RU2076379C1 - Manufacturing process for thin-film electroluminescence display - Google Patents

Manufacturing process for thin-film electroluminescence display Download PDF

Info

Publication number
RU2076379C1
RU2076379C1 RU93031407A RU93031407A RU2076379C1 RU 2076379 C1 RU2076379 C1 RU 2076379C1 RU 93031407 A RU93031407 A RU 93031407A RU 93031407 A RU93031407 A RU 93031407A RU 2076379 C1 RU2076379 C1 RU 2076379C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transparent
dielectric
electroluminescent
indicator
layers
Prior art date
Application number
RU93031407A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU93031407A (en
Inventor
И.Ю. Бригаднов
М.К. Самохвалов
Original Assignee
Ульяновский государственный технический университет
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ульяновский государственный технический университет filed Critical Ульяновский государственный технический университет
Priority to RU93031407A priority Critical patent/RU2076379C1/en
Publication of RU93031407A publication Critical patent/RU93031407A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2076379C1 publication Critical patent/RU2076379C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

FIELD: electroluminescence displays. SUBSTANCE: manufacturing process involves making depressions in transparent insulating substrate by photolithographic method to follow configuration of lower electrodes followed by coating with a number of layers and photoresist involving explosion photolithography operation. EFFECT: facilitated procedure. 5 dwg

Description

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при производстве устройств отображения информации. The invention relates to the field of electronics and can be used in the manufacture of information display devices.

Заявляемое изобретение направлено на решение задачи, заключающейся в упрощении технологического процесса изготовления, повышении надежности индикатора. The claimed invention is aimed at solving the problem of simplifying the manufacturing process, increasing the reliability of the indicator.

Известен способ сглаживания поверхности электродов при изготовлении тонкопленочной электролюминесцентной индикаторной панели (Пат. 4986876 США, кл. В 44 С 1/22), состоящий из нескольких стадий: формирование однородной диэлектрической пленки по всей поверхности подложки, несущей прозрачные электроды; нанесение однородного слоя термопластичного фоторезиста; нагрев подложки до температуры размягчения фоторезиста; стравливание слоев для вскрытия прозрачных электродов. Отсутствие острых кромок у электродной структуры приводит к уменьшению вероятности возникновения дефектов при формировании следующих слоев, а также снижению напряженности электрического поля вблизи краев электродов, что позволяет повысить эффективность производства и надежность тонкопленочных электролюминесцентных дисплеев. A known method of smoothing the surface of the electrodes in the manufacture of a thin-film electroluminescent display panel (US Pat. 4986876 USA, CL 44 C 1/22), consisting of several stages: the formation of a uniform dielectric film over the entire surface of the substrate carrying transparent electrodes; applying a uniform layer of thermoplastic photoresist; heating the substrate to the softening temperature of the photoresist; etching layers for opening transparent electrodes. The absence of sharp edges in the electrode structure reduces the likelihood of defects during the formation of the following layers, as well as a decrease in the electric field near the edges of the electrodes, which improves the production efficiency and reliability of thin-film electroluminescent displays.

К недостаткам данного способа-аналога можно отнести усложнение технологического процесса, связанное с нанесением дополнительного диэлектрического слоя, необходимого для сглаживания поверхности электродов, и необходимостью дополнительной операции очистки подложки после проведения выравнивания рельефа перед нанесением тонкопленочных слоев электролюминесцентной структуры. The disadvantages of this analogue method include the complication of the technological process associated with the application of an additional dielectric layer, necessary to smooth the surface of the electrodes, and the need for an additional operation of cleaning the substrate after leveling the relief before applying thin-film layers of an electroluminescent structure.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является выбранный в качестве прототипа способ изготовления электролюминесцентных индикаторов, при котором одним из методов (напылением через теневую маску, "взрывной" литографией, сухим или жидкостным травлением через фоторезист или металлическую маску) изготавливают рисунок люминофорных областей, а диэлектрические слои выполняют сплошными (Мануэль Т. Ожидаемый выпуск полноцветного электролюминесцентного индикатора. Электроника, N 11, 1987. с. 30-32). The closest in technical essence to the claimed invention is a method of manufacturing electroluminescent indicators selected as a prototype, in which one of the methods (by spraying through a shadow mask, "explosive" lithography, dry or liquid etching through a photoresist or metal mask) produces a pattern of phosphor regions, and the dielectric layers are continuous (Manuel T. Expected release of a full-color electroluminescent indicator. Electronics, N 11, 1987. S. 30-32).

