RU2013100294A - METHOD FOR GROWING PLANAR FILTER CRYSTALS OF SEMICONDUCTORS - Google Patents

METHOD FOR GROWING PLANAR FILTER CRYSTALS OF SEMICONDUCTORS Download PDF

Info

Publication number
RU2013100294A
RU2013100294A RU2013100294/05A RU2013100294A RU2013100294A RU 2013100294 A RU2013100294 A RU 2013100294A RU 2013100294/05 A RU2013100294/05 A RU 2013100294/05A RU 2013100294 A RU2013100294 A RU 2013100294A RU 2013100294 A RU2013100294 A RU 2013100294A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
wafer
semiconductors
range
temperature gradient
droplet
Prior art date
Application number
RU2013100294/05A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2536985C2 (en
Inventor
Валерий Александрович Небольсин
Максим Алексеевич Завалишин
Александр Игоревич Дунаев
Александр Юрьевич Воробьев
Елена Викторовна Иевлева
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority to RU2013100294/05A priority Critical patent/RU2536985C2/en
Publication of RU2013100294A publication Critical patent/RU2013100294A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2536985C2 publication Critical patent/RU2536985C2/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Способ выращивания планарных нитевидных кристаллов полупроводников, включающий подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и созданием в пластине продольного температурного градиента 10-100°C/см, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют осаждение кристаллизуемого вещества из паровой фазы по схеме пар→капельная жидкость→кристалл, молярное соотношение компонентов газовой фазы к водороду устанавливают в интервале 0,005-0,015, а отношение температурного градиента к диаметру капли катализатора обеспечивают в диапазоне 0,15-0,4°C.A method of growing planar whiskers of semiconductors, comprising preparing a semiconductor wafer by depositing catalyst particles on its surface, followed by placing the prepared wafer in a growth furnace, heating and creating a longitudinal temperature gradient of 10-100 ° C / cm in the wafer, characterized in that it further precipitates crystallizable substance from the vapor phase according to the scheme steam → droplet liquid → crystal, the molar ratio of the components of the gas phase to hydrogen is set to the range of 0.005-0.015, and the ratio of the temperature gradient to the diameter of the droplet of the catalyst provide in the range of 0.15-0.4 ° C.

Claims (1)

Способ выращивания планарных нитевидных кристаллов полупроводников, включающий подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением подготовленной пластины в ростовую печь, нагревом и созданием в пластине продольного температурного градиента 10-100°C/см, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют осаждение кристаллизуемого вещества из паровой фазы по схеме пар→капельная жидкость→кристалл, молярное соотношение компонентов газовой фазы к водороду устанавливают в интервале 0,005-0,015, а отношение температурного градиента к диаметру капли катализатора обеспечивают в диапазоне 0,15-0,4°C. A method of growing planar whiskers of semiconductors, comprising preparing a semiconductor wafer by depositing catalyst particles on its surface, followed by placing the prepared wafer in a growth furnace, heating and creating a longitudinal temperature gradient of 10-100 ° C / cm in the wafer, characterized in that it further precipitates crystallizable substance from the vapor phase according to the scheme steam → droplet liquid → crystal, the molar ratio of the components of the gas phase to hydrogen is set to the range of 0.005-0.015, and the ratio of the temperature gradient to the diameter of the droplet of the catalyst provide in the range of 0.15-0.4 ° C.
RU2013100294/05A 2013-01-09 2013-01-09 Method of growing planar threadlike crystals of semiconductors RU2536985C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100294/05A RU2536985C2 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Method of growing planar threadlike crystals of semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013100294/05A RU2536985C2 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Method of growing planar threadlike crystals of semiconductors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013100294A true RU2013100294A (en) 2014-07-20
RU2536985C2 RU2536985C2 (en) 2014-12-27

Family

ID=51214899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013100294/05A RU2536985C2 (en) 2013-01-09 2013-01-09 Method of growing planar threadlike crystals of semiconductors

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2536985C2 (en)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2099808C1 (en) * 1996-04-01 1997-12-20 Евгений Инвиевич Гиваргизов Process of growing of oriented systems of whiskers and gear for its implementation ( versions )
RU2010139462A (en) * 2010-09-24 2012-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси METHOD FOR PRODUCING "NEGATIVE" SILICON CRYSTALS

Also Published As

Publication number Publication date
RU2536985C2 (en) 2014-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
PL391416A1 (en) Method for graphene preparation
JP2016056088A5 (en)
WO2015038267A3 (en) Graphene synthesis by suppressing evaporative substrate loss during low pressure chemical vapor deposition
CL2018002575A1 (en) Method and system for the rapid preparation of lithium carbonate or concentrated brine using steam at high temperatures.
JP2010103514A5 (en)
RU2013119091A (en) METHOD FOR PRODUCING PRODUCTS FROM COMPOSITE MATERIAL
JP2014181178A5 (en)
JP2014144880A5 (en)
RU2013100294A (en) METHOD FOR GROWING PLANAR FILTER CRYSTALS OF SEMICONDUCTORS
JP2013110426A5 (en)
RU2009144821A (en) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL THREADED NANOCRYSTALS OF CONSTANT DIAMETER SEMICONDUCTORS
JP2018115110A5 (en)
PL411695A1 (en) Method for producing a long silicon carbide crystals from gaseous phase
MD4280B1 (en) pInP-nCdS structure growth method
WO2011063365A9 (en) Gan whiskers and methods of growing them from solution
RU2014100258A (en) METHOD FOR PRODUCING HOLES IN SILICON MONOCRYSTALLINE PLATES
RU2012129650A (en) METHOD FOR SYNTHESIS OF MONOCRYSTALLINE IRON SElenides
RU2009135890A (en) METHOD FOR FORMING TUNGSTEN CARBIDE THIN FILMS
CO6460077A1 (en) PROCESS FOR MODIFICATION OF ZEOLITE BY INCORPORATION OF PHOSPHORUS IN THE CRYSTAL STRUCTURE AND CATALYSTS FOR OLEFINES OLIGOMERIZATION
RU2010139462A (en) METHOD FOR PRODUCING "NEGATIVE" SILICON CRYSTALS
JP2014189442A5 (en)
MD20110026A2 (en) Method for removing the deformation of ZnSe single crystals in the cooling process after growth
RU2013116458A (en) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE
RU2012153951A (en) SILICON HUMIC SOIL MELIORANT

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150110