RU2141103C1 - Sensing element of pressure transducer - Google Patents
Sensing element of pressure transducer Download PDFInfo
- Publication number
- RU2141103C1 RU2141103C1 RU98104529A RU98104529A RU2141103C1 RU 2141103 C1 RU2141103 C1 RU 2141103C1 RU 98104529 A RU98104529 A RU 98104529A RU 98104529 A RU98104529 A RU 98104529A RU 2141103 C1 RU2141103 C1 RU 2141103C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- pressure
- sensing element
- microwires
- baroresistors
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения давлений в диапазоне от единиц до сотен мегапаскалей в жидкостях и газах. The invention relates to measuring technique, namely to a technique for measuring pressure in the range from units to hundreds of megapascals in liquids and gases.
Практическое широкое применение полупроводниковых тензопреобразователей трансформировало современный датчик давления в прибор, состоящий из двух частей:
- корпус датчика с полостью, снабженный пассивной разделительной мембраной, отделяющей полость от среды давления, и электровыводами;
- чувствительный элемент - тензочувствительная полупроводниковая микроструктура, снабженная электродами и элементами крепления к корпусу датчика. Чувствительные элементы изготавливаются методами массовой микроэлектронной технологии, что обеспечивает высокую повторяемость их тензоэлектрических характеристик и низкую стоимость. Сборка же датчиков давления не предусматривает применения микроэлектронной технологии. Фирмы - изготовители датчиков давления, применяют чувствительные элементы как обычные комплектующие изделия электронной техники. Сборка датчика включает механическое соединение элемента с корпусом, электрическое соединение электродов элемента с электровыводами корпуса, заполнение полости компрессионной жидкостью и ее герметизацию.The practical widespread use of semiconductor strain gauges transformed a modern pressure sensor into a device consisting of two parts:
- a sensor housing with a cavity equipped with a passive dividing membrane separating the cavity from the pressure medium, and electrical leads;
- a sensitive element is a strain-sensitive semiconductor microstructure equipped with electrodes and fasteners to the sensor housing. Sensitive elements are manufactured by the methods of mass microelectronic technology, which ensures high repeatability of their tensoelectric characteristics and low cost. The assembly of pressure sensors does not provide for the use of microelectronic technology. Firms - manufacturers of pressure sensors, use sensitive elements as ordinary components of electronic equipment. The assembly of the sensor includes a mechanical connection of the element with the housing, an electrical connection of the electrodes of the element with the electrical leads of the housing, filling the cavity with compression fluid and its sealing.
Известен чувствительный элемент датчика давления, содержащий кремниевую профилированную мембрану с полупроводниковыми тензорезисторами на ее поверхности, соединенную по периферии через стеклянную пластину со штуцером, и проволочные электроды, соединенные микропроволоками с тензорезисторами [1]. Штуцер предназначен для крепления элемента к корпусу датчика, а проволочные электроды для соединения тензорезисторов с электровыводами корпуса. A known element of the pressure sensor containing a silicon profiled membrane with semiconductor strain gages on its surface, connected at the periphery through a glass plate with a fitting, and wire electrodes connected by microwires to strain gauges [1]. The fitting is designed to mount the element to the sensor housing, and wire electrodes for connecting strain gauges to the electrical leads of the housing.
Действующее давление изгибает мембрану, сопротивления тензорезисторов изменяются, по данным изменениям судят о величине давления. The current pressure bends the membrane, the resistance of the strain gauges changes, according to these changes, the pressure value is judged.
Недостатком элементов [1] является узкий диапазон измерения давлений, обусловленный тем, что заданному диапазону измерения отвечает оптимальная жесткость мембраны. Превышение верхнего предела данного диапазона чревато необратимой деформацией, либо разрушением мембраны из-за больших деформаций сдвига, а снижение влечет за собой рост температурных погрешностей. Для измерения давлений широкого диапазона требуется привлечение большой номенклатуры чувствительных элементов с различной жесткостью мембран. The disadvantage of the elements [1] is a narrow range of pressure measurements, due to the fact that the specified membrane range corresponds to the optimal rigidity of the membrane. Exceeding the upper limit of this range is fraught with irreversible deformation or destruction of the membrane due to large shear deformations, and a decrease entails an increase in temperature errors. To measure a wide range of pressures, a large assortment of sensitive elements with different membrane stiffnesses is required.
