RU2016139392A - Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова - Google Patents

Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова Download PDF

Info

Publication number
RU2016139392A
RU2016139392A RU2016139392A RU2016139392A RU2016139392A RU 2016139392 A RU2016139392 A RU 2016139392A RU 2016139392 A RU2016139392 A RU 2016139392A RU 2016139392 A RU2016139392 A RU 2016139392A RU 2016139392 A RU2016139392 A RU 2016139392A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
gaas
nanowires
nanoscale structure
doping profile
Prior art date
Application number
RU2016139392A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2650576C2 (ru
Inventor
Александр Сергеевич Бугаев
Александр Эдуардович Ячменев
Дмитрий Сергеевич Пономарев
Рустам Анварович Хабибуллин
Сергей Анатольевич Гамкрелидзе
Петр Павлович Мальцев
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)
Priority to RU2016139392A priority Critical patent/RU2650576C2/ru
Publication of RU2016139392A publication Critical patent/RU2016139392A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2650576C2 publication Critical patent/RU2650576C2/ru

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Claims (1)

  1. Наноразмерная структура с нанонитями из атомов олова, встроенными в кристалл GaAs, включающая монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0,3-0,4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный оловом слой и контактный легированный кремнием слой GaAs, отличающаяся тем, что добавлен канальный слой InGaAs, спейсерный слой AlGaAs и барьерный слой AlGaAs, а двухмерный электронный газ, находящийся в канальном слое InGaAs, модулирован в виде квазиодномерных каналов.
RU2016139392A 2016-10-07 2016-10-07 Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова RU2650576C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016139392A RU2650576C2 (ru) 2016-10-07 2016-10-07 Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016139392A RU2650576C2 (ru) 2016-10-07 2016-10-07 Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2016139392A true RU2016139392A (ru) 2018-04-09
RU2650576C2 RU2650576C2 (ru) 2018-04-16

Family

ID=61866672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016139392A RU2650576C2 (ru) 2016-10-07 2016-10-07 Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2650576C2 (ru)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199813A (ja) * 1997-01-07 1998-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008545539A (ja) * 2005-05-27 2008-12-18 ザ・プロヴォスト，フェローズ・アンド・スカラーズ・オブ・ザ・カレッジ・オブ・ザ・ホーリー・アンド・アンディヴァイデッド・トリニティー・オブ・クイーン・エリザベス，ニア・ダブリン 導電性ナノワイヤの製造方法
US7566898B2 (en) * 2007-03-01 2009-07-28 Intel Corporation Buffer architecture formed on a semiconductor wafer
US7687799B2 (en) * 2008-06-19 2010-03-30 Intel Corporation Methods of forming buffer layer architecture on silicon and structures formed thereby
RU2520538C1 (ru) * 2012-11-02 2014-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) НАНОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА С КВАЗИОДНОМЕРНЫМИ ПРОВОДЯЩИМИ НИТЯМИ ОЛОВА В РЕШЕТКЕ GaAs

Also Published As

Publication number Publication date
RU2650576C2 (ru) 2018-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhao et al. Surface emitting, high efficiency near-vacuum ultraviolet light source with aluminum nitride nanowires monolithically grown on silicon
Krishnamoorthy et al. GdN nanoisland-based GaN tunnel junctions
EP2765611A3 (en) Vertical gallium nitride transistors and methods of fabricating the same
WO2015102746A3 (en) Electronics including graphene-based hybrid structures
EA201491232A1 (ru) Нанопроволочное устройство с графеновыми верхним и нижним электродами и способ получения такого устройства
EP2747145A3 (en) Field-effect transistor
JP2013179276A5 (ru)
JP2016157943A5 (ru)
JP2017505545A5 (ru)
GB2530197A (en) Tunneling field effect transistors (TFETS) with undoped drain underlap wrap-around regions
EP2999000A3 (en) Semiconductor device
EP2980858A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
JP2016522578A5 (ru)
EP3336901A3 (en) Normally-off hemt with self-aligned gate structure
EP4092756A3 (en) High electron mobility transistor and manufacturing method thereof
JP2013191828A5 (ru)
US9318556B2 (en) Graphene transistor having tunable barrier
EP2706574A3 (en) Semiconductor device
RU2016139392A (ru) Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова
WO2017007554A3 (en) Devices with organic semiconductor layers electrically-doped over a controlled depth
SG10201807506VA (en) Semiconductor Devices With Bent Portions
JP2015061060A5 (ru)
JP2014506002A5 (ru)
WO2018234873A8 (ja) 窒化物半導体エピタキシャル基板および半導体装置
RU160576U1 (ru) ТРАНЗИСТОРНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ТИПА Р-НЕМТ С ВАРИЗОННЫМ БАРЬЕРОМ AlX(Z)Ga1-X(Z)As

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201008