RU2069353C1 - Method of surface flaw detection - Google Patents
Method of surface flaw detection Download PDFInfo
- Publication number
- RU2069353C1 RU2069353C1 RU92015997A RU92015997A RU2069353C1 RU 2069353 C1 RU2069353 C1 RU 2069353C1 RU 92015997 A RU92015997 A RU 92015997A RU 92015997 A RU92015997 A RU 92015997A RU 2069353 C1 RU2069353 C1 RU 2069353C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- liquid crystal
- layer
- planar texture
- tested
- frequency
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к способам неразрушающего контроля качества поверхностей материалов и может быть использовано при производстве монокристаллических подложек устройств функциональной электроники. The invention relates to methods for non-destructive quality control of surfaces of materials and can be used in the production of single-crystal substrates of functional electronics devices.
Известны способы контроля качества поверхности материалов путем нанесения контрастирующих жидкостей и пенетрантов (1). Однако для высококлассных (с шероховатостью менее 10-2 мкм) монокристаллических поверхностей они не применимы.Known methods for controlling the surface quality of materials by applying contrasting liquids and penetrants (1). However, for high-end (with a roughness of less than 10 -2 μm) single-crystal surfaces, they are not applicable.
Неразрушающие способы исследования качества поверхности материалов, включающие нанесение на поверхность слоя жидкого кристалла (ЖК), разработаны только для некоторых прозрачных материалов, легко смачивающихся жидким кристаллом (2, 3). Применение указанных способов для дефектоскопии поверхностей других материалов практически затруднено отсутствием смачивания поверхности ЖК, а для непрозрачных материалов невозможно наблюдать поверхность в поляризованном свете, т.е. на просвет. Non-destructive methods for studying the surface quality of materials, including applying a liquid crystal (LC) layer to the surface, have been developed only for some transparent materials that are easily wetted by a liquid crystal (2, 3). The use of these methods for flaw detection of surfaces of other materials is practically difficult due to the lack of wetting of the surface of the liquid crystal, and for opaque materials it is impossible to observe the surface in polarized light, i.e. in the light.
За прототип принят способ, согласно которому поверхность силикатного стекла К8 обрабатывали тлеющим разрядом (I 120 мА, U 1,2 кВ, t 20 мин) в вакууме (10-3 мм рт.ст.) через маску в виде буквенного транспаранта, изготовленного из оргстекла (3). Изображение транспаранта, созданное на поверхности стекла с помощью тлеющего разряда, не было видно при обычных оптических наблюдениях и визуализировалось в поляризованном свете только после нанесения слоя ЖК.The method was adopted as a prototype, according to which the surface of K8 silicate glass was treated with a glow discharge (I 120 mA, U 1.2 kV, t 20 min) in vacuum (10 -3 mm Hg) through a mask in the form of a lettering banner made of plexiglass (3). The transparency image created on the surface of the glass using a glow discharge was not visible during ordinary optical observations and was visualized in polarized light only after applying an LC layer.
Указанный способ предназначен для визуализации областей поверхности, подвергшихся внешнему воздействию, например воздействию разряда, и является близким техническим решением. The specified method is intended to visualize surface areas exposed to external influences, such as discharge, and is a close technical solution.
Недостатком прототипа является узкая область его применения, включающая только прозрачные материалы, смачивающиеся ЖК. Кроме того, указанный способ предназначен для визуализации целых областей поверхности, а не отдельных ее дефектов, и, следовательно, не решает задачи дефектоскопии. The disadvantage of the prototype is the narrow scope of its application, including only transparent materials, wettable by the LCD. In addition, this method is intended to visualize entire areas of the surface, and not its individual defects, and, therefore, does not solve the problem of flaw detection.
Задача, решаемая изобретением, разработка универсального способа визуализации дефектов механической обработки и полиблочности для высококлассных поверхностей прозрачных и непрозрачных материалов, пригодного для дефектоскопии широкого круга материалов независимо от их исходной смачиваемости жидкими кристаллами. The problem solved by the invention, the development of a universal method for visualization of defects in machining and polyblockness for high-quality surfaces of transparent and opaque materials, suitable for flaw detection of a wide range of materials regardless of their initial wettability by liquid crystals.
Изложенная задача достигается созданием планарной текстуры высокого качества в слое жидкого кристалла, нанесенного на исследуемую поверхность. Искажения планарной текстуры за счет разориентации молекул ЖК вблизи дефекта дают изображение этого дефекта даже в том случае, когда он незаметен при других способах исследования. The stated problem is achieved by creating a planar texture of high quality in a layer of a liquid crystal deposited on the test surface. Distortions of the planar texture due to misorientation of the LC molecules near the defect give an image of this defect even when it is invisible with other research methods.
