RU2026606C1 - Exclusive or gate - Google Patents

Exclusive or gate Download PDF

Info

Publication number
RU2026606C1
RU2026606C1 SU5018319A RU2026606C1 RU 2026606 C1 RU2026606 C1 RU 2026606C1 SU 5018319 A SU5018319 A SU 5018319A RU 2026606 C1 RU2026606 C1 RU 2026606C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
inputs
diodes
collectors
transistors
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Р.И. Куванов
Original Assignee
Производственное объединение "Ижевский радиозавод"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Производственное объединение "Ижевский радиозавод" filed Critical Производственное объединение "Ижевский радиозавод"
Priority to SU5018319 priority Critical patent/RU2026606C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2026606C1 publication Critical patent/RU2026606C1/en

Links

Abstract

FIELD: microelectronics. SUBSTANCE: exclusive OR gate has two light-emitting diodes 1, 2, two photoresistors 3, 4, load resistor 5. EFFECT: improved operational stability. 1 dwg

Description

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к применению оптоэлектронных элементов в качестве логических устройств. The invention relates to microelectronics, in particular to the use of optoelectronic elements as logic devices.

Известно устройство, содержащее элемент И-НЕ с открытым коллектором, который через резисторы соединен с входами устройства [1]. Недостатком этого устройства является отсутствие гальванической развязки входов от выходной цепи, а также малая величина амплитуды выходных импульсов. Единичный уровень здесь не может быть более половины напряжения питания. A device is known that contains an NAND element with an open collector, which is connected through resistors to the inputs of the device [1]. The disadvantage of this device is the lack of galvanic isolation of the inputs from the output circuit, as well as the small amplitude of the output pulses. The unit level here cannot be more than half of the supply voltage.

Известно также устройство, содержащее блок совпадения на двух транзисторах, коллекторы которых соединяются друг с другом, эмиттер одного соединен с базой другого, базы их соединены через диоды со входами А и Б [2]. Недостатком этого устройства является отсутствие гальванической развязки между входными и выходными цепями, а также отсутствие возможности варьировать напряжение питания в больших пределах. It is also known a device containing a matching unit on two transistors, the collectors of which are connected to each other, the emitter of one is connected to the base of the other, their bases are connected through diodes to the inputs A and B [2]. The disadvantage of this device is the lack of galvanic isolation between the input and output circuits, as well as the inability to vary the supply voltage within wide limits.

Целью изобретения является достижение гальванической развязки между входными и выходными цепями, а также увеличение диапазона изменения амплитуды выходных сигналов. The aim of the invention is to achieve galvanic isolation between input and output circuits, as well as increasing the range of variation of the amplitude of the output signals.

Для этого в элементе ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, содержащем диоды, подключенные к его входам и транзисторы, коллекторы которых соединены между собой и подключены через нагрузочный резистор к источнику питания. В качестве диодов использованы светоизлучающие диоды, включенные встречно-параллельно. В качестве транзисторов использованы фототранзисторы, эмиттеры которых подключены к общей шине, а коллекторы - к выходной шине. To do this, in the element EXCLUSIVE OR, containing diodes connected to its inputs and transistors, the collectors of which are interconnected and connected through a load resistor to a power source. Light emitting diodes connected in counter-parallel are used as diodes. Phototransistors are used as transistors, the emitters of which are connected to a common bus, and the collectors to the output bus.

Устройство содержит входы Х1 и Х2, светодиоды 1 и 2, оптически связанные с фототранзисторами 3 и 4, коллекторы которых через резистор 5 соединены с источником питания, а также ограничительные резисторы 6 и 7.The device contains inputs X 1 and X 2 , LEDs 1 and 2, optically coupled to phototransistors 3 and 4, whose collectors are connected through a resistor 5 to a power source, as well as limiting resistors 6 and 7.

На чертеже представлена схема устройства. The drawing shows a diagram of the device.

Работа устройства происходит следующим образом. При поступлении на входы Х1 и Х2 логического нуля или единицы светодиоды 1 и 2 не светят и на выходе Y будет высокий уровень. При поступлении на входы Х1 и Х2 противофазных потенциалов один из диодов будет светить и отдавать свою световую энергию в базу соответствующего транзистора. При этом на выходе Y будет нулевой потенциал.The operation of the device is as follows. Upon receipt of logic zero or one at inputs X 1 and X 2, LEDs 1 and 2 do not light up and output Y will have a high level. When antiphase potentials arrive at the inputs X 1 and X 2, one of the diodes will shine and give its light energy to the base of the corresponding transistor. In this case, the output Y will have zero potential.

