RU2026414C1 - Method for article treatment - Google Patents
Method for article treatment Download PDFInfo
- Publication number
- RU2026414C1 RU2026414C1 SU5054039A RU2026414C1 RU 2026414 C1 RU2026414 C1 RU 2026414C1 SU 5054039 A SU5054039 A SU 5054039A RU 2026414 C1 RU2026414 C1 RU 2026414C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- products
- plasma
- potential
- working chamber
- positive potential
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к ионно-плазменной технологии и может быть использовано в различных областях техники для химико-термической обработки проводящих изделий, нагрева и плавки металлов в вакууме. The invention relates to ion-plasma technology and can be used in various fields of technology for chemical-thermal treatment of conductive products, heating and smelting of metals in vacuum.
Известен способ химико-термической обработки изделий в тлеющем разряде, включающий зажигание тлеющего разряда между вакуумной камерой (анодом) и размещенным внутри камеры и изолированным от нее изделием (катодом) в среде химически активного газа (азота, метана и др.), нагрев изделия ионной бомбардировкой и выдержку изделия в активной газовой плазме при рабочей температуре в течение необходимого времени [1]. Недостатком способа является сильная зависимость тока разряда от давления и сорта газа, а также снижение исходного класса чистоты обработки поверхности изделий в результате растравливания поверхности ионами. A known method of chemical-thermal treatment of products in a glow discharge, including ignition of a glow discharge between a vacuum chamber (anode) and placed inside the chamber and isolated from it product (cathode) in a medium of chemically active gas (nitrogen, methane, etc.), heating the product with ion bombardment and exposure of the product in active gas plasma at operating temperature for the required time [1]. The disadvantage of this method is the strong dependence of the discharge current on the pressure and grade of gas, as well as a decrease in the initial purity class of surface treatment of products as a result of etching of the surface with ions.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ обработки изделий, включающий заполнение плазмой вакуумно-дугового разряда рабочей камеры с установленными внутри нее изделиями, и подачу на изделия отрицательного потенциала (Дороднов А.М., Петросов В.А. О физических принципах и типах вакуумных технологических плазменных устройств. - Журнал технической физики, 1981, т.51, N 3, с. 504-524). Ток вакуумной дуги, а следовательно концентрация плазмы и ток ионов из плазмы на поверхность обрабатываемых изделий слабо зависят от давления газа в вакуумной камере. При отрицательном потенциале изделия относительно камеры около 1 кВ и выше распыление ионами превалирует над конденсацией металла, происходит ионная очистка поверхности и нагрев изделий до необходимой температуры. При потенциале 200 В и при подаче в камеру активного газа (например, азота) происходит конденсация с ионной бомбардировкой (КИБ) и синтез покрытия на поверхности изделия. В случае массивных изделий доза ионного облучения, необходимая для их нагрева до необходимой температуры, значительно превышает дозу, необходимую для очистки поверхности от загрязнений. В результате происходит растравливание поверхности ионами. При длительном прогреве глубинных слоев массивных изделий происходит также перегрев, отпуск и затупление их острых кромок (например, режущих кромок инструмента), так как плотность ионного тока на них на несколько порядков превышает плотность тока в пазах и углублениях. Снижение класса чистоты обработки поверхности изделий в результате растравливания, а также перегрев острых кромок и тонких перемычек изделий являются недостатками способа. Closest to the technical nature of the present invention is a method of processing products, including filling plasma with a vacuum-arc discharge of a working chamber with products installed inside it, and supplying negative potential to products (A. Dorodnov, V. A. Petrosov. On physical principles and types of vacuum technological plasma devices. - Journal of Technical Physics, 1981, vol. 51, No. 3, pp. 504-524). The vacuum arc current, and therefore the plasma concentration and the ion current from plasma to the surface of the processed products, weakly depend on the gas pressure in the vacuum chamber. With a negative potential of the product relative to the chamber about 1 kV and higher, ion sputtering prevails over metal condensation, ionic surface cleaning and heating of the products to the required temperature occur. At a potential of 200 V and when an active gas (for example, nitrogen) is supplied to the chamber, condensation with ion bombardment (CIB) occurs and the coating is synthesized on the surface of the product. In the case of bulk products, the dose of ion irradiation required to heat them to the required temperature significantly exceeds the dose required to clean the surface from contamination. As a result, the surface is etched by ions. During prolonged heating of the deep layers of massive products, overheating, tempering, and blunting of their sharp edges (for example, cutting edges of the tool) also occur, since the ion current density on them exceeds the current density in grooves and recesses by several orders of magnitude. The decrease in the class of cleanliness of the surface treatment of products as a result of etching, as well as overheating of sharp edges and thin jumpers of products are the disadvantages of the method.
