RU2012132613A - ADAPTIVE SENSOR BASED ON FIELD SENSITIVITY - Google Patents

ADAPTIVE SENSOR BASED ON FIELD SENSITIVITY Download PDF

Info

Publication number
RU2012132613A
RU2012132613A RU2012132613/28A RU2012132613A RU2012132613A RU 2012132613 A RU2012132613 A RU 2012132613A RU 2012132613/28 A RU2012132613/28 A RU 2012132613/28A RU 2012132613 A RU2012132613 A RU 2012132613A RU 2012132613 A RU2012132613 A RU 2012132613A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sensor based
adaptive sensor
substrate
electrode
field sensitivity
Prior art date
Application number
RU2012132613/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2511203C2 (en
Inventor
Владимир Александрович Беспалов
Виталий Иосифович Золотарев
Григорий Александрович Рудаков
Дмитрий Борисович Рыгалин
Валерий Алексеевич Федирко
Евгений Александрович Фетисов
Ренат Закирович Хафизов
Станислав Олегович Шепелев
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ)
Priority to RU2012132613/28A priority Critical patent/RU2511203C2/en
Publication of RU2012132613A publication Critical patent/RU2012132613A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2511203C2 publication Critical patent/RU2511203C2/en

Links

Abstract

Адаптивный датчик на основе чувствительного полевого прибора, содержащий структуру «металл-диэлектрик-полупроводник» с полупроводниковой подложкой и подвижным проводящим электродом на консоли, включающей слои с различными коэффициентами термического расширения, отличающийся тем, что на подложке на расстоянии не более ширины области пространственного заряда от края электрода расположен затвор и р-n переход для ввода электрического сигнала.An adaptive sensor based on a sensitive field device containing a metal-dielectric-semiconductor structure with a semiconductor substrate and a movable conductive electrode on the console, including layers with different coefficients of thermal expansion, characterized in that on the substrate at a distance of no more than the width of the space charge region from The edge of the electrode is a shutter and pn junction to enter an electrical signal.

Claims (1)

Адаптивный датчик на основе чувствительного полевого прибора, содержащий структуру «металл-диэлектрик-полупроводник» с полупроводниковой подложкой и подвижным проводящим электродом на консоли, включающей слои с различными коэффициентами термического расширения, отличающийся тем, что на подложке на расстоянии не более ширины области пространственного заряда от края электрода расположен затвор и р-n переход для ввода электрического сигнала. An adaptive sensor based on a sensitive field device containing a metal-dielectric-semiconductor structure with a semiconductor substrate and a movable conductive electrode on the console, including layers with different coefficients of thermal expansion, characterized in that on the substrate at a distance of no more than the width of the space charge region from The edge of the electrode is a shutter and pn junction to enter an electrical signal.
RU2012132613/28A 2012-07-31 2012-07-31 Adaptive sensor based on sensitive field device RU2511203C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012132613/28A RU2511203C2 (en) 2012-07-31 2012-07-31 Adaptive sensor based on sensitive field device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012132613/28A RU2511203C2 (en) 2012-07-31 2012-07-31 Adaptive sensor based on sensitive field device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012132613A true RU2012132613A (en) 2014-02-10
RU2511203C2 RU2511203C2 (en) 2014-04-10

Family

ID=50031804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012132613/28A RU2511203C2 (en) 2012-07-31 2012-07-31 Adaptive sensor based on sensitive field device

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2511203C2 (en)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5818093A (en) * 1996-01-25 1998-10-06 Motorola, Inc. Semiconductor device having a movable gate
FR2875339B1 (en) * 2004-09-16 2006-12-08 St Microelectronics Sa MOS TRANSISTOR WITH DEFORMABLE GRID
JP2010080466A (en) * 2008-09-24 2010-04-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd Acceleration and angular acceleration sensor
RU2399064C1 (en) * 2009-04-24 2010-09-10 Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛЕМ ИНФО" Heat-sensitive field device
RU2457577C1 (en) * 2011-03-24 2012-07-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Multifunctional measurement module

Also Published As

Publication number Publication date
RU2511203C2 (en) 2014-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2775533A3 (en) Solar cell
JP2011118887A5 (en) Semiconductor device and display device
JP2014195041A5 (en)
JP2015109443A5 (en)
EP2879189A3 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
JP2016015485A5 (en) Imaging apparatus and electronic apparatus
JP2012009839A5 (en) Semiconductor device
JP2014099429A5 (en)
FR2977328B1 (en) IONIZING RADIATION DETECTION DEVICE HAVING AN IMPROVED SPECTROMETRIC RESPONSE RESPONSE SEMICONDUCTOR SENSOR
JP2014199899A5 (en)
JP2017223697A5 (en) Distance measuring device
EP2802018A3 (en) Diode barrier infrared detector devices and superlattice barrier structures
JP2011119667A5 (en) Semiconductor device
EP4095895A3 (en) Through electrode substrate and semiconductor device using through electrode substrate
EP2574950A3 (en) Magnatoresistive sensing component and agnatoresistive sensing device
WO2012074747A3 (en) Neutron porosity logging tool using microstructured neutron detectors
JP2013171888A5 (en)
MY168480A (en) Electronic control device
PH12017502239A1 (en) Device for sensing radiation
EA201692520A1 (en) PHOTOELECTRIC ELEMENT
EP2763195A3 (en) Light emitting device
FR2984010B1 (en) INTEGRATED CAPACITIVE DEVICE HAVING THERMALLY VARIABLE CAPACITIVE VALUE
JP2016018963A5 (en)
MX342407B (en) Antenna blockage detection.
FR3010261B1 (en) DETECTION OF AN ELECTRICAL ARC IN PARALLEL ON THE MAIN TERMINALS OF A PHOTOVOLTAIC INSTALLATION

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190801