RU2014111100A - Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, способ его изготовления и его применение в качестве устройства памяти - Google Patents
Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, способ его изготовления и его применение в качестве устройства памяти Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014111100A RU2014111100A RU2014111100/28A RU2014111100A RU2014111100A RU 2014111100 A RU2014111100 A RU 2014111100A RU 2014111100/28 A RU2014111100/28 A RU 2014111100/28A RU 2014111100 A RU2014111100 A RU 2014111100A RU 2014111100 A RU2014111100 A RU 2014111100A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- switched
- layer
- semiconductor material
- doped
- photo
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract 5
- MLCPSWPIYHDOKG-BUHFOSPRSA-N (3e)-3-(2-oxo-1h-indol-3-ylidene)-1h-indol-2-one Chemical compound O=C\1NC2=CC=CC=C2C/1=C1/C2=CC=CC=C2NC1=O MLCPSWPIYHDOKG-BUHFOSPRSA-N 0.000 claims abstract 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- -1 etc. Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims abstract 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 2
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 claims abstract 2
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical class [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 3
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical class C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
1. Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, имеющий структуру, состоящую из нескольких функциональных слоев, расположенных в следующем порядке: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, где слои 1a и 1б представляют собой:- исток и сток, соответственно, - электроды на основе электропроводящего материала, представляющего собой металл, выбранный из группы: золото, серебро, алюминий, медь, олово, платина, хром, цинк, титан, никель, палладий, редкоземельные металлы, щелочноземельные металлы и др., или сплавы вышеперечисленных металлов, или проводящий полимер, выбранный из группы допированных политиофенов, например, полиэтилендиокситиофен, полианилинов и полипирролов, или допированные оксиды металлов, выбранные из группы: оксиды индия-олова, допированный фтором оксид олова, легированный оксид цинка, или комбинации из нескольких различных электропроводящих материалов;где слой 2 представляет собой:- слой полупроводникового материала n-типа, p-типа или амбиполярного полупроводника, при этом в качестве полупроводникового материала n-типа могут быть использованы производные фуллеренов (С, С, С, Cи их смеси), нафталиндиимиды, перилендиимиды и комбинации вышеперечисленных материалов, в качестве органического полупроводникового материала р-типа может быть использован пентацен, замещенный квинкветиофен или динафтотиенотиофен, а в качестве амбиполярного органического полупроводникового материала может быть использован индиго, его функциональные производные, производные дикетопирролопирролов, изоиндиго и другие группы соединений;где слой 3 представляет собой:- фоточувствительный слой, состоящий из органических мат
Claims (4)
1. Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, имеющий структуру, состоящую из нескольких функциональных слоев, расположенных в следующем порядке: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, где слои 1a и 1б представляют собой:
- исток и сток, соответственно, - электроды на основе электропроводящего материала, представляющего собой металл, выбранный из группы: золото, серебро, алюминий, медь, олово, платина, хром, цинк, титан, никель, палладий, редкоземельные металлы, щелочноземельные металлы и др., или сплавы вышеперечисленных металлов, или проводящий полимер, выбранный из группы допированных политиофенов, например, полиэтилендиокситиофен, полианилинов и полипирролов, или допированные оксиды металлов, выбранные из группы: оксиды индия-олова, допированный фтором оксид олова, легированный оксид цинка, или комбинации из нескольких различных электропроводящих материалов;
где слой 2 представляет собой:
- слой полупроводникового материала n-типа, p-типа или амбиполярного полупроводника, при этом в качестве полупроводникового материала n-типа могут быть использованы производные фуллеренов (С60, С70, С70, C>70 и их смеси), нафталиндиимиды, перилендиимиды и комбинации вышеперечисленных материалов, в качестве органического полупроводникового материала р-типа может быть использован пентацен, замещенный квинкветиофен или динафтотиенотиофен, а в качестве амбиполярного органического полупроводникового материала может быть использован индиго, его функциональные производные, производные дикетопирролопирролов, изоиндиго и другие группы соединений;
где слой 3 представляет собой:
- фоточувствительный слой, состоящий из органических материалов с фотохромными свойствами, принадлежащих к классу спирооксазинов, общей формулы:
где радикалы R1-R4, представляют независимым образом атомы водорода, алкильные заместители C1-С10, фенильные группы, нитрогруппы, или алкилкарбонильные группы C1-С10, кроме того, радикалы R1-R4 попарно, т.е. R1 и R2, либо R2 и R3, либо R3 и R4 могут представлять бензольные кольца, аннелированные (т.е. конденсированные, имеющие общую C-C связь) с бензольным кольцом, несущим указанные заместители R1-R4 в формуле (1); где слой 4 представляет собой:
- слой диэлектрического материала, представляющий собой оксид алюминия, гафния или другого металла, обладающий диэлектрическими свойствами, при этом оксид металла может быть немодифицированным или покрытым пассивирующим слоем (например, алкилфосфоновыми кислотами);
где слой 5 представляет собой:
- затвор, представляющий собой электрод на основе металлического алюминия или другого материала, обладающего электропроводностью, характерной для металлов;
где слои 0 и 6 представляют собой:
- подложку, изолирующее покрытие или другой слой, не оказывающий непосредственного влияния на электрические характеристики транзистора, но обеспечивающий необходимые механические и эксплуатационные свойства транзистора.
2. Способ изготовления фотопереключаемого и электропереключаемого органического полевого транзистора по п. 1, отличающийся тем, что слой фотохромного материала при изготовлении транзистора наносят между слоями диэлектрика и полупроводника.
