RU2011153842A

RU2011153842A - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОАРМИРОВАННОГО КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА Al-SiC И ИЗДЕЛИЕ, ПОЛУЧЕННОЕ НА ЕГО ОСНОВЕ

Info

Publication number: RU2011153842A
Application number: RU2011153842/05A
Authority: RU
Inventors: Евгений Николаевич Каблов; Сергей Михайлович Вдовин; Владимир Васильевич Чибиркин; Денис Вячеславович Гращенков; Борис Владимирович Шетанов; Владимир Николаевич Кочетов; Борис Васильевич Пряжников; Константин Николаевич Нищев; Вячеслав Васильевич Елисеев; Лилия Александровна Эмих
Priority date: 2011-12-29
Filing date: 2011-12-29
Publication date: 2013-07-10
Also published as: RU2493965C2

Abstract

1. Способ получения высокоармированного композиционного материала Al-SiC для теплоотводящего основания полупроводниковых приборов, включающий пропитку порошка SiC расплавом алюминия или алюминиевого сплава и диффузионное соединение пропитанной заготовки с алюминиевой фольгой, размещенной, по крайней мере, с одной ее стороны, отличающийся тем, что порошок SiC используют в виде предварительно скомпактированной в форме теплоотводящего основания пористой заготовки, размещение алюминиевой фольги на пористой заготовке осуществляют перед пропиткой ее расплавом алюминия или алюминиевого сплава, а их диффузионное соединение совмещают с пропиткой пористой заготовки.2. Способ получения высокоармированного композиционного материала Al-SiC для теплоотводящего основания полупроводниковых приборов по п.1, отличающийся тем, что пористые заготовки с размещенной, по крайней мере, на одной стороне алюминиевой фольгой перед пропиткой алюминием или алюминиевым сплавом собирают в пакет, включающий две и более пористых заготовок.3. Способ получения высокоармированного композиционного материала Al-SiC для теплоотводящего основания полупроводниковых приборов по п.2, отличающийся тем, что пористые заготовки в пакете отделяют друг от друга металлическими пластинами, имеющими температуру плавления выше температуры плавления алюминия или алюминиевого сплава.4. Теплоотводящее основание для полупроводниковых приборов, включающее плоский элемент из композиционного материала Al-SiC и слой алюминиевого покрытия, расположенный по крайней мере с одной его стороны, отличающееся тем, что оно выполнено способом по пп.1-3.5. Изделие, отличающе

Claims

1. Способ получения высокоармированного композиционного материала Al-SiC для теплоотводящего основания полупроводниковых приборов, включающий пропитку порошка SiC расплавом алюминия или алюминиевого сплава и диффузионное соединение пропитанной заготовки с алюминиевой фольгой, размещенной, по крайней мере, с одной ее стороны, отличающийся тем, что порошок SiC используют в виде предварительно скомпактированной в форме теплоотводящего основания пористой заготовки, размещение алюминиевой фольги на пористой заготовке осуществляют перед пропиткой ее расплавом алюминия или алюминиевого сплава, а их диффузионное соединение совмещают с пропиткой пористой заготовки.

2. Способ получения высокоармированного композиционного материала Al-SiC для теплоотводящего основания полупроводниковых приборов по п.1, отличающийся тем, что пористые заготовки с размещенной, по крайней мере, на одной стороне алюминиевой фольгой перед пропиткой алюминием или алюминиевым сплавом собирают в пакет, включающий две и более пористых заготовок.

3. Способ получения высокоармированного композиционного материала Al-SiC для теплоотводящего основания полупроводниковых приборов по п.2, отличающийся тем, что пористые заготовки в пакете отделяют друг от друга металлическими пластинами, имеющими температуру плавления выше температуры плавления алюминия или алюминиевого сплава.

4. Теплоотводящее основание для полупроводниковых приборов, включающее плоский элемент из композиционного материала Al-SiC и слой алюминиевого покрытия, расположенный по крайней мере с одной его стороны, отличающееся тем, что оно выполнено способом по пп.1-3.

5. Изделие, отличающееся тем, что оно включает теплоотводящее основание для полупроводниковых приборов по п.4.