Ключевым моментом предлагаемого способа является обеспечение тонкого слоя ЖК на исследуемой поверхности. Как правило, из-за плохой смачиваемости ЖК собирается в капли на поверхности, а не растекается по ней тонким слоем. Для достижения хорошей смачиваемости исследуемую поверхность предварительно обрабатывают в высокочастотной плазме дугового разряда по бескатодному способу, при котором дуга возникает внутри соленоида, находящегося под колпаком в атмосфере аргона при давлении 8•10-2 10-3 мм рт.ст. Частота подаваемого на соленоид напряжения составляет 12 14 МГц, что близко к максимальным технически достижимым значениям, при этом амплитудное значение варьируется в пределах 500 600 В. Такое сочетание параметров обеспечивает реализацию очень мягкого процесса обработки поверхности, продолжительность которого не менее 6 часов.The key point of the proposed method is the provision of a thin layer of LC on the test surface. As a rule, due to poor wettability, the LC collects in droplets on the surface, and does not spread over it in a thin layer. To achieve good wettability, the test surface is pretreated in a high-frequency arc discharge plasma according to the cathode-free method, in which the arc arises inside the solenoid located under the hood in an argon atmosphere at a pressure of 8 • 10 -2 10 -3 mm Hg. The frequency of the voltage supplied to the solenoid is 12-14 MHz, which is close to the maximum technically achievable values, while the amplitude value varies within 500 600 V. This combination of parameters ensures the implementation of a very soft surface treatment process, the duration of which is at least 6 hours.
После этого на активированную поверхность наносят слой ЖК толщиной 1 мкм, закрывают покровным стеклом, нагревают до температуры, превышающей на 5
10oC температуру плавления ЖК, термостатируют образец не менее 30 мин, охлаждают до температуры мезофазы и после выдержки, необходимой для образования планарной текстуры, наблюдают последнюю в отраженном свете. Поверхности прозрачных материалов можно наблюдать и в проходящем свете. Планарная текстура дает цветное изображение поверхности, на которой видны как крупные, так и мелкие, невидимые при обычных оптических наблюдениях дефекты механической обработки (трещины, царапины, ласы, риски, сколы), точечные дефекты (пыль, грязь, выходы дислокаций), а также области, окрашенные в различные, но обычно близкие цвета, и имеющие отчетливые собственные границы, что идентифицируется с полиблочной структурой монокристалла.After this, an LC layer 1 μm thick is applied to the activated surface, closed with a coverslip, heated to a temperature exceeding 5
10 o C the melting temperature of the LC, the sample is thermostated for at least 30 minutes, cooled to the mesophase temperature and after holding, necessary for the formation of a planar texture, the latter is observed in reflected light. Surfaces of transparent materials can be observed in transmitted light. The planar texture gives a color image of the surface on which both large and small defects of the machining (cracks, scratches, mats, risks, chips), point defects (dust, dirt, dislocation outlets) are visible, as well as areas painted in different, but usually close colors, and having distinct intrinsic boundaries, which is identified with the multiblock structure of the single crystal.
Анализ заявляемого решения с известными и прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что предварительная обработка исследуемой поверхности проводится в плазме дугового, а не тлеющего разряда, не в постоянном, а в переменном электрическом поле высокой частоты при совершенно иных физических параметрах в атмосфере аргона, а не в вакууме. В предлагаемом способе обработка плазмой применяется для очистки поверхности от рекомбинировавших на ней атомов и ионов, содержащихся в окружающей воздушной среде, при этом технологическая схема и режимы процесса выбираются такими, чтобы свести к минимуму разрушающее воздействие атомов плазмообразующего газа (аргона) на обрабатываемую поверхность. An analysis of the proposed solution with the known and prototype shows that the claimed method differs from the known one in that the preliminary treatment of the test surface is carried out in an arc plasma rather than a glow discharge, not in a constant but in a high-frequency alternating electric field with completely different physical parameters in the atmosphere argon, not in a vacuum. In the proposed method, plasma treatment is used to clean the surface of the atoms and ions recombined on it contained in the surrounding air, while the technological scheme and process conditions are chosen so as to minimize the destructive effect of the atoms of the plasma-forming gas (argon) on the treated surface.
