RU2066869C1 - Method for selection of radiation-proof electronic devices - Google Patents
Method for selection of radiation-proof electronic devices Download PDFInfo
- Publication number
- RU2066869C1 RU2066869C1 RU92010994A RU92010994A RU2066869C1 RU 2066869 C1 RU2066869 C1 RU 2066869C1 RU 92010994 A RU92010994 A RU 92010994A RU 92010994 A RU92010994 A RU 92010994A RU 2066869 C1 RU2066869 C1 RU 2066869C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- products
- radiation
- batch
- devices
- parameters
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области электронной техники, в частности, предназначено для отбора полупроводниковых приборов (диодов, транзисторов, тиристоров и др.) и интегральных схем, стойких к воздействию радиации. The invention relates to the field of electronic technology, in particular, is intended for the selection of semiconductor devices (diodes, transistors, thyristors, etc.) and integrated circuits that are resistant to radiation.
Известен способ отбора радиационностойких изделий электронной техники (ИЭТ), включающий облучение всех изделий партии полной дозой, эквивалентной ожидаемой поглощенной дозе радиации в реальных условиях применения ИЭТ (например, потоком электронов со средней энергией 3 МэВ и плотностью 5•1012 см-2, эквивалентным дозе гамма-излучения Со60D 1,25•105 рад, который, как ожидают, воздействует на ИЭТ при прохождении радиационных поясов Земли), и отбраковку изделий, электрические параметры которых после облучения выводят за пределы норм, указанных в ТУ. Для восстановления первоначальных значений параметров проводится выдержка приборов при повышенной температуре отжиг [1]
Однако способ не является достаточно достоверным, так как не все приборы полностью восстанавливают параметры после отжига и, кроме того, неправильный выбор цикла "облучение-отжиг" может вызвать дрейф параметров годных приборов вследствие деградации контактов и возникновения повышенных токов утечки. Таким образом, в результате проведенного отбора нерадиационностойкие изделия могут быть классифицированы как радиационностойкие.A known method of selection of radiation-resistant electronic products (IET), including irradiating all products of the party with a full dose equivalent to the expected absorbed dose of radiation in real conditions of IET (for example, an electron beam with an average energy of 3 MeV and a density of 5 • 10 12 cm -2 , equivalent dose of gamma radiation Co 60 D 1.25 • 10 5 rad, which is expected to affect the IET when passing through the Earth’s radiation belts), and the rejection of products whose electrical parameters after irradiation are outside the limits specified in TU. To restore the original values of the parameters, the devices are held at an elevated temperature annealing [1]
However, the method is not sufficiently reliable, since not all devices completely restore the parameters after annealing and, in addition, the incorrect choice of the irradiation-annealing cycle can cause drift of the parameters of suitable devices due to degradation of contacts and the appearance of increased leakage currents. Thus, as a result of the selection, non-radiation-resistant products can be classified as radiation-resistant.
Наиболее близким аналогом прототипом изобретения является способ отбора радиационностойких изделий электронной техники, включающий измерение начальных стандартных электрических параметров партии изделий, облучение изделий из испытуемой партии ионизирующим излучением и измерение электрических параметров изделий. The closest analogue to the prototype of the invention is a method for selecting radiation-resistant electronic products, including measuring the initial standard electrical parameters of a batch of products, irradiating products from a test batch with ionizing radiation and measuring electrical parameters of the products.