Целью изобретения являются сохранение исходного класса чистоты обработки поверхности изделий и предотвращение отпуска и затупления острых кромок при плазменном нагреве изделий. The aim of the invention is to maintain the original class of cleanliness of the surface treatment of products and prevent tempering and blunting of sharp edges during plasma heating of products.
Достигается это тем, что в способе обработки изделий, включающем заполнение рабочей камеры с установленными внутри нее изделиями плазмой и подачу на изделия потенциала, потенциал подают положительный и при этом поочередно на отдельные изделия и/или группы изделий. This is achieved by the fact that in the method of processing products, including filling the working chamber with the plasma products installed inside it and supplying potential to the products, the potential is supplied positive and at the same time alternately for individual products and / or groups of products.
Для нагрева изделий или плавки в инертной среде заполнение рабочей камеры осуществляют плазмой инертного газа. For heating products or melting in an inert medium, the working chamber is filled with inert gas plasma.
Для проведения химико-термической обработки изделий заполнение рабочей камеры осуществляют плазмой химически активного газа. To carry out chemical-thermal treatment of products, the working chamber is filled with a plasma of reactive gas.
Целесообразно получать плазму в рабочей камере с помощью газового разряда. It is advisable to obtain plasma in the working chamber using a gas discharge.
В ряде случаев целесообразно подавать положительный потенциал на изделия относительно рабочей камеры. In some cases, it is advisable to apply a positive potential to the products relative to the working chamber.
В ряде случаев целесообразно подавать положительный потенциал на изделия относительно катода газового разряда. In some cases, it is advisable to apply a positive potential to the products relative to the gas discharge cathode.
В других ситуациях целесообразно подавать положительный потенциал на изделия относительно анода газового разряда или введенного в плазму вспомогательного электрода. In other situations, it is advisable to apply a positive potential to the products relative to the gas discharge anode or an auxiliary electrode inserted into the plasma.
При подаче на изделия положительного потенциала достаточной величины ток электронов из плазмы переключается в цепь обрабатываемых изделий. При этом потенциал плазмы относительно изделий зависит от суммарной площади S, контактирующей с плазмой поверхности изделий и эквипотенциальной с ними оснастки, а также от способа получения плазмы, типа используемого для получения плазмы газового разряда, параметров рабочей камеры и эмитирующего электроны катода газового разряда. Во всех случаях при достаточно большой поверхности S плазма положительна по отношению к изделиям и на их поверхность поступают наряду с ионами лишь наиболее быстрые электроны из хвоста их максвелловской функции распределения. С уменьшением S до определенной в каждом конкретном случае критической величины So разность потенциалов между плазмой и изделиями падает до нуля, а с дальнейшим уменьшением S потенциал изделий по отношению к плазме становится положительным и возрастает по величине. Лишь в этом случае на поверхность изделий не поступают положительные ионы, а электроны ускоряются установившейся разностью потенциалов между плазмой и изделиями. Она может достигать нескольких десятков вольт. Поэтому при получении плазмы с помощью вакуумной дуги с разрядным напряжением 40 В доля расходуемой в разряде мощности, используемой непосредственно на нагрев изделий, может превышать 50%. Так как электроны не распыляют изделия, а ионы на изделия не поступают, не происходит растравливания поверхности. При равных плотностях потока мощности частиц ширина слоя отрицательного объемного заряда электронов у поверхности положительных по отношению к плазме изделий в сотни раз меньше ширины слоя положительного объемного заряда при нагреве изделий ионами с подачей отрицательного потенциала 1 кВ. Она в большинстве случаев не превышает минимального радиуса кривизны поверхности изделия, что обеспечивает высокую однородность плотности тока ускоренных электронов и предотвращает перегрев и отпуск острых кромок и тонких перемычек. Критическая площадь поверхности изделий So в случаях, когда количества образующихся в системе ионов и электронов близки (внешний источник плазмы, внешний ионизатор, тлеющий разряд) в 
m - масса электрона, т. е. в 150-250 раз меньше поверхности плазмы (внутренней поверхности рабочей камеры). Можно увеличить So при использовании газового разряда с током электронной эмиссии катода, превышающим ток электронов, образованных в разрядном промежутке в результате ионизации газа (вакуумная дуга с холодным или с накаленным катодом). В последнем случае So примерно в 1,5 раза превышает площадь катода-эмиттера.When a positive potential of sufficient magnitude is supplied to the products, the electron current from the plasma switches to the circuit of the processed products. In this case, the plasma potential relative to the products depends on the total area S in contact with the plasma of the surface of the products and equipment equipotential with them, as well as on the method for producing the plasma, such as the gas discharge plasma used, the parameters of the working chamber and the gas-discharge cathode emitting electrons. In all cases, for a sufficiently large surface S, the plasma is positive with respect to the products