Claims (8)
1. Способ очистки порошкообразного кремния, включающий химическое травление поверхности кремния и высокотемпературную термообработку, отличающийся тем, что химическое травление проводят при температуре от 800 до 1410°С при погружении частиц кремния в поток химически активного по отношению к примесям и кремнию газа, при этом химическое травление и термообработку проводят одновременно при перемешивании частиц порошкообразного кремния.1. The method of cleaning powdered silicon, including chemical etching of the silicon surface and high-temperature heat treatment, characterized in that the chemical etching is carried out at a temperature of from 800 to 1410 ° C when the silicon particles are immersed in a gas stream chemically active with respect to impurities and silicon, while etching and heat treatment are carried out simultaneously with mixing particles of powdered silicon.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что химически активный газ создают плазмохимическим разрядом токами высокой частоты при пониженном давлении.2. The method according to claim 1, characterized in that the reactive gas is created by plasma-chemical discharge by high frequency currents under reduced pressure.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что химическое травление проводят в смеси газов.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the chemical etching is carried out in a mixture of gases.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что химическое травление проводят в смеси газов, образующих на кремнии стеклообразующую пленку.4. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the chemical etching is carried out in a mixture of gases forming a glass-forming film on silicon.
5. Способ очистки порошкообразного кремния, включающий химическое травление поверхности кремния и высокотемпературную термообработку, отличающийся тем, что на поверхности частиц порошкообразного кремния создают слой пористого кремния и проводят химическое травление при температуре от 800 до 1410°С при погружении частиц кремния в поток химически активного по отношению к примесям и кремнию газа, при этом химическое травление и термообработку проводят одновременно при перемешивании частиц порошкообразного кремния.5. A method of cleaning powdered silicon, including chemical etching of the silicon surface and high-temperature heat treatment, characterized in that a porous silicon layer is created on the surface of the silicon powder particles and chemical etching is carried out at a temperature of from 800 to 1410 ° C. when the silicon particles are immersed in a chemically active stream with respect to impurities and silicon gas, while chemical etching and heat treatment is carried out simultaneously with mixing particles of powdered silicon.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что химически активный газ создают плазмохимическим разрядом токами высокой частоты при пониженном давлении.6. The method according to claim 5, characterized in that the reactive gas is created by plasma-chemical discharge by high frequency currents under reduced pressure.
7. Способ по п.5 или 6, отличающийся тем, что химическое травление проводят в смеси газов.7. The method according to claim 5 or 6, characterized in that the chemical etching is carried out in a mixture of gases.
8. Способ по п.5 или 6, отличающийся тем, что химическое травление проводят в смеси газов, образующих на кремнии стеклообразующую пленку.
8. The method according to claim 5 or 6, characterized in that the chemical etching is carried out in a mixture of gases forming a glass-forming film on silicon.