3. Применение фотопереключаемого и электропереключаемого органического полевого транзистора по п. 1 в качестве устройства памяти.
4. Применение фотопереключаемого и электропереключаемого органического полевого транзистора по п. 1 или 3 в качестве мультибитного устройства памяти.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014111100/28A RU2580905C2 (ru) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, способ его изготовления и его применение в качестве устройства памяти |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014111100/28A RU2580905C2 (ru) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, способ его изготовления и его применение в качестве устройства памяти |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014111100A true RU2014111100A (ru) | 2015-09-27 |
| RU2580905C2 RU2580905C2 (ru) | 2016-04-10 |
Family
ID=54250781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014111100/28A RU2580905C2 (ru) | 2014-03-25 | 2014-03-25 | Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, способ его изготовления и его применение в качестве устройства памяти |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2580905C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114583052A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-03 | 西北工业大学 | 一种热致变色的有机场效应晶体管 |
| CN114583051A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-03 | 西北工业大学 | 一种光致变色的有机场效应晶体管 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2728127C1 (ru) * | 2019-07-10 | 2020-07-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) | Биядерные кристаллические комплексы редкоземельных ионов (3+), способ их получения, способ получения магнитных полимерных композитов, применение магнитных полимерных композитов в качестве светочувствительных магнитных сред для спинтроники и устройств памяти |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006228935A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
| US20070007510A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Spansion Llc | Stackable memory device and organic transistor structure |
| JP2010062222A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sharp Corp | 強誘電体ゲート有機電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート有機電界効果トランジスタの製造方法 |
| CN102723439A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 中国科学院微电子研究所 | 基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法 |
-
2014
- 2014-03-25 RU RU2014111100/28A patent/RU2580905C2/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114583052A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-03 | 西北工业大学 | 一种热致变色的有机场效应晶体管 |
| CN114583051A (zh) * | 2022-02-21 | 2022-06-03 | 西北工业大学 | 一种光致变色的有机场效应晶体管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2580905C2 (ru) | 2016-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | Overcoming coulomb interaction improves free-charge generation and thermoelectric properties for n-doped conjugated polymers | |
| TWI294687B (en) | Organic thin film transistor | |
| Yang et al. | Shape-controlled micro/nanostructures of 9, 10-diphenylanthracene (DPA) and their application in light-emitting devices | |
| Singh et al. | The double layer capacitance of ionic liquids for electrolyte gating of ZnO thin film transistors and effect of gate electrodes | |
| Xiao et al. | Synthesis, characterization, self-assembly, and physical properties of 11-methylbenzo [d] pyreno [4, 5-b] furan | |
| Pathak et al. | Effect of dimethyl sulfoxide on the electrical properties of PEDOT: PSS/n-Si heterojunction diodes | |
| Puscher et al. | Unveiling the dynamic processes in hybrid lead bromide perovskite nanoparticle thin film devices | |
| Lee et al. | Ultrahigh-mobility and solution-processed inorganic P-channel thin-film transistors based on a transition-metal halide semiconductor | |
| Feng et al. | Cost-effective dopant-free star-shaped oligo-aryl amines for high performance perovskite solar cells | |
| TWI462926B (zh) | 有機半導體材料、有機半導體組成物、有機薄膜及場效電晶體以及其製造方法 | |
| Pati et al. | Solution processable benzooxadiazole and benzothiadiazole based DAD molecules with chalcogenophene: field effect transistor study and structure property relationship | |
| Chan et al. | Hole-transporting spirothioxanthene derivatives as donor materials for efficient small-molecule-based organic photovoltaic devices | |
| Lee et al. | Electrochemiluminescent Transistors: A New Strategy toward Light‐Emitting Switching Devices | |
| Wang et al. | Role of schottky barrier and access resistance in organic field-effect transistors | |
| Li et al. | Unusually high SCLC hole mobility in solution-processed thin films of a polycyclic thiophene-based small-molecule semiconductor | |
| RU2014111100A (ru) | Фотопереключаемый и электропереключаемый органический полевой транзистор, способ его изготовления и его применение в качестве устройства памяти | |
| CN107360720A (zh) | 有机化合物、有机半导体材料、有机薄膜及制造方法、有机半导体组合物、有机半导体装置 | |
| Ma et al. | The first solution-processable n-type phthalocyaninato copper semiconductor: tuning the semiconducting nature via peripheral electron-withdrawing octyloxycarbonyl substituents | |
| Cheng et al. | Design and Synthesis of Solution-Processable Donor–Acceptor Dithienophosphole Oxide Derivatives for Multilevel Organic Resistive Memories | |
| Qu et al. | Solution-processed low resistivity Zinc Oxide nanoparticle film with enhanced stability using EVOH | |
| Sangwan et al. | Zinc quinoline complexes: solvent effects on optical properties, charge transport study, and OFET applications | |
| Sandhu et al. | Defect Passivation by a Donor–Acceptor–Donor‐Structured Small Molecule via Bidentate Anchoring for Efficient and Stable Perovskite Solar Cells | |
| Cho et al. | Synthesis and characterization of fluorene derivatives as organic semiconductors for organic field-effect transistor | |
| TW201330242A (zh) | 含生物高分子材料之電子裝置及其製造方法 | |
| Choi et al. | Charge conduction study of phosphorescent iridium compounds for organic light-emitting diodes application |