RU2020106422A - Высокочастотный оптический переключатель и способы его изготовления - Google Patents

Высокочастотный оптический переключатель и способы его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2020106422A
RU2020106422A RU2020106422A RU2020106422A RU2020106422A RU 2020106422 A RU2020106422 A RU 2020106422A RU 2020106422 A RU2020106422 A RU 2020106422A RU 2020106422 A RU2020106422 A RU 2020106422A RU 2020106422 A RU2020106422 A RU 2020106422A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metamaterial
layer
optical
paragraphs
modulator
Prior art date
Application number
RU2020106422A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2782978C9 (ru
RU2782978C2 (ru
RU2020106422A3 (ru
Inventor
Эран ГАББАЙ
Original Assignee
Терагерц Груп Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Терагерц Груп Лтд. filed Critical Терагерц Груп Лтд.
Publication of RU2020106422A publication Critical patent/RU2020106422A/ru
Publication of RU2020106422A3 publication Critical patent/RU2020106422A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2782978C2 publication Critical patent/RU2782978C2/ru
Publication of RU2782978C9 publication Critical patent/RU2782978C9/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
    • G02F1/225Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference in an optical waveguide structure
    • G02F1/2255Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic component in an electric waveguide structure
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/90Non-optical transmission systems, e.g. transmission systems employing non-photonic corpuscular radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/30Metamaterials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Claims (52)