Известен чувствительный элемент датчика давления [2], содержащий полуизолирующий кристалл арсенида галлия с чувствительным к всестороннему сжатию пленочным резистором из твердого раствора AlGaAs (барорезистором) на его поверхности и омическими контактами к барорезистору, выполняющими одновременно роль электродов. При действии давления сопротивление барорезистора изменяется, по данному изменению судят о величине давления. Чувствительный элемент [2] предназначен для размещения в компрессионной жидкости датчика, что позволяет применять его одновременно как для измерения малых давлений (единицы мегапаскалей), так и высоких давлений (сотни мегапаскалей). Возможность измерения малых давлений обеспечивается высокой чувствительностью сопротивления AlGaAs к давлению, а высоких давлений - всесторонностью сжатия кристалла компрессионной жидкостью, когда отсутствуют разрушающие твердое тело сдвиговые деформации. Таким образом, на базе элемента [2] может быть создан датчик давления, обладающий широким диапазоном измерений. A known element of the pressure sensor [2], containing a semi-insulating crystal of gallium arsenide with a film resistor sensitive to all-round compression from an AlGaAs solid solution (bar resistor) on its surface and ohmic contacts to the bar resistor, acting simultaneously as electrodes. Under the action of pressure, the resistance of the bar resistor changes; according to this change, the pressure value is judged. The sensitive element [2] is designed to be placed in the compression fluid of the sensor, which allows it to be used both for measuring low pressures (units of megapascals) and high pressures (hundreds of megapascals). The possibility of measuring low pressures is ensured by the high sensitivity of AlGaAs resistance to pressure, and high pressures by the comprehensive compression of the crystal by a compression fluid, when there are no shear deformations that destroy the solid. Thus, on the basis of the element [2], a pressure sensor can be created with a wide range of measurements.
Недостатком элемента [2] является неудобство его монтажа в корпус датчика. Дело в том, что кристалл для обеспечения всесторонности сжатия должен быть со всех сторон окружен компрессионной жидкостью. Недопустима его пайка (приклеивание) к элементам конструкции корпуса. Кристалл может удерживаться в компрессионной жидкости только микропроволоками, соединяющими омические контакты барорезистора (электроды чувствительного элемента) с электровыводами датчика. Для достижения удовлетворительной вибростойкости датчика длина микропроволок должна быть малой - сравнимой с их диаметром. Последнее условие может быть реализовано только с привлечением к монтажу элемента в корпус датчика оборудования и операций микроэлектронной технологии. При этом, разварка кристалла в подвешенном состоянии на короткие микропроволоки выходит за рамки планарной технологии, а следовательно является малопроизводительной, дорогой и неудобной. The disadvantage of the element [2] is the inconvenience of its installation in the sensor housing. The fact is that the crystal must be surrounded on all sides by compression fluid to ensure full compression. It is unacceptable to solder (gluing) to the structural elements of the body. The crystal can be held in the compression fluid only by microwires connecting the ohmic contacts of the bar resistor (electrodes of the sensing element) to the sensor electrical outputs. To achieve satisfactory vibration resistance of the sensor, the length of the microwires should be small - comparable to their diameter. The last condition can be realized only with the involvement of equipment and microelectronic technology operations in mounting the element in the sensor housing. At the same time, the freezing of the crystal in a suspended state on short microwires is beyond the scope of planar technology, and therefore is inefficient, expensive and inconvenient.
Наиболее близким техническим решением, выбранным в качестве прототипа, является чувствительный элемент датчика давления [3]. Данный элемент содержит полупроводниковый кристалл, на поверхности которого размещены два чувствительных к всестороннему сжатию пленочных резистора (барорезистора), снабженных омическими контактами. При действии давления сопротивления барорезисторов изменяются, по данным изменениям судят о величине давления. The closest technical solution, selected as a prototype, is a sensitive element of the pressure sensor [3]. This element contains a semiconductor crystal, on the surface of which there are two film resistors (bar resistors) sensitive to full compression, equipped with ohmic contacts. Under the action of pressure, the resistance of the baroresistors changes, according to these changes, the pressure value is judged.
