RU2007141337A - Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала - Google Patents

Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала Download PDF

Info

Publication number
RU2007141337A
RU2007141337A RU2007141337/28A RU2007141337A RU2007141337A RU 2007141337 A RU2007141337 A RU 2007141337A RU 2007141337/28 A RU2007141337/28 A RU 2007141337/28A RU 2007141337 A RU2007141337 A RU 2007141337A RU 2007141337 A RU2007141337 A RU 2007141337A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
cobalt
semiconductor material
ions
ferromagnetic semiconductor
Prior art date
Application number
RU2007141337/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2361320C1 (ru
Inventor
Рустам Ильдусович Хайбуллин (RU)
Рустам Ильдусович Хайбуллин
Ленар Рафгатович Тагиров (RU)
Ленар Рафгатович Тагиров
Валерий Вячеславович Базаров (RU)
Валерий Вячеславович Базаров
Шамиль Зарифович Ибрагимов (RU)
Шамиль Зарифович Ибрагимов
Ильдар Абулкабирович Файзрахманов (RU)
Ильдар Абулкабирович Файзрахманов
Original Assignee
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН) (RU)
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный университет им. В.И. Уль
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова-Ленина" (ГОУВПО КГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН) (RU), Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный университет им. В.И. Уль, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный университет им. В.И. Ульянова-Ленина" (ГОУВПО КГУ) filed Critical Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН им. Е.К. Завойского (КФТИ КНЦ РАН) (RU)
Priority to RU2007141337/28A priority Critical patent/RU2361320C1/ru
Publication of RU2007141337A publication Critical patent/RU2007141337A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2361320C1 publication Critical patent/RU2361320C1/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающий введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, отличающийся тем, что имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TiO2, ориентированную вдоль кристаллографического направления <001> по отношению к ионному лучу и нагретую до температуры не менее 875 К, задают значения энергии ионов кобальта в луче, плотности ионного тока и дозы облучения, обеспечивающие однородное распределение примеси по объему подложки и необходимые величины магнитных характеристик получаемого материала.

Claims (1)

  1. Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающий введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, отличающийся тем, что имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TiO2, ориентированную вдоль кристаллографического направления <001> по отношению к ионному лучу и нагретую до температуры не менее 875 К, задают значения энергии ионов кобальта в луче, плотности ионного тока и дозы облучения, обеспечивающие однородное распределение примеси по объему подложки и необходимые величины магнитных характеристик получаемого материала.
RU2007141337/28A 2007-10-29 2007-10-29 Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала RU2361320C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007141337/28A RU2361320C1 (ru) 2007-10-29 2007-10-29 Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007141337/28A RU2361320C1 (ru) 2007-10-29 2007-10-29 Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007141337A true RU2007141337A (ru) 2009-05-10
RU2361320C1 RU2361320C1 (ru) 2009-07-10

Family

ID=41019623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007141337/28A RU2361320C1 (ru) 2007-10-29 2007-10-29 Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2361320C1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8872615B2 (en) 2010-05-28 2014-10-28 Institute Of Geological And Nuclear Sciences Limited Magnetic nanoclusters
RU2515426C1 (ru) * 2012-09-13 2014-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Ферромагнитный полупроводниковый материал

Also Published As

Publication number Publication date
RU2361320C1 (ru) 2009-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Garcia et al. Magnetic properties of ZnO nanoparticles
Yazyev Magnetism in disordered graphene and irradiated graphite
MX339751B (es) Celdas fotovoltaicas transparentes.
Kumari et al. Modifications in structural and electrical properties of gamma irradiated CdSe nanowires
Xiong et al. Ultraviolet luminescence enhancement of ZnO two-dimensional periodic nanostructures fabricated by the interference of three femtosecond laser beams
Xu et al. Exploring Orbit–Orbit Interaction in Relationship to Photoluminescence Quantum Efficiency in Perovskite Quantum Dots through Rashba Effect
RU2007141337A (ru) Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала
Chen et al. The structural properties of wurtzite and rocksalt MgxZn1− xO
Chauhan et al. High energy (150 MeV) Fe11+ ion beam induced modifications of physico-chemical and photoluminescence properties of high-k dielectric nanocrystalline zirconium oxide thin films
Kennard et al. Growth-controlled broad emission in phase-pure two-dimensional hybrid perovskite films
CN105702804A (zh) 硅基光伏太阳能电池的恢复方法
Trzeciak et al. J/ψ and ψ (2S) measurement in p+ p collisions√ s= 200 and 500 GeV with the STAR experiment
Sandeep et al. Role of defect states on nonlinear properties of 8 MeV electrons irradiated zinc oxide thin films under off-resonant regime
CN204303492U (zh) 一种加速器用束流均匀化六极磁铁
Chauhan et al. Enhanced conduction in CdSe nanowires on 200 keV phosphorous negative ion implantation
Loganayaki et al. Growth, Optical and Electrical Properties of zinc tris (thiourea) sulphate (ZTS) Single Crystals
CN104233201B (zh) 成膜装置
Masenda et al. Unusual charge states and lattice sites of Fe in Al x Ga1− x N: Mn
CN104703378A (zh) 一种永磁束流均匀化六极磁铁
Ji et al. Optically controlled valley-polarized resonance based on monolayer WSe2 electrical quantum structure
Zhang et al. HRXRD and Raman study of irradiation effects in InGaN/GaN layers induced by 2.3 áMeV Ne and 5.3 áMeV Kr ions
Masenda et al. Mössbauer study of 57 Fe in GaAs and GaP following 57 Mn+ implantation
Wawrzyniak et al. Ramping of the Solaris Storage Ring Achromats
Choudhary et al. Ar+ ion implantation induced surface, structural and optical modifications in cadmium selenide thin films
CN105624626B (zh) 一种基于生物模板的三维光子晶体的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20101030

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20120310