У прототипа и заявляемого изобретения имеются следующие сходные существенные признаки: способы предназначены для изготовления тонкопленочных индикаторов на основе электролюминесцентного конденсатора со структурой прозрачный электрод-диэлектрик-люминофор-диэлектрик-металл, использованы сходные технологические процессы при нанесении тонкопленочных слоев. The prototype and the claimed invention have the following similar essential features: the methods are intended for the manufacture of thin-film indicators based on an electroluminescent capacitor with a transparent electrode-dielectric-phosphor-dielectric-metal structure, similar processes were used when applying thin-film layers.

Недостатками процесса являются снижение надежности индикатора и сложность технологического процесса изготовления. The disadvantages of the process are the decrease in reliability of the indicator and the complexity of the manufacturing process.

Недостатком метода нанесения люминофорных областей через маску можно считать его невысокую разрешающую способность по сравнению с литографическими методами. В свою очередь использование литографических методов для получения люминофорных методов для получения люминофорных областей требует обработки нанесенного слоя люминофора химическим или иным способом, что повышает дефектность этого слоя, снижает надежность всего устройства. The disadvantage of the method of applying phosphor regions through a mask is its low resolution compared to lithographic methods. In turn, the use of lithographic methods to obtain phosphor methods for obtaining phosphor regions requires processing the applied phosphor layer by a chemical or other method, which increases the defectiveness of this layer, reduces the reliability of the entire device.

Существенными недостатками данного способа-прототипа можно считать разрыв технологического процесса последовательного нанесения диэлектрических и люминесцентных слоев для создания люминофорных областей, что приводит к увеличению вероятности загрязнения слоев и снижению надежности индикатора и необходимости точного совмещения люминофорных областей и электродов, что вызывает усложнение технологического процесса изготовления индикатора. Significant disadvantages of this prototype method can be considered the breakdown of the technological process of sequential deposition of dielectric and luminescent layers to create phosphor regions, which leads to an increase in the likelihood of layer contamination and a decrease in indicator reliability and the need for precise combination of phosphor regions and electrodes, which complicates the indicator manufacturing process.

Кроме того, данным способом-прототипом не предусматривается выравнивание поверхности электродов и получаемые таким образом излучатели имеют ступенчатую структуру, в то время как наличие резких ступенек на краях прозрачных электродов в значительной мере обуславливает недостаточную эффективность производства и надежность тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов (Пат. США 4986876, кл. В 44 С 1\22). In addition, this prototype method does not provide for leveling the surface of the electrodes and the emitters thus obtained have a stepped structure, while the presence of sharp steps at the edges of transparent electrodes largely determines the insufficient production efficiency and reliability of thin-film electroluminescent indicators (US Pat. No. 4,986,876, C. B 44 C 1 \ 22).

Цель изобретения упрощение технологического процесса изготовления, повышение надежности тонкопленочного электролюминесцентного индикатора за счет использования более простой технологической оснастки, улучшения качества тонкопленочной структуры. The purpose of the invention is the simplification of the manufacturing process, increasing the reliability of a thin-film electroluminescent indicator through the use of simpler technological equipment, improving the quality of the thin-film structure.

