RU2007141337A - Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала - Google Patents
Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007141337A RU2007141337A RU2007141337/28A RU2007141337A RU2007141337A RU 2007141337 A RU2007141337 A RU 2007141337A RU 2007141337/28 A RU2007141337/28 A RU 2007141337/28A RU 2007141337 A RU2007141337 A RU 2007141337A RU 2007141337 A RU2007141337 A RU 2007141337A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- cobalt
- semiconductor material
- ions
- ferromagnetic semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающий введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, отличающийся тем, что имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TiO2, ориентированную вдоль кристаллографического направления <001> по отношению к ионному лучу и нагретую до температуры не менее 875 К, задают значения энергии ионов кобальта в луче, плотности ионного тока и дозы облучения, обеспечивающие однородное распределение примеси по объему подложки и необходимые величины магнитных характеристик получаемого материала.
Claims (1)
- Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала, включающий введение в подложку на основе диоксида титана ионов примеси кобальта с применением ионно-лучевой имплантации, отличающийся тем, что имплантацию ионов кобальта осуществляют в монокристаллическую подложку рутила TiO2, ориентированную вдоль кристаллографического направления <001> по отношению к ионному лучу и нагретую до температуры не менее 875 К, задают значения энергии ионов кобальта в луче, плотности ионного тока и дозы облучения, обеспечивающие однородное распределение примеси по объему подложки и необходимые величины магнитных характеристик получаемого материала.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007141337/28A RU2361320C1 (ru) | 2007-10-29 | 2007-10-29 | Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2007141337/28A RU2361320C1 (ru) | 2007-10-29 | 2007-10-29 | Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2007141337A true RU2007141337A (ru) | 2009-05-10 |
RU2361320C1 RU2361320C1 (ru) | 2009-07-10 |
Family
ID=41019623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007141337/28A RU2361320C1 (ru) | 2007-10-29 | 2007-10-29 | Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2361320C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8872615B2 (en) | 2010-05-28 | 2014-10-28 | Institute Of Geological And Nuclear Sciences Limited | Magnetic nanoclusters |
RU2515426C1 (ru) * | 2012-09-13 | 2014-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Ферромагнитный полупроводниковый материал |
-
2007
- 2007-10-29 RU RU2007141337/28A patent/RU2361320C1/ru active IP Right Revival
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2361320C1 (ru) | 2009-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Garcia et al. | Magnetic properties of ZnO nanoparticles | |
Yazyev | Magnetism in disordered graphene and irradiated graphite | |
MX339751B (es) | Celdas fotovoltaicas transparentes. | |
Kumari et al. | Modifications in structural and electrical properties of gamma irradiated CdSe nanowires | |
Xiong et al. | Ultraviolet luminescence enhancement of ZnO two-dimensional periodic nanostructures fabricated by the interference of three femtosecond laser beams | |
Xu et al. | Exploring Orbit–Orbit Interaction in Relationship to Photoluminescence Quantum Efficiency in Perovskite Quantum Dots through Rashba Effect | |
RU2007141337A (ru) | Способ получения ферромагнитного полупроводникового материала | |
Chen et al. | The structural properties of wurtzite and rocksalt MgxZn1− xO | |
Chauhan et al. | High energy (150 MeV) Fe11+ ion beam induced modifications of physico-chemical and photoluminescence properties of high-k dielectric nanocrystalline zirconium oxide thin films | |
Kennard et al. | Growth-controlled broad emission in phase-pure two-dimensional hybrid perovskite films | |
CN105702804A (zh) | 硅基光伏太阳能电池的恢复方法 | |
Trzeciak et al. | J/ψ and ψ (2S) measurement in p+ p collisions√ s= 200 and 500 GeV with the STAR experiment | |
Sandeep et al. | Role of defect states on nonlinear properties of 8 MeV electrons irradiated zinc oxide thin films under off-resonant regime | |
CN204303492U (zh) | 一种加速器用束流均匀化六极磁铁 | |
Chauhan et al. | Enhanced conduction in CdSe nanowires on 200 keV phosphorous negative ion implantation | |
Loganayaki et al. | Growth, Optical and Electrical Properties of zinc tris (thiourea) sulphate (ZTS) Single Crystals | |
CN104233201B (zh) | 成膜装置 | |
Masenda et al. | Unusual charge states and lattice sites of Fe in Al x Ga1− x N: Mn | |
CN104703378A (zh) | 一种永磁束流均匀化六极磁铁 | |
Ji et al. | Optically controlled valley-polarized resonance based on monolayer WSe2 electrical quantum structure | |
Zhang et al. | HRXRD and Raman study of irradiation effects in InGaN/GaN layers induced by 2.3 áMeV Ne and 5.3 áMeV Kr ions | |
Masenda et al. | Mössbauer study of 57 Fe in GaAs and GaP following 57 Mn+ implantation | |
Wawrzyniak et al. | Ramping of the Solaris Storage Ring Achromats | |
Choudhary et al. | Ar+ ion implantation induced surface, structural and optical modifications in cadmium selenide thin films | |
CN105624626B (zh) | 一种基于生物模板的三维光子晶体的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20101030 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20120310 |