RU2037988C1 - Pin radiator - Google Patents

Pin radiator Download PDF

Info

Publication number
RU2037988C1
RU2037988C1 RU93028369A RU93028369A RU2037988C1 RU 2037988 C1 RU2037988 C1 RU 2037988C1 RU 93028369 A RU93028369 A RU 93028369A RU 93028369 A RU93028369 A RU 93028369A RU 2037988 C1 RU2037988 C1 RU 2037988C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pins
base
protrusions
faces
turbulators
Prior art date
Application number
RU93028369A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU93028369A (en
Inventor
А.А. Кузнецов
В.Н. Кровопусков
И.Н. Благодарев
О.В. Муравьева
Original Assignee
Воронежский научно-исследовательский институт связи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Воронежский научно-исследовательский институт связи filed Critical Воронежский научно-исследовательский институт связи
Priority to RU93028369A priority Critical patent/RU2037988C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2037988C1 publication Critical patent/RU2037988C1/en
Publication of RU93028369A publication Critical patent/RU93028369A/en

Links

Images

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

FIELD: heat transfer in radiators. SUBSTANCE: base pins are made in the form of parallelepipeds and turned with their faces or edges to coolant flow. With pin faces turned to coolant flow, rectangular projections are provided at pin base among pins. When pin edges are turned to flow, aerodynamic drag of radiator is reduced and in this case turbulizing projections are in the form of triangular prism. EFFECT: improved design. 5 cl, 4 dwg

Description

Изобретение относится к теплообмену в радиаторах и может быть использовано для отвода тепла от радиоэлементов. The invention relates to heat transfer in radiators and can be used to remove heat from radio elements.

Известны теплоотводы для силовых полупроводниковых приборов [1] где для повышения эффективности охлаждения в межреберное пространство радиатора введена гофрированная вставка, которая перераспределяет воздушный поток по высоте ребра. Known heat sinks for power semiconductor devices [1] where, to increase cooling efficiency, a corrugated insert is introduced into the intercostal space of the radiator, which redistributes the air flow along the height of the ribs.

В [2] для интенсификации теплообмена используются перфорированные уголковые элементы, которые турбулизируют поток на концах элементов, создавая дополнительную скорость пограничному слою на тыльной стороне уголковых элементов. Недостатком является то, что увеличение интенсивности теплообмена происходит только за счет турбулизации ядра потока. In [2], for the intensification of heat transfer, perforated corner elements are used, which turbulence the flow at the ends of the elements, creating additional speed for the boundary layer on the back side of the corner elements. The disadvantage is that the increase in heat transfer intensity occurs only due to turbulization of the flow core.

В [3] предлагается охлаждающее устройство, в котором для улучшения теплоотдачи электронных элементов поверхность радиатора имеет выдавленные желобки и гранки, способствующие интенсификации теплообмена. В этом случае недостатком являетcя то, что турбулизиpуется только пограничный слой. In [3], a cooling device is proposed in which, to improve the heat transfer of electronic elements, the surface of the radiator has extruded grooves and beads that contribute to the intensification of heat transfer. In this case, the disadvantage is that only the boundary layer is turbulized.

Наиболее близким по техническому решению является устройство [4] конструкция которого включает пластину, полку, отверстия, штыри. Closest to the technical solution is the device [4] the design of which includes a plate, a shelf, holes, pins.

Охлажденный полупроводниковый элемент располагается на полке, которая передает тепло пластине и штырям. Для прохождения охлаждающей среды при любой ориентации штыревого радиатора в пластине выполнены отверстия. The cooled semiconductor element is located on a shelf that transfers heat to the plate and the pins. For the passage of the cooling medium for any orientation of the pin radiator, holes are made in the plate.

Интенсификация теплообмена штырями осуществляется как за счет турбулизации ядра потока, так и пограничного слоя. Турбулизация пограничного слоя осуществляется только основанием штыря, большая же часть пластины не покрыта вихрями той интенсивности, которые образуются вблизи основания штыря. Intensification of heat transfer by pins is carried out both due to turbulization of the flow core and the boundary layer. The boundary layer is turbulized only by the base of the pin, while most of the plate is not covered by vortices of the intensity that are formed near the base of the pin.

На фиг. 1-4 показан предлагаемый штыревой радиатор. In FIG. 1-4 show a proposed pin radiator.

Штыревой радиатор (фиг. 1) содержит пластину 1, штыри 2, выступы 3. Охлаждаемый полупроводниковый элемент 4 может располагаться непосредственно на самой пластине 1 (фиг.3) или на теплопроводной полке. Штыри 2 выполнены в виде параллелепипедов и повернуты или гранями или ребрами к потоку охлаждающей среды. The pin radiator (Fig. 1) contains a plate 1, pins 2, protrusions 3. The cooled semiconductor element 4 can be located directly on the plate 1 (Fig.3) or on a heat-conducting shelf. The pins 2 are made in the form of parallelepipeds and rotated either faces or ribs to the flow of the cooling medium.