С этой целью дуговой разряд получают внутри соленоида по безкатодной схеме, а напряжение на выходе ВЧ-усилителя поддерживают на минимально достаточном для устойчивого горения разряда уровне в пределах от 500 до 600 В, что становится возможным при достижении частот в несколько десятков мегагерц. При таком мягком режиме обработки образцы, находящиеся внутри соленоида, заполненного плазмой, не разогреваются. В этом режиме активация поверхности происходит вследствие ее очистки по механизму физического распыления поверхности. При этом энергия атомов аргона достаточна для того, чтобы отбивать от поверхности рекомбинирововавшие на ней ионы, но недостаточна для того, чтобы выбивать более тяжелые атомы материала подложки. Практически толщина материала, снятого при указанном способе активации, не превышает 3 нм, что в 1000 раз меньше, чем при ионном травлении. For this purpose, an arc discharge is obtained inside the solenoid using a cathodeless circuit, and the voltage at the output of the RF amplifier is kept at a level that is minimum sufficient for stable discharge burning in the range from 500 to 600 V, which becomes possible when frequencies reach several tens of megahertz. With such a soft processing regime, the samples inside the solenoid filled with plasma do not heat up. In this mode, surface activation occurs due to its cleaning by the mechanism of physical surface spraying. In this case, the energy of argon atoms is sufficient to knock off the ions that have recombined on it from the surface, but not enough to knock out heavier atoms of the substrate material. In practice, the thickness of the material taken with the indicated activation method does not exceed 3 nm, which is 1000 times less than with ion etching.
Ионное травление является широко распространенным вариантом ионно-плазменной обработки материала. Его применение для снятия нарушенного при механической обработке поверхностного слоя описано на стр. 113. Использование катодной технологии кардинально отличает ионно-плазменное травление от способа активации поверхности высокочастотной плазмой в бескатодном дуговом разряде, использованном в предлагаемом техническом решении. Действительно, бескатодная технология реализует мягкие режимы очистки поверхности, практически не изменяя рельеф самого поверхностного слоя. Напротив, технология катодного распыления реализует режимы, при которых ионы из плазмы разряда вследствие высокого ускоряющего напряжения, приложенного к катоду, обладают высокой энергией и, бомбардируя его, эффективно распыляют материал катода образца, таким образом, происходит эффективное стравливание поверхностного слоя, достигающее обычно 2 3 мкм. Следовательно, активация поверхности в высокочастотной плазме бескатодного дугового разряда является новым технологическим приемом в способе дефектоскопии поверхности с помощью ЖК. Ion etching is a widespread variant of ion-plasma treatment of the material. Its application for removing the surface layer disturbed during machining is described on page 113. The use of cathode technology dramatically distinguishes ion-plasma etching from the method of surface activation by high-frequency plasma in a cathode-free arc discharge used in the proposed technical solution. Indeed, cathode-free technology implements soft surface cleaning modes, practically without changing the relief of the surface layer itself. On the contrary, cathodic sputtering technology implements regimes in which ions from the discharge plasma, due to the high accelerating voltage applied to the cathode, have high energy and, by bombarding it, efficiently atomize the cathode material of the sample, thus, an effective etching of the surface layer occurs, usually reaching 2 3 microns. Therefore, surface activation in a high-frequency plasma of a cathode-free arc discharge is a new technological technique in the method of surface inspection using an LC.
Известны также технические решения, в которых образец с нанесенным слоем ЖК нагревали до изотропной фазы, однако этот нагрев использовали для иных целей, а не в качестве стадии процесса формирования планарной текстуры. Например, нагрев образца с нанесенным слоем ЖК преследует цель исключить неоднородности, возникающие при нанесении слоя, и является кратковременным. Technical solutions are also known in which a sample with a layer of LC was heated to an isotropic phase, however, this heating was used for other purposes, and not as a stage in the process of forming a planar texture. For example, heating a sample with a deposited LC layer is aimed at eliminating inhomogeneities that occur during the deposition of the layer and is short-lived.
Предлагаемый нами тепловой режим отличен от известных и служит цели получения планарной текстуры высокого качества. The thermal regime we offer is different from the known ones and serves the purpose of obtaining a planar texture of high quality.
Вышеизложенное позволяет утверждать, что только заявляемая совокупность существенных признаков позволяет достигнуть результата, попытки получения которого долгое время не удавались специалистам. The above allows us to state that only the claimed combination of essential features allows us to achieve a result that specialists have not been able to obtain for a long time.
