RU2019116405A - Усилитель высокой мощности на кристалле, легированном редкоземельными элементами, основанный на схеме закачки со сверхнизким квантовым дефектом, использующей одномодовые или низкомодовые волоконные лазеры - Google Patents

Усилитель высокой мощности на кристалле, легированном редкоземельными элементами, основанный на схеме закачки со сверхнизким квантовым дефектом, использующей одномодовые или низкомодовые волоконные лазеры Download PDF

Info

Publication number
RU2019116405A
RU2019116405A RU2019116405A RU2019116405A RU2019116405A RU 2019116405 A RU2019116405 A RU 2019116405A RU 2019116405 A RU2019116405 A RU 2019116405A RU 2019116405 A RU2019116405 A RU 2019116405A RU 2019116405 A RU2019116405 A RU 2019116405A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mode
laser system
ytterbium
booster
high power
Prior art date
Application number
RU2019116405A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2019116405A3 (ru
RU2746445C2 (ru
Inventor
Алекс ДЕРГАЧЕВ
Игорь САМАРЦЕВ
Валентин ГАПОНЦЕВ
Original Assignee
Айпиджи Фотоникс Корпорэйшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Айпиджи Фотоникс Корпорэйшн filed Critical Айпиджи Фотоникс Корпорэйшн
Publication of RU2019116405A publication Critical patent/RU2019116405A/ru
Publication of RU2019116405A3 publication Critical patent/RU2019116405A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2746445C2 publication Critical patent/RU2746445C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1618—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067—Fibre lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/0804—Transverse or lateral modes
    • H01S3/08045—Single-mode emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094038—End pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094042—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a fibre laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094065—Single-mode pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094076—Pulsed or modulated pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1685—Ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316—Cascaded amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2302/00—Amplification / lasing wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2303/00—Pumping wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643—YAG

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Lasers (AREA)

Claims (23)

1. Одномодовая лазерная система высокой мощности, содержащая:
структуру MOPA (задающий генератор-усилитель мощности), содержащую:
одномодовый задающий источник, выдающий импульсный сигнальный пучок на длине волны λs 1030 нм или около нее,
иттербиевый (Yb) бустер на легированном кристалле или кристаллической керамике, принимающий сигнальный пучок; и
одномодовый или низкомодовый, работающий в непрерывном режиме волоконный лазер, выдающий световой пучок накачки высокой яркости на длине волны λp в диапазоне длин волн 1000-1020 нм для торцевой накачки иттербиевого бустера, причем сигнальный пучок и пучок накачки распространяются по существу коаксиально или коллинеарно, перекрывая друг друга в степени 80-100%, и длины волн λs и λp выбраны с таким расчетом, чтобы обеспечить сверхнизкий квантовый дефект.
2. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой сверхнизкий квантовый дефект составляет менее 3 %.
3. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1 или 2, в которой иттербиевый бустер содержит кристалл Yb:YAG (легированный иттербием алюмоиттриевый гранат) или керамику Yb2O3 и по форме выполнен как пластина или стержень.
4. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1 или 2, в которой длина λp светового излучения накачки варьирует в диапазоне длин волн 1006-1010 нм, причем предпочтительной является длина волны 1010 нм, и сверхнизкий квантовый дефект находится в пределах 2-2,5 %.
5. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой одномодовый или низкомодовый, работающий в непрерывном режиме волоконный лазер выполнен с возможностью выдачи нескольких кВт светового излучения накачки.
6. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой одномодовый источник накачки конструктивно исполнен как один или несколько лазерных диодов или как одномодовый волоконный лазер, работающий для выдачи последовательности сверхкоротких импульсов сигнального излучения в диапазоне фемсекундной, пикосекундной или наносекундной длительности импульсов.
7. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, дополнительно содержащая первый и второй дискриминаторы длин волн, расположенные с боков объемного усилителя, причем каждый из первого и второго дискриминаторов длин волн представляет собой дихроическое зеркало или объемную брэгговскую решетку (VBG).
8. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой сигнальный пучок на выходе иттербиевого бустера на кристалле характеризуется:
средней импульсной мощностью, варьирующей от несколько сотен ватт до нескольких кВт, и
энергией на импульс в диапазоне от нескольких сотен микроджоулей до нескольких миллиджоулей.
9. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой задающий источник представляет собой волоконный лазер с синхронизацией мод.
10. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 9, дополнительно содержащая по меньшей мере одну стадию предусиления.
11. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой задающий источник работает в чисто импульсном или пакетном режиме.
12. Одномодовая лазерная система высокой мощности по п. 1, в которой работающий в непрерывно режиме волоконный лазер высокой яркости выдает пучок накачки таким образом, что пучок накачки входит в один или оба из противоположных концов иттербиевого бустера.
13. Бустер, содержащий:
иттербиевый (Yb) объемный усилитель, принимающий одномодовый сигнальный пучок на длине волны λs 1030 нм или около нее; и
одномодовый или низкомодовый, работающий в непрерывном режиме волоконный лазер, выдающий световой пучок накачки высокой яркости, входящий в одну или обе из противоположных граней иттербиевого объемного усилителя на длине волны λp в диапазоне длин волн 1000-1020 нм, при этом сигнальный пучок и пучок накачки распространяются, перекрывая друг друга более чем на 80 %, и длины волн λs и λp выбраны с таким расчетом, чтобы обеспечить сверхнизкий квантовый дефект менее 3 %.
14. Бустер по п. 13, в котором объемный усилитель конструктивно исполнен как плита или стержень, и сверхнизкий квантовый дефект находится в пределах 2-2,5 %.
15. Бустер по п. 13, в котором иттербиевый объемный усилитель содержит кристалл Yb:YAG или керамику Yb2O3.
RU2019116405A 2016-12-01 2017-12-01 Усилитель высокой мощности на кристалле, легированном редкоземельными элементами, основанный на схеме закачки со сверхнизким квантовым дефектом, использующей одномодовые или низкомодовые волоконные лазеры RU2746445C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662428628P 2016-12-01 2016-12-01
US62/428,628 2016-12-01
PCT/US2017/064297 WO2018102738A1 (en) 2016-12-01 2017-12-01 High-power, rare-earth-doped crystal amplifier based on ultra-low-quantum-defect pumping scheme utilizing single or low-mode fiber lasers