Наличие двух барорезисторов расширяет возможности применения чувствительного элемента. Например, данные резисторы могут быть выполнены с различающейся друг от друга чувствительностью их сопротивлений к давлению и температуре (как это сделано в примере конкретного исполнения элемента [3]). В этом случае по изменению сопротивлений обоих барорезисторов можно определять как действующее давление, так и температуру. Кроме того, при изготовлении датчика давления легко может быть сформирован барочувствительный мост Уитстона, если вне полости корпуса датчика разместить второй чувствительный элемент с барорезисторами, аналогичными внутриполостным, и соединить четыре барорезистора с электровыводами корпуса так, чтобы внутриполостные барорезисторы оказались включенными в противоположные плечи моста. The presence of two baroresistors expands the possibilities of using a sensitive element. For example, these resistors can be made with a different sensitivity of their resistances to pressure and temperature (as is done in the example of a specific embodiment of an element [3]). In this case, the change in the resistances of both baroresistors can determine both the effective pressure and temperature. In addition, when manufacturing a pressure sensor, a Wheatstone pressure-sensitive bridge can easily be formed if a second sensitive element is placed outside the sensor body cavity with bar resistors similar to intracavitary and four bar resistors are connected to the electrical leads of the casing so that the intracavitary bar resistors are included in the opposite shoulders of the bridge.
Основной недостаток элемента [3] такой же, как у элемента [2], а именно, неудобство его монтажа в корпус датчика. Для обеспечения всесторонности сжатия кристалла в датчике он должен быть со всех сторон окружен компрессионной жидкостью, что не допускает пайку (приклеивание) чувствительного элемента к корпусу. Кристалл может удерживаться в компрессионной жидкости только микропроволоками, соединяющими омические контакты барорезисторов (которые выполняют одновременно роль электродов чувствительного элемента) с электровыводами датчика. Для достижения удовлетворительной вибростойкости датчика давления длина данных микропроволок, должна быть малой - сравнимой с их диаметром. Последнее условие практически достижимо только, если при монтаже чувствительного элемента в корпус датчика используется оборудование и приемы микроэлектронной технологии. Причем разварка кристалла в подвешенном состоянии на короткие микропроволоки выходит за рамки планарной технологии, а следовательно является малопроизводительной, дорогой и неудобной. The main disadvantage of the element [3] is the same as that of the element [2], namely, the inconvenience of its installation in the sensor housing. To ensure comprehensive compression of the crystal in the sensor, it must be surrounded on all sides by a compression fluid, which does not allow soldering (gluing) of the sensitive element to the housing. The crystal can be retained in the compression fluid only by microwires connecting the ohmic contacts of the baroresistors (which simultaneously serve as the electrodes of the sensing element) to the sensor electrical outputs. To achieve satisfactory vibration resistance of the pressure sensor, the length of these microwires should be small - comparable to their diameter. The latter condition is practically achievable only if the equipment and microelectronic technology are used when mounting the sensitive element in the sensor housing. Moreover, the freezing of the crystal in a suspended state on short microwires is beyond the scope of planar technology, and therefore is inefficient, expensive and inconvenient.
Соединение чувствительного элемента [3] с корпусом приводит к тому, что при действии давления возникает направленная сила, прижимающая кристалл к стенке корпуса. Эта сила при больших давлениях способна вызвать микропластические деформации в кристалле, что приведет к выходу элемента из строя. Кроме того, при изменениях температуры из-за различий в коэффициентах температурного расширения материала корпуса датчика и кристалла в последнем возникают термомеханические напряжения. Эти напряжения изменяют сопротивления барорезисторов, что приводит к дополнительной температурной погрешности измерения. Таким образом, крепление элемента [3] к корпусу датчика не обеспечивает высокой надежности и точности измерения давлений. The connection of the sensing element [3] with the housing leads to the fact that under the action of pressure, a directed force arises, pressing the crystal against the wall of the housing. This force at high pressures can cause microplastic deformations in the crystal, which will lead to the failure of the element. In addition, with temperature changes due to differences in the coefficients of thermal expansion of the material of the sensor housing and the crystal, thermomechanical stresses arise in the latter. These voltages change the resistance of the baroresistors, which leads to additional temperature measurement error. Thus, the fastening of the element [3] to the sensor housing does not provide high reliability and accuracy of pressure measurements.