Предлагаемый способ содержит следующую последовательность операций:
исследуемую поверхность активируют в высокочастотной плазме в атмосфере аргона в режиме устойчивого дугового разряда (частота ВЧ-генератора 12 14 МГц, давление аргона 8•10-2 10-3 мм рт.ст. напряжение на выходе ВЧ-усилителя 500 600 В) в течение не менее 6 часов; более длительная активация на качество процесса не влияет и нецелесообразна из экономических соображений; активация менее 6 часов недостаточна для получения желаемого результата;
не позднее чем через 2 часа после конца активации исследуемую поверхность покрывают слоем ЖК;
большим покровным стеклом накрывают со сдвигом исследуемую поверхность, снимая с нее лишний ЖК с образованием слоя толщиной порядка 1 мкм;
образец нагревают до температуры, превышающей температуру плавления ЖК на 5 10oC, и выдерживают при этом температуре не менее 30 мин;
образец охлаждают до температуры мезофазы и выдерживают не менее 6 часов; этого времени достаточно для окончательного формирования планарной текстуры в слое ЖК;
планарную текстуру на исследуемой поверхности наблюдают в отраженном свете, в светлом поле с использованием полярофильтра, при этом свой характерный вид она сохраняет не менее 3 суток.The proposed method contains the following sequence of operations:
the studied surface is activated in a high-frequency plasma in an argon atmosphere in the mode of a stable arc discharge (frequency of the RF generator 12 14 MHz, argon pressure 8 • 10 -2 10 -3 mm Hg; voltage at the output of the RF amplifier 500 600 V) for not less than 6 hours; longer activation does not affect the quality of the process and is inexpedient for economic reasons; activation less than 6 hours is insufficient to obtain the desired result;
not later than 2 hours after the end of activation, the investigated surface is covered with a layer of LC;
a large cover glass covers the surface of the investigated surface with a shift, removing excess LC from it to form a layer with a thickness of the order of 1 μm;
the sample is heated to a temperature exceeding the melting point of the LC by 5 10 o C, and maintained at this temperature for at least 30 minutes;
the sample is cooled to the temperature of the mesophase and incubated for at least 6 hours; this time is enough for the final formation of a planar texture in the LC layer;
the planar texture on the test surface is observed in reflected light, in a bright field using a polarofilter, while it retains its characteristic appearance for at least 3 days.
Пример реализации способа. An example implementation of the method.
Для дефектоскопии монокристаллов гадолиний галлиевого граната (ГГГ), эпитаксиальных пленок железоиттриевого граната (ЖИГ) на монокристаллическом ГГГ и монокристаллов арсенида галлия в качестве ЖК был использован 4-метоксибензилиден-4-бутиланилин (МББА, он же Н-1, ТУ 6П-80-72) с температурой плавления 47oC и интервалом мезоморфности 21 47oC. Поверхности исследуемых монокристаллов активировали 6 часов в высокочастотной плазме. Для этого образец помещали в соленоид, закрывали колпаком, пространство под которым заполняли аргоном, поддерживая давление 8•10-2 10-3 мм рт.ст. На соленоид подавали переменное напряжение 500 600 В с частотой 12 14 МГц, при этих условиях внутри соленоида загорался дуговой разряд, в котором и активировали исследуемые поверхности в течение 6 часов. Через 30 50 минут после окончания активации на исследуемую поверхность наносили слой Н-1 толщиной порядка 1 мкм, защищенный покровным стеклом. Образцы нагревали до 55oC, выдерживали 30 минут, охлаждали до 28 30oC и через 12 часов наблюдали и фотографировали полученную на исследуемой поверхности планарную текстуру с помощью микроскопа в отраженном свете в светлом поле с использованием полярофильтра при увеличении микрофотоустановки 30x.For defectoscopy of gallium gallium garnet (GGG) single crystals, epitaxial films of yttrium iron garnet (YIG) on single-crystal GGG and gallium arsenide single crystals, 4-methoxybenylidene-4-butylaniline (MBBA, aka N-80, TU 6, was used as an FA 72) with a melting point of 47 o C and a mesomorphism interval of 21 47 o C. The surfaces of the studied single crystals were activated for 6 hours in high-frequency plasma. For this, the sample was placed in a solenoid, closed with a cap, the space under which was filled with argon, maintaining a pressure of 8 • 10 -2 10 -3 mm Hg. An alternating voltage of 500–600 V was applied to the solenoid with a frequency of 12–14 MHz; under these conditions, an arc discharge ignited inside the solenoid, in which the studied surfaces were activated for 6 hours. 30–50 minutes after the end of activation, an H-1 layer with a thickness of the order of 1 μm, protected by a cover glass, was applied to the test surface. The samples were heated to 55 ° C, held for 30 minutes, cooled to 28-30 ° C, and after 12 hours the planar texture obtained on the test surface was observed and photographed using a microscope in reflected light in a bright field using a polar filter with a magnification of 30 x microphotographic.
