RU2009124512A - METHOD FOR CONTROLLING A DEPOSITION SPEED AND ANALYSIS OF THE COMPOSITION OF DEPOSITED ALLOYS IN VACUUM BY EMISSION SPECTROSCOPY AT EXCITATION BY ELECTRONIC SHOCK IN TEST (HIGH FREQUENCY CAPACITIVE DISCHARGE) - Google Patents

METHOD FOR CONTROLLING A DEPOSITION SPEED AND ANALYSIS OF THE COMPOSITION OF DEPOSITED ALLOYS IN VACUUM BY EMISSION SPECTROSCOPY AT EXCITATION BY ELECTRONIC SHOCK IN TEST (HIGH FREQUENCY CAPACITIVE DISCHARGE) Download PDF

Info

Publication number
RU2009124512A
RU2009124512A RU2009124512/02A RU2009124512A RU2009124512A RU 2009124512 A RU2009124512 A RU 2009124512A RU 2009124512/02 A RU2009124512/02 A RU 2009124512/02A RU 2009124512 A RU2009124512 A RU 2009124512A RU 2009124512 A RU2009124512 A RU 2009124512A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
excitation
composition
controlling
emission spectroscopy
capacitive discharge
Prior art date
Application number
RU2009124512/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2427667C2 (en
Inventor
Эрнст Иванович Семенов (RU)
Эрнст Иванович Семенов
Виталий Дмитриевич Черников (RU)
Виталий Дмитриевич Черников
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинская государственная авиационная технологич
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинская государственная авиационная технологическая академия имени П.А. Соловьева"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинская государственная авиационная технологич, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинская государственная авиационная технологическая академия имени П.А. Соловьева" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинская государственная авиационная технологич
Priority to RU2009124512/02A priority Critical patent/RU2427667C2/en
Publication of RU2009124512A publication Critical patent/RU2009124512A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2427667C2 publication Critical patent/RU2427667C2/en

Links

Landscapes

  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ контроля скорости осаждения и анализа состава осажденных сплавов методом эмиссионной спектроскопии при возбуждении электронным ударом атомов сплава в паровой фазе, отличающийся тем, что возбуждение атомов парового потока выполняют электронным ударом в высокочастотном емкостном разряде. ! 2. Способ контроля по п.1, отличающийся тем, что систему возбуждения выполняют в виде двух плоскопараллельных металлических пластин, расположенных против друг друга, параллельно пути следования паров испаряемого сплава, и подключаемых к выводам высокочастотного генератора. ! 3. Способ контроля по п.1, отличающийся тем, что внутренняя сторона каждого высокочастотного электрода экранирована диэлектрической обкладкой. 1. A method of controlling the deposition rate and analyzing the composition of the deposited alloys by emission spectroscopy when electronically excited alloy atoms in the vapor phase, characterized in that the excitation of the vapor stream atoms is performed by electron impact in a high-frequency capacitive discharge. ! 2. The control method according to claim 1, characterized in that the excitation system is made in the form of two plane-parallel metal plates located opposite each other, parallel to the path of the vapor of the evaporated alloy, and connected to the terminals of the high-frequency generator. ! 3. The control method according to claim 1, characterized in that the inner side of each high-frequency electrode is shielded by a dielectric plate.

Claims (3)

1. Способ контроля скорости осаждения и анализа состава осажденных сплавов методом эмиссионной спектроскопии при возбуждении электронным ударом атомов сплава в паровой фазе, отличающийся тем, что возбуждение атомов парового потока выполняют электронным ударом в высокочастотном емкостном разряде.1. A method of controlling the deposition rate and analyzing the composition of the deposited alloys by emission spectroscopy when electronically excited alloy atoms in the vapor phase, characterized in that the excitation of the vapor stream atoms is performed by electron impact in a high-frequency capacitive discharge. 2. Способ контроля по п.1, отличающийся тем, что систему возбуждения выполняют в виде двух плоскопараллельных металлических пластин, расположенных против друг друга, параллельно пути следования паров испаряемого сплава, и подключаемых к выводам высокочастотного генератора.2. The control method according to claim 1, characterized in that the excitation system is made in the form of two plane-parallel metal plates located opposite each other, parallel to the path of the vapor of the evaporated alloy, and connected to the terminals of the high-frequency generator. 3. Способ контроля по п.1, отличающийся тем, что внутренняя сторона каждого высокочастотного электрода экранирована диэлектрической обкладкой. 3. The control method according to claim 1, characterized in that the inner side of each high-frequency electrode is shielded by a dielectric plate.
RU2009124512/02A 2009-06-26 2009-06-26 Procedure for determination of rate of thermal vacuum sedimentation of alloys by method of emission spectroscopy RU2427667C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009124512/02A RU2427667C2 (en) 2009-06-26 2009-06-26 Procedure for determination of rate of thermal vacuum sedimentation of alloys by method of emission spectroscopy