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2019116405A true RU2019116405A (ru) 2021-01-11
RU2019116405A3 RU2019116405A3 (ru) 2021-02-19
RU2746445C2 RU2746445C2 (ru) 2021-04-14

Family

ID=62241999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019116405A RU2746445C2 (ru) 2016-12-01 2017-12-01 Усилитель высокой мощности на кристалле, легированном редкоземельными элементами, основанный на схеме закачки со сверхнизким квантовым дефектом, использующей одномодовые или низкомодовые волоконные лазеры

Country Status (9)

Country Link
US (1) US11316319B2 (ru)
EP (1) EP3549209A4 (ru)
JP (1) JP7107935B2 (ru)
KR (1) KR102423558B1 (ru)
CN (1) CN110036542B (ru)
BR (1) BR112019011136B1 (ru)
CA (1) CA3045019A1 (ru)
RU (1) RU2746445C2 (ru)
WO (1) WO2018102738A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109586151B (zh) * 2019-01-18 2024-03-01 东莞理工学院 一种高功率大能量飞秒激光器
WO2020210436A1 (en) * 2019-04-12 2020-10-15 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Fabrication of polymer nanocomposites for use as fiber laser claddings
CN117394123A (zh) * 2023-12-12 2024-01-12 华南师范大学 掺镱光纤激光器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU5822194A (en) * 1993-10-13 1995-05-04 Ire-Polus Co. A high power optical fiber amplifier pumped by a multi-mode laser source
US7391796B1 (en) * 2005-01-21 2008-06-24 Raytheon Company Ultra-low heat laser
US7593440B2 (en) * 2005-03-29 2009-09-22 Coherent, Inc. MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
EP1734622A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-20 Keopsys Methods of reduction of amplified spontaneous emission (ASE) in pulsed Master Oscillator Pulsed Amplifier (MOPA) fiber laser systems
EP2374034A1 (en) 2008-12-04 2011-10-12 Imra America, Inc. Highly rare-earth-doped optical fibers for fiber lasers and amplifiers
US20110150013A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Coherent, Inc. Resonant pumping of thin-disk laser with an optically pumped external-cavity surface-emitting semiconductor laser
CN101969172A (zh) * 2010-08-24 2011-02-09 浙江大学 基于增益调制技术脉冲激光种子的掺Yb光纤激光器
US8351113B2 (en) * 2010-09-02 2013-01-08 Textron Systems Corporation High power fiber laser system
FR2971640B1 (fr) * 2011-02-16 2014-04-04 Univ Bordeaux 1 Dispositif de pompage optique.
US8817827B2 (en) * 2011-08-17 2014-08-26 Veralas, Inc. Ultraviolet fiber laser system
US8774236B2 (en) 2011-08-17 2014-07-08 Veralas, Inc. Ultraviolet fiber laser system
BR112014000056B1 (pt) * 2011-08-18 2021-12-28 Ipg Photonics Corporation Fonte de bombeamento de fibra de alta potência com emissão de alto brilho e baixo ruído na faixa do comprimento de onda de cerca de 974 a 1030nm
US8848751B2 (en) * 2013-02-27 2014-09-30 Coherent Gmbh Short-pulsed compact MOPA
US9214781B2 (en) * 2013-11-21 2015-12-15 Lockheed Martin Corporation Fiber amplifier system for suppression of modal instabilities and method
US9160136B1 (en) * 2014-05-30 2015-10-13 Lee Laser, Inc. External diffusion amplifier
CN106716247B (zh) * 2014-09-16 2020-05-19 Ipg光子公司 用于照明投影机系统的rgb激光源
US9941654B2 (en) * 2015-09-01 2018-04-10 Coherent, Inc. Fiber-laser pumped crystal-laser
CN105720467B (zh) * 2016-05-06 2018-06-15 重庆邮电大学 一种2微米波段全保偏混合锁模超短脉冲光纤激光器