Задачей предлагаемого изобретения является обеспечение удобства монтажа чувствительного элемента в корпус датчика давления. The task of the invention is to provide ease of installation of the sensing element in the housing of the pressure sensor.
В предлагаемом изобретении чувствительный элемент датчика давления содержит полупроводниковый кристалл, на поверхности которого размещены два чувствительных к всестороннему сжатию пленочных резистора (барорезистора), снабженных омическими контактами, который в отличие от прототипа дополнительно снабжен керамической пластиной, на периферийной части поверхности которой сформированы электроды в виде контактных площадок, а в центральной - выемка, в которой размещен кристалл, при этом омические контакты барорезисторов посредством микропроволок и проводящих дорожек печатного монтажа, выполненных на поверхности пластины, соединены с вышеуказанными электродами. In the present invention, the pressure sensor sensing element contains a semiconductor crystal, on the surface of which there are two film-sensitive resistors (bar resistors) sensitive to full compression, equipped with ohmic contacts, which, unlike the prototype, is additionally equipped with a ceramic plate, on the peripheral part of the surface of which electrodes are formed in the form of contact platforms, and in the central - a recess in which the crystal is placed, while the ohmic contacts of the baroresistors by means of micro cords and conductive tracks of printed wiring made on the surface of the plate are connected to the above electrodes.
Предложенная конструкция чувствительного элемента удобна для монтажа в корпус датчика, поскольку керамическая пластина может быть закреплена в датчике приклейкой (пайкой) тыльной стороной к стенке корпуса, а соединение элемента с электровыводами датчика может выполняться пайкой последних с помощью паяльника к контактным площадкам керамической пластины. В смонтированном таким образом элементе кристалл оказывается окруженным компрессионной жидкостью, заполняющей зазоры между стенками выемки и поверхностью кристалла, и подвергается всестороннему сжатию, что исключает возникновение в нем при давлении анизотропных напряжений. Керамическая пластина благодаря высокой прочности на сжатие способна, в отличие от полупроводникового кристалла, выдерживать высокие давления без микроразрушений в приклеенном (припаянном) к стенке корпуса датчика состоянии. The proposed design of the sensitive element is convenient for installation in the sensor housing, since the ceramic plate can be fixed to the sensor by gluing (soldering) the back side to the wall of the housing, and the element can be connected to the sensor electrical outputs by soldering the latter with a soldering iron to the contact areas of the ceramic plate. In the element mounted in this way, the crystal is surrounded by a compression fluid that fills the gaps between the walls of the recess and the surface of the crystal and undergoes comprehensive compression, which eliminates the occurrence of anisotropic stresses in it under pressure. Due to its high compressive strength, a ceramic plate is able, unlike a semiconductor crystal, to withstand high pressures without microdestruction in a state glued (soldered) to the wall of the sensor housing.
Ортогональность ориентаций соседних микропроволок обеспечивает снижение термомеханических напряжений в кристалле, обусловленных различием коэффициентов температурного расширения керамики и кристалла, поскольку действие термомеханической силы сжатия (растяжения) на кристалл со стороны каждой микропроволоки в значительной степени компенсируется изгибом сопряженной микропроволоки и микроповоротом кристалла в окне. The orthogonality of the orientations of adjacent microwires provides a reduction in thermomechanical stresses in the crystal due to the difference in the coefficients of thermal expansion of ceramics and crystals, since the action of the thermomechanical compressive (tensile) forces on the crystal from each microwire is largely compensated by the bending of the conjugated microwire and the microturn of the crystal in the window.
В предложенном элементе кристалл методами микроэлектронной технологии фиксируется в выемке микропроволаками, соединяющими барорезисторы с прилегающими к выемке участками дорожек печатного монтажа на поверхности пластины. Высокая точность задания и поддержания размеров кристалла, выемки и мест приварки микропроволок, присущая микроэлектронной технологии, обеспечивает возможность размещения кристалла в выемке с малыми зазорами и фиксации кристалла короткими микропроволоками. In the proposed element, the crystal is fixed by microelectronic technology in the recess by microwires connecting the baroresistors with the sections of the printed circuit tracks adjacent to the recess on the plate surface. The high accuracy of specifying and maintaining the size of the crystal, the recesses and the places of welding of microwires, inherent in microelectronic technology, makes it possible to place the crystal in the recess with small gaps and fix the crystal with short microwires.