Благодаря наличию хорошо сформировавшейся планарной текстуры были получены цветные изображения исследуемых поверхностей. С помощью такого изображения на бездефектной (по обычному оптическому методу контроля) пластине ГГГ были выявлены многочисленные заполированные царапины, лясины и три области различного цвета с явственными границами, соответствующими границам между отдельными блоками в монокристалле. При покачивании полярофильтра около положения максимального погасания обнаруживается, что вкрапления не имеют четких границ, переливаются оттенками цвета своей области и могут быть объяснены локальными отклонениями от плоскостности. На поверхности арсенида галлия и на поверхности пленки ЖИГ на ГГГ аналогичных дефектов было значительно больше, а кроме того, были видны многочисленные выходы дислокаций. Наблюдения показали, что приготовленные таким образом образцы удобны и пригодны к использованию как минимум в течение трех суток. При более длительном хранении поверхность монокристалла дезактивируется, что приводит к ухудшению смачивания, из-за чего планарная текстура переходит сначала в смешанную, а затем совсем разрушается. Due to the presence of a well-formed planar texture, color images of the surfaces under study were obtained. Using such an image on a defect-free (by the usual optical control method) HGG plate, numerous polished scratches, bald patches and three areas of different colors with distinct boundaries corresponding to the boundaries between individual blocks in a single crystal were revealed. When the polarofilter is swayed near the position of maximum extinction, it is found that the inclusions do not have clear boundaries, shimmer with shades of color of their area and can be explained by local deviations from flatness. On the surface of gallium arsenide and on the surface of the YIG film on HHG, there were much more similar defects, and in addition, numerous dislocation yields were visible. Observations showed that samples prepared in this way are convenient and suitable for use for at least three days. During longer storage, the surface of the single crystal is deactivated, which leads to poor wetting, due to which the planar texture passes first into mixed, and then completely collapses.
После проведения исследования ЖК легко удаляется с поверхности любым органическим растворителем, например ацетоном или хлороформом. Приведенные параметры режимы активации, а именно частота 12 14 МГц при давлении аргона 8•10-2 10-3 мм рт.ст. соответствуют условиям устойчивого горения дугового разряда при минимальном подаваемом напряжении. При выходе за указанный интервал значений дуга обрывается. Оптимальный режим активации соответствует максимальному свечению дугового разряда.After the study, the LC is easily removed from the surface by any organic solvent, such as acetone or chloroform. The given parameters are the activation modes, namely, the frequency 12 14 MHz at an argon pressure of 8 • 10 -2 10 -3 mm Hg. correspond to the conditions of stable burning of an arc discharge with a minimum supplied voltage. When you go beyond the specified range of values, the arc breaks. The optimal activation mode corresponds to the maximum glow of the arc discharge.
Неразрушающий контроль высококлассных поверхностей на промежуточных стадиях трудоемкой и дорогостоящей технологии изготовления деталей устройств функциональной электроники позволит сократить затраты на их изготовление за счет выбраковки и возврата на повторную обработку, кроме того, неразрушающий метод контроля будет способствовать совершенствованию технологического процесса и повышению качества конечной продукции. Non-destructive testing of high-class surfaces at the intermediate stages of the labor-consuming and expensive technology of manufacturing parts of functional electronic devices will reduce the cost of their manufacture due to rejection and return to reprocessing, in addition, the non-destructive testing method will help to improve the process and improve the quality of the final product.