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009124512/02A RU2427667C2 (en) 2009-06-26 2009-06-26 Procedure for determination of rate of thermal vacuum sedimentation of alloys by method of emission spectroscopy

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009124512A true RU2009124512A (en) 2011-01-10
RU2427667C2 RU2427667C2 (en) 2011-08-27

Family

ID=44054096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009124512/02A RU2427667C2 (en) 2009-06-26 2009-06-26 Procedure for determination of rate of thermal vacuum sedimentation of alloys by method of emission spectroscopy

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2427667C2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2658776C2 (en) * 2016-11-08 2018-06-22 Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов" (АО "УНИИКМ") Method for determining speed of condensate formation from metal vapors on hot surface of dense material and device for its implementation

Also Published As

Publication number Publication date
RU2427667C2 (en) 2011-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tiron et al. Deposition rate enhancement in HiPIMS through the control of magnetic field and pulse configuration
JP4607687B2 (en) Method for forming amorphous carbon film
Tsunoyama et al. Development of high-flux ion source for size-selected nanocluster ions based on high-power impulse magnetron sputtering
CN103132013B (en) Ion bombardment device and utilize the cleaning method of substrate material surface of this device
Cohen et al. Formation and emission of gold and silver carbide cluster ions in a single ${\rm C}^{-} _ {60} $ C60− surface impact at keV energies: Experiment and calculations
CN105229810A (en) Piezoelectric film and manufacture method thereof
GB2437730A (en) HIPIMS with low magnetic field strength
Jouan et al. HiPIMS ion energy distribution measurements in reactive mode
RU2009105668A (en) METHOD FOR DEPOSITION OF ELECTRIC INSULATING LAYERS
CN105492652A (en) TiB2 layers and use thereof
Stranak et al. Highly ionized physical vapor deposition plasma source working at very low pressure
WO2019210891A1 (en) Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices
EA201100220A1 (en) METHOD AND INSTALLATION FOR PREPARING THE SURFACE BY THE DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE
RU2009124512A (en) METHOD FOR CONTROLLING A DEPOSITION SPEED AND ANALYSIS OF THE COMPOSITION OF DEPOSITED ALLOYS IN VACUUM BY EMISSION SPECTROSCOPY AT EXCITATION BY ELECTRONIC SHOCK IN TEST (HIGH FREQUENCY CAPACITIVE DISCHARGE)
Lobo et al. A comparison of non-pulsed radiofrequency and pulsed radiofrequency glow discharge orthogonal time-of-flight mass spectrometry for analytical purposes
CN105624617A (en) Method for preparing densified MCrAlRe type coating through arc ion plating
Gago et al. An ion source for radiofrequency-pulsed glow discharge time-of-flight mass spectrometry
JP6239359B2 (en) Liquid phase epitaxial growth apparatus and liquid phase epitaxial growth method
Tarik et al. Development and fundamental investigation of laser ablation glow discharge time-of-flight mass spectrometry (LA-GD-TOFMS)
CN101864559B (en) Grid mesh magnetron sputtering hafnium evaporation method
Brubaker A method for greatly enhancing the pumping action of a penning discharge
CN202786397U (en) Plasma nitrizing equipment
Loch et al. Plasma analysis of inductively coupled impulse sputtering of Cu, Ti and Ni
CN209543736U (en) A kind of teaching type sputter instrument
RU134931U1 (en) DEVICE FOR SPRAYING FILMS ON SUBSTRATES

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150627