Для достижения поставленной цели в соответствии с заявляемым способом изготовления электролюминесцентного индикатора в диэлектрической прозрачной подложке методом фотолитографии выполняют углубления на глубину равную суммарной толщине нижнего электрода, прозрачного первого диэлектрического, электролюминесцентного, прозрачного второго диэлектрического слоев. Конфигурация этих углублений соответствует конфигурации нижних электродов. После выполнения углублений на всю поверхность подложки наносят первый проводящий слой. Участки первого проводящего слоя, осадившиеся в углублениях прозрачной диэлектрической подложки, являются нижними электродами. Затем на рабочее поле индикатора через рамку последовательно наносят прозрачный первый диэлектрический, электролюминесцентный, прозрачный второй диэлектрические слои. При этом на закрытые рамкой участки нижних электродов, находящихся вне рабочего поля индикатора, осаждение диэлектрических и люминесцентного слоев не производится. После нанесения второго прозрачного диэлектрического слоя производят удаление слоя фоторезиста, остающегося после выполнения углублений в прозрачной диэлектрической подложке. Вместе со слоем фоторезиста удаляются и все осажденные на него слои. Таким образом, нанесенная структура на рабочем поле индикатора остается в углублениях прозрачной диэлектрической подложки заподлицо с ней, а на периферии подложки в углублениях расположены полученные после удаления фоторезиста открытые участки первого проводящего слоя, используемые для контактирования к нижним электродам. После такой "взрывной" фотолитографии наносят второй проводящий слой, из которого формируют верхние электроды и контактные площадки. Затем осуществляют герметизацию индикатора с помощью прозрачного защитного диэлектрического слоя. To achieve this goal in accordance with the claimed method of manufacturing an electroluminescent indicator in a dielectric transparent substrate by photolithography, recesses are made to a depth equal to the total thickness of the lower electrode, the transparent first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers. The configuration of these recesses corresponds to the configuration of the lower electrodes. After completing the recesses, a first conductive layer is applied to the entire surface of the substrate. The portions of the first conductive layer deposited in the recesses of the transparent dielectric substrate are the lower electrodes. Then, the transparent first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers are successively applied to the working field of the indicator through the frame. At the same time, the dielectric and luminescent layers are not deposited onto the areas of the lower electrodes that are outside the working field of the indicator, which are closed by the frame. After applying the second transparent dielectric layer, the photoresist layer remaining after depressions in the transparent dielectric substrate is removed. Together with the photoresist layer, all layers deposited on it are also removed. Thus, the deposited structure on the working field of the indicator remains flush with the recesses of the transparent dielectric substrate, and on the periphery of the substrate in the recesses are located the open areas of the first conductive layer obtained after photoresist removal and used to contact the lower electrodes. After such an "explosive" photolithography, a second conductive layer is applied, from which the upper electrodes and contact pads are formed. Then, the indicator is sealed with a transparent protective dielectric layer.

Для осуществления работоспособности индикатора по крайней мере один из электродов, например, нижний, выполняют прозрачным. To ensure the performance of the indicator, at least one of the electrodes, for example, the lower one, is transparent.

Предлагаемый способ позволит существенно упростить технологический процесс изготовления, повысить надежность тонкопленочного электролюминесцентного индикатора. The proposed method will significantly simplify the manufacturing process, increase the reliability of a thin-film electroluminescent indicator.

По отношению к прототипу у заявляемого изобретения имеются следующие отличительные признаки: в процессе изготовления индикатора в прозрачной диэлектрической подложке выполняют углубления на глубину равную суммарной толщине нижних электродов, прозрачного первого диэлектрического, электролюминесцентного, прозрачного второго диэлектрического слоев; слой фоторезиста, используемый для выполнения углублений в прозрачной диэлектрической подложке, удаляют после нанесения прозрачного второго диэлектрического слоя вместе с осажденными на фоторезист слоями. При этом улучшается качество электролюминесцентной структуры, используется более простая технологическая оснастка. In relation to the prototype, the claimed invention has the following distinctive features: in the process of manufacturing the indicator in a transparent dielectric substrate, recesses are made to a depth equal to the total thickness of the lower electrodes, the transparent first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers; the photoresist layer used to make recesses in the transparent dielectric substrate is removed after applying the transparent second dielectric layer together with the layers deposited on the photoresist. At the same time, the quality of the electroluminescent structure is improved, and simpler technological equipment is used.

В прототипе прозрачные электроды расположены не в углублениях прозрачной диэлектрической подложки, а на ее поверхности, рисунок люминофорных областей изготавливают одним из методов, диэлектрические слои выполняют сплошными. In the prototype, the transparent electrodes are located not in the recesses of the transparent dielectric substrate, but on its surface, the drawing of the phosphor regions is made by one of the methods, the dielectric layers are solid.