Достигаемая при этом жесткость микропроволок и тонкий слой компрессионной жидкости в зазорах препятствуют заметным перемещениям кристалла при воздействии вибраций и ударов, что обеспечивает высокую стойкость элемента к воздействию механических факторов. The achieved stiffness of microwires and a thin layer of compression fluid in the gaps prevent noticeable crystal movements when exposed to vibrations and shocks, which ensures high resistance of the element to mechanical factors.
При высокой теплопроводности керамики (нитрид бора, оксид алюминия, поликор и др. ), узких зазорах между стенками выемки и кристаллом, а также при соединении керамической пластины с корпусом датчика тонким теплопроводным слоем клея (припоя) обеспечивается быстрый обмен теплом между кристаллом и корпусом, что позволяет снизить адиабатическую погрешность. With high thermal conductivity of ceramics (boron nitride, alumina, polycorr, etc.), narrow gaps between the walls of the recess and the crystal, as well as when connecting the ceramic plate to the sensor body with a thin heat-conducting layer of glue (solder), a quick heat exchange between the crystal and the body is ensured, which reduces the adiabatic error.
Высокое электрическое сопротивление керамики обеспечивает отличную гальваническую развязку между резисторами и корпусом, что способствует повышенной стойкости датчика давления к внешним электрическим воздействиям. The high electrical resistance of the ceramics provides excellent galvanic isolation between the resistors and the housing, which contributes to the increased resistance of the pressure sensor to external electrical influences.
На фиг. 1 изображен предлагаемый чувствительный элемент - вид сверху и в сечении А - А. In FIG. 1 shows the proposed sensitive element is a top view and section A - A.
На фиг. 2 представлен вариант датчика давления с предлагаемыми чувствительными элементами. In FIG. 2 shows a variant of a pressure sensor with the proposed sensitive elements.
Чувствительный элемент, представленный на фиг. 1, содержит поликоровую пластину 1 размерами 5 x 5 x 0,5 мм. В центре пластины ультразвуковой вырубкой сформирована выемка размерами 1,5±0,02 мм на 1,3±0,02 мм и глубиной 0,33±0,02 мм. На лицевой поверхности пластины выполнены четыре никелевых дорожки 2 и золотые контактные площадки 3 на периферийных угловых участках поверхности. В выемке размещен кристалл 4, вырезанный из технологической подложки полуизолирующего арсенида галлия толщиной 0,30±0,01 мм лазерным скрайбером и имеющий размеры 1,4±0,02 мм на 1,2±0,02 мм. Выбранные размеры кристалла и выемки обеспечивают размещение первого во второй с малыми зазорами. На поверхности кристалла сформированы два пленочных полосковых барорезистора 5 из твердого раствора Al0,3Ga0,7As с омическими контактами 6 из эвтектического сплава GeNiAu. Омические контакты 6 и дорожки 2 соединены золотыми микропроволоками 7 диаметром 0,1 мм. Длина микропроволок 7 от мест сварки составляет 0,2-0,3 мм, а каждая микропроволока ортогональна двум соседним микропроволокам.The sensing element shown in FIG. 1, contains a
Датчик давления, представленный на фиг. 2, содержит цилиндрический стальной корпус 8 с полостью, ограниченной плоской перегородкой 9 и разделительной мембраной из тонкой нержавеющей стали 10, с внешней стороны которой действует измеряемое давление. В перегородке корпуса сформированы четыре металлостеклянных гермоввода 11 с изолированными коваровыми электровыводами 12 диаметром 0,3 мм. Полость заполнена полиэтилсилаксановой жидкостью 13. К перегородке 9 посредством тонких слоев галлиевого припоя с медным порошком присоединены поликоровые пластины 1 первого и второго чувствительных элементов, при этом пластина 1 первого элемента припаяна к внутриполостной поверхности перегородки 9, а пластина 1 второго элемента - к внешней поверхности перегородки 9. Электровыводы 12 припаяны к контактным площадкам 3 чувствительных элементов так, что четыре барорезистора 5 образуют мост Уитстона, причем внутриполостные барорезисторы 5 оказываются включенными в противоположные плечи моста. С целью обеспечения малого разбаланса моста и малой зависимости разбаланса от температуры, чувствительные элементы для датчика предварительно подобраны по номиналам и температурным коэффициентам сопротивлений барорезисторов 5. Проводники 14 предназначены для соединения моста с электронной аппаратурой. Измеряемое давление через разделительную мембрану 10 передается на компрессионную жидкость 13. Компрессионная жидкость 13 всесторонне сжимает кристалл 4 первого чувствительного элемента. Сжатие кристалла приводит к изменению сопротивлений внутриполостных барорезисторов 5. Возникающий разбаланс моста несет информацию о величине давления. The pressure sensor shown in FIG. 2, comprises a
