопа германий-70. Может извлекаться тетрахлорид германия и с содержанием германия-70, близким к предельному - 99,9%. Такой материал имеет наивысшую атомарную однородность, поскольку все другие изотопы, имеющиеся у германия, практически отсутствуют. Germanium tetrachloride can be recovered with a germanium-70 content of about 80%, and germanium-72 will be in it about 20%. There are only two germanium isotopes in such material, with the main content of the germanium-70 isotope. Germanium tetrachloride can also be extracted with a germanium-70 content close to the limit of 99.9%. Such a material has the highest atomic homogeneity, since all other isotopes available in germanium are practically absent.
Вышесказанное относимо и к изотопу германий-76, и к другим изотопам германия. The foregoing applies both to the germanium-76 isotope and to other germanium isotopes.
Пример 2. Example 2
Для приготовления кремния исходную смесь, содержащую тетрахлорид кремния (SiCl4), полученную известными в технологиях элементарного кремния методами, подают на установку с газовыми центрифугами, где осуществляют центрифугирование структурообразующего элемента - кремния, например по изотопу кремний-28, и извлекают тем самым тетрахлорид кремния, обогащенный по изотопу кремний-28. Степень обогащения по изотопу кремния может быть различной, и определяется требованиями к материалу и экономическими показателями.To prepare silicon, the initial mixture containing silicon tetrachloride (SiCl 4 ), obtained by methods known in the technology of elemental silicon, is fed to a gas centrifuge installation, where the structure-forming element is silicon centrifuged, for example, silicon-28 isotope, and silicon tetrachloride is thereby recovered enriched in silicon-28 isotope. The degree of enrichment by silicon isotope can be different, and is determined by the requirements for the material and economic indicators.
Может извлекаться тетрахлорид кремния с содержанием кремния около 98%, а кремния-29 будет в тетрахлориде около 2%. В таком материале изотопов кремния только два, при основном содержании изотопа кремний-28. Может извлекаться тетрахлорид кремния и с содержанием кремния близким к предельному - 99,9%. Такой материал имеет наивысшую атомарную однородность, поскольку все другие изотопы, имеющиеся у кремния, практически отсутствуют. Silicon tetrachloride can be recovered with a silicon content of about 98%, and silicon-29 will be in tetrachloride about 2%. There are only two silicon isotopes in such a material, with the main content of the silicon-28 isotope. Silicon tetrachloride can also be extracted with a silicon content close to the limit of 99.9%. Such a material has the highest atomic homogeneity, since all the other isotopes that silicon has are practically absent.
Вышесказанное относимо и к изотопам кремний-30, кремний-29. The above applies to the isotopes of silicon-30, silicon-29.
Осуществимость технического решения вытекает из разработанности и практического действия различных методов разделения изотопов как урана, так и всех стабильных изотопов (см., например, сборник "Изотопы в СССР", Москва, Атомиздат, 1980; "Атомная энергия", том 67, N4, окт. 1989). Воспроизводимость результата определяется высоким достигнутым уровнем анализа изотопного состава элементов известными методами масс-спектрометрии. The feasibility of a technical solution follows from the development and practical action of various methods for the separation of isotopes of both uranium and all stable isotopes (see, for example, the collection "Isotopes in the USSR", Moscow, Atomizdat, 1980; "Atomic Energy", Volume 67, N4, Oct. 1989). The reproducibility of the result is determined by the high level of analysis of the isotopic composition of the elements by known methods of mass spectrometry.
Извлеченное путем изотопного газового центрифугирования и обогащенное по структурообразующему элементу хлорсодержещее вещество (согласно примерам 1,2) направляется затем для дальнейшего передела посредством известных операций в окись или элементарную форму с целью изготовления стекла или полупроводников. The chlorine-containing substance extracted by isotope gas centrifugation and enriched in a structurally-forming element (according to Examples 1,2) is then sent for further redistribution through known operations to an oxide or elementary form for the manufacture of glass or semiconductors.
Настоящее техническое решение имеет в числе своих преимуществ то, что введение предлагаемого способа не требует какого-либо изменения существующих требований к компонентам и технологиям как предшествующим, так и последующим предлагаемому способу. Таким образом, все существующие способы приготовления различных типов оптических и полупроводниковых материалов сохраняются в неизменном виде. This technical solution has, among its advantages, that the introduction of the proposed method does not require any modification of the existing requirements for components and technologies of both the previous and subsequent proposed method. Thus, all existing methods of preparing various types of optical and semiconductor materials are stored unchanged.