Кроме того, в предлагаемом изобретении не требуется специальной оснастки для точного совмещения люминофорных областей и электродов, так как слои просто наносят через рамку. In addition, in the present invention does not require special equipment for the exact combination of the phosphor regions and electrodes, since the layers are simply applied through the frame.

Отличительные признаки связаны с целью изобретения. Distinctive features associated with the purpose of the invention.

Использование более простой технологической оснастки приводит к упрощению технологического процесса изготовления индикатора. Улучшение качества электролюминесцентной структуры повышает надежность индикатора. The use of simpler technological equipment leads to a simplification of the manufacturing process of the indicator. Improving the quality of the electroluminescent structure increases the reliability of the indicator.

Для выполнения углублений в прозрачной диэлектрической подложке, например, стеклянной, используют травители на основе плавиковой кислоты или фтористого аммония. Требуемое время для вытравливания углублений определяется отношением требуемой глубины углублений к скорости травления стекла травителем. Глубина углублений равна суммарной толщине нижнего электрода, прозрачность первого диэлектрического, электролюминесцентного, прозрачного второго диэлектрического слоев. Данное условие приводит к тому, что нанесенная структура после удаления слоя фоторезиста будет расположена в углублениях подложки заподлицо с ней. Это позволяет получить верхние электроды ровными, следовательно, менее дефектными и более надежными. To perform depressions in a transparent dielectric substrate, for example, glass, etchants based on hydrofluoric acid or ammonium fluoride are used. The required time for etching the recesses is determined by the ratio of the required depth of the recesses to the etching rate of the glass with the etchant. The depth of the recesses is equal to the total thickness of the lower electrode, the transparency of the first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers. This condition leads to the fact that the applied structure after removal of the photoresist layer will be located in the recesses of the substrate flush with it. This allows you to get the upper electrodes smooth, therefore, less defective and more reliable.

Для осуществления операции взрывной фотолитографии необходимо чтобы слой фоторезиста в 2-3 раза превышал суммарную толщину нижнего электрода, прозрачного первого диэлектрического, электролюминесцентного, прозрачного второго диэлектрического слоев. Данное соотношение является необходимым условием метода "взрывной" фотолитографии (Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схемах. М. Сов. радио, 1978. 96 с.). For the operation of explosive photolithography, it is necessary that the photoresist layer is 2-3 times higher than the total thickness of the lower electrode, the transparent first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers. This ratio is a prerequisite of the method of "explosive" photolithography (Press F. F. Photolithographic methods in the technology of semiconductor devices and integrated circuits. M. Sov. Radio, 1978. 96 pp.).

Если проводить "взрывную" фотолитографию по слоям, нанесенным на ровную поверхность подложки, то при удалении фоторезиста нанесенные слои, включая электролюминесцентный, подвергаются химическому воздействию раствора, применяемого для снятия фоторезиста, что снижает качество электролюминесцентного слоя и всей структуры в целом. If we carry out "explosive" photolithography on layers deposited on a flat surface of the substrate, then when the photoresist is removed, the deposited layers, including the electroluminescent, are exposed to the chemical action of the solution used to remove the photoresist, which reduces the quality of the electroluminescent layer and the entire structure as a whole.

В нашем случае электролюминесцентный слой, находящийся в углублениях защищен от химического воздействия прозрачным вторым диэлектрическим слоем и самой подложкой, что делает электролюминесцентный слой более качественным, а всю структуру в целом более надежной. In our case, the electroluminescent layer located in the recesses is protected from chemical attack by the transparent second dielectric layer and the substrate itself, which makes the electroluminescent layer better and the whole structure more reliable.

В известных авторам источниках данный способ изготовления электролюминесцентного индикатора не обнаружен, что позволяет сделать вывод о соответствии изобретения критерию "новизна". In sources known to the authors, this method of manufacturing an electroluminescent indicator is not found, which allows us to conclude that the invention meets the criterion of "novelty."

