RU2013109841A - Способ улучшения параметров транзистора - Google Patents

Способ улучшения параметров транзистора Download PDF

Info

Publication number
RU2013109841A
RU2013109841A RU2013109841/28A RU2013109841A RU2013109841A RU 2013109841 A RU2013109841 A RU 2013109841A RU 2013109841/28 A RU2013109841/28 A RU 2013109841/28A RU 2013109841 A RU2013109841 A RU 2013109841A RU 2013109841 A RU2013109841 A RU 2013109841A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gold
transistor parameters
improving
improving transistor
parameters
Prior art date
Application number
RU2013109841/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Айшат Расуловна Шахмаева
Патимат Расуловна Захарова
Мария Николаевна Литовченко
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2013109841/28A priority Critical patent/RU2013109841A/ru
Publication of RU2013109841A publication Critical patent/RU2013109841A/ru

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

Способ улучшения параметров транзистора, включающий напыление золота толщиной 400-500на пластины без подогрева, отличающийся тем, что на пластины наносят фоторезист, после проявления которого напыляют сверху золото, проникающее в достаточных дозах в кремний через вскрытые контактные окна.

Claims (1)

  1. Способ улучшения параметров транзистора, включающий напыление золота толщиной 400-500 A o
    Figure 00000001
     на пластины без подогрева, отличающийся тем, что на пластины наносят фоторезист, после проявления которого напыляют сверху золото, проникающее в достаточных дозах в кремний через вскрытые контактные окна.
RU2013109841/28A 2013-03-05 2013-03-05 Способ улучшения параметров транзистора RU2013109841A (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013109841/28A RU2013109841A (ru) 2013-03-05 2013-03-05 Способ улучшения параметров транзистора

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013109841/28A RU2013109841A (ru) 2013-03-05 2013-03-05 Способ улучшения параметров транзистора

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013109841A true RU2013109841A (ru) 2014-09-10

Family

ID=51539906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013109841/28A RU2013109841A (ru) 2013-03-05 2013-03-05 Способ улучшения параметров транзистора

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2013109841A (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2626075C1 (ru) * 2016-03-14 2017-07-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") Способ изготовления полупроводникового прибора

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2626075C1 (ru) * 2016-03-14 2017-07-21 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет") Способ изготовления полупроводникового прибора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DOP2016000214A (es) Conjugados de anticuerpos anti-drosophila similar a delta 3 (anti-dll3) y medicamentos para usarse en el tratamiento contra melanoma
MX2016004865A (es) Metodo y dispositivo para analizar relacion social.
EA201790643A1 (ru) Способ и устройство для непрерывного нанесения нанослоистых металлических покрытий
MX2014001430A (es) Metodos para monitorear fluidos dentro de o producidos desde uña formacion subterraneas durante operaciones de acidificacion utilizando dispositivos optico-analiticos.
MX2014001426A (es) Metodos para monitorear fluidos dentro de o producidos desde una formacion subterranea utilizando dispositivos optico-analiticos.
AR108830A1 (es) Sistema de control de acceso de área y método
TWI563639B (en) Driving back plate of thin film transistor and manufacturing method thereof
BR112015024553A2 (pt) anticorpo multiespecífico, anticorpo isolado, ácido nucleico isolado, célula hospedeira, método de produção de anticorpo, imunoconjugado, formulação farmacêutica, uso de anticorpo e método de tratamento de indivíduos com distúrbio
EA201690213A1 (ru) Композиции и способ лечения связанных с комплементом состояний
WO2014133855A8 (en) Tuberculosis biomarkers and uses thereof
EA201490948A1 (ru) Способ определения соблюдения гигиены рук
TR201902303T4 (tr) Cam levhalar için büküm kalıbı.
WO2016023991A8 (de) Verfahren zur mikrobiom-analyse
MX2015010174A (es) Herramientas de diagnostico para predecir la presentacion de preeclampsia.
TW201613032A (en) Semiconductor device and fabricating method thereof
PH12016501926A1 (en) Program for predicting day of ovulation and method of predicting the same
WO2015054700A3 (en) Biomarkers for predicting risk of acute ischemic stroke and methods of use thereof
AR097038A1 (es) Uso de un ligando de cd6 y método basado en el
RU2013109841A (ru) Способ улучшения параметров транзистора
TWI800488B (zh) 圖像顯示裝置用之偏光板之沖壓方法及用於該方法之沖壓裝置
TWM489301U (en) Thin film transistor and pixel structure
TW201613093A (en) Semiconductor device
SG10201901836PA (en) Test strip assembly
PL393671A1 (pl) Materiał luminescencyjny oraz sposób otrzymywania
MX2017012449A (es) Tratamiento del dolor.