RU2016138402A

RU2016138402A - Способ предотвращения образования гидратов в текучих средах, содержащих газ или газовый конденсат

Info

Publication number: RU2016138402A
Application number: RU2016138402A
Authority: RU
Inventors: Стефано Карминати; Массимо ЦАМПАТО
Original assignee: Эни С.П.А.
Priority date: 2014-03-24
Filing date: 2015-03-19
Publication date: 2018-04-24
Also published as: CY1122733T1; US20180178185A1; RU2689612C2; WO2015145474A2; EP3122449A2; RU2016138402A3; MX2016012456A; WO2015145474A3; EP3122449B1

Claims

1. Способ предотвращения образования гидратов в текучих средах, содержащих газы или газовые конденсаты, который включает воздействие электромагнитными волнами на указанные текучие среды для предотвращения образования кристаллических связей, ответственных за образование указанных гидратов, отличающийся тем, что электромагнитные излучения действуют в пределах видимой и инфракрасной области спектра, заключенной в диапазоне λ от 500 нм и более до менее 1 мм (от более 300 ГГц до 600 ТГц или менее).

2. Способ по п. 1, в котором электромагнитные волны находятся в диапазоне λ от 700 нм до 0,1 мм (от 3 ТГц или более до 428 ТГц или менее).

3. Способ по п. 2, в котором электромагнитные волны находятся в диапазоне λ от 700 нм до 6 мкм (от 50 ТГц или более до 428 ТГц или менее).

4. Способ по п. 1, в котором к текучим средам, содержащим газы или газовые конденсаты, добавляют ингибирующие образование гидратов химические добавки.

5. Способ по п. 4, в котором ингибирующие образование гидратов химические добавки представляют собой термодинамические и/или кинетические ингибиторы, и/или препятствующие агломерации агенты.

6. Способ по хотя бы одному из предшествующих пунктов 1-5, в котором электромагнитные волны излучают с помощью облучающих станций, включающих по меньшей мере один источник электромагнитного излучения, к которому подают электричество с помощью гибкого подводного кабеля.

7. Способ по п. 6, в котором облучающие станции расположены:

- вдоль трубопроводов, транспортирующих и/или обрабатывающих текучие среды, содержащие газы или газовые конденсаты;

- в проложенных по морскому дну трубопроводах или вертикальных трубопроводах, расположенных на шельфе, в установках, применяемых для транспортирования газов/газовых конденсатов;

- выше и ниже дроссельных заслонок по ходу потока;

- в любом месте установки для сжижения или сжатия метана для хранения;

- в любом месте установки для выгрузки и/или транспортирования газа, поступающего из газовозов, емкостей или месторождений сжиженного и/или сжатого метана.

8. Способ по п. 6, в котором облучающие станции включают также один или более одного источников света, расположенных внутри трубопровода или любой части установки для хранения газа в резервуарах или на судах для транспортирования сжиженного или сжатого газа, в фазах загрузки в указанные резервуары или суда и выгрузки из указанных резервуаров или судов, посредством которых световое излучение взаимодействует с транспортируемым потоком.

9. Способ по хотя бы одному из предшествующих пунктов 1-8, в котором газы или газовые конденсаты, содержащиеся в текучих средах, представляют собой углеводороды, такие как метан, этан или пропан.

10. Устройство для предотвращения образования гидратов в трубопроводах для текучих сред, содержащих газы или газовые конденсаты, включающее одну или более одной излучающих станций, размещенных вдоль трубопровода на соответствующем расстоянии друг от друга, где каждая излучающая станция содержит источник электромагнитного излучения, к которому подают электричество с помощью гибкого подводного кабеля, или один или более одного источников света, посредством которых световое излучение взаимодействует с текучей средой, транспортируемой внутри трубопровода.

11. Способ растворения гидратов, образованных в текучих средах, содержащих газы или газовые конденсаты, посредством применения электромагнитных волн, включающий воздействие электромагнитными волнами на указанные текучие среды, отличающийся тем, что электромагнитные волны действуют в пределах видимой и инфракрасной области спектра, заключенной в диапазоне λ от 500 нм или более до менее 1 мм (от более 300 ГГц до 600 ТГц или менее).