1. Оптическое переключающее устройство, пригодное для использования для скоростей передачи данных в терагерцовом диапазоне, содержащее оптически пропускающую подложку, выполненную с возможностью распространения через нее электромагнитного излучения, и структуру метаматериала, оптически соединенную с указанной подложкой,
причем указанная структура метаматериала содержит по меньшей мере один слой частиц метаматериала, оптически связанный по меньшей мере с некоторой частью указанной оптически пропускающей подложки, и по меньшей мере один слой наносетки, выполненный по меньшей мере из одного электропроводящего материала, размещенного по меньшей мере поверх некоторой части указанного по меньшей мере одного слоя метаматериала,
причем указанный по меньшей мере один слой наносетки выполнен с возможностью разряда электронов в указанный по меньшей мере один слой метаматериала, чувствительный к электромагнитным или электрическим сигналам, подаваемым на структуру метаматериала, и
указанный по меньшей мере один слой метаматериала, выполнен с возможностью перехода из оптически непрозрачного состояния в оптически прозрачное при приеме разряженных электронов с изменением по меньшей мере частично электромагнитного излучения, проходящего через подложку.
2. Устройство по п. 1, в котором оптически пропускающая подложка представляет собой по меньшей мере некоторую часть оптического волокна.
3. Устройство по п. 1, в котором оптически пропускающая подложка представляет собой по меньшей мере некоторую часть оптического WGM-резонатора.
4. Устройство по п. 3, в котором WGM-резонатор представляет собой резонатор типа PANDA.
5. Устройство по п. 1, в котором оптически пропускающая подложка представляет собой тонкую пленку.
6. Устройство по п. 5, в котором подложка имеет толщину примерно от 0,1 до 1 нм.
7. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором по меньшей мере один слой метаматериала содержит оксид ванадия.
8. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором по меньшей мере один слой метаматериала выполнен с возможностью проявления отрицательного преломления при приеме разряженных электронов.
9. Устройство по любому из предшествующих пунктов, содержащее металлические решетки, образованные на структуре метаматериала.
10. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором толщина по меньшей мере одного слоя частиц метаматериала составляет примерно 0,1-1 нм.
11. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором размер частиц по меньшей мере одного слоя метаматериала составляет примерно от 1 до 100 нанометров.
12. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором по меньшей мере один слой наносетки содержит золото.
13. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором толщина по меньшей мере одного слоя наносетки составляет примерно от 0,1 до 1 нанометра.
14. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором размеры частиц по меньшей мере одного слоя наносетки составляют примерно от 20 до 100 нанометров.
15. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором размер пор по меньшей мере одного слоя наносетки составляет примерно от 0,1 до 1 нанометра.
16. Устройство по любому из предшествующих пунктов, имеющее геометрический размер примерно от 100 до 500 нм.
17. Устройство по любому из предшествующих пунктов, в котором электромагнитные или электрические сигналы, подаваемые на структуру метаматериала, находятся в радио-, микроволновом или терагерцовом частотном диапазоне.
18. Устройство по п. 17, в котором электромагнитные или электрические сигналы, подаваемые на структуру метаматериала, находятся в диапазоне от 100 МГц до 40 ТГц.
19. Оптический модулятор, пригодный для использования для скоростей передачи данных в терагерцовом диапазоне, содержащий оптический переключатель по любому из пп. 1-18, входную волновую линию, выполненную с возможностью ввода входного электромагнитного излучения в указанный оптический переключатель, и выходную волновую линию, выполненную с возможностью передачи выходного электромагнитного излучения, по меньшей мере частично измененного указанным оптическим переключателем.
20. Оптический модулятор, пригодный для использования для скоростей передачи данных в терагерцовом диапазоне, причем модулятор содержит:
входную волновую линию, выполненную с возможностью ввода входного электромагнитного излучения в указанный узел, выполненный в виде оптического модулятора,
оптический разветвитель, выполненный с возможностью приема входного электромагнитного излучения от указанной входной волновой линии,
первую и вторую волновые линии, оптически связанные с указанным оптическим разветвителем для приема частей электромагнитного излучения от входной волновой линии, разделенной таким образом,
по меньшей мере одно оптическое переключающее устройство по п. 2, оптически соединенное с соответствующей сердцевиной по меньшей мере одной из первой и второй волновых линий, и
оптический сумматор, оптически связанный с указанными первой и второй волновыми линиями, для объединения электромагнитного излучения, принимаемого ими от оптического разветвителя, и по меньшей мере частично измененного указанным по меньшей мере одним оптическим переключателем.
21. Оптический модулятор по п. 20, содержащий выходную волновую линию, выполненную с возможностью приема электромагнитного излучения, объединенного оптическим сумматором.
22. Оптический модулятор по любому из пп. 20 и 21, содержащий первое и второе оптические переключающие устройства, соответственно соединенные с сердцевинами первой и второй волновых линий.
23. Модулятор по любому из пп. 20-22, в котором по меньшей мере один слой метаматериала содержит оксид ванадия.
24. Модулятор по любому из пп. 20-23, в котором по меньшей мере один слой метаматериала выполнен с возможностью проявления отрицательного преломления при приеме разряженных электронов.
25. Модулятор по любому из пп. 20-24, содержащий металлические решетки, образованные на структуре метаматериала.
26. Модулятор по любому из пп. 20-25, в котором толщина по меньшей мере одного слоя частиц метаматериала составляет примерно 0,1-1 нм.
27. Модулятор по любому из пп. 20-26, в котором размер частиц по меньшей мере одного слоя метаматериала составляет примерно от 1 до 100 нанометров.
28. Модулятор по любому из пп. 20-27, в котором указанный по меньшей мере один слой наносетки содержит золото.
29. Модулятор по любому из пп. 20-28, в котором толщина по меньшей мере одного слоя наносетки составляет примерно от 0,1 до 1 нанометра.
30. Модулятор по любому из пп. 20-29, в котором размер частиц по меньшей мере одного слоя наносетки составляет примерно от 20 до 100 нанометров.
31. Модулятор по любому из пп. 20-30, в котором размер пор по меньшей мере одного слоя наносетки составляет примерно от 0,1 до 1 нанометра.
32. Модулятор по любому из пп. 20-31, имеющий геометрический размер примерно от 100 до 500 нм.
33. Модулятор по любому из пп. 20-32, в котором электромагнитные или электрические сигналы, подаваемые на структуру метаматериала, находятся в радио-, микроволновом или терагерцовом частотном диапазоне.
34. Модулятор по п. 33, в котором электромагнитные или электрические сигналы, подаваемые на структуру метаматериала, находятся в диапазоне от 100 МГц до 40 ТГц.
35. Оптический сумматор для объединения двух или более носителей электромагнитных данных, причем указанный сумматор содержит:
по меньшей мере один WGM-резонатор, имеющий покрытие структурой метаматериала поверх внутренней стенки,
по меньшей мере две входные волновые линии, оптически связанные с указанным по меньшей мере одним WGM-резонатором для введения в него соответственно по меньшей мере двух носителей электромагнитных данных, и
по меньшей мере одну выходную волновую линию, оптически связанную с указанным по меньшей мере одним WGM-резонатором для вывода электромагнитного излучения, захваченного внутри указанного по меньшей мере одного WGM-резонатора, и по меньшей мере частичного объединения указанных по меньшей мере двух носителей электромагнитных данных.
36. Оптический сумматор по п. 35, в котором структура метаматериала содержит оксид ванадия.
37. Оптический сумматор по любому из пп. 35 и 36, в котором структура метаматериала содержит золото.
38. Оптический сумматор по любому из пп. 35-37, содержащий по меньшей мере один вспомогательный WGM-резонатор, имеющий покрытие структурой метаматериала поверх внутренней стенки и оптически связанный с указанным по меньшей мере одним WGM-резонатором,
причем указанный по меньшей мере один вспомогательный WGM-резонатор выполнен с возможностью формирования электромагнитного излучения, захваченного внутри указанного по меньшей мере одного WGM-резонаторе, заданным образом.
39. Оптический сумматор по любому из пп. 35-38, содержащий решетки, образованные на структуре метаматериала по меньшей мере одного WGM-резонатора.
40. Оптический сумматор по любому из пп. 38 и 39, в котором по меньшей мере один из WGM-резонаторов представляет собой резонатор эллипсоидальной формы.
RU2020106422A 2017-07-24 2018-07-24 Высокочастотный оптический переключатель и способы его изготовления RU2782978C9 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762535980P 2017-07-24 2017-07-24
US62/535,980 2017-07-24
PCT/IL2018/050822 WO2019021282A1 (en) 2017-07-24 2018-07-24 HIGH FREQUENCY OPTICAL SWITCH AND METHODS OF MAKING