Представительная выборка датчиков (фиг. 2) испытывалась на длительное воздействие статического давления 200 МПа и на воздействие 30000 циклов пульсирующего давления амплитудой 80 МПа. В пределах погрешности измерения ≈ 0,05% не замечено гистерезисных и необратимых эффектов в зависимости от напряжений разбаланса мостов от давления. Этот результат позволяет заключить, что предложенное исполнение чувствительного элемента обеспечивает всесторонность сжатия кристалла арсенида галлия в полости датчика. Выполненное нами многократное термоциклирование (сотни циклов от минус 50 до +120oC) представительной выборки датчиков (фиг. 2) не приводит к значимым необратимым изменениям исходных разбалансов мостов и появлению гистерезисных явлений, что говорит об отсутствии в кристаллах чувствительных элементов заметных термомеханических напряжений.A representative sample of sensors (Fig. 2) was tested for a long-term exposure to a static pressure of 200 MPa and for 30,000 cycles of pulsating pressure with an amplitude of 80 MPa. Within the measurement error of ≈ 0.05%, hysteresis and irreversible effects were not observed depending on the pressure of the unbalance of the bridges. This result allows us to conclude that the proposed design of the sensitive element provides comprehensive compression of the gallium arsenide crystal in the sensor cavity. Our repeated thermal cycling (hundreds of cycles from minus 50 to +120 o C) of a representative sample of sensors (Fig. 2) does not lead to significant irreversible changes in the initial unbalance of the bridges and the appearance of hysteresis phenomena, which indicates the absence of noticeable thermomechanical stresses in the crystals of the sensitive elements.
Резонансная частота f колебаний кристалла (масса) на проволочных электровыводах (пружинах) может быть определена формулой [4]
где E - модуль Юнга золота (80 ГПа), R - радиус проволочки (5•10-5 м), m - масса кристалла (3,6•10-6 кг), l - длина проволочки от мест сварки (l<3•10-4 м).The resonant frequency f of the crystal oscillations (mass) at the wire electrical outputs (springs) can be determined by the formula [4]
where E is the Young's modulus of gold (80 GPa), R is the radius of the wire (5 • 10 -5 m), m is the mass of the crystal (3.6 • 10 -6 kg), l is the length of the wire from the welding sites (l <3 • 10 -4 m).
Подстановка численных значений в формулу дает f > 30 кГц. Substitution of numerical values in the formula gives f> 30 kHz.
Предельно допустимое для элемента ускорение "a", определяемое соотношением a = πR2G/m, где G - предел прочности золота на разрыв (G≈100 МПа), составляет a≈ 2•105 м• сек-2.The acceleration "a", which is maximum permissible for the element, determined by the ratio a = πR 2 G / m, where G is the tensile strength of gold (G≈100 MPa), is a≈ 2 • 10 5 m • sec -2 .
Приведенные расчеты подтверждают высокую стойкость датчика к механическим факторам. The above calculations confirm the high resistance of the sensor to mechanical factors.
Производство опытных образцов датчиков подтвердило возможность изготовления на основе предлагаемого изобретения удобных в монтаже чувствительных элементов. Результаты испытаний и расчеты показали высокую надежность и точность датчиков в широком диапазоне измерения давлений. The production of prototype sensors confirmed the possibility of manufacturing sensors that are convenient for installation on the basis of the invention. Test results and calculations showed high reliability and accuracy of sensors in a wide range of pressure measurements.