Предложение применимо ко всем хлорсодержащим веществам с многоизотопным структурообразующим элементам, используемым в любых классах стекол и полупроводников. The proposal is applicable to all chlorine-containing substances with multi-isotopic structure-forming elements used in any classes of glasses and semiconductors.
Операция газового центрифугирования с изотопным обогащением структурообразующего элемента позволяет получать материалы с высшей степенью однородности, чем при традиционной химической очистке. The operation of gas centrifugation with isotopic enrichment of the structure-forming element allows to obtain materials with a higher degree of homogeneity than with traditional chemical cleaning.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98113647A RU2152349C1 (en) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98113647A RU2152349C1 (en) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98113647A RU98113647A (en) | 2000-05-20 |
| RU2152349C1 true RU2152349C1 (en) | 2000-07-10 |
Family
ID=20208528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98113647A RU2152349C1 (en) | 1998-07-17 | 1998-07-17 | Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2152349C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2792381C1 (en) * | 2022-07-25 | 2023-03-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук | Method for producing isotopically enriched germanium tetrachloride |
-
1998
- 1998-07-17 RU RU98113647A patent/RU2152349C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| САХАРОВ Б.А. Металлургия и технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. База данных CAS on Questel, Лондон: Дервент пабликейшн Лтд, AN 123-352653, v. 123-26, 1995. УГАЙ Я.А. Введение в химию полупроводников. - М.: Высшая школа, 1965, с. 115, 121, 122, 137, 159. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2792381C1 (en) * | 2022-07-25 | 2023-03-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых Российской академии наук | Method for producing isotopically enriched germanium tetrachloride |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Whan | Investigations of oxygen-defect interactions between 25 and 700 K in irradiated germanium | |
| Catanzaro et al. | Absolute isotopic abundance ratio and atomic weight of terrestrial rubidium | |
| US8101149B1 (en) | Form of carbon | |
| Milligan et al. | Infrared spectrum of the BrHBr− ion isolated in an argon matrix | |
| Machlan et al. | Absolute isotopic abundance ratio and atomic weight of a reference sample of gallium | |
| RU2152349C1 (en) | Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials | |
| Smith | Vibrational spectra and assignments for the phenyl chlorosilanes | |
| Sennikov et al. | Towards 0.99999 28Si | |
| JP2000345342A (en) | Production of high purity isotopic silicon crystal film | |
| RU2270715C1 (en) | Method of production of germanium for semiconducting materials | |
| Cherenda et al. | Hyperfine interactions in high‐silicate and quartz glasses | |
| Gramlich et al. | Thermal-ionization isotope-dilution mass spectrometry as a definitive method for determination of potassium in serum. | |
| Cherenda et al. | The role of a double oxygenous bridge in radiation‐induced centre formations in glasses from EPR data | |
| Brom Jr et al. | Absorption spectrum of BS2 at 4 k | |
| RU2693786C1 (en) | Method of producing highly pure highly-enriched silicon-28 isotope | |
| Georgiou et al. | A re-investigation of the microwave spectrum of trimethylsilylcyanide | |
| Abrosimov et al. | 29Si and 30Si single crystal growth by mini‐Czochralski technique | |
| Nozaki et al. | A new radio-tracer technique for the evaporation study of light elements from molten silicon | |
| Kahn et al. | Ion-channeling studies of the structural phase transition in (GaSb) 1− x (Ge 2) x alloys | |
| RU2122529C1 (en) | Method of preparing components for manufacture of optoelectronic materials | |
| Gavva et al. | Preparation of Single-Crystal Isotopically Enriched 70Ge by a Hydride Method | |
| WO2002070527A1 (en) | Mass-selective purification of organometallics | |
| Hizhnyakov et al. | Origin of Radiative Transitions from Metastable Minima of the Excited State of Sn2+ v− c Centres in Alkali Halides | |
| Qingshi et al. | High-resolution vibration-rotation spectroscopy of fluoroform-d | |
| De Paz et al. | Mass-spectrometric evidence against “Polywater” |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150718 |