При измерениях электрических параметров изделий, превышающих установленный порог, заданный заказчиком, их классифицируют как нерадиационностойкие (нестабильно работающие после радиационного воздействия) [2]
Однако указанный способ не является достоверным потому, что, во-первых, он применяется для отбора радиационностойких изделий на стадии пластин, а при проведении последующих операций технологической цепочки, включающих высокотемпературные процессы (такие как приварка выводов и корпусирование), картина дефектообразования меняется (некоторые дефекты отжигаются, в то время возникают новые и пр.), т.е. результаты отбора изделий на стадии пластин могут быть иные, чем результаты отбора готовых изделий; во-вторых, данный способ предполагает облучение всех испытуемых изделий довольно большой дозой рентгеновского излучения, что приводит к тому, что изделия, которые не вышли из строя в результате облучения (хотя могут выйти из строя и все 100%), нельзя будет применять в ответственной аппаратуре вследствие образования в них радиационных дефектов и уменьшения ресурса; в-третьих, не измеряются параметры при малых токах, которые хорошо коррелируют с радиационной стойкостью и дают достоверные результаты.When measuring electrical parameters of products that exceed the specified threshold set by the customer, they are classified as non-radiation-resistant (unstable after radiation exposure) [2]
However, this method is not reliable because, firstly, it is used to select radiation-resistant products at the wafer stage, and during subsequent operations of the technological chain, including high-temperature processes (such as terminal welding and packing), the pattern of defect formation changes (some defects annealed, while new ones appear, etc.), i.e. the results of the selection of products at the plate stage may be different than the results of the selection of finished products; secondly, this method involves the irradiation of all tested products with a rather large dose of x-ray radiation, which leads to the fact that products that did not fail as a result of irradiation (although all 100% can fail) cannot be used in responsible equipment due to the formation of radiation defects in them and a decrease in resource; thirdly, the parameters are not measured at low currents, which correlate well with radiation resistance and give reliable results.
Заявляемый способ позволяет решить актуальную в настоящее время техническую задачу осуществить отбор ИЭТ, потенциально стойких к воздействию радиации, для работы в различной радиационной обстановке (на атомных станциях, в условиях космического пространства и др.). The inventive method allows to solve the currently relevant technical problem to select IEI, potentially resistant to radiation, for work in various radiation conditions (at nuclear power plants, in outer space, etc.).
Результатом осуществления способа является достоверный отбор радиационностойких изделий с наименьшей вероятностью ошибки без облучения всей партии испытуемых изделий. The result of the method is a reliable selection of radiation-resistant products with the least probability of error without irradiating the entire batch of tested products.
Достижение технического результата становится возможным вследствие того, что до облучения дополнительно измеряют напряжение на входе и выходе изделий испытываемой партии при токах через изделие в диапазоне 1-100 нА, формируют представительную выборку из партии изделий, поэтапно облучают изделия выборки, измеряя их электрические параметры во время облучения либо после каждого этапа облучения до уровня дозы проникающей радиации, при котором количество отказавших и работоспособных изделий выборки становятся величинами одного порядка, формируют массивы начальных параметров отказавших и работоспособных изделий и статистическим методом распознавания образцов рассчитывают для каждого изделия партии дискриминационную функцию D, а отбор радиационных изделий проводят при условии D>Λ, где L порог распознавания, определяемый заданной ошибкой второго рода, т.е. жесткостью условий отбора. The achievement of the technical result becomes possible due to the fact that before irradiation, the voltage at the input and output of the products of the test batch is additionally measured at currents through the product in the range of 1-100 nA, a representative sample of the batch of products is formed, the sample products are gradually irradiated, measuring their electrical parameters during irradiation or after each stage of irradiation to the dose level of penetrating radiation, at which the number of failed and workable sample products become the same order of magnitude, ph arrays of initial parameters of failed and workable products are computed, and the discrimination function D is calculated for each batch product by the statistical method of sample recognition, and radiation products are selected under the condition D> Λ, where L is the recognition threshold determined by a given error of the second kind, i.e. rigidity of the selection conditions.
В заявленном способе измеряют все стандартные начальные электрические параметры, так как для достоверной оценки радиационной стойкости ИЭТ нужно располагать наиболее полной информацией о каждом параметре изделий испытуемой партии, чтобы выявить все параметры, коррелирующие с радиационной стойкостью. In the claimed method, all standard initial electrical parameters are measured, since for a reliable assessment of the radiation resistance of the IET, it is necessary to have the most complete information about each parameter of the products of the test batch in order to identify all parameters that correlate with radiation resistance.
Дополнительно в качестве начальных параметров измеряют напряжение на входе и выходе ИЭТ испытуемой партии при токах через изделие в диапазоне 1-100 нА, т.к. эти параметры позволяют выявить дефекты и механические повреждения на границе диэлектрик полупроводник, которые являются основным источником радиационных повреждений приборов. Additionally, as the initial parameters, the voltage at the input and output of the IET of the test batch is measured at currents through the product in the range 1-100 nA, because These parameters make it possible to identify defects and mechanical damage at the boundary of the insulator semiconductor, which are the main source of radiation damage to devices.