and along with ions only the fastest electrons from the tail of their Maxwell distribution function arrive on their surface. With a decrease in S to a critical value S o determined in each particular case, the potential difference between the plasma and the articles decreases to zero, and with a further decrease in S, the potential of the articles with respect to the plasma becomes positive and increases in magnitude. Only in this case, positive ions do not enter the surface of the products, and the electrons are accelerated by the steady-state potential difference between the plasma and the products. It can reach several tens of volts. Therefore, when receiving plasma using a vacuum arc with a discharge voltage of 40 V, the proportion of power consumed in the discharge used directly to heat the products can exceed 50%. Since electrons do not atomize the article, and ions do not enter the article, surface etching does not occur. At equal densities of the particle power flux, the width of the layer of negative space charge of electrons at the surface of plasma-positive products is hundreds of times smaller than the width of the layer of positive space charge when the products are heated by ions with a negative potential of 1 kV. In most cases, it does not exceed the minimum radius of curvature of the product surface, which ensures high uniformity of the current density of accelerated electrons and prevents overheating and tempering of sharp edges and thin jumpers. The critical surface area of products S o in cases where the quantities of ions and electrons formed in the system are close (external plasma source, external ionizer, glow discharge) in
m is the mass of the electron, i.e., 150-250 times less than the surface of the plasma (the inner surface of the working chamber). It is possible to increase S o by using a gas discharge with a cathode electron emission current exceeding the current of electrons formed in the discharge gap as a result of gas ionization (vacuum arc with a cold or incandescent cathode). In the latter case, S o is approximately 1.5 times larger than the area of the cathode-emitter.
При одновременной обработке большого количества изделий в одной рабочей камере суммарная площадь их поверхностей превышает критическую So и подача положительного потенциала на все изделия сразу не приводит к их эффективному нагреву электронами. Если подавать положительный потенциал поочередно на отдельные изделия или группы соединенных между собой электрически изделий с площадью поверхности S < So, то происходит эффективный нагрев изделий электронами из плазмы, потенциал которой в этом случае оказывается ниже потенциала изделий. Соединение изделий в группы диктуется ограниченными возможностями средств подачи потенциала на отдельные изолированные друг от друга изделия. Однако с уменьшением площади одновременно обрабатываемой электронами поверхности энергия электронов и доля мощности, используемой на нагрев, возрастают. Поэтому максимальный КПД электронного нагрева изделий в плазме достигается при поочередной подаче положительного потенциала на каждое отдельное изделие. Через изделия, на которые в данный момент положительный потенциал не подан, ток не протекает и их потенциал ниже потенциала плазмы на несколько электронных температур, т.е. примерно на 10 В. Энергия поступающих на изделия одновременно и в равных количествах с электронами ионов оказывается при этом ниже пороговой энергии катодного распыления. Поэтому растравливание поверхности ионами невозможно как при подаче положительного потенциала, когда ионы на изделия не поступают, так и в паузах, когда интенсивность нагрева (совместной бомбардировкой ионами и электронами) резко уменьшается. В паузах тепло, переданное поверхностным слоям, равномерно распределяется по всей глубине изделия.While processing a large number of products in one working chamber, the total surface area exceeds the critical S o and the supply of a positive potential to all products does not immediately lead to their effective heating by electrons. If the positive potential is applied alternately to individual products or groups of electrically connected products with a surface area S <S o , then the products are heated effectively by electrons from the plasma, the potential of which in this case is lower than the potential of the products. The combination of products in groups is dictated by the limited capabilities of the means of supplying potential to individual products isolated from each other. However, with a decrease in the area of the surface simultaneously processed by electrons, the electron energy and the fraction of the power used for heating increase. Therefore, the maximum efficiency of electronic heating of products in plasma is achieved by alternately applying a positive potential to each individual product. No current flows through the products to which no positive potential is currently supplied, and their potential is several electron temperatures lower than the plasma potential, i.e. approximately by 10 V. The energy of ions arriving at the products simultaneously and in equal amounts with the electrons of the ions is lower than the threshold energy of cathodic sputtering. Therefore, ion etching of the surface is impossible both when applying a positive potential, when ions do not enter the products, and in pauses, when the heating intensity (joint bombardment by ions and electrons) decreases sharply. In pauses, the heat transferred to the surface layers is evenly distributed throughout the entire depth of the product.