По мнению авторов сущность заявляемого изобретения не следует для специалиста явным образом, поскольку из него не выявляется вышеуказанное влияние на технический результат повышение надежности, упрощение технологического процесса изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора совокупности признаков, которые отличают от прототипа заявляемое изобретение, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию "изобретательский уровень". According to the authors, the essence of the claimed invention does not follow explicitly for the specialist, since the above effect on the technical result does not reveal the increase in reliability, simplification of the manufacturing process of a thin-film electroluminescent indicator of the totality of features that distinguish the claimed invention from the prototype, which allows us to conclude that it the criterion of "inventive step".

Совокупность существенных признаков, характеризующих сущность изобретения, в принципе может быть многократно использована при производстве устройств отображения информации, с получением технических результатов, заключающихся в улучшении качества тонкопленочной электролюминесцентной структуры, использовании более простой технологической оснастки, обуславливающих упрощение технологического процесса изготовления, повышению надежности индикатора, что позволяет сделать вывод о соответствии изобретения критерию "промышленная применимость". The set of essential features characterizing the essence of the invention, in principle, can be repeatedly used in the production of information display devices, with obtaining technical results consisting in improving the quality of a thin-film electroluminescent structure, using simpler technological equipment, which simplify the manufacturing process, increase the reliability of the indicator, which allows to conclude that the invention meets the criterion of "industrial prim ity. "

Сущность изобретения поясняется графическими материалами. The invention is illustrated graphic materials.

На фиг. 1 и 2 показаны сечения тонкопленочного электролюминесцентного индикатора вдоль верхних и нижних электродов, соответственно; на фиг.3-5 - различные элементы индикатора на различных этапах его изготовления. Слой фоторезиста 1 и первый проводящий слой 2 показаны на фиг.3 и 4, второй проводящий слой 3 показан на фиг.5. In FIG. 1 and 2 show sections of a thin-film electroluminescent indicator along the upper and lower electrodes, respectively; figure 3-5 - various elements of the indicator at various stages of its manufacture. The photoresist layer 1 and the first conductive layer 2 are shown in FIGS. 3 and 4, the second conductive layer 3 is shown in FIG.

Заявляемый способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора может быть реализован на примере изготовления шкального индикатора. The inventive method of manufacturing a thin-film electroluminescent indicator can be implemented on the example of the manufacture of a scale indicator.

Тонкопленочный электролюминесцентный шкальный индикатор содержит прозрачную диэлектрическую подложку 4, прозрачный первый диэлектрический слой 5, электролюминесцентный слой 6, прозрачный второй диэлектрический слой 7, нижние электроды 8, верхние электроды 9, защитный диэлектрический слой 10. По крайней мере одни из электродов, например, нижние, выполнены прозрачными. The thin-film electroluminescent scale indicator comprises a transparent dielectric substrate 4, a transparent first dielectric layer 5, an electroluminescent layer 6, a transparent second dielectric layer 7, lower electrodes 8, upper electrodes 9, and a protective dielectric layer 10. At least one of the electrodes, for example, lower, made transparent.

Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора осуществляют следующим образом. A method of manufacturing a thin film electroluminescent indicator is as follows.