Корреляция этих параметров с радиационной стойкостью ИЭТ подтверждена рядом экспериментов. При значениях токов менее 1 нА корреляция не наблюдается вследствие низкой концентрации носителей тока, а при токах более 100 нА значительная часть носителей в объеме кристалла полупроводника и измерения значений напряжений при токах, больших чем 100 нА, не дают возможности выявить наличие повреждений границы диэлектрик полупроводник. The correlation of these parameters with the radiation resistance of the IET is confirmed by a number of experiments. At currents less than 1 nA, no correlation is observed due to the low concentration of current carriers, and at currents greater than 100 nA, a significant part of the carriers in the volume of the semiconductor crystal and measurements of voltages at currents greater than 100 nA do not make it possible to detect the presence of damage to the insulator semiconductor interface.
Стандартные же параметры ИЭТ, измеряемые при больших токах, когда преобладающей является объемная составляющая тока, не позволяют выявить структурные нарушения границы раздела диэлектрик полупроводник, обуславливающие потенциальные радиационные повреждения приборов. The standard IET parameters, measured at high currents, when the volume component of the current is predominant, do not allow to reveal structural violations of the insulator semiconductor interface, causing potential radiation damage to the devices.
Представительную выборку из изделий партии формируют по известным правилам (ГОСТ 19321-73) для того, чтобы получить возможность достоверно классифицировать изделия всей партии на радиационностойкие и нерадиационностойкие без облучения всей партии изделий, так как облучение приводит к появлению открытых дефектов, и изделия, классифицированные как радиационностойкие, могут таковыми не оказаться. A representative sample of batch products is formed according to well-known rules (GOST 19321-73) in order to be able to reliably classify products of the entire batch as radiation-resistant and non-radiation-resistant without irradiation of the entire batch of products, since irradiation leads to the appearance of open defects, and products classified as radiation resistant, may not be.
Изделия выборки поэтапно облучают до дозы (потока) проникающей радиации, при которой количество отказавших изделий и количество работоспособных изделий становятся величинами одного порядка. Эта операция необходима для получения двух групп изделий отказавших и работоспособных, количества которых должны быть сопоставимыми между собой для получения статистически достоверных данных при сравнении начальных значений параметров изделий партии с начальными значениями параметров изделий этих двух групп. Чем больше количество изделий выборки, тем более достоверен результат. Sample products are gradually irradiated to a dose (flux) of penetrating radiation, at which the number of failed products and the number of workable products become the same order of magnitude. This operation is necessary to obtain two groups of failed and workable products, the quantities of which must be comparable to obtain statistically reliable data when comparing the initial values of the parameters of the products of the party with the initial values of the parameters of the products of these two groups. The larger the number of sample items, the more reliable the result.
Все начальные параметры изделий выборки формируют в многомерные массивы: массив начальных параметров отказавших изделий выборки и массив начальных параметров работоспособных изделий выборки, и производят сопоставление каждого параметра изделий партии с массивами отказавших и работоспособных изделий выборки по соответствующему параметру. Таким образом определяется "принадлежность" изделия партии по совокупности всех его начальных параметров к одной или другой группе изделий. В случае, когда начальные параметры изделий "ближе" к начальным параметрам изделий из отказавшей группы, делается вывод о том, что изделие нерадиационностойкое; в случае, когда начальные параметры изделия в своей совокупности "ближе" к начальным параметрам группы работоспособных изделий, изделие отбирается как радиационностойкое. All initial parameters of the sample products are formed into multidimensional arrays: an array of initial parameters of failed sample products and an array of initial parameters of workable sample products, and each parameter of a batch product is compared with arrays of failed and workable sample products according to the corresponding parameter. Thus, the “belonging” of a batch product to the total of all its initial parameters to one or another group of products is determined. In the case when the initial parameters of the products are “closer” to the initial parameters of the products from the failed group, it is concluded that the product is non-radiation resistant; in the case when the initial parameters of the product as a whole are “closer” to the initial parameters of the group of workable products, the product is selected as radiation-resistant.