При расположении штырей гранями к потоку между ними в основании штырей располагаются выступы 3, имеющие прямоугольную форму (фиг.2). Расположение штырей ребрами к потоку позволяет уменьшить аэродинамическое сопротивление радиатора, а турбулизирующие выступы 3 в этом случае имеют форму треугольных призм (фиг.1). С изменением угла между гранями штырей от 30 до 90о происходит и изменение углов у турбулизирующих выступов.When the pins are arranged with faces facing the flow between them, protrusions 3 having a rectangular shape are located at the base of the pins (Fig. 2). The location of the pins with ribs to the flow allows to reduce the aerodynamic resistance of the radiator, and the turbulent protrusions 3 in this case have the shape of triangular prisms (figure 1). With a change in the angle between the faces of the pins from 30 to 90 about there is a change in the angles of the turbulent protrusions.

Соотношения между элементами штыревого радиатора составляют:
h/d 0,3-0,5; t/h 7-10; t/d 3,3, где h высота турбулизаторов;
d эквивалентный диаметр;
t шаг размещения турбулизаторов.
The relations between the elements of the pin radiator are:
h / d 0.3-0.5; t / h 7-10; t / d 3.3, where h is the height of the turbulators;
d is the equivalent diameter;
t step of placing turbulators.

Штыри и турбулизирующие выступы могут располагаться как с одной стороны пластины, так и с двух сторон в шахматном и коридорном порядке. The pins and turbulent protrusions can be located both on one side of the plate, and on both sides in a checkerboard and corridor order.

Поток рабочей среды, проходя через штыри 2 и турбулизирующие выступы 3, образует отрывные вихревые зоны, интенсифицирующие теплообмен. Как шахматное (фиг. 4), так и коридорное (фиг.1) расположение штырей позволяет турбулизировать само ядро потока, а основание штырей и выступы турбулизируют пограничный слой по всей поверхности охлаждаемой пластины, так как они находятся в промежутке между штырями, как в поперечном, так и в продольном направлениях. The flow of the working medium, passing through the pins 2 and the turbulent protrusions 3, forms tear-off vortex zones intensifying heat transfer. Both the checkerboard (Fig. 4) and corridor (Fig. 1) arrangement of the pins allows turbulence of the flow core itself, and the base of the pins and protrusions turbulence the boundary layer over the entire surface of the cooled plate, since they are in the gap between the pins, as in the transverse and in the longitudinal directions.

Таким образом предлагаемый штыревой радиатор позволяет в результате интенсификации теплообмена с помощью штырей и турбулизирующих выступов увеличить отвод тепла от полупроводниковых элементов, а развернутые штыри ребром к потоку позволяют уменьшить аэродинамическое сопротивление. Thus, the proposed pin radiator allows, as a result of the intensification of heat transfer with the help of pins and turbulent protrusions, to increase the heat removal from the semiconductor elements, and the unfolded pins with an edge to the flow can reduce aerodynamic drag.

Claims (5)

1. ШТЫРЕВОЙ РАДИАТОР для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащий основание, размещенные на основании ребра охлаждения в виде штырей и турбулизирующие элементы, выполненные на основании в межреберных пространствах, отличающийся тем, что штыри выполнены в виде параллелепипедов с углом между двумя сопряженными гранями 30-90o, а турбулизирующие элементы выполнены в виде выступов.1. A PIN RADIATOR for cooling semiconductor devices, comprising a base located on the base of the cooling fin in the form of pins and turbulizing elements made on the base in intercostal spaces, characterized in that the pins are made in the form of parallelepipeds with an angle between two mating faces of 30-90 o and the turbulizing elements are made in the form of protrusions. 2. Радиатор по п.1, отличающийся тем, что выступы турбулизирующих элементов расположены у оснований параллелепипедов штырей с двух их противоположных граней и сопряжены с ними. 2. The radiator according to claim 1, characterized in that the protrusions of the turbulizing elements are located at the bases of the parallelepipeds of the pins from their two opposite faces and are associated with them. 3. Радиатор по пп.1 и 2, отличающийся тем, что высота выступа турбулизатора выбирается из соотношения
h/d 0,3 0,5,
где h высота выступа турбулизатора, м;
d эквивалентный диаметр, м,
а узел размещения выступов турбулизаторов на основании выбирается из соотношения
t/h 7:10,
где t шаг размещения выступов турбулизаторов на основании, м;
h высота выступов турбулизаторов, м,
при этом t/d 3,3.
3. The radiator according to claims 1 and 2, characterized in that the height of the protrusion of the turbulator is selected from the ratio
h / d 0.3 0.5,
where h is the height of the protrusion of the turbulator, m;
d equivalent diameter, m
and the site of placement of the protrusions of the turbulators on the basis of is selected from the ratio
t / h 7:10,
where t is the pitch of the protrusions of the turbulators on the base, m;
h the height of the protrusions of the turbulators, m,
while t / d is 3.3.
4. Радиатор по пп.1-3, отличающийся тем, что параллелепипеды штырей ориентированы своими одними гранями параллельно торцевым кромкам основания, при этом выступы турбулизаторов выполнены в виде прямоугольных призм, сопряженных своими основаниями с двумя противоположными гранями штырей, а одними своими гранями с основанием. 4. The radiator according to claims 1 to 3, characterized in that the parallelepipeds of the pins are oriented with their same faces parallel to the end edges of the base, while the protrusions of the turbulators are made in the form of rectangular prisms, conjugated with their bases with two opposite faces of the pins, and one of their faces with the base . 5. Радиатор по пп. 1-3, отличающийся тем, что параллелепипеды штырей ориентированы своими гранями под углом относительно торцевых кромок основания, при этом выступы турбулизаторов выполнены в виде треугольных призм, сопряженных одними своими гранями с двумя противоположными гранями штырей, а своими основаниями с основанием. 5. The radiator according to paragraphs. 1-3, characterized in that the parallelepipeds of the pins are oriented by their faces at an angle relative to the end edges of the base, while the protrusions of the turbulators are made in the form of triangular prisms, conjugated by their faces with two opposite faces of the pins, and by their bases with the base.
RU93028369A 1993-05-25 1993-05-25 Pin radiator RU2037988C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93028369A RU2037988C1 (en) 1993-05-25 1993-05-25 Pin radiator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU93028369A RU2037988C1 (en) 1993-05-25 1993-05-25 Pin radiator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2037988C1 true RU2037988C1 (en) 1995-06-19
RU93028369A RU93028369A (en) 1995-11-10