На прозрачную диэлектрическую подложку 4, например, стеклянную, наносят слой фоторезиста 1, например, фоторезист ФП-051Ш и методом фотолитографии в прозрачной диэлектрической подложке 4 выполняют углубления, конфигурация которых соответствует конфигурации нижних электродов 8. Глубина углублений равна суммарной толщине нижних электродов 8, прозрачного первого диэлектрического слоя 5, электролюминесцентного слоя 6, прозрачного второго диэлектрического слоя 7. Толщина слоя фоторезиста 1 в 2-3 раза превышает эту суммарную толщину. После выполнения углублений в прозрачной диэлектрической подложке 4 слой фоторезиста 1 не удаляют (фиг.3). Затем осаждают первый проводящий слой 2, выполненный, например, прозрачным из окиси индия или олова. Первый проводящий слой 2 осаждается частично на слой фоторезиста 1 и частично в углубления прозрачной диэлектрической подложки 4, причем участки первого проводящего слоя 2, осадившиеся в углублениях прозрачной диэлектрической подложки 4, являются нижними электродами 8 электролюминесцентного индикатора. Затем через рамку на рабочее поле индикатора последовательно наносят прозрачный первый диэлектрический слой 5, выполненный, например, из твердого раствора оксидов циркония и иттрия, электролюминесцентный слой 6, выполненный, например, из сульфида цинка, активированного марганцем, прозрачный второй диэлектрический слой 7, выполненный, например, также из твердого раствора оксидов циркония и иттрия (фиг.4). При этом на закрытые рамкой участки нижних электродов 8, находящиеся вне рабочего поля, осаждение слоев 5, 6, 7 не производится. On a transparent dielectric substrate 4, for example, glass, a layer of photoresist 1 is applied, for example, photoresist FP-051Sh, and depressions are made in the transparent dielectric substrate 4 by photolithography, the configuration of which corresponds to the configuration of the lower electrodes 8. The depth of the recesses is equal to the total thickness of the lower electrodes 8, transparent the first dielectric layer 5, the electroluminescent layer 6, the transparent second dielectric layer 7. The thickness of the layer of photoresist 1 is 2-3 times greater than this total thickness. After making the recesses in the transparent dielectric substrate 4, the layer of photoresist 1 is not removed (Fig.3). Then the first conductive layer 2 is deposited, made, for example, transparent of indium oxide or tin. The first conductive layer 2 is partially deposited on the photoresist layer 1 and partially in the recesses of the transparent dielectric substrate 4, and the portions of the first conductive layer 2 deposited in the recesses of the transparent dielectric substrate 4 are the lower electrodes 8 of the electroluminescent indicator. Then, through the frame, a transparent first dielectric layer 5, made, for example, of a solid solution of zirconium and yttrium oxides, an electroluminescent layer 6, made, for example, of zinc sulfide activated by manganese, is sequentially applied to the working field of the indicator, a transparent second dielectric layer 7, made, for example, also from a solid solution of zirconium and yttrium oxides (figure 4). In this case, on the areas of the lower electrodes 8, which are outside the working field, closed by the frame, the deposition of layers 5, 6, 7 is not performed.

После этого производят удаление слоя фоторезиста 1 вместе с нанесенными на него участками тонких слоев 2, 5, 6 и 7. After this, the layer of photoresist 1 is removed along with the areas of thin layers 2, 5, 6, and 7 applied to it.

Таким образом, на рабочем поле индикатора в углублениях прозрачной диэлектрической подложки 4 расположены нижние электроды 8, прозрачный первый диэлектрический слой 5, электролюминесцентный слой 6, прозрачный второй диэлектрический слой 7, а на периферии индикатора в углублениях находятся только участки нижних электродов 8, используемые для контактирования к ним. Thus, the lower electrodes 8, the transparent first dielectric layer 5, the electroluminescent layer 6, the transparent second dielectric layer 7 are located on the working field of the indicator in the recesses of the transparent dielectric substrate 4, and only portions of the lower electrodes 8 used for contacting are located on the periphery of the indicator in the recesses to them.

После этого наносят напылением второй проводящий слой 3, выполненный, например, из алюминия и из него методом фотолитографии выполняют верхние электроды 9. Затем наносят, например, напылением или заливкой в форме защитный прозрачный диэлектрический слой 10, выполненный, например, из оптического компаунд ОП-3 или из акрила. After that, a second conductive layer 3 is applied by sputtering, made, for example, of aluminum, and the upper electrodes 9 are made from it by photolithography. Then, for example, a protective transparent dielectric layer 10 is made, for example, by sputtering or pouring, made, for example, of an optical compound OP- 3 or from acrylic.

Общий вид полученного электролюминесцентного индикатора в разрезе показан на фиг.1 и 2. A General view of the obtained electroluminescent indicator in the context shown in figures 1 and 2.

Упрощение технологического процесса изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора достигается использованием более простой технологической оснастки. В предлагаемом способе не требуется специальной оснастки для точного совмещения люминофорных областей и электродов, так как слои просто наносят через рамку. Simplification of the manufacturing process of a thin-film electroluminescent indicator is achieved by using a simpler tooling. In the proposed method, special equipment is not required for the exact combination of the phosphor regions and electrodes, since the layers are simply applied through the frame.