Плазма в рабочей камере может быть получена с помощью электрического газового разряда в камере или инжекцией из внешнего источника, например, в результате экзотермической газофазной химической реакции. В последнем случае подать на изделия положительный потенциал возможно относительно рабочей камеры. Plasma in the working chamber can be obtained using an electric gas discharge in the chamber or by injection from an external source, for example, as a result of an exothermic gas-phase chemical reaction. In the latter case, it is possible to apply a positive potential to the products relative to the working chamber.
При получении плазмы в рабочей камере с помощью газового разряда можно также подавать потенциал относительно одного из изолированных от рабочей камеры электродов газового разряда, например, относительно катода или анода стационарного прямоточного разряда. When plasma is obtained in the working chamber by means of a gas discharge, it is also possible to apply a potential with respect to one of the gas discharge electrodes isolated from the working chamber, for example, with respect to the cathode or anode of a stationary direct-flow discharge.
Способ осуществляется следующим образом. Внутри рабочей камеры на оснастке, содержащей изолированные друг от друга держатели, к которым индивидуально с помощью специальной системы коммутации может подключаться положительный полюс источника напряжения, устанавливают поштучно или группами проводящие обрабатываемые изделия. Камера герметизируется и откачивается. Далее ее заполняют плазмой. В случае использования электрического газового разряда, например, двухступенчатого ваку- умно-дугового разряда с интегрально-холодным катодом камеру предварительно заполняют рабочим газом (например, азотом) до давления 0,1-10 Па, а затем между катодом и анодом прикладывают напряжение источника питания разряда. Анодом может служить сама рабочая камера. Зажигается газовый разряд и камера с изделиями заполняется газоразрядной плазмой. С помощью системы коммутации на них поочередно подается от вспомогательного низковольтного источника питания положительный по отношению к камере-аноду потенциал. Весь ток, протекавший в цепи камеры, переключается в цепь изделия, на которое подан положительный потенциал. Оно интенсивно нагревается. Далее изделие отключается и положительный потенциал подается на следующее изделие и т.д. необходимая температура изделий достигается в результате многократных подключений к источнику положительного напряжения каждого изделия. При этом в паузах полученное поверхностными слоями тепло равномерно распределяется по всей массе изделия. При достижении необходимой температуры можно, уменьшив ток разряда, поддерживать ее указанным способом, осуществляя азотирование или другие технологические операции. Ввиду отсутствия распыления деталей ионами при предлагаемом способе электронного нагрева сохраняется исходный класс чистоты обработки поверхности изделий. При необходимости поверхность нагретых массивных изделий может быть очищена от загрязнений небольшой дозой облучения ионами из плазмы при подаче на изделия отрицательного потенциала или с помощью источника пучка большого сечения ионов или быстрых нейтральных молекул. The method is as follows. Inside the working chamber, on a snap-in containing holders isolated from each other, to which the positive pole of the voltage source can be individually connected using a special switching system, they install piecewise conductive processed products. The chamber is sealed and pumped out. Then it is filled with plasma. In the case of using an electric gas discharge, for example, a two-stage vacuum-arc discharge with an integrated cold cathode, the chamber is preliminarily filled with working gas (for example, nitrogen) to a pressure of 0.1-10 Pa, and then the voltage of the power source is applied between the cathode and anode discharge. The working chamber itself can serve as an anode. A gas discharge is ignited and the chamber with the products is filled with gas-discharge plasma. With the help of a switching system, they are alternately supplied from the auxiliary low-voltage power supply with a potential positive with respect to the anode chamber. All the current flowing in the circuit of the chamber is switched to the circuit of the product, to which a positive potential is applied. It heats up intensely. Next, the product is turned off and positive potential is applied to the next product, etc. the required temperature of the products is achieved as a result of repeated connections to the source of positive voltage of each product. Moreover, in pauses, the heat obtained by the surface layers is evenly distributed over the entire mass of the product. Upon reaching the required temperature, it is possible, by reducing the discharge current, to maintain it in the indicated manner, by nitriding or other technological operations. Due to the lack of atomization of parts with ions, the proposed method of electronic heating preserves the original purity class of surface treatment of products. If necessary, the surface of heated massive products can be cleaned of contaminants with a small dose of plasma ion irradiation when a negative potential is applied to the products or using a beam source with a large cross section of ions or fast neutral molecules.