Для достоверной классификации изделий используют статистический метод распознавания образов (И.И.Биргер "Техническая диагностика", Машиностроение, Москва, 1978). Он основан на предположении, что существует функция f (x1; x2; x3; xn), аргументами которой являются физические параметры изделия, а значение функции для параметров годных приборов отличается по величине от значения функции негодных приборов. Существуют функции, называемые дискриминационными, которые позволяют провести это разделение. Задача дискриминации сводится к проведению в пространстве признаков границ областей классов и согласованию координат объекта с границами областей. Необходимые для этого эталоны задают по представительной выборке.For reliable classification of products using the statistical method of pattern recognition (II Birger "Technical Diagnostics", Engineering, Moscow, 1978). It is based on the assumption that there exists a function f (x 1 ; x 2 ; x 3 ; x n ), the arguments of which are the physical parameters of the product, and the value of the function for the parameters of suitable devices differs in magnitude from the value of the function of unsuitable devices. There are functions called discriminatory that allow this separation to be made. The task of discrimination is reduced to drawing in the space of signs the boundaries of the class areas and matching the coordinates of the object with the boundaries of the areas. The necessary standards for this are set by a representative sample.
Процесс распознавания по значению дискриминационной функции заключается в выборе числа L, называемого порогом распознавания, чтобы для большинства значений D негодных приборов D меньше L, а для большинства годных D больше L. The recognition process by the value of the discriminatory function consists in choosing the number L, called the recognition threshold, so that for most D values of unsuitable devices D is less than L, and for most suitable D more than L.
Наиболее универсальным алгоритмом реализации этого метода является метод потенциальных функций. Для прогнозирования используется все пространство прогнозируемых признаков и в это пространство вводятся две функции потенциалов. The most universal algorithm for implementing this method is the method of potential functions. For forecasting, the entire space of predicted features is used and two potential functions are introduced into this space.
Первая функция потенциал годных изделий
где xj прогнозирующие признаки предъявляемого изделия;
xij прогнозирующие признаки годных изделий в представительной выборке.The first function is the potential of suitable products
where x j predictive features of the presented product;
x ij predictive signs of good products in a representative sample.
Аналогично потенциал поля негодных изделий
Дискриминационная функция, вводимая как разность потенциалов полей (массивов) годных и негодных изделий
D y1(x) y2(x).Similarly, the potential field of unsuitable products
Discrimination function, introduced as the potential difference of the fields (arrays) of suitable and unfit products
D y 1 (x) y 2 (x).
Данный алгоритм позволяет учесть влияние всего объема представительной выборки на значение дискриминационной функции в точке x. This algorithm allows you to take into account the influence of the entire representative sample on the value of the discriminatory function at point x.
В данном способе в соответствии с методом распознавания образцов дискриминационную функцию для каждого изделия партии рассчитывают по формуле
где n число начальных электрических параметров;
ji весовой коэффициент параметра;
xi i-й параметр предъявляемого изделия;
N1 число работоспособных изделий в представительной выборке;
N2 число неработоспособных изделий в представительной выборке;
x'ij i-й параметр j-го работоспособного изделия представительной выборки;
x"ij i-й параметр j-го отказавшего изделия представительной выборки.In this method, in accordance with the method of pattern recognition, the discriminatory function for each batch product is calculated by the formula
where n is the number of initial electrical parameters;
j i is the weight coefficient of the parameter;
x i is the i-th parameter of the presented product;
N 1 the number of workable products in a representative sample;
N 2 the number of inoperative products in a representative sample;
x ' ij i-th parameter of the j-th workable product of a representative sample;
x " ij i-th parameter of the j-th product of the representative sample that failed.
Порог распознавания λ определяется заданной ошибкой второго рода, т.е. жесткостью условий отбора и распределением параметров отказавших и работоспособных изделий выборки. The recognition threshold λ is determined by a given error of the second kind, i.e. the rigidity of the selection conditions and the distribution of parameters of failed and workable sampling products.