Устройство обладает гальванической развязкой входов Х1 и Х2 от выхода Y и источника Е γ , величина Е γ может быть изменена в пределах от 5 до 30 в и более, при этом меняется амплитуда выходных импульсов без дополнительного подбора номинала резистора 5. Резисторы 6 и 7 могут быть подобраны и при необходимости ограничить ток через диоды 1 и 2.The device has galvanic isolation of the inputs X 1 and X 2 from the output Y and the source E γ, the value of E γ can be changed from 5 to 30 V or more, while the amplitude of the output pulses changes without additional selection of the value of the resistor 5. Resistors 6 and 7 can be selected and, if necessary, limit the current through diodes 1 and 2.

Claims (1)

ЭЛЕМЕНТ ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, содержащий диоды, подключенные к его входам, и транзисторы, коллекторы которых соединены между собой и подключены через нагрузочный резистор к источнику питания, отличающийся тем, что, с целью гальванической развязки входных и выходных цепей и увеличения диапазона изменения амплитуды выходных сигналов, в качестве диодов использованы светоизлучающие диоды, включенные встречнопараллельно, в качестве транзисторов - фототранзисторы, эмиттеры которых поключены к общей шине, а коллекторы соединены с выходной шиной. ITEM EXCLUSIVE OR, containing diodes connected to its inputs, and transistors, the collectors of which are interconnected and connected through a load resistor to a power source, characterized in that, for the purpose of galvanic isolation of input and output circuits and increasing the range of variation of the amplitude of the output signals, light emitting diodes connected in opposite directions are used as diodes, phototransistors are used as transistors, the emitters of which are connected to a common bus, and the collectors are connected to the output bus.
SU5018319 1991-12-20 1991-12-20 Exclusive or gate RU2026606C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5018319 RU2026606C1 (en) 1991-12-20 1991-12-20 Exclusive or gate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5018319 RU2026606C1 (en) 1991-12-20 1991-12-20 Exclusive or gate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2026606C1 true RU2026606C1 (en) 1995-01-09

Family

ID=21592438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5018319 RU2026606C1 (en) 1991-12-20 1991-12-20 Exclusive or gate

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2026606C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2506695C1 (en) * 2012-09-13 2014-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") "exclusive or" logic element with multidigit internal signal presentation
RU2701108C1 (en) * 2018-12-27 2019-09-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Current threshold logical element "nonequivalent"

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 966912, кл. H 03K 19/21, 1981.япония N 57-39092, H 03K 19/21, 1982 г. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2506695C1 (en) * 2012-09-13 2014-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") "exclusive or" logic element with multidigit internal signal presentation
RU2701108C1 (en) * 2018-12-27 2019-09-24 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Current threshold logical element "nonequivalent"

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880014568A (en) Reference potential generating circuit
KR840004280A (en) Display drive
KR900013509A (en) Temperature compensation circuit
RU2026606C1 (en) Exclusive or gate
KR910010877A (en) ECL circuit
KR890001287A (en) Logic level converter circuit
KR890016740A (en) Bi-CMOS Inverter Circuit
KR870001508A (en) Optical coordinate input device
KR870001504A (en) Current meter circuit
EP0541700A4 (en) Three terminal non-inverting transistor switch
JPH0482319A (en) Logic circuit
JPS6477319A (en) Non-stacked ecl type and function circuit
ATE6451T1 (en) RECTIFIER BRIDGE CIRCUIT.
KR900004107A (en) Acceleration Switching Input Circuit
SU1499477A1 (en) Capacitive sensor
KR920019084A (en) Source electrode coupled logic circuit
SU365716A1 (en) ALL-UNION tt ^ 't1t {thorough
SU1471293A1 (en) Double-threshold device
GB895677A (en) Improvements in or relating to gating circuit arrangements
SU1088125A1 (en) Optronic a.c.switch
KR880002871Y1 (en) Nand gate
SU615604A1 (en) Inverter
SU1252936A1 (en) Converter of logic levels
SU661804A1 (en) Inverter
SU1750028A1 (en) Flip-flop