Приведем пример конкретной реализации способа для нагрева электронами аргоновой плазмы 35 цилиндрических фрез диаметром 9 см и высотой 9 см в рабочей камере диаметром 64 см и высотой 57,5 см. При заполнении камеры плазмой площадь поверхности ее границы составляет 2,4 х 104 см2.Here is an example of a specific implementation of the method for electron heating of argon plasma of 35 cylindrical cutters with a diameter of 9 cm and a height of 9 cm in a working chamber with a diameter of 64 cm and a height of 57.5 cm. When filling the chamber with plasma, the surface area of its boundary is 2.4 x 10 4 cm 2 .
В отсутствие эмиттера электронов критическая площадь So = 2,4х104/200 = 120 см2 при суммарной площади поверхности отдельной фрезы и ее держателя S = 400 см2. Так как S > So, электронный нагрев без электронного эмиттера здесь невозможен.In the absence of an electron emitter, the critical area is S o = 2.4 × 10 4/200 = 120 cm 2 with the total surface area of an individual mill and its holder S = 400 cm 2 . Since S> S o , electronic heating without an electronic emitter is not possible here.
Использовался двухступенчатый вакуумно-дуговой разряд с интегрально-холодным катодом. Катодная зона разряда отделена от объема рабочей камеры перегородкой, непроницаемой для ионов металла и проницаемой для электронов. Площадь плазменного электронного эмиттера, полученного с помощью указанной перегородки, составила около 350 см2, что достаточно для эффективного нагрева одной фрезы электронами плазмы. При токе 300 А разрядное напряжение между катодом дуги и камерой-анодом составляло ≈22 В. При подаче на отдельную фрезу положительного потенциала 50 В относительно камеры от вспомогательного источника питания ток в цепи катода возрастал до 330 А, ток в цепи камеры менял направление на обратное, составляя 15 А, а в цепи фрезы устанавливался ток 345 А. Система коммутации подавала положительный потенциал поочередно на каждую фрезу при длительности протекания тока в ее цепи 3 с. Время нагрева 35 фрез до температуры 500оС составило 40 мин.A two-stage vacuum-arc discharge with an integrated cold cathode was used. The cathode discharge zone is separated from the volume of the working chamber by a partition that is impermeable to metal ions and permeable to electrons. The area of the plasma electron emitter obtained using this partition was about 350 cm 2 , which is sufficient for efficient heating of one cutter by plasma electrons. At a current of 300 A, the discharge voltage between the arc cathode and the camera-anode was ≈22 V. When a positive potential of 50 V was applied to a separate mill from the camera from an auxiliary power source, the current in the cathode circuit increased to 330 A, the current in the camera circuit reversed , amounting to 15 A, and a current of 345 A was installed in the cutter circuit. The switching system supplied a positive potential to each cutter in turn with a current flow of 3 s in its circuit. Time of heating to a temperature of 35 cutters 500 ° C was 40 minutes.
Затем наносилось покрытие из нитрида титана толщиной 5 мкм при давлении азота 0,3 Па, опорном напряжении - 150 В, токе дуги 100 А. Then a coating of titanium nitride with a thickness of 5 μm was applied at a nitrogen pressure of 0.3 Pa, a reference voltage of 150 V, and an arc current of 100 A.