Publications (4)

Publication Number Publication Date
RU2020106422A true RU2020106422A (ru) 2021-08-26
RU2020106422A3 RU2020106422A3 (ru) 2022-02-17
RU2782978C2 RU2782978C2 (ru) 2022-11-08
RU2782978C9 RU2782978C9 (ru) 2023-03-14

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
US11181800B2 (en) 2021-11-23
AU2018306670A1 (en) 2020-02-27
KR20200034745A (ko) 2020-03-31
IL272229A (en) 2020-03-31
JP2024088690A (ja) 2024-07-02
CA3070849A1 (en) 2019-01-31
CN111133375A (zh) 2020-05-08
WO2019021282A1 (en) 2019-01-31
ZA202000962B (en) 2021-06-30
US11747705B2 (en) 2023-09-05
JP2020528581A (ja) 2020-09-24
US20200225554A1 (en) 2020-07-16
EP3658985A1 (en) 2020-06-03
US20220171252A1 (en) 2022-06-02
IL272229B2 (en) 2024-05-01
IL272229B1 (en) 2024-01-01
EP3658985A4 (en) 2021-05-19
BR112020001377A2 (pt) 2020-10-06
RU2020106422A3 (ru) 2022-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Luo et al. Digital nonlinear metasurface with customizable nonreciprocity
JP2020528581A5 (ru)
Xu et al. Substrate integrated waveguide filter with mixed coupled modified trisections
Liu et al. High‐selective triple‐mode SIW bandpass filter using higher‐order resonant modes
Hussain et al. Dual-band terahertz metamaterials based on nested split ring resonators
Wu et al. Magnetically actuated reconfigurable metamaterials as conformal electromagnetic filters
Ra'di et al. Parity-time-symmetric teleportation
KR20200034745A (ko) 고주파 광 스위치 및 그 제조 방법
Li et al. Compact ultra‐wide stopband low pass filter using multimode resonators
Wu et al. Flexible terahertz metamaterial filter with high transmission intensity and large tuning range for optical communication application
Hayati et al. Compact microstrip lowpass filter with sharp roll‐off using radial resonator
Mirzaee et al. Realisation of highly compact planar lowpass filter for UWB RFID applications
Ilchenko et al. Bridge Equivalent Circuits for Microwave Filters and Fano Resonance
Ramaccia et al. Angular Momentum-biased metamaterials for filtering waveguide components and antennas with non-reciprocal behavior
Li et al. Compact low‐pass filters with deep and ultra‐wide stopband using tri‐and quad‐mode resonators
Liu et al. Topological phases and non-Hermitian topology in photonic artificial microstructures
Ruiz et al. Optimisation of chirped and tapered microstrip Koch fractal electromagnetic bandgap structures for improved low‐pass filter design
Xu et al. Slow-wave hybrid magnonics
Gu et al. Simple dual‐mode balanced bandpass filter with high selectivity and extended common‐mode noise suppression
Cao et al. Design of a dual‐band waveguide filter based on micromachining fabrication process
Jabbar et al. Wave discrimination at C-band frequencies in microstrip structures inspired by electromagnetically induced transparency
Qin et al. Elliptic response bandpass filter based on complementary CMRC
Contreras et al. K‐band RF‐MEMS uniplanar reconfigurable‐bandwidth bandpass filter using multimodal immittance inverters
Mousavi et al. High performance LPF structure with sharp roll‐off and low VSWR
Vaezi et al. Design of LPF with UW stopband and sharp roll‐off rate using transfer function analysis