Family

ID=20142240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU93028369A RU2037988C1 (en) 1993-05-25 1993-05-25 Pin radiator

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2037988C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU180382U1 (en) * 2017-07-14 2018-06-09 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" PIN RADIATOR FOR COOLING REA ELEMENTS
RU207764U1 (en) * 2021-04-16 2021-11-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) RADIATOR FOR COOLING SEMICONDUCTOR AND MICROELECTRONIC ELECTRIC VACUUM DEVICES
RU212836U1 (en) * 2022-02-28 2022-08-11 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) RADIATOR FOR COOLING SEMICONDUCTOR AND MICROELECTRONIC VACUUM DEVICES

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Авторское свидетельство СССР N 1229982, кл. H 05K 7/20, H 01L 23/34, 1989. *
2. Авторское свидетельство СССР N 1409848, кл. H 05K 7/20, H 01L 23/34, 1990. *
3. Патент ГДР N 222455, кл. H 05K 7/20, H 01L 23/34, 1978. *
4. Заявка Франции N 2136900, кл. H 05K 7/20, H 01L 23/34, 1981. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU180382U1 (en) * 2017-07-14 2018-06-09 Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета" PIN RADIATOR FOR COOLING REA ELEMENTS
RU207764U1 (en) * 2021-04-16 2021-11-15 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) RADIATOR FOR COOLING SEMICONDUCTOR AND MICROELECTRONIC ELECTRIC VACUUM DEVICES
RU212836U1 (en) * 2022-02-28 2022-08-11 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) RADIATOR FOR COOLING SEMICONDUCTOR AND MICROELECTRONIC VACUUM DEVICES
RU215018U1 (en) * 2022-03-28 2022-11-24 Марат Габдулгазизович Бикмуллин Prefabricated pin radiator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6308771B1 (en) High performance fan tail heat exchanger
US6588498B1 (en) Thermosiphon for electronics cooling with high performance boiling and condensing surfaces
CA1273007A (en) Gas heat exchanger and method of making
US3800868A (en) Heat exchanger
US5224538A (en) Dimpled heat transfer surface and method of making same
US5304845A (en) Apparatus for an air impingement heat sink using secondary flow generators
EP2141740A2 (en) Semiconductor device
CN106332529B (en) A kind of corrugated tube type microcirculation radiator and microcirculation heat-exchange system
CN1691316A (en) Heat dissipating device
KR101029173B1 (en) Heat­exchanging device
WO2023015835A1 (en) Liquid cooling plate radiator
RU2037988C1 (en) Pin radiator
US6390188B1 (en) CPU heat exchanger
CN112384744B (en) Heat exchange tube, method for manufacturing heat exchange tube, and heat exchanger
US4833766A (en) Method of making gas heat exchanger
RU134358U1 (en) FRACTAL RADIATOR FOR COOLING SEMICONDUCTOR AND MICROELECTRONIC COMPONENTS
CN215121666U (en) Heat radiator
EP0267772B1 (en) Heat exchanger and method of making same
US7654308B2 (en) Heat exchanger
SU1578436A1 (en) Heat-exchange member
CN216976989U (en) Radiator and air condensing units
JPH10190268A (en) Electronic device cooler
CN115750439B (en) Air-cooling integrated duct fan based on boundary layer ingestion
RU101309U1 (en) RADIATOR
RU2047953C1 (en) Heat-sink for cooling of power semiconductor devices

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100526