RU2045103C1 - Дуоплазмотрон - Google Patents

Дуоплазмотрон Download PDF

Info

Publication number
RU2045103C1
RU2045103C1 SU5031557A RU2045103C1 RU 2045103 C1 RU2045103 C1 RU 2045103C1 SU 5031557 A SU5031557 A SU 5031557A RU 2045103 C1 RU2045103 C1 RU 2045103C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
duoplasmatron
source
anode
intermediate electrode
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.И. Турчин
Б.К. Кондратьев
Original Assignee
Институт экспериментальной и теоретической физики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт экспериментальной и теоретической физики filed Critical Институт экспериментальной и теоретической физики
Priority to SU5031557 priority Critical patent/RU2045103C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2045103C1 publication Critical patent/RU2045103C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

Использование: ускорители заряженных частиц. Сущность изобретения: в зазоре между промежуточным электродом и анодом установлен полый безнакальный катод. Контактирование плазмы в области отверстия эмиссии осуществляется не магнитным полем, а за счет электрических процессов, возникающих внутри полого катода при пропускании через него потока электронов. За счет этого повышается величина тока и фазовая плотность пучка ионов на выходе источника, снижается рабочее давление газа в разрядной камере, уменьшается энергетическая цена иона, упрощается конструкция источника, а также повышается надежность при эксплуатации. 1 ил.

Description

Изобретение относится к источникам ионов, применяемым на ускорителях заряженных частиц, и может использоваться во всех областях техники, где требуются пучки ионов.
Широко известны источники ионов дуоплазматронного типа [1] недостатком которых является ограниченное значение величины фазовой плотности тока пучка, извлекаемого из источника.
Наиболее близок к изобретению дуоплазматронный источник ионов [2] содержащий катод, промежуточный электрод, анод с отверстием эмиссии и магнитопровод с электромагнитной катушкой, создающей магнитное поле между анодом и промежуточным электродом.
Недостатком этого источника ионов является ограничение фазовой плотности тока пучка ионов на выходе источника, зависящее от магнитного поля между анодом и промежуточным электродом и от эффективности ионизации рабочего газа в этом зазоре.
Целью изобретения является повышение фазовой плотности тока пучка ионов на выходе источника.
Для этого в дуоплазматроне, содержащем катод, промежуточный электрод и анод с отверстием эмиссии, дополнительно установлен в зазоре между промежуточным электродом и анодом трубчатый полый безканальный катод так, что его аксиальная ось совпадает с центральной продольной осью источника, и он электрически соединен с промежуточным электродом.
Такая конструкция позволяет производить контрагирование плазмы в области анода, возникающей при зажигании электрического разряда в источнике, не магнитным полем, вызывающим вихревое движение электронов и увеличивающим шумы в плазме и температуру пучка ионов на выходе источника, а электрическим полем, формирующимся при прохождении электронного тока через полый катод.
Кроме того, возникающий "эффект полого катода" повышает эффективность ионизации газа за счет увеличения плотности электронного потока и ведет к увеличению ионного тока при пропускании электронного пучка через полый катод. Перечисленные факторы позволяют повысить фазовую плотность тока пучка ионов на выходе источника.
Конструктивным отличием предлагаемого изобретения является использование вместо магнитопровода с электромагнитной катушкой полого трубчатого безканального катода, установленного в заданном месте и указанным способом.
В результате введенных конструктивных изменений в источнике ионов дуоплазматронного типа возникает новое физическое свойство, а именно: второе контрагирование плазмы в зазоре анод-промежуточный электрод осуществляется не магнитным полем, а с помощью электрических процессов внутри трубчатого полого безнакального катода. В результате снижается вихревое движение электронов в плазме и повышается эффективность ионизации газа, что способствует увеличению фазовой плотности тока пучка ионов на выходе источника.
На чертеже представлена схема предлагаемого дуоплазматрона.
Дуоплазматрон состоит из подводящей магистрали 1, разрядной камеры 2, промежуточного электрода 3, катода 4, трубчатого катода 5, анода 6 и эмиссионного отверстия 7.
Дуоплазматрон работает следующим образом.
Газ по магистрали 1 поступает в разрядную камеру 2, заполняя ее до рабочего давления. После подачи электрических импульсов на катод 4 и промежуточный электрод 3 с широко известных схем электрического питания, используемых для источников дуоплазматронного типа, в разрядной камере 2 зажигается электрическая дуга между катодом 4, промежуточным электродом 3 и анодом 6 по известным законам. Образовавшаяся в источнике плазма подвергается первому контрагированию электрическим полем в конической области носика промежуточного электрода 3 согласно известной теории работы дуоплазматрона. Второе контрагирование плазмы производится в полости трубчатого катода 5. Электронный поток с образованного в носике электрода 3 мениска поступает во внутреннюю полость катода 5 и, двигаясь за счет приобретенной ранее энергии и под действием разности электрических потенциалов, существующей между промежуточным электродом 3 и анодом 6, ионизирует газ, образуя плазму, заполняющую всю протяженность внутренней области полого катода 5, и обеспечивая эмиссию электронов со всей внутренней поверхности катода 5. Поскольку электронный поток вдоль продольной оси полого катода 5 складывается и из электронов, эмиттируемых с внутренних поверхностей этого катода, то отбор тока вдоль эмиттирующей поверхности сильно увеличивает плотность тока в поперечном сечении разрядного промежутка и предельные токи, которые могут быть достигнуты в такой форме дугового разряда, гораздо выше, чем для обычных форм дуги, кроме того, в разряде с полым катодом из-за нарушения закона Геля в области катодного падения происходит рост плотности ионизации газа в направлении к аноду, характеризующийся Таунсендовским коэффициентом α, и специфика разряда с полым катодом такова, что происходит дополнительное увеличение концентрации ионов за счет более эффективного использования ионизирующей способности электронов при такой геометрии катода, в результате их осцилляции между стенками катода 5. Перечисленные выше факторы увеличивают эффективность ионизации газа в области отверстия 7 эмиссии, обеспечивая максимальное использование ионов плазмы для создания направленного потока ионов, что ведет к увеличению тока ионов на выходе источника и повышает его фазовую плотность. Кроме того, в предлагаемом изобретении обеспечивается максимальная эффективность расхода рабочего газа и преобразования энергии. Отсутствие магнитного поля в зазоре между анодом и промежуточным электродом, которое создает вихревое движение электронов и повышает уровень шумов в плазме, также ведет к уменьшению теплового разброса ионов в извлекаемом пучке и способствует повышению фазовой плотности тока пучка. Отсутствие электромагнитной катушки, потребляющей значительное количество электроэнергии, повышает электрическую экономичность источника и снижает энергетическую цену иона. Отсутствие в предлагаемой конструкции магнитов, магнитопровода и блоков электрического питания электромагнита упрощает конструкцию источника, снижает вес и габаритные размеры, повышает срок службы и надежность работы дуоплазматрона и уменьшает его стоимость. Источник становится более прост в эксплуатации.
В результате проведенных испытаний предлагаемого изобретения на ускорителе протонов прямого действия выяснилось, что по сравнению с источником дуоплазматронного типа, выбранным за прототип, имеющим магнитное поле в области анода и работающим в импульсном режиме, после установки в этот источник между анодом и промежуточным электродом полого трубчатого катода предложенным образом и выключения магнитного поля без какой-либо последующей оптимизации конструкции или режимов работы давление водорода в разрядной камере, обеспечивающее стабильную работу источника, упало на 60% от предыдущего, ионный ток на выходе ускорителя возрос в 1,4 раза, а значение фазовой плотности этого тока увеличилось в 1,5 раза.