Все технологические операции по изготовлению кристаллов с барорезисторами и пластин с выемкой, дорожками и электродами являются групповыми (одновременно могут изготавливаться сотни изделий на единых технологических подложках керамики и арсенида галлия). Технологические операции размещения кристаллов в выемках и разварки микропроволок поддаются полной автоматизации. All technological operations for the manufacture of crystals with baroresistors and plates with a recess, paths and electrodes are group operations (hundreds of products can be manufactured on the same technological substrates of ceramics and gallium arsenide at the same time). The technological operations of placing crystals in the recesses and the unwinding of microwires are fully automated.
Источники информации, использованные при составлении описания изобретения
1. Авт. свид. СССР N 1464055, G 01 L 9/04, опубл. 07.03.89, бюл. N 9.Sources of information used in the preparation of the description of the invention
1. Auth. testimonial. USSR N 1464055, G 01
2. Авт. свид. СССР N 1569616, G 01 L 9/06, опубл. 07.06.90, бюл. N 21. 2. Auth. testimonial. USSR N 1569616, G 01
3. Заявка ЕПВ N 0335793, G 01 L 9/00, опубл. 04.10.89. 3. Application EPO N 0335793, G 01
4. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости. - М.: Наука, 1965.2 4. L.D. Landau, E.M. Lifshits. Theory of elasticity. - M .: Nauka, 1965.2
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98104529A RU2141103C1 (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Sensing element of pressure transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU98104529A RU2141103C1 (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Sensing element of pressure transducer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2141103C1 true RU2141103C1 (en) | 1999-11-10 |
Family
ID=20203273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98104529A RU2141103C1 (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Sensing element of pressure transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2141103C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2452929C2 (en) * | 2006-04-25 | 2012-06-10 | Роузмаунт, Инк. | Pressure sensor made from sintered ceramic, having shape close to given shape |
-
1998
- 1998-03-12 RU RU98104529A patent/RU2141103C1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2452929C2 (en) * | 2006-04-25 | 2012-06-10 | Роузмаунт, Инк. | Pressure sensor made from sintered ceramic, having shape close to given shape |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4675643A (en) | Pressure transducer utilizing a transduction element | |
| US5412994A (en) | Offset pressure sensor | |
| CN107445133B (en) | Compact load cell device with low sensitivity to thermo-mechanical package stress | |
| EP2189773B1 (en) | Design of wet/wet differential pressure sensor based on microelectronic packaging process | |
| EP2316008B1 (en) | Sensor device packaging and corresponding method | |
| US6592253B2 (en) | Precision temperature probe having fast response | |
| US10768069B2 (en) | Pressure measuring device for protection of pressure sensor from thermomechanical stress | |
| EP1485692B1 (en) | Pressure monitor incorporating saw device | |
| JP3259096B2 (en) | Fluid isolation self-compensating absolute pressure sensor and sensor capsule | |
| EP0491506B1 (en) | Accelerometer and method of making | |
| US10969287B2 (en) | Filling body for reducing a volume of a pressure measurement chamber | |
| JP2001527210A (en) | Universal media package for pressure sensing devices | |
| US5264820A (en) | Diaphragm mounting system for a pressure transducer | |
| US4926155A (en) | Integrated circuit silicon pressure transducer package | |
| EP2617677B1 (en) | Structure for isolating a microstructure die from packaging stress | |
| US3995247A (en) | Transducers employing gap-bridging shim members | |
| RU2141103C1 (en) | Sensing element of pressure transducer | |
| EP1634046B1 (en) | Pressure sensor with integrated structure | |
| RU2711183C1 (en) | Strain gauge for measuring load on axis of cargo vehicle and system for measuring load on axis of cargo vehicle | |
| US3913391A (en) | Strain gage configurations employing high di-electric strength and efficient strain transmission | |
| US3742418A (en) | Electromechanical deflection sensing device | |
| US11226249B2 (en) | Pressure measuring device having a footprint of a first joint area of a support body | |
| US5821595A (en) | Carrier structure for transducers | |
| JPH109979A (en) | Type pressure detector | |
| RU44384U1 (en) | SEMICONDUCTOR SENSITIVE PRESSURE SENSOR ELEMENT |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100313 |