RU2014146426A

RU2014146426A - METHOD FOR MANUFACTURING PREPARATIONS FOR DETECTORS OF IONIZING RADIATIONS FROM WIDE-GAP SEMICONDUCTOR MATERIALS

Info

Publication number: RU2014146426A
Application number: RU2014146426A
Authority: RU
Inventors: Борис Константинович Акиншин; Ильдар Мухаметович Газизов; Александр Александрович Смирнов; Владимир Семенович Хрунов; Виктор Георгиевич Федорков
Original assignee: Акционерное общество "Институт физико-технических проблем"
Priority date: 2014-11-19
Filing date: 2014-11-19
Publication date: 2016-06-10

Abstract

Способ изготовления заготовок для детекторов ионизирующих излучений из монокристаллов широкозонных полупроводниковых материалов, включающий создание исходного кристалла из CdTe или CdZnTe в форме практически правильного прямоугольного параллелепипеда; нанесение металлического слоя на верхнюю и нижнюю поверхности кристалла таким образом, что вдоль оси предполагаемого разреза на верхней и нижней поверхностях кристалла металлический слой отсутствует на ширину как минимум в 10 раз больше ширины режущего инструмента и разрезание кристалла на заготовки режущим инструментом по этой оси перпендикулярно верхней поверхности кристалла, отличающийся тем, что металлический слой наносят на всю верхнюю и на всю нижнюю поверхность кристалла; затем, на металлический слой верхней и нижней поверхности кристалла приклеивают пластины из графита таким образом, чтобы весь металлический слой был закрыт; а после процесса разрезания кристалла на заготовки, пластины из графита удаляют.A method of manufacturing blanks for detectors of ionizing radiation from single crystals of wide-gap semiconductor materials, comprising creating an initial crystal of CdTe or CdZnTe in the form of an almost regular rectangular parallelepiped; applying a metal layer to the upper and lower surfaces of the crystal in such a way that along the axis of the intended cut on the upper and lower surfaces of the crystal, the metal layer is not at least 10 times wider than the width of the cutting tool and cutting the crystal into workpieces with a cutting tool along this axis is perpendicular to the upper surface a crystal, characterized in that the metal layer is applied to the entire upper and entire lower surface of the crystal; then, graphite plates are glued onto the metal layer of the upper and lower surface of the crystal so that the entire metal layer is closed; and after the process of cutting the crystal into blanks, the graphite plates are removed.

Claims

A method of manufacturing blanks for detectors of ionizing radiation from single crystals of wide-gap semiconductor materials, comprising creating an initial crystal of CdTe or CdZnTe in the form of an almost regular rectangular parallelepiped; applying a metal layer to the upper and lower surfaces of the crystal in such a way that along the axis of the intended cut on the upper and lower surfaces of the crystal, the metal layer is not at least 10 times wider than the width of the cutting tool and cutting the crystal into workpieces with a cutting tool along this axis is perpendicular to the upper surface a crystal, characterized in that the metal layer is applied to the entire upper and entire lower surface of the crystal; then, graphite plates are glued onto the metal layer of the upper and lower surface of the crystal so that the entire metal layer is closed; and after the process of cutting the crystal into blanks, the graphite plates are removed.