Изобретение поясняется графиками, на которых представлено распределение отказавших и работоспособных изделий представительной выборки из партии МОП ИМС (серия 564) в зависимости от значения дискриминационной функции. График 1 представляет распределение отказавших изделий, график 2 работоспособных изделий выборки. The invention is illustrated by graphs, which shows the distribution of failed and workable products of a representative sample from the batch of MOSFET IC (series 564) depending on the value of the discriminatory function. Graph 1 represents the distribution of failed products, graph 2 of the workable items in the sample.
В соответствии с заявляемым способом был проведен отбор радиационностойких МОП ИМС (серия 564) из партии в количестве 350 штук. In accordance with the claimed method, a selection of radiation-resistant MOSFET IC (series 564) from a batch of 350 pieces was carried out.
Провели измерения всех начальных параметров каждого изделия партии в соответствии с техническими условиями на прибор, кроме того, измерили дополнительные начальные параметры напряжение на входе и выходе при токах 30, 50, 70, и 100 нА и напряжении питания Uпит 10 В. Всего измерили и зафиксировали 19 параметров каждого изделия партии.We measured all the initial parameters of each batch product in accordance with the technical conditions for the device, in addition, measured additional initial parameters, the input and output voltages at currents of 30, 50, 70, and 100 nA and a supply voltage of U pit 10 V. In total, we measured and recorded 19 parameters of each product of the party.
Затем формировали в соответствии с ГОСТ 18321-73 представительную выборку изделий из партии, состоящую из 100 изделий. Then, in accordance with GOST 18321-73, a representative sample of products from a batch consisting of 100 products was formed.
Сформированную выборку облучали гамма-лучами СО60 на установке "Исследователь" дозами 1,5•104 рад, 5,5•104 рад. После облучения дозой 5,5•104 рад и измерения параметров оказалось, что число работоспособных изделий N 1 составило 66 штук, а количество отказавших изделий N 2 составило 36 штук. Поскольку количество работоспособных и отказавших изделий оказались величинами одного порядка, т.е. сопоставимы между собой, облучение прекратили. Сформировали массивы начальных параметров отказавших и работоспособных изделий выборки и статистическим методом распознавания образов по формуле (1) для каждого изделия партии, подлежащего разбраковке, провели расчет дискриминационной функции.The generated sample was irradiated with CO 60 gamma rays at the Researcher facility with doses of 1.5 • 10 4 rad and 5.5 • 10 4 rad. After irradiation with a dose of 5.5 • 10 4 rad and measuring the parameters, it turned out that the number of workable products N 1 was 66 pieces, and the number of failed products N 2 was 36 pieces. Since the number of workable and failed products turned out to be values of the same order, i.e. comparable, irradiation ceased. Arrays of initial parameters of failed and workable sampling items were formed, and the statistical method of pattern recognition according to formula (1) for each product of the batch to be sorted out, the discrimination function was calculated.
Порог распознавания (L) был выбран равным 9, исходя из вероятности ошибки второго рода, равной 0,03, и распределения отказавших и работоспособных изделий выборки (см.графики). The recognition threshold (L) was chosen equal to 9, based on the probability of an error of the second kind, equal to 0.03, and the distribution of failed and workable sample products (see graphs).
После отбраковки изделий по критерию "D больше L" оказалось 224 изделия, удовлетворяющий этому критерию, т.е. радиационностойких, и 126 изделий, не удовлетворяющих этому критерию, т.е. нерадиационностойких. After rejecting products according to the criterion "D is greater than L", 224 products were found that met this criterion, i.e. radiation-resistant, and 126 products that do not meet this criterion, i.e. non-radiation resistant.
Для подтверждения достоверности способа дополнительно провели испытание радиационностойких изделий и изделий отбракованных или нерадиационностойких. По 50 изделий из этих групп облучали g-лучами "Со60" на установке "Исследователь". После облучения измеряли 9 электрических параметров изделий, наиболее чувствительных к облучению. Получили следующие показатели стойкости.To confirm the reliability of the method, we additionally tested radiation-resistant products and rejected or non-radiation-resistant products. 50 products from these groups were irradiated with Co 60 g-rays at the Researcher facility. After irradiation, 9 electrical parameters of the products most sensitive to irradiation were measured. Received the following indicators of resistance.