Claims (1)

  1. ДУОПЛАЗМОТРОН, содержащий соосно расположенные катод, промежуточный электрод с контрагирующим отверстием и анод с эмиссионным отверстием, отличающийся тем, что между промежуточным электродом и анодом установлен полый безнакальный катод, размещенный соосно с электродами с зазорами между ними и электрически соединенный с промежуточным электродом.
SU5031557 1992-03-10 1992-03-10 Дуоплазмотрон RU2045103C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5031557 RU2045103C1 (ru) 1992-03-10 1992-03-10 Дуоплазмотрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5031557 RU2045103C1 (ru) 1992-03-10 1992-03-10 Дуоплазмотрон

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2045103C1 true RU2045103C1 (ru) 1995-09-27

Family

ID=21598950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5031557 RU2045103C1 (ru) 1992-03-10 1992-03-10 Дуоплазмотрон

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2045103C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU174219U1 (ru) * 2017-06-27 2017-10-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" Дуоплазматрон для малых давлений рабочего газа
RU2647887C1 (ru) * 2017-05-23 2018-03-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" Дуоплазматронный источник газовых ионов

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Габович М.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972, с.94-104. *
2. Баталин В.А. и др. Дуоплазматрон с холодным катодом для инжектора линейного ускорителя протонов. - ПТЭ, 1975, N 2, с.21-23. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2647887C1 (ru) * 2017-05-23 2018-03-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" Дуоплазматронный источник газовых ионов
RU174219U1 (ru) * 2017-06-27 2017-10-09 Федеральное государственное бюджетное учреждение "Институт теоретической и экспериментальной физики имени А.И. Алиханова Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" Дуоплазматрон для малых давлений рабочего газа

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4486665A (en) Negative ion source
US2892114A (en) Continuous plasma generator
RU2208871C1 (ru) Плазменный источник электронов
KR100307070B1 (ko) 고속원자빔공급원
Dimov et al. A 100 mA negative hydrogen-ion source for accelerators
JPH06176725A (ja) イオン源
RU2045103C1 (ru) Дуоплазмотрон
RU2703518C1 (ru) Импульсный нейтронный генератор
Lejeune Theoretical and experimental study of the duoplasmatron ion source: Part II: Emisive properties of the source
JPH07169425A (ja) イオン源
JPH0512727B2 (ru)
WO2001093293A1 (en) Plasma ion source and method
RU2139646C1 (ru) Плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов
Keller First results with ELSIRE—a reflex ion source for singly charged heavy ions
RU2240627C1 (ru) Ионный источник с холодным катодом
SU1625257A1 (ru) Импульсный источник ионов
Hirsch et al. Highly efficient, inexpensive, medium current ion source
JPS5740845A (en) Ion beam generator
RU2231163C2 (ru) Источник ионов с эффектом полого катода
RU2045102C1 (ru) Плазменный эмиттер ионов
SU1145383A1 (ru) Источник ионов
Rocca et al. Glow discharge plasma switch controlled by a small magnetic field
Dudnikov et al. Surface plasma source to generate high‐brightness H− beams for ion projection lithographya
Holmes et al. A compact ion source with high brightness
RU2084986C1 (ru) Пучково-плазменный свч-прибор