Заявляемый способ испытан на 100 монокристаллических подложках. Применение способа для контроля пластин из арсенида галлия, объемы производства которого по стране значительно выше, может дополнительно увеличить годовой экономический эффект. The inventive method is tested on 100 single crystal substrates. The application of the method to control gallium arsenide plates, the production volumes of which are much higher in the country, can further increase the annual economic effect.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU92015997A RU2069353C1 (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Method of surface flaw detection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU92015997A RU2069353C1 (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Method of surface flaw detection |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU92015997A RU92015997A (en) | 1995-07-20 |
| RU2069353C1 true RU2069353C1 (en) | 1996-11-20 |
Family
ID=20135080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU92015997A RU2069353C1 (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Method of surface flaw detection |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2069353C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2560112C1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук (ИПМаш РАН) | Method of flaw detection of metal items during their surface treatment |
| RU2578124C2 (en) * | 2014-08-06 | 2016-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Method of imaging deformation regions hidden under surface of solid body |
| RU2629682C1 (en) * | 2016-06-23 | 2017-08-31 | Общество с ограниченной ответственностью "ТД РусАвиаХим" | Liquid for cleaning controlled surface from penetrant exemption at capillary control by luminescent method |
| CN115774024A (en) * | 2022-11-23 | 2023-03-10 | 合肥工业大学 | Interference fit disassembly damage evaluation method and device for shaft part with surface texture |
-
1992
- 1992-12-28 RU RU92015997A patent/RU2069353C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Испытание матеpиалов. Справочник под ред. Балюменауэра Х. - М.: Металлургия, 1977, с. 447. 2. Авторское свидетельство СССР N 1260780, кл. G 01N 21/88, 1986. 3. Аэро Э.Л. и др. Визуализация поверхностных дефектов различной природы с помощью нематических жидких кристаллов. - Труды ГОИ, 1986, т. 60, вып. 194, с. 118. * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2560112C1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук (ИПМаш РАН) | Method of flaw detection of metal items during their surface treatment |
| RU2578124C2 (en) * | 2014-08-06 | 2016-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Method of imaging deformation regions hidden under surface of solid body |
| RU2629682C1 (en) * | 2016-06-23 | 2017-08-31 | Общество с ограниченной ответственностью "ТД РусАвиаХим" | Liquid for cleaning controlled surface from penetrant exemption at capillary control by luminescent method |
| CN115774024A (en) * | 2022-11-23 | 2023-03-10 | 合肥工业大学 | Interference fit disassembly damage evaluation method and device for shaft part with surface texture |
| CN115774024B (en) * | 2022-11-23 | 2024-04-09 | 合肥工业大学 | Interference fit disassembly damage evaluation method and device for shaft parts with surface textures |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4987007A (en) | Method and apparatus for producing a layer of material from a laser ion source | |
| Sato et al. | Diamond-like carbon films prepared by pulsed-laser evaporation | |
| Lyon et al. | Microstrain in laser‐crystallized silicon islands on fused silica | |
| EP0754777B1 (en) | Process for producing thin film, and thin film formed by the same | |
| US4737232A (en) | Process for depositing and crystallizing a thin layer of organic material by means of a beam of energy | |
| Zhu et al. | Direct Observation of Ferroelectric Domains in LiTa O 3 Using Environmental Scanning Electron Microscopy | |
| RU2069353C1 (en) | Method of surface flaw detection | |
| EP1451849A1 (en) | Information acquisition apparatus, cross section evaluating apparatus, and cross section evaluating method | |
| Shiosaki et al. | High rate epitaxial growth of ZnO films on sapphire by planar magnetron rf sputtering system | |
| Xiao et al. | Preparation of crystalline beta barium borate (β‐BaB2O4) thin films by pulsed laser deposition | |
| CA2403693C (en) | Liquid crystal device and manufacturing method | |
| Gho et al. | Microstructure of Bi1. 5Y1. 5Fe5O12 films made by pyrolysis | |
| Honma et al. | Writing of rare-earth ion doped lithium niobate line patterns in glass by laser scanning | |
| Ebothe et al. | Optical SHG for ZnO films with different morphology stimulated by UV-laser thermotreatment | |
| Siegert et al. | Off-axis pulsed laser deposition system for epitaxial oxide growth on substrates up to 2 inches in diameter | |
| El‐Kader et al. | Formation of luminescent silicon by laser annealing of a‐Si: H | |
| Alexandar et al. | Growth, structural, optical, piezoelectric and etching analysis of L-lysine p-nitrophenolate monohydrate single crystals | |
| KR20050017593A (en) | A liquid crystal display | |
| JP2003123682A (en) | Charged particle beam device | |
| Liu et al. | Growth of LiNbO3 optical waveguide films by excimer laser ablation | |
| Cugat et al. | Femtosecond-laser microstructuring of ribs on active (Yb, Nb): RTP/RTP planar waveguides | |
| JPH06130390A (en) | Orientation treatment of oriented film | |
| Glogarova et al. | Alignment of nematic liquid crystals controlled by ferroelectric domain structure | |
| Fox et al. | Piezoelectric fiber coatings and micro-tubes | |
| Allen et al. | 2.5 Pulsed CO2 Laser Damage Studies of RAP Grown KC1 |