В группе радиационностойких ИС доза (Dγ), при которой у всех приборов хотя бы один из параметров вышел за пределы норм, указанных в ТУ, составила Dγ= 8•104 со среднеквадратичным отклонением s 0,06.In the group of radiation-resistant ICs, the dose (D γ ) at which at least one of the parameters for all devices went beyond the limits specified in the technical specifications was D γ = 8 • 10 4 with a standard deviation of s 0.06.
В группе отбракованных ИС Dγ= 3•104рад,;aσ =0,1.In the group of rejected ISs, D γ = 3 • 10 4 rad,; aσ = 0.1.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU92010994A RU2066869C1 (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Method for selection of radiation-proof electronic devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU92010994A RU2066869C1 (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Method for selection of radiation-proof electronic devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU92010994A RU92010994A (en) | 1995-03-20 |
| RU2066869C1 true RU2066869C1 (en) | 1996-09-20 |
Family
ID=20133336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU92010994A RU2066869C1 (en) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | Method for selection of radiation-proof electronic devices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2066869C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2504862C1 (en) * | 2012-07-17 | 2014-01-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Method of determining resistance of electronic components and units of radioelectronic equipment to ionising radiation |
-
1992
- 1992-11-27 RU RU92010994A patent/RU2066869C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Чернышев А.А., Ведерников В.В., Галеев А.Н., Горюнов Н.Н. "Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем", Зарубежная электронная техника, 1979, вып.5, с.3-25. 2. Патент США N 3723873, МКИ G 01 R 31/22, 1973 г. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2504862C1 (en) * | 2012-07-17 | 2014-01-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Method of determining resistance of electronic components and units of radioelectronic equipment to ionising radiation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5523694A (en) | Integrated circuit failure analysis by low-energy charge-induced voltage alteration | |
| US6813572B2 (en) | Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices | |
| US6484306B1 (en) | Multi-level scanning method for defect inspection | |
| US7594206B2 (en) | Fault detecting method and layout method for semiconductor integrated circuit | |
| US10539612B2 (en) | Voltage contrast based fault and defect inference in logic chips | |
| DE112019001445T5 (en) | TARGETED RECALL OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS BASED ON MANUFACTURING DATA | |
| US6140832A (en) | Method of utilizing IDDQ tests to screen out defective parts | |
| JP2000208575A (en) | Method and system for detecting defect based on features of profile | |
| US6701204B1 (en) | System and method for finding defective tools in a semiconductor fabrication facility | |
| Miller et al. | Unit level predicted yield: a method of identifying high defect density die at wafer sort | |
| Casey et al. | Schottky diode derating for survivability in a heavy ion environment | |
| Stapper et al. | Evolution and accomplishments of VLSI yield management at IBM | |
| US7991497B2 (en) | Method and system for defect detection in manufacturing integrated circuits | |
| RU2066869C1 (en) | Method for selection of radiation-proof electronic devices | |
| Hashimoto et al. | Anomaly detection for sensor data of semiconductor manufacturing equipment using a GAN | |
| Fujiyoshi et al. | Voltage contrast for gate-leak failures detected by electron beam inspection | |
| RU2168735C2 (en) | Procedure of selection of electron articles by stability and reliability | |
| US20070020782A1 (en) | Method of monitoring a semiconductor manufacturing trend | |
| Paccagnell et al. | Breakdown properties of irradiated MOS capacitors | |
| US3723873A (en) | Radiation method for determining semiconductor stability and reliability | |
| US6274394B1 (en) | Method and system for determining the fail patterns of fabricated wafers in automated wafer acceptance test | |
| RU2311654C2 (en) | Method for dividing integration microchips on basis of radiation resistance and reliability | |
| RU2082178C1 (en) | Method for selecting plates with radiation-resistant mos integrated circuits | |
| US20050137736A1 (en) | Fuzzy reasoning model for semiconductor process fault detection using wafer acceptance test data | |
| Namenson | Lot uniformity and small sample sizes in hardness assurance |