Also Published As

Publication number Publication date
CN110036542A (zh) 2019-07-19
JP7107935B2 (ja) 2022-07-27
CA3045019A1 (en) 2018-06-07
US20190326723A1 (en) 2019-10-24
EP3549209A1 (en) 2019-10-09
EP3549209A4 (en) 2020-08-05
RU2019116405A3 (ru) 2021-02-19
BR112019011136A2 (pt) 2019-10-01
BR112019011136B1 (pt) 2023-11-14
KR102423558B1 (ko) 2022-07-20
US11316319B2 (en) 2022-04-26
KR20190087559A (ko) 2019-07-24
CN110036542B (zh) 2021-09-28
JP2020501366A (ja) 2020-01-16
WO2018102738A1 (en) 2018-06-07
RU2746445C2 (ru) 2021-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9112329B2 (en) Thulium laser
Heckl et al. Ultrafast thin-disk lasers
RU2019116405A (ru) Усилитель высокой мощности на кристалле, легированном редкоземельными элементами, основанный на схеме закачки со сверхнизким квантовым дефектом, использующей одномодовые или низкомодовые волоконные лазеры
Chunaev et al. Synchronously pumped intracavity YLF–Nd–KGW picosecond Raman lasers and LiF: F–2 amplifiers
Kobtsev et al. High-energy Q-switched fiber laser based on the side-pumped active fiber
Karlsson et al. Q-switching of an Er–Yb: glass microchip laser using an acousto-optical modulator
US20030161035A1 (en) Three-dimensional optical amplifier structure
Klenner et al. Gigahertz diode-pumped Yb: CALGO laser with 60-fs pulses and an average output power of 3.5 W
US20160301186A1 (en) Quasi-continuous burst-mode laser
Loeser et al. High energy CPA-free picosecond Yb: YAG amplifier
Chang et al. Highly efficient 3 rd harmonic generation in Nd: YAG laser
Basiev et al. Direct amplification of picosecond pulses in F2-: LiF crystals
Vaupel et al. A joule-class, TEM00 spatial profile, narrow-linewidth laser system
Koechner et al. Laser amplifier
Talukder et al. Ultrafast Yb: KGW laser pumped at 946 nm
Liu et al. Ultraviolet femtosecond pulse amplification with high gain using solid-state, broad-band gain medium Ce3+: LiCaAlF6
Oreshkov et al. 52-mJ, kHz-Nd: YAG laser with diffraction limited output
Hemmer et al. Efficient Extraction From a Multi-Pass Yb: YAG Amplifier Via Multi-Pulse Amplification
Ottaway et al. High peak power, short pulse duration Er: YAG lasers using Q-switching and cavity dumping
Larat et al. Eye-Safe Q-Switched Er: YAG MOPA Laser System
Weitz et al. Passively Q-switched mode-locked picosecond Nd: YVO4 self-Raman laser
Zhao et al. Demonstration of terahertz generation by mixing passively Q-switched dual-frequency ND: YLF laser pulses
Neuhaus et al. Pulse energies exceeding 13 microjoules from a passively mode-locked Yb: YAG thin-disk oscillator by use of a selfimaging active multipass geometry
He et al. 5 MHz High-Repetition-Rate Acousto-optic Q-Switched photonic crystal fiber laser operating at 978 nm
Rudenkov et al. Yb3+: YVO4 Chirped Pulse Regenerative Amplifier