Вторую партию из 35 таких же фрез обрабатывали известным способом. При этом на изделия подавали напряжение -1500 В и при давлении 5х10-3 Па, производили нагрев и очистку изделий ионами титана. Нагрев так же, как и в первом случае, осуществляли до температуры 500оС. Затем осаждали покрытие из нитрида титана по режимам, указанным для первой партии.The second batch of 35 of the same cutters was processed in a known manner. At the same time, voltage of –1500 V was applied to the products and at a pressure of 5 × 10 –3 Pa, heating and cleaning of the products with titanium ions was carried out. Heating the same as in the first case, carried out to a temperature of 500 C. Then, precipitated coating of titanium nitride on the modes specified for the first batch.
Последующие стойкостные испытания показали, что стойкость фрез, нагретых до рабочей температуры по предлагаемому способу, увеличилась в 1,2-1,3 раза по сравнению с известным способом, а радиус скругления режущих кромок не изменился. Subsequent resistance tests showed that the resistance of mills heated to operating temperature by the proposed method increased by 1.2-1.3 times compared with the known method, and the radius of rounding of the cutting edges did not change.
По сравнению с известным предлагаемый способ позволяет при плазменном нагреве изделий сохранить исходный класс чистоты обработки поверхности изделий, избежать затупления режущих кромок инструмента и повреждений поверхности изделий катодными пятнами дуги, а также обеспечивает равномерный прогрев массивных изделий по толщине. Compared with the known, the proposed method allows for plasma heating of products to maintain the original cleanliness class of the surface treatment of products, to avoid blunting of the tool edges and damage to the surface of the products by cathode spots of the arc, and also provides uniform heating of massive products in thickness.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5054039 RU2026414C1 (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Method for article treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU5054039 RU2026414C1 (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Method for article treatment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2026414C1 true RU2026414C1 (en) | 1995-01-09 |
Family
ID=21609200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU5054039 RU2026414C1 (en) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | Method for article treatment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2026414C1 (en) |
-
1992
- 1992-07-09 RU SU5054039 patent/RU2026414C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Бабат - Захряпин А.А., Кузнецов Г.Д. Химико-термическая обработка в тлеющем разряде. М.: Атомиздат, 1975, с.176. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5549780A (en) | Method for plasma processing and apparatus for plasma processing | |
| US5221427A (en) | Plasma generating device and method of plasma processing | |
| JP3652702B2 (en) | Linear arc discharge generator for plasma processing | |
| US6570172B2 (en) | Magnetron negative ion sputter source | |
| EP1012863B1 (en) | Glow plasma discharge device | |
| US6147452A (en) | AC glow plasma discharge device having an electrode covered with apertured dielectric | |
| KR20110118622A (en) | Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith | |
| JPH0676773A (en) | Method for generation and ignition of low- pressure discharge, vacuum working apparatus and cathode chamber for avobe apparatus | |
| TW200830390A (en) | Method and apparatus for manufacturing cleaned substrates or clean substrates which are further processed | |
| JP3345079B2 (en) | Atmospheric pressure discharge device | |
| EP0095311B1 (en) | Ion source apparatus | |
| US6285025B1 (en) | Source of fast neutral molecules | |
| US6083356A (en) | Method and device for pre-treatment of substrates | |
| RU2026414C1 (en) | Method for article treatment | |
| US4264813A (en) | High intensity ion source using ionic conductors | |
| RU2450083C2 (en) | Plant for vacuum ion-plasma treatment of long components | |
| KR100250547B1 (en) | Arrangement for coating or etching substrates | |
| JP3175891B2 (en) | Plasma generator and etching method using the same | |
| KR20090082384A (en) | Device for the pre-treatment of substrates | |
| RU2026413C1 (en) | Method of heating of electric conducting products in working chamber | |
| US9773650B2 (en) | Method and device for generating an electrical discharge | |
| US6879103B1 (en) | Glow plasma discharge device | |
| RU2116707C1 (en) | Device for generation of low-temperature gas- discharge plasma | |
| RU2407821C1 (en) | Procedure for heating items in plasma | |
| JPH07197259A (en) | Ion beam sputtering device |