Увеличение надежности индикатора достигается за счет улучшения качества электролюминесцентной структуры. Повышение качества обусловлено тем, что нижние электроды 8, прозрачный первый диэлектрический слой 5, электролюминесцентный слой 6, прозрачный второй диэлектрический слой 7 расположены в углублениях прозрачной диэлектрической подложки 4 и в местах пересечения нижних электродов 8 и верхних электродов 9 электролюминесцентный слой не подвергается воздействию раствора, используемого для удаления фоторезиста 1. Полученная тонкопленочная структура не имеет резких ступенек, связанных с неровностью рельефа, что также повышает надежность индикатора. Кроме того, не происходит разрыва технологического процесса последовательного нанесения слоев 5, 6, 7, что приводит к снижению вероятности загрязнения слоев и повышает надежность индикатора. An increase in indicator reliability is achieved by improving the quality of the electroluminescent structure. The quality improvement is due to the fact that the lower electrodes 8, the transparent first dielectric layer 5, the electroluminescent layer 6, the transparent second dielectric layer 7 are located in the recesses of the transparent dielectric substrate 4 and at the intersection of the lower electrodes 8 and the upper electrodes 9, the electroluminescent layer is not exposed to the solution, used to remove the photoresist 1. The resulting thin-film structure does not have sharp steps associated with uneven terrain, which also increases the reliability of the indicator torus. In addition, there is no rupture of the technological process of sequential deposition of layers 5, 6, 7, which reduces the likelihood of contamination of the layers and increases the reliability of the indicator.

Конструкторско-технологические проработки показывают, что заявляемое изобретение может быть использовано в народном хозяйстве и в сравнении с прототипом обладает следующими преимуществами: улучшается качество тонких пленок, так как не происходит разрыва технологического процесса последовательного нанесения прозрачных диэлектрических и люминесцентного слоев; полученная структура не имеет резких ступенек, связанных с неровностью рельефа; в местах пересечения верхних и нижних электродов электролюминесцентный слой не подвергается воздействию раствора, используемого для удаления фоторезиста; не требуется точного совмещения и использования сложной технологической оснастки при формировании рисунка люминофорных областей. Design and technological studies show that the claimed invention can be used in the national economy and in comparison with the prototype has the following advantages: the quality of thin films is improved, since the technological process does not break the sequential application of transparent dielectric and luminescent layers; the resulting structure does not have sharp steps associated with uneven terrain; at the intersection of the upper and lower electrodes, the electroluminescent layer is not exposed to the solution used to remove the photoresist; precise combination and use of complex technological equipment is not required when forming the pattern of phosphor regions.

Заявляемое решение представляет значительный интерес для народного хозяйства, так как позволит обеспечить внедрение новой более простой технологии и изготавливать более надежные электролюминесцентные индикаторы. The claimed solution is of significant interest to the national economy, as it will ensure the introduction of a new simpler technology and produce more reliable electroluminescent indicators.

Заявляемое решение не оказывает отрицательного воздействия на окружающую среду. The proposed solution does not have a negative impact on the environment.

Claims (1)

Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора, заключающийся в том, что в прозрачной диэлектрической подложке методом фотолитографии выполняют углубления, конфигурация которых соответствует конфигурации нижних электродов, на всю поверхность подложки наносят первый проводящий слой, затем через рамку на рабочее поле индикатора осаждают прозрачный первый диэлектрический, электролюминесцентный, прозрачный второй диэлектрический слои, причем на закрытые рамкой участки нижних электродов, находящихся вне рабочего поля индикатора и используемых в дальнейшем для контактирования, осаждение трех данных слоев не происходит, после отжига наносят второй проводящий слой, из которого методом фотолитографии выполняют требуемую конфигурацию верхних электродов, и наносят защитный прозрачный диэлектрический слой, причем по крайней мере одни из электродов, например нижние, выполняют прозрачными, отличающийся тем, что углубление в прозрачной подложке выполняют на глубину, равную суммарной толщине нижних электродов, прозрачного первого диэлектрического, электролюминесцентного, прозрачного второго диэлектрических слоев, фоторезист выполняют толщиной в 2 3 раза больше суммарной толщины нижнего электрода, прозрачного первого диэлектрического, электролюминесцентного, прозрачного второго диэлектрических слоев, а его участки, остающиеся на прозрачной диэлектрической подложке, после выполнения в них углублений используют для "взрывной" фотолитографии и удаляют после нанесения на них прозрачного второго диэлектрического слоя вместе с нанесенными на них слоями. A method of manufacturing a thin-film electroluminescent indicator, namely, in the transparent dielectric substrate by photolithography, grooves are made, the configuration of which corresponds to the configuration of the lower electrodes, a first conductive layer is applied to the entire surface of the substrate, then a transparent first dielectric, electroluminescent, is deposited on the working field of the indicator, transparent second dielectric layers, moreover, on the frame-covered sections of the lower electrodes located outside the working of the indicator field and used hereinafter for contacting, three of these layers do not deposit, after annealing, a second conductive layer is applied, from which the required configuration of the upper electrodes is made by photolithography, and a protective transparent dielectric layer is applied, at least one of the electrodes, for example lower, perform transparent, characterized in that the recess in the transparent substrate is performed to a depth equal to the total thickness of the lower electrodes of the transparent first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers, the photoresist is 2 to 3 times thicker than the total thickness of the lower electrode, the transparent first dielectric, electroluminescent, transparent second dielectric layers, and its portions remaining on the transparent dielectric substrate, after making recesses in them, are used for "explosive" "photolithography and removed after applying to them a transparent second dielectric layer together with the deposited layers.
RU93031407A 1993-06-08 1993-06-08 Manufacturing process for thin-film electroluminescence display RU2076379C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93031407A RU2076379C1 (en) 1993-06-08 1993-06-08 Manufacturing process for thin-film electroluminescence display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93031407A RU2076379C1 (en) 1993-06-08 1993-06-08 Manufacturing process for thin-film electroluminescence display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU93031407A RU93031407A (en) 1995-11-10
RU2076379C1 true RU2076379C1 (en) 1997-03-27

Family

ID=20143342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93031407A RU2076379C1 (en) 1993-06-08 1993-06-08 Manufacturing process for thin-film electroluminescence display

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2076379C1 (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент США N 4986876, кл. B 44 C 1/22, 1991. 2. Мануэль Т. Ожидаемый выпуск полноцветного индикатора. Электроника, N 11, 1987, с.30-32. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101630640B (en) Photoresist burr edge-forming method and TFT-LCD array substrate-manufacturing method
US4670097A (en) Method for patterning transparent layers on a transparent substrate
US5163220A (en) Method of enhancing the electrical conductivity of indium-tin-oxide electrode stripes
KR101592328B1 (en) Array substrate and method of fabricating the same
US8017460B2 (en) Method of manufacturing flat panel display
US4451554A (en) Method of forming thin-film pattern
US3984300A (en) Semiconductor pattern delineation by sputter etching process
EP0188735B1 (en) Tailoring of via-hole sidewall slope in an insulating layer
RU2076379C1 (en) Manufacturing process for thin-film electroluminescence display
US3220938A (en) Oxide underlay for printed circuit components
JP3299888B2 (en) Plasma display panel and method of manufacturing the same
CN108666265A (en) A kind of thin film transistor base plate and preparation method thereof
CN108206229A (en) The production method of ITO pattern in a kind of GaN base LED
US3909094A (en) Gas panel construction
JPH0774087A (en) Mlr pattern formation
JPH032756A (en) Photomask blank and photomask
RU2143152C1 (en) Method for manufacturing thin-film electroluminescent display
KR960012270B1 (en) Forming pattern method of transparent electrode
JPS59149060A (en) Manufacture of thin-film transistor
JPH09274860A (en) Plasma display panel
JP2773243B2 (en) Method of manufacturing thin film electroluminescent device
JPH04366592A (en) Manufacture of thin film el display
JPH10107015A (en) Pattern formation
US6005260A (en) Non-linear switching element of an electro-optical display device with metallic protective layer
JPH0632299B2 (en) Method for manufacturing thin film EL panel